JPS61277024A - 光スペクトル検知器 - Google Patents
光スペクトル検知器Info
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- JPS61277024A JPS61277024A JP11926185A JP11926185A JPS61277024A JP S61277024 A JPS61277024 A JP S61277024A JP 11926185 A JP11926185 A JP 11926185A JP 11926185 A JP11926185 A JP 11926185A JP S61277024 A JPS61277024 A JP S61277024A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/28—Investigating the spectrum
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は、光スベクl−/し感度が異なる複数個の光電
変換素子によって、被測定光を同時測定し、その信号を
逆変換して被測定光のスペクトル分布を検知する光スペ
クトル検知器に関する。
変換素子によって、被測定光を同時測定し、その信号を
逆変換して被測定光のスペクトル分布を検知する光スペ
クトル検知器に関する。
〈従来技術〉
光のスベク)/7分布を求める方法としては、単一の波
長領域の光にしか感度を持たない光検知器を被測定波長
全域に渡って並べて測定する方法がある。第2図はこれ
を示す説明図である。図において被測定光のスペク)/
l/分布が、■(λk)Δλ=Ikであるとする。但し
、kは1からNまでの自然数であシ、λにとλに+1=
λに+Δλではさまれる波長領域はN分割された被測定
波長領域の一方の端から数えてに番目の波長領域である
。スペクトルは近似的に階段型分布を仮定している。λ
にとλに+1の間の波長の光にしか感度を持たない単一
波長領域光検知器kIkか分布する波長全域に渡って並
べて測定を行なえば、各検知器の信号J(λk)Δλミ
Jkから、各検出器の感度補正を考慮して、Ikの分布
を求めることができる。すなわち、単一波長領域光検知
器の数をN個とすれば、次式によってスペクトル分布I
kが求められる。
長領域の光にしか感度を持たない光検知器を被測定波長
全域に渡って並べて測定する方法がある。第2図はこれ
を示す説明図である。図において被測定光のスペク)/
l/分布が、■(λk)Δλ=Ikであるとする。但し
、kは1からNまでの自然数であシ、λにとλに+1=
λに+Δλではさまれる波長領域はN分割された被測定
波長領域の一方の端から数えてに番目の波長領域である
。スペクトルは近似的に階段型分布を仮定している。λ
にとλに+1の間の波長の光にしか感度を持たない単一
波長領域光検知器kIkか分布する波長全域に渡って並
べて測定を行なえば、各検知器の信号J(λk)Δλミ
Jkから、各検出器の感度補正を考慮して、Ikの分布
を求めることができる。すなわち、単一波長領域光検知
器の数をN個とすれば、次式によってスペクトル分布I
kが求められる。
但し、akはに番目の単一波長領域光検知器の感度補正
因子であシ、すべてのkに対してak〜0であシ、上記
のJkからIkへの変換に用いられる行列は対角行列で
ある。この方法では、単一波長領域光検知器を被測定波
長全域に渡って揃える必要があシ、Nを増すほどすなわ
ち波長に関する分解能を上げるほど、これは困難となる
。
因子であシ、すべてのkに対してak〜0であシ、上記
のJkからIkへの変換に用いられる行列は対角行列で
ある。この方法では、単一波長領域光検知器を被測定波
長全域に渡って揃える必要があシ、Nを増すほどすなわ
ち波長に関する分解能を上げるほど、これは困難となる
。
そとで、このN個の単一波長領域光検知器を、N分割し
