JPS61276115A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPS61276115A JPS61276115A JP61004723A JP472386A JPS61276115A JP S61276115 A JPS61276115 A JP S61276115A JP 61004723 A JP61004723 A JP 61004723A JP 472386 A JP472386 A JP 472386A JP S61276115 A JPS61276115 A JP S61276115A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は磁気記録媒体及びその製造方法に係り、特に基
板上に下地層と磁性膜層とが形成され。
板上に下地層と磁性膜層とが形成され。
た磁気記録媒体及びその製造方法に関するものである。
[従来の技術]
近年、コンピュータの小型化や処理能力の増大化に伴い
、外部メモリ装置の記憶容量を更に増大されることが要
求されてきている。この要求を満足させるためには、外
部メモリ装置に用いられる磁気ディスクも、更に記録密
度を増加させる必要があり、このためには、記録層を形
成する磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の
薄膜化を促進しなければらない。
、外部メモリ装置の記憶容量を更に増大されることが要
求されてきている。この要求を満足させるためには、外
部メモリ装置に用いられる磁気ディスクも、更に記録密
度を増加させる必要があり、このためには、記録層を形
成する磁性薄膜の磁気特性の向上と記録層のより一層の
薄膜化を促進しなければらない。
そこで、スパッタリング法によりコバルト又はコバルト
ニッケル(CoNi)合金の薄膜層を形成したものが提
案されており(J、Appl。
ニッケル(CoNi)合金の薄膜層を形成したものが提
案されており(J、Appl。
Phy s 、53 (5)、1982、特開昭57−
7230号公報等)、その他、コバルト−白金系のもの
も公知である。
7230号公報等)、その他、コバルト−白金系のもの
も公知である。
而してアルミニウム基合金の基板上に、上記の如き磁性
薄膜を形成するに際しては、一般に、まず基板上に下地
層を形成し、この下地層の上に磁性薄膜を形成するよう
にしている。この下地層は、ヘッドがディスク面に衝突
する際の衝撃に耐え、該ディスク面の変形を防ぐための
ものであるので十分な硬度を有することが要求される。
薄膜を形成するに際しては、一般に、まず基板上に下地
層を形成し、この下地層の上に磁性薄膜を形成するよう
にしている。この下地層は、ヘッドがディスク面に衝突
する際の衝撃に耐え、該ディスク面の変形を防ぐための
ものであるので十分な硬度を有することが要求される。
従来、磁気ディスクにおいては、下地層として、アルマ
イト膜やニッケルーリン無電解メッキ膜(Ni−P膜)
等が使用されている。
イト膜やニッケルーリン無電解メッキ膜(Ni−P膜)
等が使用されている。
[発明が解決しようとする問題点]
従来、下地層として用いられているNi−P膜は、硬度
は十分に高いものの、200ないし250℃以上の温度
で帯磁し、ノイズが大さくなるので、磁気記録媒体製造
時の条件にかなりの制約を受けるという問題がある。
は十分に高いものの、200ないし250℃以上の温度
で帯磁し、ノイズが大さくなるので、磁気記録媒体製造
時の条件にかなりの制約を受けるという問題がある。
また、アルマイト膜は、加熱しても帯磁はしないものの
、十分な衝撃耐力を得るためには膜厚を大きくとらねば
ならず、これがために温度の昇降に際して内部熱応力が
過大となって亀裂が発生し易くなる。
、十分な衝撃耐力を得るためには膜厚を大きくとらねば
ならず、これがために温度の昇降に際して内部熱応力が
過大となって亀裂が発生し易くなる。
一方、従来、磁性膜層として用いられているCoNi合
金薄膜は、磁化容易軸の膜面内方向への配向性が低く、
それだけ磁気特性が低かった。
金薄膜は、磁化容易軸の膜面内方向への配向性が低く、
それだけ磁気特性が低かった。
[問題点を解決するための手段]
上記従来技術の問題点を解決するために、本発明は、
ディスク形基板の板面上に、下地層及び磁性膜層が形成
された磁気記録媒体において、下地層は、厚さが6〜1
5μmでビッカース硬度Hvが300以上の多孔質のア
ルマイト質であり、 磁性膜は、 (イ) Ni含有率が10〜35原子%であるCo−N
i合金であり、 (ロ) 100〜500Aの粒径の結晶粒を主体と
し、 (/’) (002)面(7)X線回折強度と(1
00)面のX線回折強度との比、即ちI(002)/I
(100)で定義されるR値がO≦R≦3の範囲にある
。
された磁気記録媒体において、下地層は、厚さが6〜1
5μmでビッカース硬度Hvが300以上の多孔質のア
ルマイト質であり、 磁性膜は、 (イ) Ni含有率が10〜35原子%であるCo−N
i合金であり、 (ロ) 100〜500Aの粒径の結晶粒を主体と
し、 (/’) (002)面(7)X線回折強度と(1
00)面のX線回折強度との比、即ちI(002)/I
(100)で定義されるR値がO≦R≦3の範囲にある
。
ことを特徴とする磁気記録媒体、
及び
アルミニウム又はアルミニウム合金のディスク形基板を
クロム酸含有混合液中で陽極酸化して、厚さが6〜15
