JPS61261787A - エレクトロクロミツク素子の駆動方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク素子の駆動方法Info
- Publication number
- JPS61261787A JPS61261787A JP10260885A JP10260885A JPS61261787A JP S61261787 A JPS61261787 A JP S61261787A JP 10260885 A JP10260885 A JP 10260885A JP 10260885 A JP10260885 A JP 10260885A JP S61261787 A JPS61261787 A JP S61261787A
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- electrochromic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野]
本発明は電気化学的発消色現象すなわち工し/クトロク
ロミンク現象を利用したエレクトロクロミック素子に関
する。
ロミンク現象を利用したエレクトロクロミック素子に関
する。
このようなエレクI・ロクロミック素子は、例えば、数
字表示素−f、X−Yマトリクスディスプレイ、光学シ
ャッタ、絞り機構等に応用できるもので、その材料で分
類すると液体型と固体型に分けられるか、本発明は特に
全固体型のエレクトロクロミック素子の駆動力法に関す
るものである。
字表示素−f、X−Yマトリクスディスプレイ、光学シ
ャッタ、絞り機構等に応用できるもので、その材料で分
類すると液体型と固体型に分けられるか、本発明は特に
全固体型のエレクトロクロミック素子の駆動力法に関す
るものである。
[従来技術]
第3図および第4図は、各々エレクトロクロミック現象
を利用した全固体型エレクトロクロミンク素子の一般的
な構成図である。
を利用した全固体型エレクトロクロミンク素子の一般的
な構成図である。
第3図に示すエレクトロクロミー、り素子は、透明な基
板lの]二に、透明導電体膜より成る第1電極2、陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜か
ら成る絶縁層4、導電体膜より成る第2電極5を順次積
層してなるものである。
板lの]二に、透明導電体膜より成る第1電極2、陽極
側発色層であるエレクトロクロミック層3、誘電体膜か
ら成る絶縁層4、導電体膜より成る第2電極5を順次積
層してなるものである。
また、第4図に示すエレクトロクロミック素子5間、第
3図に示す構造における絶縁層4と第2電極5との間に
、さらに、陰極側発色層である第2のエレクトロクロミ
ック層6を積層したものである。
3図に示す構造における絶縁層4と第2電極5との間に
、さらに、陰極側発色層である第2のエレクトロクロミ
ック層6を積層したものである。
上記の構造にお17′)て、基板1は−・般的にカラス
板によって形成されるが、これはカラス板に限らず、プ
ラスチック板またはアクリル板等の無色透明な板ならば
よく、また、その位置に関しても、第1電極2の下では
なく、第2電極5の−Lにあってもよいし、「1的に応
して(例えば、保護カバーとするなどの[1的で)両側
に設けてもよい。ただし、これらの場合に応じて、第2
電極5を透明導電膜にしたり、両側の電極とも透明導電
膜にする必要がある。両方の電極を透明電極にすれば、
透明型のエレクトロクロミック素子を形成できる。
板によって形成されるが、これはカラス板に限らず、プ
ラスチック板またはアクリル板等の無色透明な板ならば
よく、また、その位置に関しても、第1電極2の下では
なく、第2電極5の−Lにあってもよいし、「1的に応
して(例えば、保護カバーとするなどの[1的で)両側
に設けてもよい。ただし、これらの場合に応じて、第2
電極5を透明導電膜にしたり、両側の電極とも透明導電
膜にする必要がある。両方の電極を透明電極にすれば、
透明型のエレクトロクロミック素子を形成できる。
また、絶縁層4は誘電体だけでなく、固体電解質等でも
よい。
よい。
透明導電膜としては、ITO膜(酸化インジウムIn2
03中に酸化鉛Sn 02をドープしたもの)やネサ
膜等が用いられる。
03中に酸化鉛Sn 02をドープしたもの)やネサ
膜等が用いられる。
陽極側発色層であるエレクトロクロミック層3は、従来
、五酸化クロム(Cr203) 、水酸化イリジウム
(Ir(OH)2) 、水酸化ニンケル(Ni(OH)
2 )等によって形成されている。
