JPS61269389A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS61269389A JPS61269389A JP60110301A JP11030185A JPS61269389A JP S61269389 A JPS61269389 A JP S61269389A JP 60110301 A JP60110301 A JP 60110301A JP 11030185 A JP11030185 A JP 11030185A JP S61269389 A JPS61269389 A JP S61269389A
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- semiconductor laser
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体レーザ装置の製造方法、特に、ウェハ段
階でレーザ光発光が可能か否かが判定できる半導体レー
ザ装置の製造方法に関する。
階でレーザ光発光が可能か否かが判定できる半導体レー
ザ装置の製造方法に関する。
光通信用光源あるいはディジタルオーディオディスク、
ビデオディスク等の情報処理装置用光源として半導体レ
ーザ素子が使用されている。たとえば、日経マグロウヒ
ル社発行「日経エレクトロニクスJ 1981年9月1
4日号、P138〜P152、に記載されているように
、半導体レーザ素子(以下、単にレーザチップとも称す
る。)はその端面からレーザ光を発光する構造となって
いるため、レーザチップが作りだされるウェハの状態で
は半導体レーザ素子部分の特性検査ができない。このた
め、特性検査は、ウェハを短冊状に分断した状態あるい
は単品となったレーザチップの状態で行なわれている。
ビデオディスク等の情報処理装置用光源として半導体レ
ーザ素子が使用されている。たとえば、日経マグロウヒ
ル社発行「日経エレクトロニクスJ 1981年9月1
4日号、P138〜P152、に記載されているように
、半導体レーザ素子(以下、単にレーザチップとも称す
る。)はその端面からレーザ光を発光する構造となって
いるため、レーザチップが作りだされるウェハの状態で
は半導体レーザ素子部分の特性検査ができない。このた
め、特性検査は、ウェハを短冊状に分断した状態あるい
は単品となったレーザチップの状態で行なわれている。
したがって、ウェハにおける活性層の良否の判定、すな
わち、レーザ光発光ができるか否かの判定ができるよう
になるまでには、多くの工程を経ることから長い間待た
ねばならな(なり、組立後にレーザ光発光しないような
ことが判明した時点では、既に納期に間に合わなくなる
というようなおそれがある。
わち、レーザ光発光ができるか否かの判定ができるよう
になるまでには、多くの工程を経ることから長い間待た
ねばならな(なり、組立後にレーザ光発光しないような
ことが判明した時点では、既に納期に間に合わなくなる
というようなおそれがある。
本発明の目的はウェハの状態でレーザ光発光が可能であ
るか否かが判定できる半導体レーザ装置の製造方法を提
供することにある。
るか否かが判定できる半導体レーザ装置の製造方法を提
供することにある。
本発明の他の目的は製造納期が遵守し易い半導体レーザ
装置の製造方法を提供することにある。
装置の製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の半導体レーザ装置の製造においては
、半導体レーザ素子形成時に、ウェハに活性層を含む多
層成長層を形成し、その後前記多層成長層をメサエッチ
ングして光導波路を形成する際、ウェハの各地域を代表
するような位置にそれぞれ多層成長層の円形部を残すよ
うなメサエンチングによって発光ダイオード部分を形成
しておき、その後の電極形成時、前記発光ダイオード部
分のアノード電極およびカソード電極を形成し、この1
対の電極間に所定の電圧を印加して、この発光ダイオー
ド部分が発光するか否かによってウェハにおける活性層
の良否、すなわち、ウェハの細分化によって形成される
半導体レーザ素子のレーザ光発光の有無を推定できるよ
うになっていることから、ウェハの短冊化あるいはチッ
プ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すなわち、ウェ
ハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場合において
早く対処することができるため、半導体レーザ装置製造
の目標完成日の遵守が達成できる。
、半導体レーザ素子形成時に、ウェハに活性層を含む多
層成長層を形成し、その後前記多層成長層をメサエッチ
ングして光導波路を形成する際、ウェハの各地域を代表
するような位置にそれぞれ多層成長層の円形部を残すよ
