JPS60154236A - 光学変調素子の駆動法 - Google Patents
光学変調素子の駆動法Info
- Publication number
- JPS60154236A JPS60154236A JP59010547A JP1054784A JPS60154236A JP S60154236 A JPS60154236 A JP S60154236A JP 59010547 A JP59010547 A JP 59010547A JP 1054784 A JP1054784 A JP 1054784A JP S60154236 A JPS60154236 A JP S60154236A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- application period
- signal application
- optical modulation
- driving
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/15—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on an electrochromic effect
- G02F1/163—Operation of electrochromic cells, e.g. electrodeposition cells; Circuit arrangements therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光学変調素子、特に電気化学的発消色現象すな
わちエレクトロクロミック現象を利用したエレクトロク
ロミック素子の駆動方法に関するものである。 このようなエレクトロクロミック現象を利用する電気化
学的発消色素子すなわちエレクトロ構等に応用できるも
ので、その材料で分類すると液体型と固体型に分けられ
るが、本発明は特に全固体型のエレクトロクロミック素
子に関するものである。 一般に、エレクトロクロミック素子は他の光学変調素子
、例えば液晶素子などと比較して安定に作動できる寿命
が短かく、実用上その寿命を長くすることが強く望まれ
ている。 本発明者らは、前述の点について鋭意検討を重ねたとこ
ろ、エレクトロクロミック素子を駆動する駆動波形がそ
の寿命に大きく影響を与え（３） ることを見い出し、本発明に至らしめた。 従って、本発明の目的は光学変調素子、特にエレクトロ
クロミック素子の寿命を改善した駆動法を提供すること
にある。 本発明のかかる目的は、一対の電極間に光学変調物質を
挾持した構造を有する光学変調素子の駆動法において、
オン信号印加期間で印加する電圧のパルス幅がオフ信号
印加期間で印加する電圧のパルス幅より大きい幅を有し
ておυ、咳オフ信号印加期間で印加する電圧の極性がオ
ン信号印加期間で印加する電圧の極性と反対の極性とな
っている光学変調素子の駆動法にょって達成される。 以下、本発明を図面に従って説明する。 本発明の好ましい具体例では、第１図および第２図に示
すエレクトロクロミック素子を用いることかで断る。
（ 第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、酸化発色
性エレクトロクロミック層（４） ３、誘電体膜からなる絶縁層４、導電体膜よ９成る第２
電極５を順次積層してなるものである。 また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示、す構造における絶縁層４と第２電極５との間に
、さらに１還元発色性のエレクトロクロミック層６を積
層したものである。 上記の構造において、基板・１は一般的にガラス板によ
って形成されるが、こ゛れはガラス板に限うず、プラス
チック板（アクリル板等）の無色透明な板ならばよく、
また１、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく
、第２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例