、五酸化クロム(Cr203) 、水酸化イリジウム
(Ir(OH)2) 、水酸化ニンケル(Ni(OH)
2 )等によって形成されている。
絶縁層4は、二酸化ジルコン(Zr02) 、 Ii
酸化タンタル(Ta 205) 、酸化ケイ素(SiO
、5i02)等に代表される酸化物、あるいはフッ化リ
チウム(LiF) 、 フン化マグネシウJ、(MgF
2)等に代表されるフッ化物を用いて形成する。
酸化タンタル(Ta 205) 、酸化ケイ素(SiO
、5i02)等に代表される酸化物、あるいはフッ化リ
チウム(LiF) 、 フン化マグネシウJ、(MgF
2)等に代表されるフッ化物を用いて形成する。
また、陰極側発色層であるエレクトロクロミンク層6は
、酸化タングステンcwo 2 、 wo3 ) 、醇
化モリブデ7(M2O3、Non 3 ) 、 fi
酸化バナジウム(V20’s )等を用いて形成する。
、酸化タングステンcwo 2 、 wo3 ) 、醇
化モリブデ7(M2O3、Non 3 ) 、 fi
酸化バナジウム(V20’s )等を用いて形成する。
このような構造をもつ全固体甲エレクトロクロミック素
子は、第1電極2と第2電極5の間に電圧を印加するこ
とにより電気化学的反応が起き。
子は、第1電極2と第2電極5の間に電圧を印加するこ
とにより電気化学的反応が起き。
着色、消色をする。この着色機構は、例えば、エレクト
ロクロミンク層6へのカチオンと電子のダブルインジェ
クションによるブロンズ形成にあると一般的に言われて
いる。例えば、エレクトロクロミック物質として、wo
3を用いる場合には、次の(1)式で表わされる酸化還
元反応が起き着色する。
ロクロミンク層6へのカチオンと電子のダブルインジェ
クションによるブロンズ形成にあると一般的に言われて
いる。例えば、エレクトロクロミック物質として、wo
3を用いる場合には、次の(1)式で表わされる酸化還
元反応が起き着色する。
WO3+x)I” +we−M ■xWO3II @
11 +111 (1)1−記(1)式に従って、タ
ングステンブロンズHxW03が形成され着色するが、
ここで印加電圧1劃 を逆転すれば消色状態となる。(1)式のこの骨な反応
は、全固体型エレクトロクロミック素子においては、素
子内部の絶縁層によってプロトンH+が供給され着色す
る。
11 +111 (1)1−記(1)式に従って、タ
ングステンブロンズHxW03が形成され着色するが、
ここで印加電圧1劃 を逆転すれば消色状態となる。(1)式のこの骨な反応
は、全固体型エレクトロクロミック素子においては、素
子内部の絶縁層によってプロトンH+が供給され着色す
る。
第5図は、発色部がパターン化されたエレクトロクロミ
ック素子の構成を示す部分断面図である。同図において
、基板1−にに、SiO2等の絶縁膜7か形成されパタ
ーニングされている。さらに、第1電極2が基板1−1
−で引回され、この第1電極2−1−に前記絶縁層7で
挟まれた所望ノくターンの陽極側発色層であるエレクト
ロクロミ・ンク層3が形成されている。以下第4図の場
合と同様に、絶縁層4、陰極側発色層であるエレクトロ
クロミック層6および第2電極5が積層されている。
ック素子の構成を示す部分断面図である。同図において
、基板1−にに、SiO2等の絶縁膜7か形成されパタ
ーニングされている。さらに、第1電極2が基板1−1
−で引回され、この第1電極2−1−に前記絶縁層7で
挟まれた所望ノくターンの陽極側発色層であるエレクト
ロクロミ・ンク層3が形成されている。以下第4図の場
合と同様に、絶縁層4、陰極側発色層であるエレクトロ
クロミック層6および第2電極5が積層されている。
なお、発色・消色機構は前述した通りである。ただし、
第3図〜第5図に示す素子の絶縁層4は第1電極2およ
び第2電極5の電気的接触を防ぐために設けられ、これ
によって印加電圧を取り去っても発色状態が保持される
メモリ機能が付榮される。
第3図〜第5図に示す素子の絶縁層4は第1電極2およ
び第2電極5の電気的接触を防ぐために設けられ、これ
によって印加電圧を取り去っても発色状態が保持される
メモリ機能が付榮される。
ところで、[−記エレクトロクロミック素子を駆動する
際の印加電圧には望ましい範囲がある。
際の印加電圧には望ましい範囲がある。
まず、エレクトロクロミック層を発色させる時の印加電
圧Vanが2.5vを超えると、素子の寿命が著しく短
くなる。その主な理由は、印加電圧Vanによって素子
中に含まれているH20が電気分解されるが、Van
>2.5Vになると電気分解によって生じるH+および
OH−が必要以りに発生し、その結果ガスとなって素子