うなメサエンチングによって発光ダイオード部分を形成
しておき、その後の電極形成時、前記発光ダイオード部
分のアノード電極およびカソード電極を形成し、この1
対の電極間に所定の電圧を印加して、この発光ダイオー
ド部分が発光するか否かによってウェハにおける活性層
の良否、すなわち、ウェハの細分化によって形成される
半導体レーザ素子のレーザ光発光の有無を推定できるよ
うになっていることから、ウェハの短冊化あるいはチッ
プ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すなわち、ウェ
ハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場合において
早く対処することができるため、半導体レーザ装置製造
の目標完成日の遵守が達成できる。
第1図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置製造
方法におけるウェハ拡大断面図、第2図は同じく半導体
レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、第3図〜
第10図は同じく半導体レーザ素子の製造方法を示す図
であって、第3図は半導体レーザ素子製造におけるワー
クであるウェハを示す断面図、第4図はメサエッチング
が施されたウェハの拡大断面図、第5図はメサエッチン
グが施されたウェハの斜視図、第6図は一部がマスキン
グされたウェハの拡大断面図、第7図は埋め込み成長処
理が施されたウェハの一部拡大断面図、第8図はオーミ
ックコンタクト層が形成された状態のウェハを示す一部
拡大断面図、第9図はチップ状態の半導体レーザ素子を
示す拡大断面図、第10図は本発明による半導体レーザ
装置を示す断面図である。
方法におけるウェハ拡大断面図、第2図は同じく半導体
レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、第3図〜
第10図は同じく半導体レーザ素子の製造方法を示す図
であって、第3図は半導体レーザ素子製造におけるワー
クであるウェハを示す断面図、第4図はメサエッチング
が施されたウェハの拡大断面図、第5図はメサエッチン
グが施されたウェハの斜視図、第6図は一部がマスキン
グされたウェハの拡大断面図、第7図は埋め込み成長処
理が施されたウェハの一部拡大断面図、第8図はオーミ
ックコンタクト層が形成された状態のウェハを示す一部
拡大断面図、第9図はチップ状態の半導体レーザ素子を
示す拡大断面図、第10図は本発明による半導体レーザ
装置を示す断面図である。
この実施例では、第2図のフローチャートで示すように
、半導体レーザ装置は多層成長層形成。
、半導体レーザ装置は多層成長層形成。
メサエッチング、マスキング、埋込層形成、亜鉛拡散、
電極形成1発光良否検出、チップ化1組立の各工程を順
次経て製造される。ここで、第3図〜第9図および第1
図を参照しながら最初に半導体レーザ素子の製造につい
て説明する。
電極形成1発光良否検出、チップ化1組立の各工程を順
次経て製造される。ここで、第3図〜第9図および第1
図を参照しながら最初に半導体レーザ素子の製造につい
て説明する。
この実施例では、埋め込みへテロ構造(B H)の長波
長半導体レーザ素子(以下、単にレーザチップとも称す
る。)に本発明を適用した例について説明する。
長半導体レーザ素子(以下、単にレーザチップとも称す
る。)に本発明を適用した例について説明する。
レーザチップの製造に際しては、最初に第3図に示され
るように、ワークである化合物半導体薄板(ウェハ)1
が用意される。このウェハ1はn形1nPの基板2と、
この基板2の(100)結晶面上に液相エピタキシャル
法によって順次形成されたn−形1nPのバッファ層3
.1 nGaAsPの活性層4. p形のInPのクラ
ッド層5゜p形のInGaAsPのキャップ層6とによ
る多層成長層7と、からなり、バッファ層3.活性層4
、クラッド層5とによってダブルへテロ接合構造を構成
している(活性層4の上下積層界面との間にヘテロ接合
が形成される。)。前記基板2は200μm前後の厚さ
となり、活性層4は0. 15μm、バッファ層3およ
びクラフト層5は3μm程度、キャンプ層6は0.2μ
m程度の厚さとなっている。
るように、ワークである化合物半導体薄板(ウェハ)1
が用意される。このウェハ1はn形1nPの基板2と、
この基板2の(100)結晶面上に液相エピタキシャル
法によって順次形成されたn−形1nPのバッファ層3
.1 nGaAsPの活性層4. p形のInPのクラ
ッド層5゜p形のInGaAsPのキャップ層6とによ
る多層成長層7と、からなり、バッファ層3.活性層4
、クラッド層5とによってダブルへテロ接合構造を構成
している(活性層4の上下積層界面との間にヘテロ接合
