JPS61269389A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
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- JPS61269389A JPS61269389A JP60110301A JP11030185A JPS61269389A JP S61269389 A JPS61269389 A JP S61269389A JP 60110301 A JP60110301 A JP 60110301A JP 11030185 A JP11030185 A JP 11030185A JP S61269389 A JPS61269389 A JP S61269389A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は半導体レーザ装置の製造方法、特に、ウェハ段
階でレーザ光発光が可能か否かが判定できる半導体レー
ザ装置の製造方法に関する。
階でレーザ光発光が可能か否かが判定できる半導体レー
ザ装置の製造方法に関する。
光通信用光源あるいはディジタルオーディオディスク、
ビデオディスク等の情報処理装置用光源として半導体レ
ーザ素子が使用されている。たとえば、日経マグロウヒ
ル社発行「日経エレクトロニクスＪ １９８１年９月１
４日号、Ｐ１３８〜Ｐ１５２、に記載されているように
、半導体レーザ素子（以下、単にレーザチップとも称す
る。）はその端面からレーザ光を発光する構造となって
いるため、レーザチップが作りだされるウェハの状態で
は半導体レーザ素子部分の特性検査ができない。このた
め、特性検査は、ウェハを短冊状に分断した状態あるい
は単品となったレーザチップの状態で行なわれている。
ビデオディスク等の情報処理装置用光源として半導体レ
ーザ素子が使用されている。たとえば、日経マグロウヒ
ル社発行「日経エレクトロニクスＪ １９８１年９月１
４日号、Ｐ１３８〜Ｐ１５２、に記載されているように
、半導体レーザ素子（以下、単にレーザチップとも称す
る。）はその端面からレーザ光を発光する構造となって
いるため、レーザチップが作りだされるウェハの状態で
は半導体レーザ素子部分の特性検査ができない。このた
め、特性検査は、ウェハを短冊状に分断した状態あるい
は単品となったレーザチップの状態で行なわれている。
したがって、ウェハにおける活性層の良否の判定、すな
わち、レーザ光発光ができるか否かの判定ができるよう
になるまでには、多くの工程を経ることから長い間待た
ねばならな（なり、組立後にレーザ光発光しないような
ことが判明した時点では、既に納期に間に合わなくなる
というようなおそれがある。
わち、レーザ光発光ができるか否かの判定ができるよう
になるまでには、多くの工程を経ることから長い間待た
ねばならな（なり、組立後にレーザ光発光しないような
ことが判明した時点では、既に納期に間に合わなくなる
というようなおそれがある。
本発明の目的はウェハの状態でレーザ光発光が可能であ
るか否かが判定できる半導体レーザ装置の製造方法を提
供することにある。
るか否かが判定できる半導体レーザ装置の製造方法を提
供することにある。
本発明の他の目的は製造納期が遵守し易い半導体レーザ
装置の製造方法を提供することにある。
装置の製造方法を提供することにある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。
すなわち、本発明の半導体レーザ装置の製造においては
、半導体レーザ素子形成時に、ウェハに活性層を含む多
層成長層を形成し、その後前記多層成長層をメサエッチ
ングして光導波路を形成する際、ウェハの各地域を代表
するような位置にそれぞれ多層成長層の円形部を残すよ
うなメサエンチングによって発光ダイオード部分を形成
しておき、その後の電極形成時、前記発光ダイオード部
分のアノード電極およびカソード電極を形成し、この１
対の電極間に所定の電圧を印加して、この発光ダイオー
ド部分が発光するか否かによってウェハにおける活性層
の良否、すなわち、ウェハの細分化によって形成される
半導体レーザ素子のレーザ光発光の有無を推定できるよ
うになっていることから、ウェハの短冊化あるいはチッ
プ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すなわち、ウェ
ハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場合において
早く対処することができるため、半導体レーザ装置製造
の目標完成日の遵守が達成できる。
、半導体レーザ素子形成時に、ウェハに活性層を含む多
層成長層を形成し、その後前記多層成長層をメサエッチ