μmでビッカース硬度Hvが300以上の多孔質のアル
マイト質の下地層を形成した後、N2及び/又は02を
含むArガス雰囲気中でG o−N i合金薄膜を成膜
し、次いで熱処理することにより、 (イ) Ni含有率が10〜35原子%であるCo−N
i合金であり、 (ロ) 100〜500Aの粒径の結晶を主体とし
、 (ハ) (002)面(7)X線回折強度と(10
O)面のX線回折強度との比、即ちI(002)/I(
100)で定義されるR値が0≦R≦3の範囲にある。
クロム酸含有混合液中で陽極酸化して、厚さが6〜15
μmでビッカース硬度Hvが300以上の多孔質のアル
マイト質の下地層を形成した後、N2及び/又は02を
含むArガス雰囲気中でG o−N i合金薄膜を成膜
し、次いで熱処理することにより、 (イ) Ni含有率が10〜35原子%であるCo−N
i合金であり、 (ロ) 100〜500Aの粒径の結晶を主体とし
、 (ハ) (002)面(7)X線回折強度と(10
O)面のX線回折強度との比、即ちI(002)/I(
100)で定義されるR値が0≦R≦3の範囲にある。
磁性膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法、 を要旨とするものである。
方法、 を要旨とするものである。
以下本発明につき更に詳細に説明する。
本発明の磁気記録媒体は、アルミニウム基合金等の基板
上に下地層と磁性膜層とが形成されている。
上に下地層と磁性膜層とが形成されている。
基板の材質としては、アルミニウム又はアルミニウムを
主成分とし、これにその他の金属元素を加えて強度、剛
性、耐食性等の特性のうち1又は2以上の特性を改良す
るようにしたものが好適に用いられ、例えばマグネシウ
ムを7重量%以下、例えば3〜4重量%含むものが用い
られる。なおシリコンは、二酸化珪素として析出し易い
ので、不純物中のシリコン含有量の小さいものが好まし
い。
主成分とし、これにその他の金属元素を加えて強度、剛
性、耐食性等の特性のうち1又は2以上の特性を改良す
るようにしたものが好適に用いられ、例えばマグネシウ
ムを7重量%以下、例えば3〜4重量%含むものが用い
られる。なおシリコンは、二酸化珪素として析出し易い
ので、不純物中のシリコン含有量の小さいものが好まし
い。
この基板上に形成される下地層は多孔質のアルマイト質
のものである。この下地層は、後述の如く、陽極酸化等
によってアルミニウム又はアルミニウム基合金の基板表
面を酸化することによって容易に形成されるのであるが
、この酸化に際して、基板に含まれるアルミニウム以外
の金属の酸化によって生じた酸化物が下地層中に混在さ
れるようになり、従って、通常、被膜中の酸化アルミニ
ウム以外の金属酸化物の種類及び量は基板中のアルミニ
ウム以外の金属の種類及び含有率に影響される。
のものである。この下地層は、後述の如く、陽極酸化等
によってアルミニウム又はアルミニウム基合金の基板表
面を酸化することによって容易に形成されるのであるが
、この酸化に際して、基板に含まれるアルミニウム以外
の金属の酸化によって生じた酸化物が下地層中に混在さ
れるようになり、従って、通常、被膜中の酸化アルミニ
ウム以外の金属酸化物の種類及び量は基板中のアルミニ
ウム以外の金属の種類及び含有率に影響される。
この下地層の厚さは、6μm〜15#Lmとされる。6
μmよりも薄い場合には、ヘッドの衝突に対する耐力が
小さく、いわゆるヘッドクラッシュを生ずるおそれがあ
り、一方154mよりも大きい場合には、製造時等にお
ける温度の昇降によって生ずる内部熱応力が過大になっ
て亀裂を生じさせるおそれがある。
μmよりも薄い場合には、ヘッドの衝突に対する耐力が
小さく、いわゆるヘッドクラッシュを生ずるおそれがあ
り、一方154mよりも大きい場合には、製造時等にお
ける温度の昇降によって生ずる内部熱応力が過大になっ
て亀裂を生じさせるおそれがある。
このアルマイト下地層は、多孔質のものであり、かつ耐
熱性を有するものであるが、このようなアルマイト下地
層は、アルミニウム又はアルミニウム基合金の基板を、
クロム酸溶液を用いて電解酸化すると共に、このときの
条件を調整することにより製造することができる。
熱性を有するものであるが、このようなアルマイト下地
層は、アルミニウム又はアルミニウム基合金の基板を、
クロム酸溶液を用いて電解酸化すると共に、このときの
条件を調整することにより製造することができる。
下地層の多孔の程度は、相対密度が70〜90%程度の
ものが好適である。70%よりも相対密度が小さいと衝
撃耐力が小さくなってヘッドクラッシュを生ずるおそれ
がある。また、90%よりも、大きいときには、内部熱
応力を小さくする作用が小さくなって、亀裂を発生させ
るおそれがある。I4に好ましい相対密度は75〜90
%程度である。この相対密度は、下地層の断面の電子顕
微鏡写真を撮影し、空孔部の面積を測定することにより
求めることができる。
ものが好適である。70%よりも相対密度が小さいと衝
撃耐力が小さくなってヘッドクラッシュを生ずるおそれ
がある。また、90%よりも、大きいときには、内部熱
応力を小さくする作用が小さくなって、亀裂を発生させ
るおそれがある。I4に好ましい相対密度は75〜90
%程度である。この相対密度は、下地層の断面の電子顕
微鏡写真を撮影し、空孔部の面積を測定することにより
求めることができる。
なお、下地層に含まれる気孔は、なるべく小径で、かつ
均一径のものが好ましい、アルマイト下地の空孔が比較