が形成される。)。前記基板2は200μm前後の厚さ
となり、活性層4は0. 15μm、バッファ層3およ
びクラフト層5は3μm程度、キャンプ層6は0.2μ
m程度の厚さとなっている。
つぎに、第4図に示すように、ウェハ1の主面(上面)
にCVD (化学気相塩m>法で絶縁膜(Sing)が
形成されるとともに、ホトリソグラフィによりこの絶縁
膜は部分的に除去され、〈110〉臂開方向と平行に幅
5〜6μmの多数のストライブ状のマスク8が形成され
る。この際、第5図に示されるように、ウェハ1の各地
域を代表するような位置には、前記ストライブ部分を外
れて、円形のマスク9が同様に形成される。その後、こ
のウェハ1のマスク8およびマスク9から露出する多層
成長層7は、プロメタノール等のエツチング液で前記バ
ッファ層3の途中に達するようにエツチングされる。こ
の結果、第5図に示されるように、ストライブ状および
スポット状の多層成長層7が形成される。前記マスク8
に被われた活性層4から上方部分は異方性エツチングの
結果、その断面が逆三角形となる逆メサ部となり結晶の
<110>方向に沿ってストライブ状に残留し、かつ、
活性層4から下方は放物線を描くような順メサ部となっ
ている。なお、各マスク間隔はおよそ400μm前後と
なっている。
にCVD (化学気相塩m>法で絶縁膜(Sing)が
形成されるとともに、ホトリソグラフィによりこの絶縁
膜は部分的に除去され、〈110〉臂開方向と平行に幅
5〜6μmの多数のストライブ状のマスク8が形成され
る。この際、第5図に示されるように、ウェハ1の各地
域を代表するような位置には、前記ストライブ部分を外
れて、円形のマスク9が同様に形成される。その後、こ
のウェハ1のマスク8およびマスク9から露出する多層
成長層7は、プロメタノール等のエツチング液で前記バ
ッファ層3の途中に達するようにエツチングされる。こ
の結果、第5図に示されるように、ストライブ状および
スポット状の多層成長層7が形成される。前記マスク8
に被われた活性層4から上方部分は異方性エツチングの
結果、その断面が逆三角形となる逆メサ部となり結晶の
<110>方向に沿ってストライブ状に残留し、かつ、
活性層4から下方は放物線を描くような順メサ部となっ
ている。なお、各マスク間隔はおよそ400μm前後と
なっている。
つぎに、第6図に示されるように、前記スポット状の多
層成長層7およびその周辺のメサ部にはリング状に絶縁
膜10が形成される。
層成長層7およびその周辺のメサ部にはリング状に絶縁
膜10が形成される。
つぎに、第7図に示されるように、エツチングによって
窪んだ部分にはp形InPのブロッキング層11.n形
rnPの埋め込み層12.InGaAsPのキャンプ層
13が順次連続液相エピタキシャル法によって埋め込ま
れる。この際、前記絶縁膜10が設けられた領域には埋
め込み層は形成されない。したがって、スポット状メサ
部14の周囲にはリング状の溝15が生じる。このスポ
ット状メサ部14は発光ダイオード部分となる。
窪んだ部分にはp形InPのブロッキング層11.n形
rnPの埋め込み層12.InGaAsPのキャンプ層
13が順次連続液相エピタキシャル法によって埋め込ま
れる。この際、前記絶縁膜10が設けられた領域には埋
め込み層は形成されない。したがって、スポット状メサ
部14の周囲にはリング状の溝15が生じる。このスポ
ット状メサ部14は発光ダイオード部分となる。
つぎに、ウェハI上のマスク8.9および絶縁膜10は
除去され、その後、第8図に示されるように、再びウェ
ハ1の主面には5in2等かるなる絶縁膜16が部分形
成される。この絶縁膜16は、同図に示されるように、
活性層4およびスポット状メサ部14に対応する部分に
は形成されない。そこで、この絶縁膜16をマスクとし
て亜鉛(Zn)がウェハ1の主面に拡散され、クラッド
層5の途中深さに達する亜鉛拡散領域からなるオーミッ
クコンタクト層17 (点々が施されている領域)が形
成される。このオーミックコンタクト層17はコンタク
ト電極のオーミンク層になる。
除去され、その後、第8図に示されるように、再びウェ
ハ1の主面には5in2等かるなる絶縁膜16が部分形
成される。この絶縁膜16は、同図に示されるように、
活性層4およびスポット状メサ部14に対応する部分に
は形成されない。そこで、この絶縁膜16をマスクとし
て亜鉛(Zn)がウェハ1の主面に拡散され、クラッド
層5の途中深さに達する亜鉛拡散領域からなるオーミッ
クコンタクト層17 (点々が施されている領域)が形
成される。このオーミックコンタクト層17はコンタク
ト電極のオーミンク層になる。
つぎに、第1図に示されるように、このウェハ1の主面
(上面)には半導体レーザ用アノード電極18および発
光ダイオード用アノード電極19が設けられる。これら
半導体レーザ用・発光ダイオード用アノード電極18.