えば、保膜カバーとするなどの目的で）両側に設けても
よい。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透
明導電膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必
要がある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素
子ができる。絶縁層４は誘電体のみではなく、固体電解
質等のようなものでもよい。 透明導電膜としては、■Ｔｏ膜（酸化インジウ（５） ムエｎ２０５中に酸化・錫８ｎ０２をドープした亀の）
やネサ膜等が用いられる。酸化発色性エレク）。 クロミック層３は、従来、三酸化クロム（Ｃち０３）、
水酸化イリジウム（・工ｒ（ＯＨ）′２）、水酸化ニッ
ケル（Ｎｉ（ＯＨ）２） 、酸化・イリジウムや酸化ニ
ッケルなどの薄膜によって形成されでいる。 誘電体からなる絶縁層４は、五酸化タンタル（Ｔａｐｓ
） 、酸化ケイ素（８１０，８１０□）ヤニ酸化ジルコ
ン（’Ｚ ｒ０２− ）などに代表されている酸化物、
あるいはフッ化すチグム（ＬＬＦ）、フッ化マグネシウ
ム（ＭｆＩＦ２）等に代表されるフッ化物を用いて形成
する。また、還元発色性エレクトロクロミック層６は、
酸化タングステン（ｗｏ２． ｗｏ、 ）、酸化モリブ
デン（Ｍ００２１Ｍ００５）、五酸化バナジウム（ｖ２
０５）等の薄膜を用いて形成する。 この膜構成は逆になってもかまわない。 この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５め間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応（可逆的な酸化還元反応）が起き
、着色、消色をす（６） る。この着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層
６へのカチオンと電子のダブルインジエクシジンによる
ブロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば、
還元発色性エレクトロクロミック物質として、ＷＯ５を
用いる場合には、次の（１）式で表わされる酸化還元反
応が起き着色する。 ＷＯ，＋ＸＨ＋＋Ｘｅ−： ＨＸＷＯ，（１）（１）式
に従って、タングステンブロンズＨＸＷＯ。 が形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消
色状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体盤エ
レクトロクロミック素子においては、素子内部の絶縁層
によってプロトンＨ＋ が供給され着色する。又、酸化
発色性エレクトロクロミック物質の場合では前述の発消
色現象が逆転する。 上述のエレクトロクロミック素子においては、駆動する
際のオン信号印加期間における印加電圧を２．５ｖを超
えて印加すると、素子の寿命が著しく悪くなる。この原
因の１つとして、２．５（７） ■を超えて印加すると、素子中に含まれているＨ２Ｏが
電気分解され、その量がエレクトロクロミック素子とし
て必要な量以上のＨ＋やＯＨ−が発生し、その結果ガス
となって、素子を劣化させる。また、印加電圧が０．７
ｖ未満であるとエレクトロクロミック素子に要求される
応答速度を満足で色ない。 オフ信号印加期間における印加電圧（オフ信号）は、オ
ン信号印加期間における印加電圧（オン信号）と逆極性
となっておシ、オフ信号がオン信号の電圧波高値の８０
％を超える電圧０時には、素子の寿命が悪化してしまう
。この寿命を悪化させる原因として、オフ信号を印加し
た時に過分な反応が進行し、エレクトロクロミック物質
が不可逆反応性物質に変化してしましことが挙げられる
・ （ 特に、本発明ではオフ信号のパルス幅をオン信号のパル
ス幅よ）小さいパルス幅の電圧とし、好ましくはオフ信
号のパルス幅をオン信号のパルス幅に対して９０％以下
、好ましくは４０％（８） 〜８０％のパルス幅とすることによって、エレクトロク
ロミック物質の駆動時における不可逆反応性物質の発生