的多く、衝撃耐力を高めるためOrなどの高硬度非磁性
下地膜を付加するか、アルマイトボアにOrなどの高硬
度非磁性金属を電解析出させてもよい。
均一径のものが好ましい、アルマイト下地の空孔が比較
的多く、衝撃耐力を高めるためOrなどの高硬度非磁性
下地膜を付加するか、アルマイトボアにOrなどの高硬
度非磁性金属を電解析出させてもよい。
下地層はビッカース硬度Hvが300以上のものが用い
られる。Hvが300よりも小さい場合には衝撃耐力が
小さくなる。
られる。Hvが300よりも小さい場合には衝撃耐力が
小さくなる。
下地層の上に形成される磁性層としては、(イ) Ni
含有率が10〜35原子%であるCo−Ni合金であり
、 (ロ) ioo〜500Aの粒径の結晶粒を主体と
し、 (ハ) (002)面のX線回折強度と(100)
面のX線回折強度との比、即ちI(002)/I(10
0)で定義されるR値がO≦R≦3の範囲にある、 ものが用いられる。
含有率が10〜35原子%であるCo−Ni合金であり
、 (ロ) ioo〜500Aの粒径の結晶粒を主体と
し、 (ハ) (002)面のX線回折強度と(100)
面のX線回折強度との比、即ちI(002)/I(10
0)で定義されるR値がO≦R≦3の範囲にある、 ものが用いられる。
以下に、この(イ)〜(ハ)の要件について説明する。
(イ) Coの一部をNiで置換することによりHc
を変化させ、媒体の要求特性に応じたHcの調整を容易
にできる。Niの含有率が10原子%よりも低い場合に
は、この作用が小さい、一方、Niの含有率が35原子
%を超えるときには、飽和磁束密度Bsが低下し、また
結晶系がhcpからfccに変り、膜面内の角形比Sが
低下するようになる。
を変化させ、媒体の要求特性に応じたHcの調整を容易
にできる。Niの含有率が10原子%よりも低い場合に
は、この作用が小さい、一方、Niの含有率が35原子
%を超えるときには、飽和磁束密度Bsが低下し、また
結晶系がhcpからfccに変り、膜面内の角形比Sが
低下するようになる。
なお、本発明においては、Co−Ni合金薄膜媒体中の
Coの一部を、Ti、Cr、Hf。
Coの一部を、Ti、Cr、Hf。
Ru 、Ptの単独或いはこれらの2種以上を複合して
、合計量で2〜20at%の範囲内で置換しても差支え
ない。
、合計量で2〜20at%の範囲内で置換しても差支え
ない。
(ロ) 100〜500人の粒径の結晶粒を主体と
することにより、磁気特性が優れたものになる。即ち、
結晶粒の主体が30OAよりも小さくなると、Hcが小
さくなり、一方500Aよりも大きくなると、ノイズが
大きくなり、高密度記録に不適となる。特に好ましいの
は200〜300Aであり、Hcが高くノイズの小さい
磁性膜層となる。
することにより、磁気特性が優れたものになる。即ち、
結晶粒の主体が30OAよりも小さくなると、Hcが小
さくなり、一方500Aよりも大きくなると、ノイズが
大きくなり、高密度記録に不適となる。特に好ましいの
は200〜300Aであり、Hcが高くノイズの小さい
磁性膜層となる。
なお、本明細書において、「主体」とは、50%以上の
数の粒子が当該粒径範囲に含まれることをいい、この粒
径の測定は電子顕微鏡によって観察することにより行わ
れる。
数の粒子が当該粒径範囲に含まれることをいい、この粒
径の測定は電子顕微鏡によって観察することにより行わ
れる。
(ハ) R値即ちI (002)/I (100)を0
≦R≦3とすることにより磁化容易軸(C軸)の膜面内
配向性を高めることかで′きる。
≦R≦3とすることにより磁化容易軸(C軸)の膜面内
配向性を高めることかで′きる。
基板上に形成された種々のCo−NL膜のC軸方向につ
いて検討したところ、上記R値とC軸の配向性との間に
は極めて密接な関係があリ、R=Oでは、C軸が完全に
膜面内方向に配向し、R=3では、C軸方向の分布が完
全にランダムであり、全く配向性を示さないこと、0<
R<3の範囲では、C軸が膜面内方向にある粒子の数の
方が多くなり、R>3の範囲では、C軸が膜面との垂直
方向にある粒子の方が多くなることが認められた。従っ
て、0≦R≦3とすることにより、磁化容易軸の面内配
向性を高めることができる。(なお、R=3であっても
、垂直方向には配向していないので、本発明において採
用し得る。) 第1図はN2+A2中でスパッタしたCo−Ni膜のX
線回折チャートの一例を示し、wIJ2図はこれを35
0℃X3Hr真空中熱処理後のX線回折チャートの一例
を示すものである。第1図においてはR,w3、第2図
においてはR,=1.3であり、熱処理によりC軸の面
内配向性が向上している。
いて検討したところ、上記R値とC軸の配向性との間に
は極めて密接な関係があリ、R=Oでは、C軸が完全に
膜面内方向に配向し、R=3では、C軸方向の分布が完
全にランダムであり、全く配向性を示さないこと、0<
R<3の範囲では、C軸が膜面内方向にある粒子の数の
方が多くなり、R>3の範囲では、C軸が膜面との垂直
方向にある粒子の方が多くなることが認められた。従っ
て、0≦R≦3とすることにより、磁化容易軸の面内配
向性を高めることができる。(なお、R=3であっても
、垂直方向には配向していないので、本発明において採
用し得る。) 第1図はN2+A2中でスパッタしたCo−Ni膜のX
線回折チャートの一例を示し、wIJ2図はこれを35
0℃X3Hr真空中熱処理後のX線回折チャートの一例
を示すものである。第1図においてはR,w3、第2図