19はCr / A uからなり、蒸着アロイによって
形成される。これら半導体レーザ用・発光ダイオード用
アノード電極18.19は、オーミックコンタクト層エ
フに電気的に接触する。また、ウェハ1の裏面はエツチ
ングされ、ウェハlの全体の厚さは100μm程度とさ
れるとともに、このウェハ1の裏面にはカソード電極2
0が設けられる。カソード電極20はA u G e
N i / P d / A uとなり、蒸着アロイに
よって形成される。また、このカソード電極20は半導
体レーザ用および発光ダイオード用のカソード電極20
となる。
(上面)には半導体レーザ用アノード電極18および発
光ダイオード用アノード電極19が設けられる。これら
半導体レーザ用・発光ダイオード用アノード電極18.
19はCr / A uからなり、蒸着アロイによって
形成される。これら半導体レーザ用・発光ダイオード用
アノード電極18.19は、オーミックコンタクト層エ
フに電気的に接触する。また、ウェハ1の裏面はエツチ
ングされ、ウェハlの全体の厚さは100μm程度とさ
れるとともに、このウェハ1の裏面にはカソード電極2
0が設けられる。カソード電極20はA u G e
N i / P d / A uとなり、蒸着アロイに
よって形成される。また、このカソード電極20は半導
体レーザ用および発光ダイオード用のカソード電極20
となる。
つぎに、このウェハ1はその活性層4が何の支障もなく
形成されているか否かが検出される。すなわち、ウェハ
lの各地域を代表するように、たとえば、第5図に示さ
れるように、ウェハ1の四隅部分および中心部分に配設
されたスポット状メサ部14、すなわち、発光ダイオー
ド部分の発光ダイオード用アノード電極19とカソード
電極20間に所定の電圧が印加される。この結果、第1
図に示されるように、活性層4が異常なく形成されてい
れば、スポット状メサ部14の活性層4から光21が溝
15側に発光される。この先21は、たとえば、受光装
置に光ファイバによって伝送されて検出される。
形成されているか否かが検出される。すなわち、ウェハ
lの各地域を代表するように、たとえば、第5図に示さ
れるように、ウェハ1の四隅部分および中心部分に配設
されたスポット状メサ部14、すなわち、発光ダイオー
ド部分の発光ダイオード用アノード電極19とカソード
電極20間に所定の電圧が印加される。この結果、第1
図に示されるように、活性層4が異常なく形成されてい
れば、スポット状メサ部14の活性層4から光21が溝
15側に発光される。この先21は、たとえば、受光装
置に光ファイバによって伝送されて検出される。
また、活性層4に結晶欠陥等の異常があれば、スポ7)
状メサ部14の活性層4から光21は発光されない。し
たがって、光21が発光されたスポット状メサ部14お
よびその周辺の活性N4部分には異常がないと推定でき
ることになる。このため、ウェハ1の各地域を代表する
ように配置形成されたスポット状メサ部14がすべて発
光すれば、このウェハ1の活性層4は何の異常もないと
推定でき、チップ化して形成されるであろう第9図で示
される半導体レーザ素子(レーザチップ)22は、レー
ザ発振すると推定できる。
状メサ部14の活性層4から光21は発光されない。し
たがって、光21が発光されたスポット状メサ部14お
よびその周辺の活性N4部分には異常がないと推定でき
ることになる。このため、ウェハ1の各地域を代表する
ように配置形成されたスポット状メサ部14がすべて発
光すれば、このウェハ1の活性層4は何の異常もないと
推定でき、チップ化して形成されるであろう第9図で示
される半導体レーザ素子(レーザチップ)22は、レー
ザ発振すると推定できる。
また、前記発光良否検出において、一部のスポット状メ
サ部14あるいはすべてのスポット状メサ部14が発光
しないような場合には、すぐに新たなるウェハを用意し
てレーザチップ22の製作に入ることができる。この結
果、組立後にレーザチップ22が不良と判明した場合等
に比較してレーザチップ22の不良品発生に対して早く
対処できるため、半導体レーザ装置の目標完成日を遵守
し易くなる。
サ部14あるいはすべてのスポット状メサ部14が発光
しないような場合には、すぐに新たなるウェハを用意し