ングして光導波路を形成する際、ウェハの各地域を代表
するような位置にそれぞれ多層成長層の円形部を残すよ
うなメサエンチングによって発光ダイオード部分を形成
しておき、その後の電極形成時、前記発光ダイオード部
分のアノード電極およびカソード電極を形成し、この１
対の電極間に所定の電圧を印加して、この発光ダイオー
ド部分が発光するか否かによってウェハにおける活性層
の良否、すなわち、ウェハの細分化によって形成される
半導体レーザ素子のレーザ光発光の有無を推定できるよ
うになっていることから、ウェハの短冊化あるいはチッ
プ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すなわち、ウェ
ハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場合において
早く対処することができるため、半導体レーザ装置製造
の目標完成日の遵守が達成できる。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置製造
方法におけるウェハ拡大断面図、第２図は同じく半導体
レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、第３図〜
第１０図は同じく半導体レーザ素子の製造方法を示す図
であって、第３図は半導体レーザ素子製造におけるワー
クであるウェハを示す断面図、第４図はメサエッチング
が施されたウェハの拡大断面図、第５図はメサエッチン
グが施されたウェハの斜視図、第６図は一部がマスキン
グされたウェハの拡大断面図、第７図は埋め込み成長処
理が施されたウェハの一部拡大断面図、第８図はオーミ
ックコンタクト層が形成された状態のウェハを示す一部
拡大断面図、第９図はチップ状態の半導体レーザ素子を
示す拡大断面図、第１０図は本発明による半導体レーザ
装置を示す断面図である。
方法におけるウェハ拡大断面図、第２図は同じく半導体
レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、第３図〜
第１０図は同じく半導体レーザ素子の製造方法を示す図
であって、第３図は半導体レーザ素子製造におけるワー
クであるウェハを示す断面図、第４図はメサエッチング
が施されたウェハの拡大断面図、第５図はメサエッチン
グが施されたウェハの斜視図、第６図は一部がマスキン
グされたウェハの拡大断面図、第７図は埋め込み成長処
理が施されたウェハの一部拡大断面図、第８図はオーミ
ックコンタクト層が形成された状態のウェハを示す一部
拡大断面図、第９図はチップ状態の半導体レーザ素子を
示す拡大断面図、第１０図は本発明による半導体レーザ
装置を示す断面図である。
この実施例では、第２図のフローチャートで示すように
、半導体レーザ装置は多層成長層形成。
、半導体レーザ装置は多層成長層形成。
メサエッチング、マスキング、埋込層形成、亜鉛拡散、
電極形成１発光良否検出、チップ化１組立の各工程を順
次経て製造される。ここで、第３図〜第９図および第１
図を参照しながら最初に半導体レーザ素子の製造につい
て説明する。
電極形成１発光良否検出、チップ化１組立の各工程を順
次経て製造される。ここで、第３図〜第９図および第１
図を参照しながら最初に半導体レーザ素子の製造につい
て説明する。
この実施例では、埋め込みへテロ構造（Ｂ Ｈ）の長波
長半導体レーザ素子（以下、単にレーザチップとも称す
る。）に本発明を適用した例について説明する。
長半導体レーザ素子（以下、単にレーザチップとも称す
る。）に本発明を適用した例について説明する。
レーザチップの製造に際しては、最初に第３図に示され
るように、ワークである化合物半導体薄板（ウェハ）１
が用意される。このウェハ１はｎ形１ｎＰの基板２と、
この基板２の（１００）結晶面上に液相エピタキシャル
法によって順次形成されたｎ−形１ｎＰのバッファ層３
．１ ｎＧａＡｓＰの活性層４． ｐ形のＩｎＰのクラ
ッド層５゜ｐ形のＩｎＧａＡｓＰのキャップ層６とによ
る多層成長層７と、からなり、バッファ層３．活性層４
、クラッド層５とによってダブルへテロ接合構造を構成
している（活性層４の上下積層界面との間にヘテロ接合
が形成される。）。前記基板２は２００μｍ前後の厚さ
となり、活性層４は０． １５μｍ、バッファ層３およ
びクラフト層５は３μｍ程度、キャンプ層６は０．２μ
ｍ程度の厚さとなっている。
るように、ワークである化合物半導体薄板（ウェハ）１
が用意される。このウェハ１はｎ形１ｎＰの基板２と、
この基板２の（１００）結晶面上に液相エピタキシャル
法によって順次形成されたｎ−形１ｎＰのバッファ層３
．１ ｎＧａＡｓＰの活性層４． ｐ形のＩｎＰのクラ