た波長領域のうちの複数領域に渡って感度を有しかつ異
なるスベク)A/感度を有するN個の光検出器に置換し
て測定を行なう。第3図に示すように、jを1からNま
での自然数とすれば、j番目の検出器はλにとλに+1
の間の波長領域の光に対してajkIkなる信号を生ず
るので、被測定光に対してはj番目の検出器の信号Jj
は、Jj=Σ ajkIk となり、行列で表現すれば
次式で表わされる。
た波長領域のうちの複数領域に渡って感度を有しかつ異
なるスベク)A/感度を有するN個の光検出器に置換し
て測定を行なう。第3図に示すように、jを1からNま
での自然数とすれば、j番目の検出器はλにとλに+1
の間の波長領域の光に対してajkIkなる信号を生ず
るので、被測定光に対してはj番目の検出器の信号Jj
は、Jj=Σ ajkIk となり、行列で表現すれば
次式で表わされる。
但し、a ] IlはIkをj番目の検知器で受光して
得られる信号から求めることができる値で、上記のak
と同じく感度補正因子である。上式の変換行列″f:I
ajk)=”Aと表わすことにすれば、測定信号Jj
からスベク)/L/分布lkは、Aの逆行列A を求め
てJjをIl(べ逆変換することによって求められる。
得られる信号から求めることができる値で、上記のak
と同じく感度補正因子である。上式の変換行列″f:I
ajk)=”Aと表わすことにすれば、測定信号Jj
からスベク)/L/分布lkは、Aの逆行列A を求め
てJjをIl(べ逆変換することによって求められる。
Aの逆行列が存在するためには、Aが正則でなくてはな
らない、すなわち、行列Aの行列式IAIがIAI〜O
でなくてはならないので、本発明の作製は、この点に留
意し、逆変換処理をできる限シ簡略化しうるようにAt
設計する必要がある。
らない、すなわち、行列Aの行列式IAIがIAI〜O
でなくてはならないので、本発明の作製は、この点に留
意し、逆変換処理をできる限シ簡略化しうるようにAt
設計する必要がある。
〈発明の概要〉
以上の考察に基づき、本発明は特に薄膜光電変換素子の
積層型検知器を構成したものである。原理上は、積層化
でなくとも可能であるが、積層化の利点を以下に述べる
。平面上に異なるスペクトル感度を有するN個の光検知
器を並べることは、面方向に一様な検知器を作製する場
合と異なシ、工程を複雑化しまたスペクトルの面分布を
測定する目的に対してはN個の光検知器の占有面積が大
きくなシ分解能を低下させる欠点を有する。これに対し
、本発明は半透過性光検知器を積層させ異なるスペクト
ル感度を有するN個の光検知器として作動させることに
よって、上述の欠点を克服するとともに、薄膜技術の特
徴である積層化を積極。
積層型検知器を構成したものである。原理上は、積層化
でなくとも可能であるが、積層化の利点を以下に述べる
。平面上に異なるスペクトル感度を有するN個の光検知
器を並べることは、面方向に一様な検知器を作製する場
合と異なシ、工程を複雑化しまたスペクトルの面分布を
測定する目的に対してはN個の光検知器の占有面積が大
きくなシ分解能を低下させる欠点を有する。これに対し
、本発明は半透過性光検知器を積層させ異なるスペクト
ル感度を有するN個の光検知器として作動させることに
よって、上述の欠点を克服するとともに、薄膜技術の特
徴である積層化を積極。
的に活用しようとするものである。
積層化された各半透過性光検知器に、光入射側から順に
1,2.・・・I jI・・・、Nと命名する。j番
目の検知器には、1,2.・・・、j−1の半透過性検
知器がフィルターとして働くので、本発明では特別なフ
ィルターを設ける必要がないという利点を有する。この
場合、上述した感度補正因子ajkは、λにとλに+、
の間の波長の光の積層型光スペクトル検知器への入射光
量Ikに対するj番目の検出器の出力信号がajk■に
であることを示す因子であり、ajkには、1,2.・
・・、j−1の半透過性光検知器によるフィルター効果