てレーザチップ22の製作に入ることができる。この結
果、組立後にレーザチップ22が不良と判明した場合等
に比較してレーザチップ22の不良品発生に対して早く
対処できるため、半導体レーザ装置の目標完成日を遵守
し易くなる。
また、発光しないスポット状メサ部14の分布等を詳細
に分析することによって、ウェハ製造、すなわち、レー
ザチップ22の製造の各工程の条件設定等の良否を判定
でき、各製造作業にフィードバックできるため、よりよ
い製品を高歩留りに製造することができる。
に分析することによって、ウェハ製造、すなわち、レー
ザチップ22の製造の各工程の条件設定等の良否を判定
でき、各製造作業にフィードバックできるため、よりよ
い製品を高歩留りに製造することができる。
つぎに、前記ウェハ1は襞間2分断(スクライブライン
で切断される。)が行われ、第9図に示されるようなレ
ーザチップが多数形成される。レーザチップの寸法はた
とえば、幅が400μm、長さが300μm、高さが1
100A1となっている。
で切断される。)が行われ、第9図に示されるようなレ
ーザチップが多数形成される。レーザチップの寸法はた
とえば、幅が400μm、長さが300μm、高さが1
100A1となっている。
このレーザチップは、半導体レーザ用アノード電極18
およびカソード電極20に所定電圧が印加されると、3
00μmの長さの活性層端面(ミラー面)からレーザ光
を発振する。
およびカソード電極20に所定電圧が印加されると、3
00μmの長さの活性層端面(ミラー面)からレーザ光
を発振する。
つぎに、このようなレーザチップ22すなわち、良品と
判定されたレーザチップ22は、第10図で示されるよ
うなパッケージ23に組み込まれる。
判定されたレーザチップ22は、第10図で示されるよ
うなパッケージ23に組み込まれる。
パッケージ23は円板状の銅製のステム24と、このス
テム24の主面に気密封止される金属製のキャップ25
とからなっている。前記ステム24の主面にはヒートシ
ンク26が固定され、このヒートシンク26の内側面に
は熱伝導性の良いSiCからなるサブマウント27を介
して前記レーザチップ22が固定されている。そして、
レーザチップ22の上端および下端からはレーザ光2日
が発光される。上方に発光されたレーザ光28は、キャ
ップ25の開口部に気密的に取付けられた透明ガラス板
29によって形成された透明窓30から外部に放出され
る。また、ステム24の主面には、下方に向かって発光
されたレーザ光28の光出力をモニターする受光素子3
1が取付けられている。さらに、ステム24には所定数
のり−ド32が絶縁的に貫通固定されるとともに、リー
ド32の内端には受光素子31およびレーザチップ22
の電極と接続されるワイヤ33が接続されている。前記
ワイヤ33は第9図に示されるように、半導体レーザ用
アノード電極18に接続される。
テム24の主面に気密封止される金属製のキャップ25
とからなっている。前記ステム24の主面にはヒートシ
ンク26が固定され、このヒートシンク26の内側面に
は熱伝導性の良いSiCからなるサブマウント27を介
して前記レーザチップ22が固定されている。そして、
レーザチップ22の上端および下端からはレーザ光2日
が発光される。上方に発光されたレーザ光28は、キャ
ップ25の開口部に気密的に取付けられた透明ガラス板
29によって形成された透明窓30から外部に放出され
る。また、ステム24の主面には、下方に向かって発光
されたレーザ光28の光出力をモニターする受光素子3
1が取付けられている。さらに、ステム24には所定数
のり−ド32が絶縁的に貫通固定されるとともに、リー
ド32の内端には受光素子31およびレーザチップ22
の電極と接続されるワイヤ33が接続されている。前記
ワイヤ33は第9図に示されるように、半導体レーザ用
アノード電極18に接続される。
(1)、本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば
、ウェハの数箇所に設けられた特性判定用の発光ダイオ
ード部分への電圧印可による発光の有無によって、発光
ダイオード部分周辺の活性層の良否が判定できることか
ら、ウェハ各部の活性層の良否が検出でき、半導体レー
ザ装置の組み込み可能に半導体レーザ素子領域が製造さ