ッド層５゜ｐ形のＩｎＧａＡｓＰのキャップ層６とによ
る多層成長層７と、からなり、バッファ層３．活性層４
、クラッド層５とによってダブルへテロ接合構造を構成
している（活性層４の上下積層界面との間にヘテロ接合
が形成される。）。前記基板２は２００μｍ前後の厚さ
となり、活性層４は０． １５μｍ、バッファ層３およ
びクラフト層５は３μｍ程度、キャンプ層６は０．２μ
ｍ程度の厚さとなっている。
つぎに、第４図に示すように、ウェハ１の主面（上面）
にＣＶＤ （化学気相塩ｍ＞法で絶縁膜（Ｓｉｎｇ）が
形成されるとともに、ホトリソグラフィによりこの絶縁
膜は部分的に除去され、〈１１０〉臂開方向と平行に幅
５〜６μｍの多数のストライブ状のマスク８が形成され
る。この際、第５図に示されるように、ウェハ１の各地
域を代表するような位置には、前記ストライブ部分を外
れて、円形のマスク９が同様に形成される。その後、こ
のウェハ１のマスク８およびマスク９から露出する多層
成長層７は、プロメタノール等のエツチング液で前記バ
ッファ層３の途中に達するようにエツチングされる。こ
の結果、第５図に示されるように、ストライブ状および
スポット状の多層成長層７が形成される。前記マスク８
に被われた活性層４から上方部分は異方性エツチングの
結果、その断面が逆三角形となる逆メサ部となり結晶の
＜１１０＞方向に沿ってストライブ状に残留し、かつ、
活性層４から下方は放物線を描くような順メサ部となっ
ている。なお、各マスク間隔はおよそ４００μｍ前後と
なっている。
にＣＶＤ （化学気相塩ｍ＞法で絶縁膜（Ｓｉｎｇ）が
形成されるとともに、ホトリソグラフィによりこの絶縁
膜は部分的に除去され、〈１１０〉臂開方向と平行に幅
５〜６μｍの多数のストライブ状のマスク８が形成され
る。この際、第５図に示されるように、ウェハ１の各地
域を代表するような位置には、前記ストライブ部分を外
れて、円形のマスク９が同様に形成される。その後、こ
のウェハ１のマスク８およびマスク９から露出する多層
成長層７は、プロメタノール等のエツチング液で前記バ
ッファ層３の途中に達するようにエツチングされる。こ
の結果、第５図に示されるように、ストライブ状および
スポット状の多層成長層７が形成される。前記マスク８
に被われた活性層４から上方部分は異方性エツチングの
結果、その断面が逆三角形となる逆メサ部となり結晶の
＜１１０＞方向に沿ってストライブ状に残留し、かつ、
活性層４から下方は放物線を描くような順メサ部となっ
ている。なお、各マスク間隔はおよそ４００μｍ前後と
なっている。
つぎに、第６図に示されるように、前記スポット状の多
層成長層７およびその周辺のメサ部にはリング状に絶縁
膜１０が形成される。
層成長層７およびその周辺のメサ部にはリング状に絶縁
膜１０が形成される。
つぎに、第７図に示されるように、エツチングによって
窪んだ部分にはｐ形ＩｎＰのブロッキング層１１．ｎ形
ｒｎＰの埋め込み層１２．ＩｎＧａＡｓＰのキャンプ層
１３が順次連続液相エピタキシャル法によって埋め込ま
れる。この際、前記絶縁膜１０が設けられた領域には埋
め込み層は形成されない。したがって、スポット状メサ
部１４の周囲にはリング状の溝１５が生じる。このスポ
ット状メサ部１４は発光ダイオード部分となる。
窪んだ部分にはｐ形ＩｎＰのブロッキング層１１．ｎ形
ｒｎＰの埋め込み層１２．ＩｎＧａＡｓＰのキャンプ層
１３が順次連続液相エピタキシャル法によって埋め込ま
れる。この際、前記絶縁膜１０が設けられた領域には埋
め込み層は形成されない。したがって、スポット状メサ
部１４の周囲にはリング状の溝１５が生じる。このスポ
ット状メサ部１４は発光ダイオード部分となる。
つぎに、ウェハＩ上のマスク８．９および絶縁膜１０は
除去され、その後、第８図に示されるように、再びウェ
ハ１の主面には５ｉｎ２等かるなる絶縁膜１６が部分形
成される。この絶縁膜１６は、同図に示されるように、
活性層４およびスポット状メサ部１４に対応する部分に
は形成されない。そこで、この絶縁膜１６をマスクとし
て亜鉛（Ｚｎ）がウェハ１の主面に拡散され、クラッド
層５の途中深さに達する亜鉛拡散領域からなるオーミッ
クコンタクト層１７ （点々が施されている領域）が形
成される。このオーミックコンタクト層１７はコンタク
ト電極のオーミンク層になる。
除去され、その後、第８図に示されるように、再びウェ
ハ１の主面には５ｉｎ２等かるなる絶縁膜１６が部分形
成される。この絶縁膜１６は、同図に示されるように、
活性層４およびスポット状メサ部１４に対応する部分に
は形成されない。そこで、この絶縁膜１６をマスクとし
て亜鉛（Ｚｎ）がウェハ１の主面に拡散され、クラッド
層５の途中深さに達する亜鉛拡散領域からなるオーミッ
クコンタクト層１７ （点々が施されている領域）が形