を劣化させるものと考えられる。逆に、印加電圧Von
<0.7Vであると、エレクトロクロミック素子に要
求される応答速度が低の範囲内であることが望ましい。
圧Vanが2.5vを超えると、素子の寿命が著しく短
くなる。その主な理由は、印加電圧Vanによって素子
中に含まれているH20が電気分解されるが、Van
>2.5Vになると電気分解によって生じるH+および
OH−が必要以りに発生し、その結果ガスとなって素子
を劣化させるものと考えられる。逆に、印加電圧Von
<0.7Vであると、エレクトロクロミック素子に要
求される応答速度が低の範囲内であることが望ましい。
エレクi・ロクロミック素子を消色状逆)にするには、
印加電圧の極性を発色時とは逆転させた電圧−Vonを
印加すればよい。
印加電圧の極性を発色時とは逆転させた電圧−Vonを
印加すればよい。
[発明が解決しようとする問題点1
しかしながら、このような従来の駆動方法では、第3図
〜第5図に示す絶縁層を有するエレクトロクロミック素
−r、4キに第5図の絶縁層7を有する素子を応答性良
く消色することができなかった。なぜならば、エレクト
ロクロミック素子に電圧Vonが印加されると、絶縁層
4又は/および絶縁膜7に電荷が蓄積され、消色時には
この蓄積電荷を余分に除去する必要があるからである。
〜第5図に示す絶縁層を有するエレクトロクロミック素
−r、4キに第5図の絶縁層7を有する素子を応答性良
く消色することができなかった。なぜならば、エレクト
ロクロミック素子に電圧Vonが印加されると、絶縁層
4又は/および絶縁膜7に電荷が蓄積され、消色時には
この蓄積電荷を余分に除去する必要があるからである。
すなわち、従来のように発色時の印加電圧Vonと同じ
電ハフ値の逆開加電f’に−Vanで消色動作を行わせ
ようとすると、I−記蓄桔電荷の除去とともにエレクト
ロクロミック層の消色を行うために、完全な消色状態に
至るまでに余分な時間を必要とし、応答性を悪化させて
いる。
電ハフ値の逆開加電f’に−Vanで消色動作を行わせ
ようとすると、I−記蓄桔電荷の除去とともにエレクト
ロクロミック層の消色を行うために、完全な消色状態に
至るまでに余分な時間を必要とし、応答性を悪化させて
いる。
また、消色動作を応答速度を改善するために、消色時の
逆印加電圧の電圧値を高くすると、応答性は良どなる反
面、素子の寿命を縮める結果となる。
逆印加電圧の電圧値を高くすると、応答性は良どなる反
面、素子の寿命を縮める結果となる。
[問題点を解決するためのf段]
本発明によるエレクトロクロミンク素子の駆動力V、は
、引回し電極」〕に絶縁層および一層以−にのエレクト
ロクロミック層を積層し、さらに対向電極を設けたエレ
クトロクロミック素子の駆動力U、において、 該エレクトロクロミック素子を消色させる際、該エレク
トロクロミック素子を発色させる発色印加電圧の1.2
倍以−にの電圧(iの逆印加電圧を瞬間的に印加し、そ
の後、前記発色印加電圧の電圧値以下の逆印加電圧を印
加し、かつ前記逆印加電圧の合計印加時間は前記発色印
加電圧の印加時間より短いことを特徴とする [作用] このような駆動方法によって、エレクトロクロミンク素
子の寿命を縮めることなく、絶縁層等に蓄積された電荷
を速やかに除去I7、消色時の応答性を白子させること
ができる。
、引回し電極」〕に絶縁層および一層以−にのエレクト
ロクロミック層を積層し、さらに対向電極を設けたエレ
クトロクロミック素子の駆動力U、において、 該エレクトロクロミック素子を消色させる際、該エレク
トロクロミック素子を発色させる発色印加電圧の1.2
倍以−にの電圧(iの逆印加電圧を瞬間的に印加し、そ
の後、前記発色印加電圧の電圧値以下の逆印加電圧を印
加し、かつ前記逆印加電圧の合計印加時間は前記発色印
加電圧の印加時間より短いことを特徴とする [作用] このような駆動方法によって、エレクトロクロミンク素
子の寿命を縮めることなく、絶縁層等に蓄積された電荷
を速やかに除去I7、消色時の応答性を白子させること
ができる。
[実施例]
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説1す1す
る。
る。
第1図は、本発明によるエレク)・ロクロミック素子の
駆動力D、の一実施例を示す電圧波形図である。ただし
、ここではエレクトロクロミック素子として第5図に示
すものを用いる。
駆動力D、の一実施例を示す電圧波形図である。ただし
、ここではエレクトロクロミック素子として第5図に示
すものを用いる。
第1図において、エレクトロクロミック素fを発色させ
る印加電圧Vonは、すでに述べたように0.7〜2.
