JPS61261300A - Single crystal substrate of gallium arsenide - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a single crystal substrate of GaAs providing an epitaxial wafer having extremely improved surface state and uniformity, having the plane orientation of the substrate with a plane inclining by a specific degree in the <100> direction included in the plane from the {100} plane. CONSTITUTION:A single crystal plate of GaAs having the crystallographic plane orientation on the surface of the substrate with a plane inclining by 1 deg.-6 deg. in the <100> direction included in one {100} plane from the {100} plane. When the substrate is subjected to liquid-phase epitaxial growth, (A) the number of projections caused by abnormal growth observed on the surface of the substrate is reduced to 1/2-1/3 that of the projections using an existing substrate and their size is also diminished. (B) The substrate has improved uniformity of the thickness of the epitaxial layer. (C) The substrate can provide an epitaxial wafer having extremely improved surface state and uniformity as shown in improved uniformity of carrier concentration in the epitaxial layer, etc.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は、ひ化ガリウム（以下「ＧａＡｓ、Ｊという、
）単結晶基板に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to gallium arsenide (hereinafter referred to as "GaAs, J").
) Regarding single crystal substrates.

［従来の技術］ ＧａＡｓは、シリコンに比較して電子の移動度が大であ
るので、Ｕ　ＨＦ〜ＳＨＦ帯の電波領域で、使用するＦ
ＥＴ（電界効果トランジスター）、高速ＩＣ（集積回路
）等のデバイスの材料として使用されている。[Prior art] GaAs has a higher electron mobility than silicon, so it can be used in the radio wave region of the UHF to SHF band.
It is used as a material for devices such as ETs (field effect transistors) and high-speed ICs (integrated circuits).

これらのデバイスにするためには、ＧａＡｓの単結晶か
ら切り出した基板上に、ＧａＡｓの単結晶の薄膜を気相
エピタキシャル成長させたエピタキシャル・ウェハ、特
にエピタキシャル層の層厚及びキヤ＋７７濃度が均一で
あり、表面が鋺面であって、テラス状の凹凸、あるいは
、異常ｒ＆長による突起等を生じないものが要求される
［今井哲二等ｍ着、（株）工業調査会１９８４年７月発
行「化合物半導体デバイス［１１４１９３〜２１３頁１
゜このようなエピタキシャル・ウェハの性状は、用いら
れる単結晶基板の結晶学的面方位に影響されるが、従来
は単結晶基板として、その結晶学的面方位が、１つの１
１００１面を基準として、該４１００１面に含まれる４
つの＜１１０＞方向のうちの１つの＜１１０＞方向に１
°〜６°傾いた面である単結晶基板が用いられていた。In order to manufacture these devices, an epitaxial wafer is produced in which a GaAs single crystal thin film is grown by vapor phase epitaxial growth on a substrate cut from a GaAs single crystal, and in particular, the layer thickness and the +77 concentration of the epitaxial layer must be uniform. , the surface is required to have a rough surface and not have terrace-like irregularities or protrusions due to abnormal r & length. Semiconductor devices [114193-213 pages 1
゜The properties of such epitaxial wafers are influenced by the crystallographic plane orientation of the single crystal substrate used, but conventionally, as a single crystal substrate, the crystallographic plane orientation is
Based on the 1001 page, 4 included in the 41001 page
1 in one of the <110> directions
A single crystal substrate with a tilted surface of 6° to 6° was used.

［発明が解決しようとする問題点」 表面の面方位が、１１００１面から、その面内に含まれ
る＜ｉｉｏ＞方向に１°〜６°傾いた面である従来のＧ
ａＡｓ単結晶基板を用いた場合は、表面の結晶学的面方
位が、１ｉｏ０１面である単結晶基板を用いた場合に比
較して、得られたエピタキシャル・ウェハの表面に、テ
ラス状の凹凸は生じないという特徴を有しているが、異
常成長による突起の減少、ならびに、キャリア濃度及び
層厚の均一性の改善という点では、十分ではなかった。[Problems to be Solved by the Invention] Conventional G
When an aAs single-crystal substrate is used, the surface of the resulting epitaxial wafer has no terrace-like irregularities, compared to a case where a single-crystal substrate whose surface crystallographic plane orientation is 1io01 plane is used. However, it is not sufficient in terms of reducing protrusions due to abnormal growth and improving uniformity of carrier concentration and layer thickness.

したがって、デバイスの製造歩留りを向上するために、
さらに改善することが必要とされていた。Therefore, to improve device manufacturing yield,
Further improvements were needed.

本発明者等は、かかる問題点を有しないＧａＡｓエピタ
キシャル・ウェハを提供することを目的として、鋭意研
究を重ねた結果、本発明に到達したものである。The present inventors have conducted extensive research with the aim of providing a GaAs epitaxial wafer that does not have such problems, and have thus arrived at the present invention.