成される。このオーミックコンタクト層１７はコンタク
ト電極のオーミンク層になる。
つぎに、第１図に示されるように、このウェハ１の主面
（上面）には半導体レーザ用アノード電極１８および発
光ダイオード用アノード電極１９が設けられる。これら
半導体レーザ用・発光ダイオード用アノード電極１８．
１９はＣｒ ／ Ａ ｕからなり、蒸着アロイによって
形成される。これら半導体レーザ用・発光ダイオード用
アノード電極１８．１９は、オーミックコンタクト層エ
フに電気的に接触する。また、ウェハ１の裏面はエツチ
ングされ、ウェハｌの全体の厚さは１００μｍ程度とさ
れるとともに、このウェハ１の裏面にはカソード電極２
０が設けられる。カソード電極２０はＡ ｕ Ｇ ｅ
Ｎ ｉ ／ Ｐ ｄ ／ Ａ ｕとなり、蒸着アロイに
よって形成される。また、このカソード電極２０は半導
体レーザ用および発光ダイオード用のカソード電極２０
となる。
（上面）には半導体レーザ用アノード電極１８および発
光ダイオード用アノード電極１９が設けられる。これら
半導体レーザ用・発光ダイオード用アノード電極１８．
１９はＣｒ ／ Ａ ｕからなり、蒸着アロイによって
形成される。これら半導体レーザ用・発光ダイオード用
アノード電極１８．１９は、オーミックコンタクト層エ
フに電気的に接触する。また、ウェハ１の裏面はエツチ
ングされ、ウェハｌの全体の厚さは１００μｍ程度とさ
れるとともに、このウェハ１の裏面にはカソード電極２
０が設けられる。カソード電極２０はＡ ｕ Ｇ ｅ
Ｎ ｉ ／ Ｐ ｄ ／ Ａ ｕとなり、蒸着アロイに
よって形成される。また、このカソード電極２０は半導
体レーザ用および発光ダイオード用のカソード電極２０
となる。
つぎに、このウェハ１はその活性層４が何の支障もなく
形成されているか否かが検出される。すなわち、ウェハ
ｌの各地域を代表するように、たとえば、第５図に示さ
れるように、ウェハ１の四隅部分および中心部分に配設
されたスポット状メサ部１４、すなわち、発光ダイオー
ド部分の発光ダイオード用アノード電極１９とカソード
電極２０間に所定の電圧が印加される。この結果、第１
図に示されるように、活性層４が異常なく形成されてい
れば、スポット状メサ部１４の活性層４から光２１が溝
１５側に発光される。この先２１は、たとえば、受光装
置に光ファイバによって伝送されて検出される。
形成されているか否かが検出される。すなわち、ウェハ
ｌの各地域を代表するように、たとえば、第５図に示さ
れるように、ウェハ１の四隅部分および中心部分に配設
されたスポット状メサ部１４、すなわち、発光ダイオー
ド部分の発光ダイオード用アノード電極１９とカソード
電極２０間に所定の電圧が印加される。この結果、第１
図に示されるように、活性層４が異常なく形成されてい
れば、スポット状メサ部１４の活性層４から光２１が溝
１５側に発光される。この先２１は、たとえば、受光装
置に光ファイバによって伝送されて検出される。
また、活性層４に結晶欠陥等の異常があれば、スポ７）
状メサ部１４の活性層４から光２１は発光されない。し
たがって、光２１が発光されたスポット状メサ部１４お
よびその周辺の活性Ｎ４部分には異常がないと推定でき
ることになる。このため、ウェハ１の各地域を代表する
ように配置形成されたスポット状メサ部１４がすべて発
光すれば、このウェハ１の活性層４は何の異常もないと
推定でき、チップ化して形成されるであろう第９図で示
される半導体レーザ素子（レーザチップ）２２は、レー
ザ発振すると推定できる。
状メサ部１４の活性層４から光２１は発光されない。し
たがって、光２１が発光されたスポット状メサ部１４お
よびその周辺の活性Ｎ４部分には異常がないと推定でき
ることになる。このため、ウェハ１の各地域を代表する
ように配置形成されたスポット状メサ部１４がすべて発
光すれば、このウェハ１の活性層４は何の異常もないと
推定でき、チップ化して形成されるであろう第９図で示
される半導体レーザ素子（レーザチップ）２２は、レー
ザ発振すると推定できる。
また、前記発光良否検出において、一部のスポット状メ
サ部１４あるいはすべてのスポット状メサ部１４が発光
しないような場合には、すぐに新たなるウェハを用意し
てレーザチップ２２の製作に入ることができる。この結
果、組立後にレーザチップ２２が不良と判明した場合等
に比較してレーザチップ２２の不良品発生に対して早く
対処できるため、半導体レーザ装置の目標完成日を遵守
し易くなる。
サ部１４あるいはすべてのスポット状メサ部１４が発光
しないような場合には、すぐに新たなるウェハを用意し
てレーザチップ２２の製作に入ることができる。この結
果、組立後にレーザチップ２２が不良と判明した場合等
に比較してレーザチップ２２の不良品発生に対して早く