を十分に抑制することがで断る。この際に用いるオン信
号のパルス幅は、一般に１０〜２０ＢＭ、が適当である
。 次に、本発明の好ましい具体例を第３図に示す、第３図
に示す駆動波形は、オン信号印加期間ｔａニ：Ｔｈける
印加電圧は、０．７ ’Ｖ 〜２．５ Ｖ 、好ましく
は１．０ｖ〜１．５ｖの範囲に設定されておシ、オフ信
号印加期間ｔｂにおけるパルス幅はオン信号のパルス幅
よシ小さい幅に設定され、好ましくはオン信号のパルス
幅の９０％以下、特に好ましく紘４０％〜８０％の幅に
設定されている。 さらに、オフ信号の電圧波高値（ＶＯＰＩＦ ）はオン
信号の電圧波形値（ＶｏＩＩ）の８０％以下、好ましく
は４０％〜７０％に設定されている。この際オン信号の
電圧（Ｖｏｉｉ）は０．７ Ｖ 〜２．５ Ｖ 、好ま
しくは１．０ｖ〜１．５ｖの値に設定されている。 又、図中のｔｏはメモリー期間を表わし、その期（９） 間は任意に設定するととができる。 第３図に示す電圧波形は、ＧＭＯＢ又はＴＴＬロジック
によシ容易に得ることがで籾る。 以下、本発明を実施例に従って説明する。 実施例１ 厚み０．８−のガラス（Ｏｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ）
の基板１上にＩＴＯ膜よ構成る電極を形成した。 蒸着材料にＩｒＯ□を用い、これを電極上に反応性高周
波イオンプレーティング方法によし、酸化イリジウム薄
膜を設は酸化発色性エレクトロクロミック層を形成した
。このときの膜厚は、１０００Ａであった。 この様にして、電極上に酸化発色性エレクトロクロミッ
ク層が形成された。 この膜の上に、真空蒸着法によシ絶縁体層としてＴ！Ｌ
２０５の層をｇｏｏｏＸ付けた。さらに、これらの膜の
上に還元発色性エレクトロクロミック層として％ＷＯ，
層を真空蒸着方法にょシ４０００Ｘ付け、次に電極とし
て半透明ＡＵ膜を３００１付けた。 ００） この様にして作成したエレクトロクロミック素子の第１
電極と第２電極の間に２００ｍ５ｅｃ（パルス幅）で１
．５’Ｖ（波高値）のオン信号を印加し、ひき続いて１
６０ｍ５ｅｃ（パルス幅）で−０，９Ｖ（波高値）のオ
フ信号を印加するサイクルを１サイクルとし、このサイ
クルを５×１０６サイクル行なったところ、曳好な発消
色現象が維持されていた。 又、比較実験としてオン信号の印加電圧（波高値）を−
１，５ｖとして、オフ信号印加期間（パルス幅）を２０
０ ｍ ｓｅｃとして同様のテストを行なつ九ところ、
１×１０５サイクルで消色現象が得られなかった。 実施例２ 実施例１のエレクトロクロミック素子の第１電極と第２
電極の間に下表に示す電圧波形の交番電圧を印加したと
ころ、何れも実施例１と同様の結果が得られた。 （１１） ２ ２．５Ｖ ２００ｍ５ｅｃ −１，５Ｖ １６０ｍ
５ｅｃ５ ２．５Ｖ ２００ｍ５ｅｃ −１，５Ｖ １
００加ｅθＣ４２、ＯＶ ！［０ｍ５ｅｃ −Ｌ４ Ｖ
２４０ ｍ ５ｅｃ５ ２、ロ Ｖ １０ｍ５ｅｃ
−１，４Ｖ １５０ ｍ ５ｅｃ６ １、ＯＶ ５００
ｍ５ｅｃ −０，８Ｖ ４００ ｍ ５ｅｃ７１、ＯＶ
５０Ｏｍｓｅｃ −０，８Ｖ ３５０ ｍ ５ｅａ
わちエレクトロクロミック現象を利用したエレクトロク
ロミック素子の駆動方法に関するものである。 このようなエレクトロクロミック現象を利用する電気化
学的発消色素子すなわちエレクトロ構等に応用できるも
ので、その材料で分類すると液体型と固体型に分けられ
るが、本発明は特に全固体型のエレクトロクロミック素
子に関するものである。 一般に、エレクトロクロミック素子は他の光学変調素子
、例えば液晶素子などと比較して安定に作動できる寿命
が短かく、実用上その寿命を長くすることが強く望まれ
ている。 本発明者らは、前述の点について鋭意検討を重ねたとこ
ろ、エレクトロクロミック素子を駆動する駆動波形がそ
の寿命に大きく影響を与え（３） ることを見い出し、本発明に至らしめた。 従って、本発明の目的は光学変調素子、特にエレクトロ
クロミック素子の寿命を改善した駆動法を提供すること
にある。 本発明のかかる目的は、一対の電極間に光学変調物質を
挾持した構造を有する光学変調素子の駆動法において、