も繰シ込まれている。
1,2.・・・I jI・・・、Nと命名する。j番
目の検知器には、1,2.・・・、j−1の半透過性検
知器がフィルターとして働くので、本発明では特別なフ
ィルターを設ける必要がないという利点を有する。この
場合、上述した感度補正因子ajkは、λにとλに+、
の間の波長の光の積層型光スペクトル検知器への入射光
量Ikに対するj番目の検出器の出力信号がajk■に
であることを示す因子であり、ajkには、1,2.・
・・、j−1の半透過性光検知器によるフィルター効果
も繰シ込まれている。
〈実施例〉
第1図に示すように、個々の半透過性光検知器として、
透明導電膜5.9.10上に水素化アモルファヌシリコ
ン(以下ra −S i : HJ 上記?)のp型層
2.6.11、n型層3,7.12、n型層4.8.1
3を順次積層し、更にn型層 −Si:H層の上に透明
導電膜14’kQ膜したpin型光電変換素子を用いる
。透明導電膜はそれを挾む上下のpin型光電変換素子
の双方に共通する信号取出し口としての役割を果たす。
透明導電膜5.9.10上に水素化アモルファヌシリコ
ン(以下ra −S i : HJ 上記?)のp型層
2.6.11、n型層3,7.12、n型層4.8.1
3を順次積層し、更にn型層 −Si:H層の上に透明
導電膜14’kQ膜したpin型光電変換素子を用いる
。透明導電膜はそれを挾む上下のpin型光電変換素子
の双方に共通する信号取出し口としての役割を果たす。
このようなpin型光電変換素子を複数個ステンレス基
板15上に積層し、各pin型光電変換素子で発生する
短絡光電流あるいは一定逆バイアス印加時の光電流を出
力信号として検出する。
板15上に積層し、各pin型光電変換素子で発生する
短絡光電流あるいは一定逆バイアス印加時の光電流を出
力信号として検出する。
従来、上記単層のpin型光電変換素子は、i層の膜厚
を調整することによって緑色にピークを持つスペクトル
感度、すなわち人間の視感度に近いスペクトル感度を有
することができ、また、上記単層pin型光電変換素子
の光入射側前面に色フィルターを装着することによって
カラーセンサーとしての利用が可能となる。この場合、
多数の色の識別のためには異なる分光透過特性を有する
多数の色フィルターを必要とするとともに面方向に異な
る色フィルレターを有するカラーセンサーを配列せねば
ならず、被入射光16のスペクトル面分布の測定に際し
ては占有面積が大きくなシ、空間的分解能の低下か予想
される。これらの点に対し、本実施例は、まず半透過性
単層pin型光電変換素子を多層化することによって色
フィルターを必要としない光スベク)/L/検知器とし
て作用する素子を構成している。
を調整することによって緑色にピークを持つスペクトル
感度、すなわち人間の視感度に近いスペクトル感度を有
することができ、また、上記単層pin型光電変換素子
の光入射側前面に色フィルターを装着することによって
カラーセンサーとしての利用が可能となる。この場合、
多数の色の識別のためには異なる分光透過特性を有する
多数の色フィルターを必要とするとともに面方向に異な
る色フィルレターを有するカラーセンサーを配列せねば
ならず、被入射光16のスペクトル面分布の測定に際し
ては占有面積が大きくなシ、空間的分解能の低下か予想
される。これらの点に対し、本実施例は、まず半透過性
単層pin型光電変換素子を多層化することによって色
フィルターを必要としない光スベク)/L/検知器とし
て作用する素子を構成している。
a−Si:Hは光吸収係数が光の波長に対して変化して
いるので、iキjとしたとき積層された単層pin型光
電変換素子のうち、1番目のものとj番目のもののスペ
クトル感度は相似にはなシ兄ない。すなわち、C1jを
正の定数として1からNまでのどのkに対しても”ki
−Cij ai(jを満たすC1jは存在しない。これ
によって、上述した行列Aの正則性が保障され逆変換に