5Vt7)flilj囲であり、望ましくは1.0〜1
.5Vである。また、消色させるために瞬間的に印加さ
レル逆印加電圧Vofflは、Vonノ1.2倍以に−
,(好ましくは1.2〜1.4倍)に設定され、その後
の逆印加電圧Voff2は、Vonの0,8倍程度に設
定されている。
る印加電圧Vonは、すでに述べたように0.7〜2.
5Vt7)flilj囲であり、望ましくは1.0〜1
.5Vである。また、消色させるために瞬間的に印加さ
レル逆印加電圧Vofflは、Vonノ1.2倍以に−
,(好ましくは1.2〜1.4倍)に設定され、その後
の逆印加電圧Voff2は、Vonの0,8倍程度に設
定されている。
さらに、逆印加電圧Voff1およびVan2の合計印
加時間Tbは印加電圧Vonの印加時間Taより短く設
定され、特に0.47a< Tb、< 0.87aの範
囲内で設定されることが望ましい。ただし、具体的な設
定時間は、逆印加電圧の電圧値等を考慮して決定する必
要がある。
加時間Tbは印加電圧Vonの印加時間Taより短く設
定され、特に0.47a< Tb、< 0.87aの範
囲内で設定されることが望ましい。ただし、具体的な設
定時間は、逆印加電圧の電圧値等を考慮して決定する必
要がある。
第2図は、本発明を実施するための駆動装置の概略的ブ
ロック図である。
ロック図である。
同図において、正パルス発生回路lOはトリガパルスP
1に従って印加電圧Vonを時間Taだけ発生する回路
である。
1に従って印加電圧Vonを時間Taだけ発生する回路
である。
負パルス発生回路11は、トリガパルスP2に従ッテ、
逆印加電圧(Vofft −Voff2 )を瞬間的に
発生する回路と、逆印加電圧Voff2を時間Tbだけ
発生する回路と、両逆印加電圧を加算する合成回路とか
ら構成されている。両回路10および11共に、単安定
マルチバイブレークを用いて容易に構成できる。
逆印加電圧(Vofft −Voff2 )を瞬間的に
発生する回路と、逆印加電圧Voff2を時間Tbだけ
発生する回路と、両逆印加電圧を加算する合成回路とか
ら構成されている。両回路10および11共に、単安定
マルチバイブレークを用いて容易に構成できる。
正パルス発生回路lOから出力された印加電圧Vanの
パルスは、合成回路12を介してエレクトロクロミンク
素子I3の第1電極2および第21t!、極5間に印加
され、素子を発色させる。エレクトロクロミック素子1
3はメモリ機t’sをイ〕しているために、パルス印加
後も発色状態は維持される。
パルスは、合成回路12を介してエレクトロクロミンク
素子I3の第1電極2および第21t!、極5間に印加
され、素子を発色させる。エレクトロクロミック素子1
3はメモリ機t’sをイ〕しているために、パルス印加
後も発色状態は維持される。
続いて、トリ力パルスP2が負パルス発生回路11に入
力することで、逆印加電圧Vofflのパルス、続いて
逆印加電圧Vof hのパルスが出力之れる。このよう
な瞬間的に高い電圧値Vofflを含む消色パルスが合
成回路12を介してエレクトロクロミック素子13に発
色時とは逆極性で印加され、素子13を速やかに消色さ
せる。また、進中加電圧Voff2は、印加電圧Von
より電圧値が低いために、素子の寿命を延ばすことがで
きる。
力することで、逆印加電圧Vofflのパルス、続いて
逆印加電圧Vof hのパルスが出力之れる。このよう
な瞬間的に高い電圧値Vofflを含む消色パルスが合
成回路12を介してエレクトロクロミック素子13に発
色時とは逆極性で印加され、素子13を速やかに消色さ
せる。また、進中加電圧Voff2は、印加電圧Von
より電圧値が低いために、素子の寿命を延ばすことがで
きる。
(具体例)
第5図に示すエレクトロクロミック素子において、厚さ
0,81mのガラス基板l」−に、引回し電極ITOよ
り成る第1電極2と、その上に反応性高周波イオンブレ
ーティング法により所望パターンで厚さ1000人のI
rO2のエレクトロクロミック層3と、厚さ2000人
の5i02より成る絶縁膜7とが形成される。
0,81mのガラス基板l」−に、引回し電極ITOよ
り成る第1電極2と、その上に反応性高周波イオンブレ
ーティング法により所望パターンで厚さ1000人のI
rO2のエレクトロクロミック層3と、厚さ2000人
の5i02より成る絶縁膜7とが形成される。
次に、エレクトロクロミック層3および絶縁層7の上に
、真空蒸着法により絶縁層4として厚さ3000へのT
a205層を形成する。続いて、絶縁層4−1−にエレ
クトロクロミック層6として厚さ4000人のwo3層
を真空蒸着法により形成し、さらに第2電極5として半
透明Auを厚さ300人蒸着する。
、真空蒸着法により絶縁層4として厚さ3000へのT
a205層を形成する。続いて、絶縁層4−1−にエレ
クトロクロミック層6として厚さ4000人のwo3層