においてはR,=1.3であり、熱処理によりC軸の面
内配向性が向上している。
本発明では、N及びOの含有率がそれぞれ1原子%以下
となるようにすることにより、Hcを大きくすることが
できる0本発明の磁気記録媒体は、後述のように、基板
上に下地層を形成し、更にその上に、N2及び/又は0
2を含む雰囲気中でスパッタリングすることによりN及
び/又は0を含んだCo−Ni膜を形成し、これを熱処
理する工程を経て製造することができるのであるが、こ
の熱処理工程においてN、0が離脱すると共に粒成長が
生ずる。そして、残留するN、0がそれぞれ1原子%以
下となるような熱処理を施すことにより、所定粒径にま
で粒成長した、磁気特性の良い磁性膜層が形成される゛
のである。
となるようにすることにより、Hcを大きくすることが
できる0本発明の磁気記録媒体は、後述のように、基板
上に下地層を形成し、更にその上に、N2及び/又は0
2を含む雰囲気中でスパッタリングすることによりN及
び/又は0を含んだCo−Ni膜を形成し、これを熱処
理する工程を経て製造することができるのであるが、こ
の熱処理工程においてN、0が離脱すると共に粒成長が
生ずる。そして、残留するN、0がそれぞれ1原子%以
下となるような熱処理を施すことにより、所定粒径にま
で粒成長した、磁気特性の良い磁性膜層が形成される゛
のである。
Nと9とは、CoNとCoOの双方がX線的には検出さ
れないように、十分な脱N及び/又は脱O熟処理を施す
のが好ましい。
れないように、十分な脱N及び/又は脱O熟処理を施す
のが好ましい。
このような本発明の磁気記録媒体は、本発明の方法に従
って、例えば次のようにして製造することができる。
って、例えば次のようにして製造することができる。
即ち、アルミニウム又はアルミニウム基合金基板をクロ
ム酸を例えば5〜30wt%程度含む混合液中で陽極酸
化し、基板表面に多孔質のアルマイト層を形成する。次
に、N2を含むArガス雰囲気中でスパッタリング等の
成膜法によってCo−Ni合金薄膜を基板上に形成し、
然る後熱処理し、Nを放出させてN含有率を1原子%と
するものである。
ム酸を例えば5〜30wt%程度含む混合液中で陽極酸
化し、基板表面に多孔質のアルマイト層を形成する。次
に、N2を含むArガス雰囲気中でスパッタリング等の
成膜法によってCo−Ni合金薄膜を基板上に形成し、
然る後熱処理し、Nを放出させてN含有率を1原子%と
するものである。
このスパッタリングを行なうには、通常のスパッタリン
グ装置、即ち、ターゲット及び試料設置台を有する装置
ケーシング、このケーシング内を加熱するためのヒータ
、このケーシング内を減圧するための真空ポンプ及びケ
ーシングに接続されたガスボンベを備えて構成されたも
のが好適に用いられる。このターゲットとしては、形成
する膜の合金組成と完全に又はほぼ一致した合金組成の
ものが好適である。
グ装置、即ち、ターゲット及び試料設置台を有する装置
ケーシング、このケーシング内を加熱するためのヒータ
、このケーシング内を減圧するための真空ポンプ及びケ
ーシングに接続されたガスボンベを備えて構成されたも
のが好適に用いられる。このターゲットとしては、形成
する膜の合金組成と完全に又はほぼ一致した合金組成の
ものが好適である。
スパッタリングは、Arのほかに02及び/又はN2を
含む雰囲気で行なわれる。雰囲気圧は、全圧でl 〜l
oOmTorr、とりわけ5〜50mTorrとするの
が好適である。なお、予定するスパッタリング雰囲気を
形成するに先立って、一旦、to−5Torr以下の真
空に減圧するのが好適である。スパッタリング時の全圧
に対する02及び/又はN2の分圧は10〜90%、と
りわけ20〜80%が好ましい。
含む雰囲気で行なわれる。雰囲気圧は、全圧でl 〜l
oOmTorr、とりわけ5〜50mTorrとするの
が好適である。なお、予定するスパッタリング雰囲気を
形成するに先立って、一旦、to−5Torr以下の真
空に減圧するのが好適である。スパッタリング時の全圧
に対する02及び/又はN2の分圧は10〜90%、と
りわけ20〜80%が好ましい。
スパッタリングを行なうときには、基板を加熱しても良
く、室温のまましにしても良い。基板を加熱する場合は
、250℃以下、とりわけ220℃以下とするのが好ま
しい、スパッリング時間は、形成しようとする膜厚を、
平均的な膜形成速度で購り算することにより決定される
。
く、室温のまましにしても良い。基板を加熱する場合は
、250℃以下、とりわけ220℃以下とするのが好ま
しい、スパッリング時間は、形成しようとする膜厚を、
平均的な膜形成速度で購り算することにより決定される
。
スパッタリング装置としては、上記のような温度、雰囲
気、雰囲気圧力等の条件を種々調節できるものが好適で
ある。良く知られており、本発明で用い得るスパッタリ
ング装置としては、高周波マグネトロンスパッタリング
装置、円型マグネトロンスパッタリング装置、平板型マ
グネトロンスタッパリング装置、同軸円筒電極型マグネ
トロンスパッタリング装置、イオンビームスパッタリン
グ装置、高周波スパッタリング装置、直流2極スパツタ
リング装置などが挙げられる。
気、雰囲気圧力等の条件を種々調節できるものが好適で
ある。良く知られており、本発明で用い得るスパッタリ
ング装置としては、高周波マグネトロンスパッタリング
装置、円型マグネトロンスパッタリング装置、平板型マ
グネトロンスタッパリング装置、同軸円筒電極型マグネ
トロンスパッタリング装置、イオンビームスパッタリン