れているか否かが容易に分かるという効果が得られる。
、ウェハの数箇所に設けられた特性判定用の発光ダイオ
ード部分への電圧印可による発光の有無によって、発光
ダイオード部分周辺の活性層の良否が判定できることか
ら、ウェハ各部の活性層の良否が検出でき、半導体レー
ザ装置の組み込み可能に半導体レーザ素子領域が製造さ
れているか否かが容易に分かるという効果が得られる。
(2)上記により、本発明によれば、ウェハの短冊化あ
るいはチップ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すな
わち、ウェハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場
合において早(対処することができるため、半導体レー
ザ装置製造の目標完成日の遵守が達成できるという効果
が得られる。
るいはチップ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すな
わち、ウェハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場
合において早(対処することができるため、半導体レー
ザ装置製造の目標完成日の遵守が達成できるという効果
が得られる。
(3)本発明によれば、ウェハ状態において活性層の良
否および不良の場合における不良分布状態がわかること
から、活性層の製造状況すなわち、液相エピタキシャル
成長処理が、ウェハ全域に均一に行われているか否かを
知る目安ともなり、これらの不良解析結果に基づいて液
相エピタキシャル成長処理条件の修正、使用治具等の変
更等を行うことにより、特性改善および特性改善に基づ
く信頼度および歩留りの向上が達成できるという効果が
得られる。
否および不良の場合における不良分布状態がわかること
から、活性層の製造状況すなわち、液相エピタキシャル
成長処理が、ウェハ全域に均一に行われているか否かを
知る目安ともなり、これらの不良解析結果に基づいて液
相エピタキシャル成長処理条件の修正、使用治具等の変
更等を行うことにより、特性改善および特性改善に基づ
く信頼度および歩留りの向上が達成できるという効果が
得られる。
(4)上記(11〜(3)により、本発明によれば歩留
りの向上、信顛度の向上から、品質の優れた製品を安価
に提供できるという相乗効果が得られる。
りの向上、信顛度の向上から、品質の優れた製品を安価
に提供できるという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用半導体レー
ザ装置の製造技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、情報処理用
半導体レーザ装置等の半導体レーザ装置技術に適用でき
る。
をその背景となった利用分野である光通信用半導体レー
ザ装置の製造技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、情報処理用
半導体レーザ装置等の半導体レーザ装置技術に適用でき
る。
第1図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の製
造方法におけるウェハの拡大断面図、第2図は同じく半
導体レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、 第3図は同じく半導体レーザ素子製造におけるワークで
あるウェハを示す断面図、 第4図は同じくメサエッチングが施されたウェハの拡大
断面図、 第5図は同じくメサエッチングが施されたウェハの斜視
図、 第6図は同じく一部がマスキングされたウェハの拡大断
面図、 第7図は同じく埋め込み成長処理が施されたウェハの一
部拡大断面図、 第8図は同じくオーミックコンタクト層が形成された状
態のウェハを示す一部拡大断面図、第9図は同じ(チッ
プ状態の半導体レーザ素子を示す拡大断面図、 第10図は本発明に、よる半導体レーザ装置を示す断面
図である。 1・・・化合物半導体薄板(ウェハ)、2・・・基板、
3・・・バッファ層、4・・・活性層、5・・・クラッ
ド層、6・・・キャップ層、7・・・多層成長層、8.