よってスペクトル分布が求められる。a−Si:Hを材
aとした場合、個々の単層pin型光電変換素子の膜厚
は数十Aから数千Aに渡って様々な膜厚を有するものの
うち、積層数N及び吸収光量との関係を考慮して適切な
膜厚のものが用いられる。
いるので、iキjとしたとき積層された単層pin型光
電変換素子のうち、1番目のものとj番目のもののスペ
クトル感度は相似にはなシ兄ない。すなわち、C1jを
正の定数として1からNまでのどのkに対しても”ki
−Cij ai(jを満たすC1jは存在しない。これ
によって、上述した行列Aの正則性が保障され逆変換に
よってスペクトル分布が求められる。a−Si:Hを材
aとした場合、個々の単層pin型光電変換素子の膜厚
は数十Aから数千Aに渡って様々な膜厚を有するものの
うち、積層数N及び吸収光量との関係を考慮して適切な
膜厚のものが用いられる。
透明導電膜の膜厚は数百Aから数千Aとした。この場合
、多重干渉効果が起こるので、積層数N及び膜厚を仮定
し個々の単層pin型光電変換素子による吸収光量を計
算し積層化しない単層pin型光電変換素子による吸収
光量を計算し積層化しない単層pin型光電変換素子の
スペクトル感度を仮定する仁とによって、積層化した場
合のj番目のpin型光電変換素子のスペクトル感度a
Jを概算することはできるが、作製時における膜厚の厳
密な制御の問題を考慮すると実測によってa kjを決
定せざるを得ない。この際、行列Aの正則性を保障しな
くてはならない。また、a−Si:Hの光吸収係数は波
長の増加と共に減少するので、各単層pin型光電変換
素子の9層、i層、n層のうち吸収光量が信号に寄与し
うるi層の膜厚はjの増加と共に徐々に増加させた方が
よい。ここでは、i層の膜厚の増加に伴って光吸収量か
増加し、それと共に信号としての光電流が増加すること
が成立する1層膜厚の範囲すなわち数千λ以下のi層・
膜厚に限定される。
、多重干渉効果が起こるので、積層数N及び膜厚を仮定
し個々の単層pin型光電変換素子による吸収光量を計
算し積層化しない単層pin型光電変換素子による吸収
光量を計算し積層化しない単層pin型光電変換素子の
スペクトル感度を仮定する仁とによって、積層化した場
合のj番目のpin型光電変換素子のスペクトル感度a
Jを概算することはできるが、作製時における膜厚の厳
密な制御の問題を考慮すると実測によってa kjを決
定せざるを得ない。この際、行列Aの正則性を保障しな
くてはならない。また、a−Si:Hの光吸収係数は波
長の増加と共に減少するので、各単層pin型光電変換
素子の9層、i層、n層のうち吸収光量が信号に寄与し
うるi層の膜厚はjの増加と共に徐々に増加させた方が
よい。ここでは、i層の膜厚の増加に伴って光吸収量か
増加し、それと共に信号としての光電流が増加すること
が成立する1層膜厚の範囲すなわち数千λ以下のi層・
膜厚に限定される。
積層数Nは波長の分解能と関係を有する。上述の原理か
ら、Nが大きいほど波長の分解能は向上する。
ら、Nが大きいほど波長の分解能は向上する。
測定可能な被測定光16の波長領域は用いる半導体材料
の光電流を発生させうる光の波長領域に限定される。例
えば、a−si:)1を用いたpin型光電変換素子積
層型光スペクトル検知器の場合は、a−Si:Hの光学
的バンドギャップに相当する波長よりも短い波長領域す
なわち7000〜8000A以下の波長領域に限定され
る。
の光電流を発生させうる光の波長領域に限定される。例
えば、a−si:)1を用いたpin型光電変換素子積
層型光スペクトル検知器の場合は、a−Si:Hの光学
的バンドギャップに相当する波長よりも短い波長領域す
なわち7000〜8000A以下の波長領域に限定され
る。
積層される個々のpin型光電変換素子はnip型であ
ってもよい。また、p層あるいはn層ばa−Si:Hに
限定される。ことはない。例えば、水素化アモルファス