グ装置、高周波スパッタリング装置、直流2極スパツタ
リング装置などが挙げられる。
本発明の製造方法において、基板上にまず形成する薄膜
中のNの含有率は20原子%以上例えば40〜50原子
%とするのが好ましい、このようにスパッタリング時に
多量のNを薄膜に含有させると、アモルファス状又は粒
径50A〜150A程度の微結晶体より成る薄膜が形成
され、この薄膜は後工程の熱処理で結晶化又は粒径10
0〜500A程度に粒成長し適度なHcを有しかつ高角
形比の磁気記録媒体を形成するようになる。
中のNの含有率は20原子%以上例えば40〜50原子
%とするのが好ましい、このようにスパッタリング時に
多量のNを薄膜に含有させると、アモルファス状又は粒
径50A〜150A程度の微結晶体より成る薄膜が形成
され、この薄膜は後工程の熱処理で結晶化又は粒径10
0〜500A程度に粒成長し適度なHcを有しかつ高角
形比の磁気記録媒体を形成するようになる。
この熱処理の温度としては300〜600℃程度が好ま
しい、熱処理の温度が300℃を下回る場合には、脱N
の速度が小さくなり、薄膜の結晶化も不充分となりやす
い、また熱処理温度が600 ’Oを超える場合には、
脱Nが過度に早く進行し、かつ結晶粒径が大きくなり保
持力Heが低下する。特に好ましい熱処理条件は320
〜500℃X0.2hr 〜3hr程度であり、このよ
うにすることにより磁気特性の優れたものを安価に製造
することが可能となる。
しい、熱処理の温度が300℃を下回る場合には、脱N
の速度が小さくなり、薄膜の結晶化も不充分となりやす
い、また熱処理温度が600 ’Oを超える場合には、
脱Nが過度に早く進行し、かつ結晶粒径が大きくなり保
持力Heが低下する。特に好ましい熱処理条件は320
〜500℃X0.2hr 〜3hr程度であり、このよ
うにすることにより磁気特性の優れたものを安価に製造
することが可能となる。
なお、本発明者らの研究によれば、スパッタリング時に
は上記のN2の代わりに02を用いても全く同様にして
、本発明の磁気記録媒体が製造できた。そして、N2の
代りにN2と02との混合気体でも良いことも認められ
た。
は上記のN2の代わりに02を用いても全く同様にして
、本発明の磁気記録媒体が製造できた。そして、N2の
代りにN2と02との混合気体でも良いことも認められ
た。
本発明において用いられる基板としては、非磁性基板で
あるならば従来から用いられている各種のものが採用で
き、前述のアルミニウム又はアルミニウム基合金基板(
例えばアルミニウムに数%以下程度のMgを添加した合
金やチタン合金の基板)のほか、各種のガラス又はセラ
ミック基板なども用いられる。
あるならば従来から用いられている各種のものが採用で
き、前述のアルミニウム又はアルミニウム基合金基板(
例えばアルミニウムに数%以下程度のMgを添加した合
金やチタン合金の基板)のほか、各種のガラス又はセラ
ミック基板なども用いられる。
なお基板と磁性薄膜との間に下地層の他、磁性薄膜の付
着強度を増大させる各種の中間層、具体的にはCr 、
V 、 M n等の暦を50ないし500八程度設け
てもよい、また磁性薄膜上に炭素、ポリ珪酸等の保護膜
を設けてもよい、さらに、この保護膜上に潤滑剤、具体
的にはパーフロロアルキルポリエーテルを塗布しても良
い。
着強度を増大させる各種の中間層、具体的にはCr 、
V 、 M n等の暦を50ないし500八程度設け
てもよい、また磁性薄膜上に炭素、ポリ珪酸等の保護膜
を設けてもよい、さらに、この保護膜上に潤滑剤、具体
的にはパーフロロアルキルポリエーテルを塗布しても良
い。
[作用]
本発明においては。
■ 下地層の膜厚が大きく、かつ硬質であるので、ヘッ
ドクラッシュに対する耐性が高い、■ 下地層が多孔質
であるので、熱応力による亀裂の発生がない、 ■ 下地層がアルマイト質であるので、高温で熱処理し
ても帯磁しない、 等の作用効果が奏される。
ドクラッシュに対する耐性が高い、■ 下地層が多孔質
であるので、熱応力による亀裂の発生がない、 ■ 下地層がアルマイト質であるので、高温で熱処理し
ても帯磁しない、 等の作用効果が奏される。
また、磁性膜層は、
■ 結晶粒径が適当であり、Heが高く、ノイズが小さ
い。
い。
■ 磁化容易軸の面内配向性が高いので、膜面内磁性の
角形比が高い、 ■ そのため、高記録密度を達成できる、等の作用効果
が奏される。
角形比が高い、 ■ そのため、高記録密度を達成できる、等の作用効果
が奏される。
従って、本発明によれば高密度記録媒体としての特性を
具備した実用性の高い記録媒体が提供される。
具備した実用性の高い記録媒体が提供される。
なお、本発明は1インチないし2インチのような極めて
小さなディスク径のものから、10インチ又はそれ以上
の大きなディスク径の磁気記録媒体にも適用できる。
小さなディスク径のものから、10インチ又はそれ以上
の大きなディスク径の磁気記録媒体にも適用できる。
[実施例]
以下、本発明を具体的実施例によって詳細に説明する。
なお以下に述べる実施例はマグネトロンr、f、スパッ
タ装置によったpく、イオン工学的に同様のことが言え
るイオンビームスパッタリング等によって本発明の効果
を得ることが可能であることは勿論である。
タ装置によったpく、イオン工学的に同様のことが言え
るイオンビームスパッタリング等によって本発明の効果
を得ることが可能であることは勿論である。
実施例1
マグネシウムを4%含むアルミニウム合金基板(大きさ