対処できるため、半導体レーザ装置の目標完成日を遵守
し易くなる。
また、発光しないスポット状メサ部１４の分布等を詳細
に分析することによって、ウェハ製造、すなわち、レー
ザチップ２２の製造の各工程の条件設定等の良否を判定
でき、各製造作業にフィードバックできるため、よりよ
い製品を高歩留りに製造することができる。
に分析することによって、ウェハ製造、すなわち、レー
ザチップ２２の製造の各工程の条件設定等の良否を判定
でき、各製造作業にフィードバックできるため、よりよ
い製品を高歩留りに製造することができる。
つぎに、前記ウェハ１は襞間２分断（スクライブライン
で切断される。）が行われ、第９図に示されるようなレ
ーザチップが多数形成される。レーザチップの寸法はた
とえば、幅が４００μｍ、長さが３００μｍ、高さが１
１００Ａ１となっている。
で切断される。）が行われ、第９図に示されるようなレ
ーザチップが多数形成される。レーザチップの寸法はた
とえば、幅が４００μｍ、長さが３００μｍ、高さが１
１００Ａ１となっている。
このレーザチップは、半導体レーザ用アノード電極１８
およびカソード電極２０に所定電圧が印加されると、３
００μｍの長さの活性層端面（ミラー面）からレーザ光
を発振する。
およびカソード電極２０に所定電圧が印加されると、３
００μｍの長さの活性層端面（ミラー面）からレーザ光
を発振する。
つぎに、このようなレーザチップ２２すなわち、良品と
判定されたレーザチップ２２は、第１０図で示されるよ
うなパッケージ２３に組み込まれる。
判定されたレーザチップ２２は、第１０図で示されるよ
うなパッケージ２３に組み込まれる。
パッケージ２３は円板状の銅製のステム２４と、このス
テム２４の主面に気密封止される金属製のキャップ２５
とからなっている。前記ステム２４の主面にはヒートシ
ンク２６が固定され、このヒートシンク２６の内側面に
は熱伝導性の良いＳｉＣからなるサブマウント２７を介
して前記レーザチップ２２が固定されている。そして、
レーザチップ２２の上端および下端からはレーザ光２日
が発光される。上方に発光されたレーザ光２８は、キャ
ップ２５の開口部に気密的に取付けられた透明ガラス板
２９によって形成された透明窓３０から外部に放出され
る。また、ステム２４の主面には、下方に向かって発光
されたレーザ光２８の光出力をモニターする受光素子３
１が取付けられている。さらに、ステム２４には所定数
のり−ド３２が絶縁的に貫通固定されるとともに、リー
ド３２の内端には受光素子３１およびレーザチップ２２
の電極と接続されるワイヤ３３が接続されている。前記
ワイヤ３３は第９図に示されるように、半導体レーザ用
アノード電極１８に接続される。
テム２４の主面に気密封止される金属製のキャップ２５
とからなっている。前記ステム２４の主面にはヒートシ
ンク２６が固定され、このヒートシンク２６の内側面に
は熱伝導性の良いＳｉＣからなるサブマウント２７を介
して前記レーザチップ２２が固定されている。そして、
レーザチップ２２の上端および下端からはレーザ光２日
が発光される。上方に発光されたレーザ光２８は、キャ
ップ２５の開口部に気密的に取付けられた透明ガラス板
２９によって形成された透明窓３０から外部に放出され
る。また、ステム２４の主面には、下方に向かって発光
されたレーザ光２８の光出力をモニターする受光素子３
１が取付けられている。さらに、ステム２４には所定数
のり−ド３２が絶縁的に貫通固定されるとともに、リー
ド３２の内端には受光素子３１およびレーザチップ２２
の電極と接続されるワイヤ３３が接続されている。前記
ワイヤ３３は第９図に示されるように、半導体レーザ用
アノード電極１８に接続される。
（１）、本発明の半導体レーザ装置の製造方法によれば
、ウェハの数箇所に設けられた特性判定用の発光ダイオ
ード部分への電圧印可による発光の有無によって、発光
ダイオード部分周辺の活性層の良否が判定できることか
ら、ウェハ各部の活性層の良否が検出でき、半導体レー
ザ装置の組み込み可能に半導体レーザ素子領域が製造さ
れているか否かが容易に分かるという効果が得られる。
、ウェハの数箇所に設けられた特性判定用の発光ダイオ
ード部分への電圧印可による発光の有無によって、発光
ダイオード部分周辺の活性層の良否が判定できることか
ら、ウェハ各部の活性層の良否が検出でき、半導体レー
ザ装置の組み込み可能に半導体レーザ素子領域が製造さ
れているか否かが容易に分かるという効果が得られる。
（２）上記により、本発明によれば、ウェハの短冊化あ
るいはチップ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すな