を真空蒸着法により形成し、さらに第2電極5として半
透明Auを厚さ300人蒸着する。
このようにして形成されたエレクトロクロミック素子の
第1電極2および第2電極5間に印加電圧Von =
1.5Vを200m5ec印加して発色させ、次に進中
加電圧Voffl = 2.(IVを8op、 sec
、Voff2 =1.3Vを180m5ecだけ印加
することで、完全に消色することがでyた。また、この
発色消色動作は5X106回繰返すことができ、これは
従来の2×105回に比べて寿命の改善を示している。
第1電極2および第2電極5間に印加電圧Von =
1.5Vを200m5ec印加して発色させ、次に進中
加電圧Voffl = 2.(IVを8op、 sec
、Voff2 =1.3Vを180m5ecだけ印加
することで、完全に消色することがでyた。また、この
発色消色動作は5X106回繰返すことができ、これは
従来の2×105回に比べて寿命の改善を示している。
[発りjの効果]
以」二詳細に説明したように、本発明によるエレクトロ
クロミック素子の駆動方法は、素子の寿命を縮めること
なく、絶縁層等に蓄積された電荷を速やかに除去し消色
時の応答性を向−1ニさせることができる。
クロミック素子の駆動方法は、素子の寿命を縮めること
なく、絶縁層等に蓄積された電荷を速やかに除去し消色
時の応答性を向−1ニさせることができる。
第1図は、本発明によるエレクトロクロミック素子の駆
動方法の一実施例を示す電圧波形図、第2図は、本発明
を実施するための駆動装置の概略的ブロック図、 第3図および第4図は、各々一般的なエレクト0クロミ
ンク素子の例を示す概略的構成図、第5図は、発色部が
パターン化されたエレクトロクロミンク素子の構成を示
す部分断面図である。 l・・・基板 2・・・第1電極311IIφエ
レクトロクロミツク層(陽極側)4・・・絶縁層
5・・・第2電極6・・・エレクトロクロミンク層(陰
極側)7・・・絶縁層 13・・番エレクトロクロミック素了 代理人 弁理士 山 下 積 子 箱1図 第2 図
動方法の一実施例を示す電圧波形図、第2図は、本発明
を実施するための駆動装置の概略的ブロック図、 第3図および第4図は、各々一般的なエレクト0クロミ
ンク素子の例を示す概略的構成図、第5図は、発色部が
パターン化されたエレクトロクロミンク素子の構成を示
す部分断面図である。 l・・・基板 2・・・第1電極311IIφエ
レクトロクロミツク層(陽極側)4・・・絶縁層
5・・・第2電極6・・・エレクトロクロミンク層(陰
極側)7・・・絶縁層 13・・番エレクトロクロミック素了 代理人 弁理士 山 下 積 子 箱1図 第2 図
Claims (1)
- (1)引回し電極上に絶縁層および一層以上のエレクト
ロクロミック層を積層し、さらに対向電極を設けたエレ
クトロクロミック素子の駆動方法において、 該エレクトロクロミック素子を消色させ る際、該エレクトロクロミック素子を発色させる発色印
加電圧の1.2倍以上の電圧値の逆印加電圧を瞬間的に
印加し、その後、前記発色印加電圧の電圧値以下の逆印
加電圧を印加し、かつ前記逆印加電圧の合計印加時間は
前記発色印加電圧の印加時間より短いことを特徴とする
エレクトロクロミック素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10260885A JPS61261787A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | エレクトロクロミツク素子の駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10260885A JPS61261787A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | エレクトロクロミツク素子の駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61261787A true JPS61261787A (ja) | 1986-11-19 |
Family
ID=14331951
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10260885A Pending JPS61261787A (ja) | 1985-05-16 | 1985-05-16 | エレクトロクロミツク素子の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61261787A (ja) |
-
1985
- 1985-05-16 JP JP10260885A patent/JPS61261787A/ja active Pending
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