:直径130mm、内径40mm、厚さ1.9mm)を
クロム酸を含む酸浴中で電解処理し、その表面に厚さ8
〜17ILmのアルマイト質の下地層を形成し、かつそ
の表面を2μm程度研磨し平坦にした。この下地層のビ
ッカース硬度Hv及び相対密度は第1表の通りであった
。
:直径130mm、内径40mm、厚さ1.9mm)を
クロム酸を含む酸浴中で電解処理し、その表面に厚さ8
〜17ILmのアルマイト質の下地層を形成し、かつそ
の表面を2μm程度研磨し平坦にした。この下地層のビ
ッカース硬度Hv及び相対密度は第1表の通りであった
。
次に、平板マグネトロンr、f、スパッタ装置を用い、
下記条件にて下地層上にNを含むCo−Ni薄膜を形成
した。
下記条件にて下地層上にNを含むCo−Ni薄膜を形成
した。
初期排気 1〜2X10−″”Torr全雰
囲気圧(Ar+N2) 15〜30mT o r r雰
囲気中N2ガス濠度 (全圧に対するN2分圧の%)35〜75%投入電力
1kwターゲット組成
Co−Ni(目標とする薄膜の組成に一致 させる0例えば、Co / N 1 =90/10(原子%比)の 薄膜を形成する場合には、 Co90原子%、Ni 10原 子%のターゲットを用いる。) 極間隔 108mm薄膜形成速
度 100〜300A/mi n膜 厚
700A基板温度
200℃この膜形成処理後、真空中に
て320〜500’OX0.5〜1lhrの熱処理を行
ない、Sを結晶化ないし結晶粒成長させると共に、窒素
を放出させた。この磁性膜からは、CoNがxll的に
は検出されなかった。その後、カーボン保護膜を50O
A厚さとなるようにスパッタリングして形成し、磁気記
録媒体とした。
囲気圧(Ar+N2) 15〜30mT o r r雰
囲気中N2ガス濠度 (全圧に対するN2分圧の%)35〜75%投入電力
1kwターゲット組成
Co−Ni(目標とする薄膜の組成に一致 させる0例えば、Co / N 1 =90/10(原子%比)の 薄膜を形成する場合には、 Co90原子%、Ni 10原 子%のターゲットを用いる。) 極間隔 108mm薄膜形成速
度 100〜300A/mi n膜 厚
700A基板温度
200℃この膜形成処理後、真空中に
て320〜500’OX0.5〜1lhrの熱処理を行
ない、Sを結晶化ないし結晶粒成長させると共に、窒素
を放出させた。この磁性膜からは、CoNがxll的に
は検出されなかった。その後、カーボン保護膜を50O
A厚さとなるようにスパッタリングして形成し、磁気記
録媒体とした。
これらの磁気記録媒体の磁気特性を上記以外の条件と共
に第1表No、l、2,3,4,5,8゜15に示す。
に第1表No、l、2,3,4,5,8゜15に示す。
比較例1
下地層の膜厚、磁性膜層の組成及び膜厚、スパッタリン
グ時の雰囲気のN2ガス濃度、熱処理条件等を第1表N
o。8.7,9,10,11゜12.13・、14のも
のとし、磁気記録媒体を製造した。その他の条件は実施
例INo、lと同様である。これらの特性の測定結果を
第1表No、6 。
グ時の雰囲気のN2ガス濃度、熱処理条件等を第1表N
o。8.7,9,10,11゜12.13・、14のも
のとし、磁気記録媒体を製造した。その他の条件は実施
例INo、lと同様である。これらの特性の測定結果を
第1表No、6 。
7.9,10,11,12,13.14に示す。
第1表より、本発明例に係るものは、いずれも磁気特性
に優れていることが認められる。
に優れていることが認められる。
また、No、 L〜No、 6のものについてCSS
特性を測定したところ第2表の通りであった。
特性を測定したところ第2表の通りであった。
第 2 表
第2表より、本発明に係るものは、C8S特性にも優れ
ることが明らかである。これは、下地層の衝撃耐力が高
いことによるものと推察される。
ることが明らかである。これは、下地層の衝撃耐力が高
いことによるものと推察される。
なおC8S試験は5%”φディスクを5バ゛φディスク
ドライブに装着して行った。用いたヘッドはM n −
Z nウィンチェスタ−型であり、内周部R=50mm
でのヘッド浮上量を0.451Lm(3600rm時)
に設定して、この点でテストを行った。CSSサイクル
は第3図によった。
ドライブに装着して行った。用いたヘッドはM n −
Z nウィンチェスタ−型であり、内周部R=50mm
でのヘッド浮上量を0.451Lm(3600rm時)
に設定して、この点でテストを行った。CSSサイクル
は第3図によった。
mcss性の寿命はスタート時対比再生出力が10%低
下する時点あるいはエラーが1ケでも増大する時点とし
た。
下する時点あるいはエラーが1ケでも増大する時点とし
た。
実施例2
実施例1の手順に従い、次の条件で、直径130mmの
ディスク形の磁気記録媒体を作製した。
ディスク形の磁気記録媒体を作製した。
ターゲット Co−Ni (Ni20原子%)全雰囲
気圧 20mTorr スパッタ雰囲気中 N2ガス濃度50%熱処理条件
340℃X3hr 薄膜形成速度 100A/m1n (上記以外の条件は実施例INo、1と同じ)このよう
にして得られた磁気記録媒体の磁性薄膜は、Co−Ni
(20原子%Ni)からなりCoNがX線的には検出
されなかった。また、その磁気特性は次の値であった。
気圧 20mTorr スパッタ雰囲気中 N2ガス濃度50%熱処理条件
340℃X3hr 薄膜形成速度 100A/m1n (上記以外の条件は実施例INo、1と同じ)このよう
にして得られた磁気記録媒体の磁性薄膜は、Co−Ni