オン信号印加期間で印加する電圧のパルス幅がオフ信号
印加期間で印加する電圧のパルス幅より大きい幅を有し
ておυ、咳オフ信号印加期間で印加する電圧の極性がオ
ン信号印加期間で印加する電圧の極性と反対の極性とな
っている光学変調素子の駆動法にょって達成される。 以下、本発明を図面に従って説明する。 本発明の好ましい具体例では、第１図および第２図に示
すエレクトロクロミック素子を用いることかで断る。
（ 第１図に示すエレクトロクロミック素子は、透明な基板
１の上に、透明導電体膜よシなる第１電極２、酸化発色
性エレクトロクロミック層（４） ３、誘電体膜からなる絶縁層４、導電体膜よ９成る第２
電極５を順次積層してなるものである。 また、第２図に示すエレクトロクロミック素子は、第１
図に示、す構造における絶縁層４と第２電極５との間に
、さらに１還元発色性のエレクトロクロミック層６を積
層したものである。 上記の構造において、基板・１は一般的にガラス板によ
って形成されるが、こ゛れはガラス板に限うず、プラス
チック板（アクリル板等）の無色透明な板ならばよく、
また１、その位置に関しても、第１電極２の下ではなく
、第２電極５の上にあってもよいし、目的に応じて（例
えば、保膜カバーとするなどの目的で）両側に設けても
よい。ただし、これらの場合に応じて、第２電極５を透
明導電膜にしたシ、両側の電極とも透明導電膜にする必
要がある。両方の電極を透明電極とすれば、透明型の素
子ができる。絶縁層４は誘電体のみではなく、固体電解
質等のようなものでもよい。 透明導電膜としては、■Ｔｏ膜（酸化インジウ（５） ムエｎ２０５中に酸化・錫８ｎ０２をドープした亀の）
やネサ膜等が用いられる。酸化発色性エレク）。 クロミック層３は、従来、三酸化クロム（Ｃち０３）、
水酸化イリジウム（・工ｒ（ＯＨ）′２）、水酸化ニッ
ケル（Ｎｉ（ＯＨ）２） 、酸化・イリジウムや酸化ニ
ッケルなどの薄膜によって形成されでいる。 誘電体からなる絶縁層４は、五酸化タンタル（Ｔａｐｓ
） 、酸化ケイ素（８１０，８１０□）ヤニ酸化ジルコ
ン（’Ｚ ｒ０２− ）などに代表されている酸化物、
あるいはフッ化すチグム（ＬＬＦ）、フッ化マグネシウ
ム（ＭｆＩＦ２）等に代表されるフッ化物を用いて形成
する。また、還元発色性エレクトロクロミック層６は、
酸化タングステン（ｗｏ２． ｗｏ、 ）、酸化モリブ
デン（Ｍ００２１Ｍ００５）、五酸化バナジウム（ｖ２
０５）等の薄膜を用いて形成する。 この膜構成は逆になってもかまわない。 この様な構造をもつ全固体型エレクトロクロミック素子
は、第１電極２と第２電極５め間に電圧を印加すること
によシミ気化学的反応（可逆的な酸化還元反応）が起き
、着色、消色をす（６） る。この着色機構は、例えば、エレクトロクロミック層
６へのカチオンと電子のダブルインジエクシジンによる
ブロンズ形成にあると一般的に言われている。例えば、
還元発色性エレクトロクロミック物質として、ＷＯ５を
用いる場合には、次の（１）式で表わされる酸化還元反
応が起き着色する。 ＷＯ，＋ＸＨ＋＋Ｘｅ−： ＨＸＷＯ，（１）（１）式
に従って、タングステンブロンズＨＸＷＯ。 が形成され着色するが、ここで印加電圧を逆転すれば消
色状態となる。（１）式のこの様な反応は、全固体盤エ
レクトロクロミック素子においては、素子内部の絶縁層
によってプロトンＨ＋ が供給され着色する。又、酸化
発色性エレクトロクロミック物質の場合では前述の発消
色現象が逆転する。 上述のエレクトロクロミック素子においては、駆動する
際のオン信号印加期間における印加電圧を２．５ｖを超
えて印加すると、素子の寿命が著しく悪くなる。この原
因の１つとして、２．５（７） ■を超えて印加すると、素子中に含まれているＨ２Ｏが
電気分解され、その量がエレクトロクロミック素子とし
て必要な量以上のＨ＋やＯＨ−が発生し、その結果ガス
となって、素子を劣化させる。また、印加電圧が０．７
ｖ未満であるとエレクトロクロミック素子に要求される
応答速度を満足で色ない。 オフ信号印加期間における印加電圧（オフ信号）は、オ
ン信号印加期間における印加電圧（オン信号）と逆極性
となっておシ、オフ信号がオン信号の電圧波高値の８０