わち、ウェハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場
合において早（対処することができるため、半導体レー
ザ装置製造の目標完成日の遵守が達成できるという効果
が得られる。
るいはチップ化以前にレーザ光発光が可能か否か、すな
わち、ウェハ製造は順調か否かがわかり、順調でない場
合において早（対処することができるため、半導体レー
ザ装置製造の目標完成日の遵守が達成できるという効果
が得られる。
（３）本発明によれば、ウェハ状態において活性層の良
否および不良の場合における不良分布状態がわかること
から、活性層の製造状況すなわち、液相エピタキシャル
成長処理が、ウェハ全域に均一に行われているか否かを
知る目安ともなり、これらの不良解析結果に基づいて液
相エピタキシャル成長処理条件の修正、使用治具等の変
更等を行うことにより、特性改善および特性改善に基づ
く信頼度および歩留りの向上が達成できるという効果が
得られる。
否および不良の場合における不良分布状態がわかること
から、活性層の製造状況すなわち、液相エピタキシャル
成長処理が、ウェハ全域に均一に行われているか否かを
知る目安ともなり、これらの不良解析結果に基づいて液
相エピタキシャル成長処理条件の修正、使用治具等の変
更等を行うことにより、特性改善および特性改善に基づ
く信頼度および歩留りの向上が達成できるという効果が
得られる。
（４）上記（１１〜（３）により、本発明によれば歩留
りの向上、信顛度の向上から、品質の優れた製品を安価
に提供できるという相乗効果が得られる。
りの向上、信顛度の向上から、品質の優れた製品を安価
に提供できるという相乗効果が得られる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である光通信用半導体レー
ザ装置の製造技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、情報処理用
半導体レーザ装置等の半導体レーザ装置技術に適用でき
る。
をその背景となった利用分野である光通信用半導体レー
ザ装置の製造技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、たとえば、情報処理用
半導体レーザ装置等の半導体レーザ装置技術に適用でき
る。
第１図は本発明の一実施例による半導体レーザ装置の製
造方法におけるウェハの拡大断面図、第２図は同じく半
導体レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、 第３図は同じく半導体レーザ素子製造におけるワークで
あるウェハを示す断面図、 第４図は同じくメサエッチングが施されたウェハの拡大
断面図、 第５図は同じくメサエッチングが施されたウェハの斜視
図、 第６図は同じく一部がマスキングされたウェハの拡大断
面図、 第７図は同じく埋め込み成長処理が施されたウェハの一
部拡大断面図、 第８図は同じくオーミックコンタクト層が形成された状
態のウェハを示す一部拡大断面図、第９図は同じ（チッ
プ状態の半導体レーザ素子を示す拡大断面図、 第１０図は本発明に、よる半導体レーザ装置を示す断面
図である。 １・・・化合物半導体薄板（ウェハ）、２・・・基板、
３・・・バッファ層、４・・・活性層、５・・・クラッ
ド層、６・・・キャップ層、７・・・多層成長層、８．
９・・・マスク、１０・・・絶縁膜、１１・・・ブロッ
キング層、１２・・・埋め込み層、１３・・・キャップ
層、１４・・・スポット状メサ部、１５・・・溝、１６
・・・絶縁膜、１７・・・オーミックコンタクト層、１
８・・・半導体レーザ用アノード電極、１９・・・発光
ダイオード用アノード電極、２０・・・カソード電極、
２１・・・光、２２・・・半導体レーザ素子（レーザチ
ップ）、２３・・・パッケージ、２４・・・ステム、２
５・・・キャップ、２６・・・ヒートシンク、２７・・
・サブマウント、２８・・・レーザ光、２９・・・透明
ガラス板、３０・・・透明窓、３１・・・受光素子、３
２・第 １ 図 第 ２ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
造方法におけるウェハの拡大断面図、第２図は同じく半
導体レーザ装置の製造方法を示すフローチャート、 第３図は同じく半導体レーザ素子製造におけるワークで
あるウェハを示す断面図、 第４図は同じくメサエッチングが施されたウェハの拡大
断面図、 第５図は同じくメサエッチングが施されたウェハの斜視
図、 第６図は同じく一部がマスキングされたウェハの拡大断
面図、 第７図は同じく埋め込み成長処理が施されたウェハの一
部拡大断面図、 第８図は同じくオーミックコンタクト層が形成された状
態のウェハを示す一部拡大断面図、第９図は同じ（チッ