(20原子%Ni)からなりCoNがX線的には検出
されなかった。また、その磁気特性は次の値であった。
Bs: 12にガウス
Hc : 6800e
s :0.85
また、この磁気記録媒体の電磁変換特性を次のようにし
て測定した。
て測定した。
使用ヘッド: M n −Z nフェライトミニウィン
チェスタ(トラック幅16JLm、ギャップ長1 、1
7tm、ギ+−/プ深さ20μm、巻数14TX2) フライイングハイト:0.34JLm 1F:1.25MHz 2F:2.5 MHz ディスク回転数:3600rμm 測定箇所:ディスクの中心からR=30mmの部分で測
定 この再生出力特性は次の通りであった。
チェスタ(トラック幅16JLm、ギャップ長1 、1
7tm、ギ+−/プ深さ20μm、巻数14TX2) フライイングハイト:0.34JLm 1F:1.25MHz 2F:2.5 MHz ディスク回転数:3600rμm 測定箇所:ディスクの中心からR=30mmの部分で測
定 この再生出力特性は次の通りであった。
再生出力E2F=2.5MHz : 0.42mV分解
能(R=30mm):85% オーバーライドニー36dB 以上のことから、この磁気記録媒体は高密度記録媒体と
しての特性を備えていることが判明し[発明の効果] 以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体は。
能(R=30mm):85% オーバーライドニー36dB 以上のことから、この磁気記録媒体は高密度記録媒体と
しての特性を備えていることが判明し[発明の効果] 以上詳述した通り、本発明の磁気記録媒体は。
ヘッドクラッシュに対する耐性が高く、熱応力による亀
裂の発生がない、また、高温で熱処理しても下地層が帯
磁しない等の特徴を有する。
裂の発生がない、また、高温で熱処理しても下地層が帯
磁しない等の特徴を有する。
また、磁性膜層は、Hcが高く、ノイズが小さい、また
、膜面内角層比が高く、高記録密度を達成できる等の特
徴を有している。従って、本発明によれば高密度記録媒
体としての特性を具備した実用性の高い記録媒体が提供
される。
、膜面内角層比が高く、高記録密度を達成できる等の特
徴を有している。従って、本発明によれば高密度記録媒
体としての特性を具備した実用性の高い記録媒体が提供
される。
しかして、このような本発明の磁気記録媒体は、本発明
の方法により容易に製造される。
の方法により容易に製造される。
第1図はN 2 + A r中スパッターCo−Ni磁
性膜のスパッタ一時のX線回折チャートの一例を示す図
であり、第2図はこの磁性膜を350℃×3Hr真空中
熱処理した後のX線回折チャートの一例を示す図である
。また第3図は実施例及び比較例における耐C5Sテス
ト用ドライブの回転特性を示す図である。 哨Ni (sec) 頁の続き pInt、C1,4識別記号 庁内整理番号5 明
者 中 尾 政 之 熊谷市三ケ尻520幡地内 5 明 者 市 川 耕 司 熊谷市三ケ尻520
幡地内
性膜のスパッタ一時のX線回折チャートの一例を示す図
であり、第2図はこの磁性膜を350℃×3Hr真空中
熱処理した後のX線回折チャートの一例を示す図である
。また第3図は実施例及び比較例における耐C5Sテス
ト用ドライブの回転特性を示す図である。 哨Ni (sec) 頁の続き pInt、C1,4識別記号 庁内整理番号5 明
者 中 尾 政 之 熊谷市三ケ尻520幡地内 5 明 者 市 川 耕 司 熊谷市三ケ尻520
幡地内
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (1)ディスク形基板の板面上に、下地層及び磁性膜層
が形成された磁気記録媒体において、下地層は、厚さが
6〜15μmでビッカース硬度Hvが300以上の多孔
質のアルマイト質であり、 磁性膜は、 (イ)Ni含有率が10〜35原子%であるCo−Ni
合金であり、 (ロ)100〜500Åの粒径の結晶粒を主体とし、 (ハ)(002)面のX線回折強度と(100)面のX
線回折強度との比、即ちI(002)/I(100)で
定義されるR値が0≦R≦3の範囲にある、 ことを特徴とする磁気記録媒体。 (2)磁性膜はCoNとCoOの双方がX線的に検出さ
れないことを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の
磁気記録媒体。 (3)基板はアルミニウム基板又はアルミニウム基合金
基板であることを特徴とする特許請求の範囲第1項又は
第2項に記載の磁気記録媒体。 (4)基板は7重量%以下のマグネシウムを含有するア
ルミニウム基合金基板であることを特徴とする特許請求
の範囲第3項に記載の磁気記録媒体。 (5)下地層は相対密度70〜90%の多孔質であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項ないし第4項のい
ずれか1項に記載の磁気記録媒体。 (6)下地層と磁性膜との間に、磁性膜の付着強度を増
大させる層が設けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第1項ないし第5項のいずれか1項に記載の磁気
記録媒体。 (7)磁性膜の上に保護膜が設けられていることを特徴
とする特許請求の範囲第1項ないし第6項のいずれか1
項に記載の磁気記録媒体。 (8)保護膜の上に潤滑剤が塗布されていることを特徴
とする特許請求の範囲第7項に記載の磁気記録媒体。 (9)アルミニウム又はアルミニウム合金のディスク形