％を超える電圧０時には、素子の寿命が悪化してしまう
。この寿命を悪化させる原因として、オフ信号を印加し
た時に過分な反応が進行し、エレクトロクロミック物質
が不可逆反応性物質に変化してしましことが挙げられる
・ （ 特に、本発明ではオフ信号のパルス幅をオン信号のパル
ス幅よ）小さいパルス幅の電圧とし、好ましくはオフ信
号のパルス幅をオン信号のパルス幅に対して９０％以下
、好ましくは４０％（８） 〜８０％のパルス幅とすることによって、エレクトロク
ロミック物質の駆動時における不可逆反応性物質の発生
を十分に抑制することがで断る。この際に用いるオン信
号のパルス幅は、一般に１０〜２０ＢＭ、が適当である
。 次に、本発明の好ましい具体例を第３図に示す、第３図
に示す駆動波形は、オン信号印加期間ｔａニ：Ｔｈける
印加電圧は、０．７ ’Ｖ 〜２．５ Ｖ 、好ましく
は１．０ｖ〜１．５ｖの範囲に設定されておシ、オフ信
号印加期間ｔｂにおけるパルス幅はオン信号のパルス幅
よシ小さい幅に設定され、好ましくはオン信号のパルス
幅の９０％以下、特に好ましく紘４０％〜８０％の幅に
設定されている。 さらに、オフ信号の電圧波高値（ＶＯＰＩＦ ）はオン
信号の電圧波形値（ＶｏＩＩ）の８０％以下、好ましく
は４０％〜７０％に設定されている。この際オン信号の
電圧（Ｖｏｉｉ）は０．７ Ｖ 〜２．５ Ｖ 、好ま
しくは１．０ｖ〜１．５ｖの値に設定されている。 又、図中のｔｏはメモリー期間を表わし、その期（９） 間は任意に設定するととができる。 第３図に示す電圧波形は、ＧＭＯＢ又はＴＴＬロジック
によシ容易に得ることがで籾る。 以下、本発明を実施例に従って説明する。 実施例１ 厚み０．８−のガラス（Ｏｏｒｎｉｎｇ ７０５９ ）
の基板１上にＩＴＯ膜よ構成る電極を形成した。 蒸着材料にＩｒＯ□を用い、これを電極上に反応性高周
波イオンプレーティング方法によし、酸化イリジウム薄
膜を設は酸化発色性エレクトロクロミック層を形成した
。このときの膜厚は、１０００Ａであった。 この様にして、電極上に酸化発色性エレクトロクロミッ
ク層が形成された。 この膜の上に、真空蒸着法によシ絶縁体層としてＴ！Ｌ
２０５の層をｇｏｏｏＸ付けた。さらに、これらの膜の
上に還元発色性エレクトロクロミック層として％ＷＯ，
層を真空蒸着方法にょシ４０００Ｘ付け、次に電極とし
て半透明ＡＵ膜を３００１付けた。 ００） この様にして作成したエレクトロクロミック素子の第１
電極と第２電極の間に２００ｍ５ｅｃ（パルス幅）で１
．５’Ｖ（波高値）のオン信号を印加し、ひき続いて１
６０ｍ５ｅｃ（パルス幅）で−０，９Ｖ（波高値）のオ
フ信号を印加するサイクルを１サイクルとし、このサイ
クルを５×１０６サイクル行なったところ、曳好な発消
色現象が維持されていた。 又、比較実験としてオン信号の印加電圧（波高値）を−
１，５ｖとして、オフ信号印加期間（パルス幅）を２０
０ ｍ ｓｅｃとして同様のテストを行なつ九ところ、
１×１０５サイクルで消色現象が得られなかった。 実施例２ 実施例１のエレクトロクロミック素子の第１電極と第２
電極の間に下表に示す電圧波形の交番電圧を印加したと
ころ、何れも実施例１と同様の結果が得られた。 （１１） ２ ２．５Ｖ ２００ｍ５ｅｃ −１，５Ｖ １６０ｍ
５ｅｃ５ ２．５Ｖ ２００ｍ５ｅｃ −１，５Ｖ １
００加ｅθＣ４２、ＯＶ ！［０ｍ５ｅｃ −Ｌ４ Ｖ
２４０ ｍ ５ｅｃ５ ２、ロ Ｖ １０ｍ５ｅｃ
−１，４Ｖ １５０ ｍ ５ｅｃ６ １、ＯＶ ５００
ｍ５ｅｃ −０，８Ｖ ４００ ｍ ５ｅｃ７１、ＯＶ
５０Ｏｍｓｅｃ −０，８Ｖ ３５０ ｍ ５ｅａ
第１図および第２図は、本発明で用いるエレクトロクロ
ミック素子の断面図である。第３図は、本発明の駆動法
で用いた電圧波形を示す説明図である。 特許出願人 キャノン株式会社 （１２） 区 区 −〇ぐ 区 α） ＋ま 。
ミック素子の断面図である。第３図は、本発明の駆動法
で用いた電圧波形を示す説明図である。 特許出願人 キャノン株式会社 （１２） 区 区 −〇ぐ 区 α） ＋ま 。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）一対の電極間に光学変調物質を挾持した構造を有