9・・・マスク、10・・・絶縁膜、11・・・ブロッ
キング層、12・・・埋め込み層、13・・・キャップ
層、14・・・スポット状メサ部、15・・・溝、16
・・・絶縁膜、17・・・オーミックコンタクト層、1
8・・・半導体レーザ用アノード電極、19・・・発光
ダイオード用アノード電極、20・・・カソード電極、
21・・・光、22・・・半導体レーザ素子(レーザチ
ップ)、23・・・パッケージ、24・・・ステム、2
5・・・キャップ、26・・・ヒートシンク、27・・
・サブマウント、28・・・レーザ光、29・・・透明
ガラス板、30・・・透明窓、31・・・受光素子、3
2・第 1 図 第 2 図 第 5 図 第 6 図 第 7 図 第 8 図
造方法におけるウェハの拡大断面図、第2図は同じく半
導体レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、 第3図は同じく半導体レーザ素子製造におけるワークで
あるウェハを示す断面図、 第4図は同じくメサエッチングが施されたウェハの拡大
断面図、 第5図は同じくメサエッチングが施されたウェハの斜視
図、 第6図は同じく一部がマスキングされたウェハの拡大断
面図、 第7図は同じく埋め込み成長処理が施されたウェハの一
部拡大断面図、 第8図は同じくオーミックコンタクト層が形成された状
態のウェハを示す一部拡大断面図、第9図は同じ(チッ
プ状態の半導体レーザ素子を示す拡大断面図、 第10図は本発明に、よる半導体レーザ装置を示す断面
図である。 1・・・化合物半導体薄板(ウェハ)、2・・・基板、
3・・・バッファ層、4・・・活性層、5・・・クラッ
ド層、6・・・キャップ層、7・・・多層成長層、8.
9・・・マスク、10・・・絶縁膜、11・・・ブロッ
キング層、12・・・埋め込み層、13・・・キャップ
層、14・・・スポット状メサ部、15・・・溝、16
・・・絶縁膜、17・・・オーミックコンタクト層、1
8・・・半導体レーザ用アノード電極、19・・・発光
ダイオード用アノード電極、20・・・カソード電極、
21・・・光、22・・・半導体レーザ素子(レーザチ
ップ)、23・・・パッケージ、24・・・ステム、2
5・・・キャップ、26・・・ヒートシンク、27・・
・サブマウント、28・・・レーザ光、29・・・透明
ガラス板、30・・・透明窓、31・・・受光素子、3
2・第 1 図 第 2 図 第 5 図 第 6 図 第 7 図 第 8 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ウェハに活性層を設けるとともに複数の半導体レー
ザ素子部分を形成する工程と、前記ウェハを細分化して
半導体レーザ素子を製造する工程と、半導体レーザ素子
の良品を組み込んで半導体レーザ装置を製造する工程と
、を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、前記
ウェハに半導体レーザ素子部分を形成する際、少なくと
もウェハの数箇所に前記活性層を利用して発光ダイオー
ド部分を形成しておき、前記ウェハの状態で前記発光ダ
イオード部分に電圧を印加し、前記発光ダイオード部分
の発光の有無によって活性層の良否を判定することを特
徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 2、前記発光ダイオード部分はウェハ主面に設けられた
リング状の溝で取り囲まれていることを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置の製造方法
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60110301A JPS61269389A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60110301A JPS61269389A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61269389A true JPS61269389A (ja) | 1986-11-28 |
Family
ID=14532227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60110301A Pending JPS61269389A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61269389A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0587091A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-16 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Method of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP60110301A patent/JPS61269389A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0587091A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-16 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Method of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
US5440384A (en) * | 1992-09-10 | 1995-08-08 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Methods of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
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