シリコンカーバイト(以下ra−SiC:HJと記す)
や水素化微結晶シリコン(以下「μc−SiC:HJと
記す)などでもよい。i層につめては、積層数Nと被測
定光波長領域とi層材料の光吸収係数の波長依存性から
最適膜厚を設計する必要があシ、またi層材料の光吸収
係数及び光電流を生ぜしめる光の波長領域によって被測
定波長領域が限定されるので、a−Si:H以外のアモ
ルファス材料、例えば水素化アモルファスシリコンゲル
マニウム([Tra−SiGe : HJと記す)、水
素化アモルファスゲルマニウム(以下ra−Ge:HJ
と記す)、a−SiC:H,フッ素化アモルファスシリ
コン(以下ra−Si : F:HJと記す)、フッ素
化アモルファスシリコンゲルマニウムC以下ra−Si
Ge : F :HJと記す)など、a−Si:Hとは
異なる光吸収係数や光学的バンドギャップを有する材料
をi層材料として用いることは重要な検討要素である。
ってもよい。また、p層あるいはn層ばa−Si:Hに
限定される。ことはない。例えば、水素化アモルファス
シリコンカーバイト(以下ra−SiC:HJと記す)
や水素化微結晶シリコン(以下「μc−SiC:HJと
記す)などでもよい。i層につめては、積層数Nと被測
定光波長領域とi層材料の光吸収係数の波長依存性から
最適膜厚を設計する必要があシ、またi層材料の光吸収
係数及び光電流を生ぜしめる光の波長領域によって被測
定波長領域が限定されるので、a−Si:H以外のアモ
ルファス材料、例えば水素化アモルファスシリコンゲル
マニウム([Tra−SiGe : HJと記す)、水
素化アモルファスゲルマニウム(以下ra−Ge:HJ
と記す)、a−SiC:H,フッ素化アモルファスシリ
コン(以下ra−Si : F:HJと記す)、フッ素
化アモルファスシリコンゲルマニウムC以下ra−Si
Ge : F :HJと記す)など、a−Si:Hとは
異なる光吸収係数や光学的バンドギャップを有する材料
をi層材料として用いることは重要な検討要素である。
N個の単層pin型光電変換素子あるいは単層nip型
光電変換素子あるいは単層nip型光電変換素子を積層
するに当シ、必ずしも、すべての単層光電変換素子のi
層を同一材料で作製する必要はない。むしろ、光の入射
面側から離れた奥に位置する、大きなjの単層光電変換
素子には、アモルファス材料の場合、光吸収係数からの
帰結として長波長光しか到達できないので、光学的バン
ドギャップが小さく、光吸収係数の大きい材料を用いた
方が良く、その方かよシ薄膜化が可能となる。
光電変換素子あるいは単層nip型光電変換素子を積層
するに当シ、必ずしも、すべての単層光電変換素子のi
層を同一材料で作製する必要はない。むしろ、光の入射
面側から離れた奥に位置する、大きなjの単層光電変換
素子には、アモルファス材料の場合、光吸収係数からの
帰結として長波長光しか到達できないので、光学的バン
ドギャップが小さく、光吸収係数の大きい材料を用いた
方が良く、その方かよシ薄膜化が可能となる。
隣接する個々の単層光電変換素子に共通の信号取出口と
して作用する透明導電膜を用いなくとも、第4図に示す
ようなpin型光電変換素子とnip型光電変換素子と
を交互に積層する場合には、p型層17.21,22.
26とn型層19.24に水素化微結晶シリコンあるい
はフッ素化微結晶シリコンなどの微結晶半導体を用い、
1層18.−20.23.25にはa−S i : H
,a−SiGe: H+ a Sic ”H9a
Si: F : H* a−SiGe:F:Hなどのア
モルファス半導体を用い、pinipin・・・・・・
の順に積層し、p層、n層は、pin型素子あるいはn
ip型素子を構成すると同時に出力信号の取出し口とし
ても作用する構成とすることができる。
して作用する透明導電膜を用いなくとも、第4図に示す
ようなpin型光電変換素子とnip型光電変換素子と
を交互に積層する場合には、p型層17.21,22.