する光学変調素子の駆動法において、オン信号印加期間
で印加す・る電圧のパルス幅がオフ信号印加期間で印加
する電圧のパルス幅よシ大色い幅を有しており、該オフ
信号印加期間で印加する電圧の極性がオン信号印加期間
で印加する電圧の極性と反対の極性となっていることを
特徴とする光学変調素子の駆動法。 （２） 前記光学変調物質がエレクトロクロミック物質
である特許請求の範囲第１項記載の光学変調素子の駆動
法。 （５）前記エレクトロクロミック物質が還元発色性エレ
クトロクロミック物質の薄膜と酸化発色性エレクトロク
ロミック物質の薄膜を有する積層構造体である特許請求
の範囲第２項記載の光学変調素子の駆動法。 （１） （４）前記還元発色性エレクトロクロミック物質が三酸
化りｐム、水酸化イリジウム、水酸化ニッケル、酸化イ
リジウムおよび酸化ニッケルからな゛る群から選択され
た少なくとも１種の化合物である特許請求の範囲第３項
記載の光学変調素子の駆動法。 （５）前記還元発色性エレクトロクロミック物質ｔＤ薄
Ｍと酸化発色性エレクトロクロミック物質の薄膜との間
に絶縁層が配置されている特許請求の範囲第３項記載の
光学変調素子の駆動法。 （６） 前記オン信号印加期間で印加する電圧が０・７
Ｖ〜２．５ｖの波高値を有する電圧である特許請求の範
囲第１項記載の光学変調素子の駆動法。 （７）前記オフ信号印加期間で印加する電圧がオン信号
印加期間で印加する電圧の波高値に対して８０ｔＸ以下
の波高値を有する電圧である特許請求の範囲第１項記載
の光学変調素子の駆動法。 （２）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010547A JPS60154236A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 光学変調素子の駆動法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59010547A JPS60154236A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 光学変調素子の駆動法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154236A true JPS60154236A (ja) | 1985-08-13 |
Family
ID=11753283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59010547A Pending JPS60154236A (ja) | 1984-01-24 | 1984-01-24 | 光学変調素子の駆動法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60154236A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0363043A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Ford Motor Company Limited | Method for maintaining the electrochromic activity of an electrochromic material |
-
1984
- 1984-01-24 JP JP59010547A patent/JPS60154236A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0363043A2 (en) * | 1988-10-05 | 1990-04-11 | Ford Motor Company Limited | Method for maintaining the electrochromic activity of an electrochromic material |
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