基板をクロム酸含有混合液中で陽極酸化して、厚さが6
〜15μmでビッカース硬度Hvが300以上の多孔質
のアルマイト質の下地層を形成した後、N_2及び/又
はO_2を含むArガス雰囲気中でCo−Ni合金薄膜
を成膜し、次いで熱処理することにより、 (イ)Ni含有率が10〜35原子%であるCo−Ni
合金であり、 (ロ)100〜500Åの粒径の結晶を主体とし、 (ハ)(002)面のX線回折強度と(100)面のX
線回折強度との比、即ちI(002)/I(100)で
定義されるR値が0≦R≦3の範囲にある、 磁性膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 (10)Co−Ni合金薄膜をスパッタリングにより形
成することを特徴とする特許請求の範囲第9項に記載の
磁気記録媒体の製造方法。 (11)成膜された熱処理前のCo−Ni合金薄膜のN
及び/又はO含有率は20〜50原子%であることを特
徴とする特許請求の範囲第9項又は第10項に記載の磁
気記録媒体の製造方法。 (12)熱処理温度は300〜600℃であることを特
徴とする特許請求の範囲第9項ないし第11項のいずれ
か1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 (13)熱処理条件は320〜500℃で 0.2〜3時間であることを特徴とする特許請求の範囲
第12項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 (14)基板はマグネシウムを7重量%以下含むアルミ
ニウム合金であることを特徴とする特許請求の範囲第9
項ないし第13項のいずれか1項に記載の磁気記録媒体
の製造方法。 (15)熱処理後の磁性膜からはCoN及びCoOがX
線的に検出されないことを特徴とする特許請求の範囲第
9項ないし第14項のいずれか1項に記載の磁気記録媒
体の製造方法。 (16)下地層と磁性膜との間に、磁性膜の付着強度を
増大させる層が設けられていることを特徴とする特許請
求の範囲第9項ないし第15項のいずれか1項に記載の
磁気記録媒体の製造方法。 (17)磁性膜の上に保護膜が設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第9項ないし第16項のいずれ
か1項に記載の磁気記録媒体の製造方法。 (18)保護膜の上に潤滑剤が塗布されていることを特
徴とする特許請求の範囲第17項に記載の磁気記録媒体
の製造方法。 (19)スパッタリングをマグネトロンスパッタリング
装置又はイオンビームスパッタリング装置で行なうこと
を特徴とする特許請求の範囲第10項に記載の磁気記録
媒体の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP435985 | 1985-01-14 | ||
JP60-4359 | 1985-01-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61276115A true JPS61276115A (ja) | 1986-12-06 |
Family
ID=11582185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61004723A Pending JPS61276115A (ja) | 1985-01-14 | 1986-01-13 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61276115A (ja) |
DE (1) | DE3546002A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5434014A (en) * | 1989-07-10 | 1995-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method of manufacturing same |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0362312A (ja) * | 1989-07-28 | 1991-03-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1985
- 1985-12-24 DE DE19853546002 patent/DE3546002A1/de not_active Withdrawn
-
1986
- 1986-01-13 JP JP61004723A patent/JPS61276115A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5434014A (en) * | 1989-07-10 | 1995-07-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording medium and method of manufacturing same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3546002A1 (de) | 1986-07-17 |
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