26とn型層19.24に水素化微結晶シリコンあるい
はフッ素化微結晶シリコンなどの微結晶半導体を用い、
1層18.−20.23.25にはa−S i : H
,a−SiGe: H+ a Sic ”H9a
Si: F : H* a−SiGe:F:Hなどのア
モルファス半導体を用い、pinipin・・・・・・
の順に積層し、p層、n層は、pin型素子あるいはn
ip型素子を構成すると同時に出力信号の取出し口とし
ても作用する構成とすることができる。
また、個々の半透過性光検知器は上述のpin型素子あ
るいはnip型素子に限定されない。本発明の積層化に
関する原理を満たす半透過性薄膜光検知器であるならば
作製が可能である。
るいはnip型素子に限定されない。本発明の積層化に
関する原理を満たす半透過性薄膜光検知器であるならば
作製が可能である。
基板15は、上記実施例ではステンレス基板を用いたが
これに限定されることはなく、例えばガラス基板などの
絶縁性基板を用いれば、本積層型光スペクトル検知器を
2次元的に配列させて光スベク)/l/の面分布検知器
とすることも可能である。
これに限定されることはなく、例えばガラス基板などの
絶縁性基板を用いれば、本積層型光スペクトル検知器を
2次元的に配列させて光スベク)/l/の面分布検知器
とすることも可能である。
変換行列Aの選び方は多様であシ、Aの正則性か満たさ
れていれば原理上筒でも良いが、波長全域に渡る分解能
と感度を考慮しかつ逆変換が容易な形の八を選択する必
要がある。上述したように厳密な理論計算によるAの具
体的な形の決定は不可能であるが、理想的には逆変換行
列h”’−1の変換機能を有する処理回路を併設し、光
スペクトル検知器として一体化できることが望ましい。
れていれば原理上筒でも良いが、波長全域に渡る分解能
と感度を考慮しかつ逆変換が容易な形の八を選択する必
要がある。上述したように厳密な理論計算によるAの具
体的な形の決定は不可能であるが、理想的には逆変換行
列h”’−1の変換機能を有する処理回路を併設し、光
スペクトル検知器として一体化できることが望ましい。
また、積層した単層半透過性光検知器からの信号を電気
的スキャニングによって多数回検知する測定のマルチプ
レックス化によって、SN比の向上を図ることができる
。
的スキャニングによって多数回検知する測定のマルチプ
レックス化によって、SN比の向上を図ることができる
。
第1図は本発明の1実施例の説明に供する光検吊器の構
成図である。第2図は単一波長領域光検知器の信号を示
す模式図である。第3図は本発明の詳細な説明に供する
複数波長領域光検知器の信号を示す模式図である。並び
に、第3図、第4図は本発明の他の実施例を示す光検出
器の構成図である。 2.6.11・p型aSi:H層、 3,7゜12.1
8,20.23.25−・−i型a−Si:H層、 4
、8 、13−n型a St : Has5.9,
10.14・・・透明導電層、 15・・・ステンレ
ス基板、 16・・・被測定光。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図
成図である。第2図は単一波長領域光検知器の信号を示
す模式図である。第3図は本発明の詳細な説明に供する
複数波長領域光検知器の信号を示す模式図である。並び
に、第3図、第4図は本発明の他の実施例を示す光検出
器の構成図である。 2.6.11・p型aSi:H層、 3,7゜12.1
8,20.23.25−・−i型a−Si:H層、 4
、8 、13−n型a St : Has5.9,
10.14・・・透明導電層、 15・・・ステンレ
ス基板、 16・・・被測定光。 代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2名)第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、金属基板上あるいは透光性絶縁基板上に、任意のス
ペクトル分布を有する入射光の強度に対し、それによっ
て生ずる信号が線形に変化する半透過性光検知器をN(
Nは2以上の自然数)個積層し、被測定光の入射によっ
て該各光検出器に生ずる信号を、正則性を有するN次正
方行列を用いて逆変換処理することによって、被測定光
のスペクトル分布を求めることを特徴とする光スペクト
ル検知器。 2、透明導電膜上にp型a−Si:H、i型a−Si:
H、n型a−Si:Hを順次積層し、更にその上に透明
導電膜を被着したpin型薄膜光電変換素子、あるいは
透明導電膜上にn型a−Si:H、i型a−Si:H、
p型a−Si:Hを順次積層し、更にその上に透明導電
膜を被着したnip型薄膜光電変換素子、あるいはp型
、i型、n型のa−Si:Hに代わって、a−SiGe
:H、a−Ge:H、a−SiC:H、a−Si:F:
H、a−SiGe:F:Hを用いたヘテロ接合pin型
又はnip型薄膜光電変換素子を前記半透過性光検知器
として用いた特許請求の範囲第1項記載の光スペクトル
検知器。 3、前記半透過性光検知器に、微結晶水素化シリコンあ
るいは微結晶フッ素化シリコン等のp型微結晶半導体、
a−Si:H、a−SiGe:H、a−Ge:H、a−
Si:F:H、a−SiGe:F:Hのi型アモルファ
ス半導体、微結晶水素化シリコンあるいは微結晶フッ素
化シリコンのn型微結晶半導体、上記i型アモルファス
半導体、上記p型微結晶半導体、上記i型アモルファス
半導体、上記n型微結晶半導体、上記i型アモルファス
半導体の順に繰返し積層し、上記p型微結晶半導体及び
上記n型微結晶半導体は、それをはさむ前後のi型アモ
ルファス半導体に対しpin型素子あるいはnip型素
子の構成要素であると同時に信号の取り出し口としての