プ状態の半導体レーザ素子を示す拡大断面図、 第１０図は本発明に、よる半導体レーザ装置を示す断面
図である。 １・・・化合物半導体薄板（ウェハ）、２・・・基板、
３・・・バッファ層、４・・・活性層、５・・・クラッ
ド層、６・・・キャップ層、７・・・多層成長層、８．
９・・・マスク、１０・・・絶縁膜、１１・・・ブロッ
キング層、１２・・・埋め込み層、１３・・・キャップ
層、１４・・・スポット状メサ部、１５・・・溝、１６
・・・絶縁膜、１７・・・オーミックコンタクト層、１
８・・・半導体レーザ用アノード電極、１９・・・発光
ダイオード用アノード電極、２０・・・カソード電極、
２１・・・光、２２・・・半導体レーザ素子（レーザチ
ップ）、２３・・・パッケージ、２４・・・ステム、２
５・・・キャップ、２６・・・ヒートシンク、２７・・
・サブマウント、２８・・・レーザ光、２９・・・透明
ガラス板、３０・・・透明窓、３１・・・受光素子、３
２・第 １ 図 第 ２ 図 第 ５ 図 第 ６ 図 第 ７ 図 第 ８ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハに活性層を設けるとともに複数の半導体レー
ザ素子部分を形成する工程と、前記ウェハを細分化して
半導体レーザ素子を製造する工程と、半導体レーザ素子
の良品を組み込んで半導体レーザ装置を製造する工程と
、を有する半導体レーザ装置の製造方法であって、前記
ウェハに半導体レーザ素子部分を形成する際、少なくと
もウェハの数箇所に前記活性層を利用して発光ダイオー
ド部分を形成しておき、前記ウェハの状態で前記発光ダ
イオード部分に電圧を印加し、前記発光ダイオード部分
の発光の有無によって活性層の良否を判定することを特
徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 ２、前記発光ダイオード部分はウェハ主面に設けられた
リング状の溝で取り囲まれていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置の製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60110301A JPS61269389A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60110301A JPS61269389A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61269389A true JPS61269389A (ja) | 1986-11-28 |
Family
ID=14532227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60110301A Pending JPS61269389A (ja) | 1985-05-24 | 1985-05-24 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61269389A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587091A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-16 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Method of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
-
1985
- 1985-05-24 JP JP60110301A patent/JPS61269389A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0587091A1 (en) * | 1992-09-10 | 1994-03-16 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Method of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
| US5440384A (en) * | 1992-09-10 | 1995-08-08 | Shin-Etsu Handotai Kabushiki Kaisha | Methods of inspecting wafers for manufacturing light emitting elements |
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