機能を有する特許請求の範囲第1項記載の光スペクトル
検知器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11926185A JPS61277024A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 光スペクトル検知器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11926185A JPS61277024A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 光スペクトル検知器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61277024A true JPS61277024A (ja) | 1986-12-08 |
Family
ID=14756953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11926185A Pending JPS61277024A (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 | 光スペクトル検知器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61277024A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0537054A2 (fr) * | 1991-10-11 | 1993-04-14 | Thomson-Csf | Spectromètre |
JPH0682307A (ja) * | 1992-02-12 | 1994-03-22 | Perkin Elmer Corp:The | 分光機器の標準化方法および分光機器 |
JP2008241578A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | アバランシェフォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法 |
JP2009545746A (ja) * | 2006-07-31 | 2009-12-24 | ヴィジュアラント,インコーポレイテッド | 電磁エネルギーを用いてオブジェクトを評価するシステム及び方法 |
JP2012207920A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 波長スペクトル検出方法 |
CN110031098A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-19 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种基于集成微腔的光谱探测芯片及重构方法 |
CN113865829A (zh) * | 2021-10-12 | 2021-12-31 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种光电探测器参数测试用多通道对光装置 |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP11926185A patent/JPS61277024A/ja active Pending
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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FR2682477A1 (fr) * | 1991-10-11 | 1993-04-16 | Thomson Csf | Spectrometre. |
US5311278A (en) * | 1991-10-11 | 1994-05-10 | Thomson-Csf | Spectrometer |
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JP2008241578A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | アバランシェフォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法 |
JP4654446B2 (ja) * | 2007-03-28 | 2011-03-23 | 独立行政法人国立高等専門学校機構 | アバランシェフォトダイオードを用いた波長スペクトル検出方法 |
JP2012207920A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Institute Of National Colleges Of Technology Japan | 波長スペクトル検出方法 |
CN110031098A (zh) * | 2019-03-29 | 2019-07-19 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种基于集成微腔的光谱探测芯片及重构方法 |
CN113865829A (zh) * | 2021-10-12 | 2021-12-31 | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 | 一种光电探测器参数测试用多通道对光装置 |
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