「問題点を解決するための手段」 本発明の上記の目的は、基板の表面の結晶学的面方位が
、１つの１１００１面のそれから、該１１００１面内に
含まれる１つの＜ｉｏｏ＞方向に、１°〜６°傾いてい
るＧａＡｓ単結晶基板によって達せられる。"Means for Solving the Problems" The above object of the present invention is to change the crystallographic plane orientation of the surface of the substrate from that of one 11001 plane to one <ioo> direction included within the 11001 plane. , achieved by a GaAs single crystal substrate tilted by 1° to 6°.

すなわち、本発明のＧａＡｓ単結晶基板の表面は、゛本
来＋１００１面を基準とするものではあるが、１１００
１面そのものではなく、若干ずれた（傾いた）ものであ
ることを必要とする。しかして、本発明ではこの基板表
面が＋１００１面からの傾きを表現するのに、結晶学的
面方位をもってし、傾きの方向を該＋１００１面にｔよ
れる４つの＜１００＞方向のいづれか一つに、また傾き
の大いさを１°〜６°に規定するものである。That is, although the surface of the GaAs single crystal substrate of the present invention is originally based on the +1001 plane,
It is not necessary that the surface be exactly one side, but that it be slightly shifted (tilted). Therefore, in the present invention, in order to express the inclination of the substrate surface from the +1001 plane, the crystallographic plane orientation is used, and the direction of the inclination is set to one of the four <100> directions that are t-oriented to the +1001 plane. In addition, the magnitude of the inclination is defined as 1° to 6°.

理解を助けるために、まず第１図に示すＧａＡｓ単結晶
のステレオ投影図に従って説明する。In order to facilitate understanding, explanation will first be given according to a stereo projection diagram of a GaAs single crystal shown in FIG.

図示したのは、傾ける基準となる［１００１面として、
（１００）面を選択した場合の例である。・従って、こ
のステレオ投影図の北極、すなわち円の中心が（１００
）面を表わす、換言すれば、１１図では、（１００）面
の結晶学的面方位が中心点として投影されている。さて
、基準となる（ｉｏｏ１面を、（１００）面とした場合
、この（ｉｏｏ１面に含まれる＜１００＞方向は、［０
１０］、［００ＴＩ、［ＯＴＯ］、および［００１］の
４方向である。これら４つの＜ｉｏｏ＞方向は、この図
では円周上の、９０゜間隔の４つのＸ印で示される。従
って、本発明に規定される、＜１００＞方向に、（１０
０）面から１°〜６°傾いた面は、この図では、円の中
心から４つのＸ印に向う、９０°間隔で放射状に配置さ
れた、４本の直線に投影される。What is shown in the figure is the tilting standard [1001 plane]
This is an example when the (100) plane is selected.・Therefore, the north pole of this stereo projection, that is, the center of the circle, is (100
) plane, in other words, in FIG. 11, the crystallographic plane orientation of the (100) plane is projected as the center point. Now, if the standard (ioo1 plane) is the (100) plane, the <100> direction included in the (ioo1 plane) is [0
10], [00TI, [OTO], and [001]. These four <ioo> directions are indicated in this figure by four X's spaced 90 degrees apart on the circumference. Therefore, in the <100> direction defined in the present invention, (10
0) A plane inclined from 1° to 6° from the plane is projected onto four straight lines radially arranged at 90° intervals from the center of the circle toward the four X marks in this figure.

なお、基準となる（ｉｏｏ１面として、（１００）面を
選択した場合について、説明したが、本発明は、特に、
この場合に限定されるものではなく、他の５つの（１０
０１面を基準とした場合も本発明の範囲に含まれること
は言うまでもない。Although the case where the (100) plane was selected as the standard (ioo 1 plane) was explained, the present invention particularly
It is not limited to this case, and the other five (10
It goes without saying that the scope of the present invention also falls within the scope of the present invention.

さて、本発明のＧａＡｓ単結晶基板の表面の結晶学的面
方位と、基準となる１つの（１００１面のそれとの傾き
の大いさは、１°〜６°、好ましくは、１．５°〜３°
の範囲から選ばれる。この傾きの大いさが上記範囲外で
あると、得られたエピタキシャル・ウェハの表面が鏡面
とならないので好ましくない。Now, the magnitude of the inclination between the crystallographic plane orientation of the surface of the GaAs single crystal substrate of the present invention and that of one standard (1001 plane) is 1° to 6°, preferably 1.5° to 3°
selected from the range. If the magnitude of this inclination is outside the above range, the surface of the obtained epitaxial wafer will not have a mirror surface, which is not preferable.

また、基板表面が基準となる　＋１００１面から傾（方
向は、該１１００１面に含まれる４つの＜１００＞方向
であれば、いずれを選択してもよい。また、基板表面が
傾く方向は、正確なく１００＞方向でなくとも、実質的
に＜ｉｏｏ＞方向であればよい１例えば、＜１００＞方
向に対して±１０°程度の誤差があっても、本発明の効
果は十分に発揮される。なお、±５°以内であれば、よ
り好ましい、　本発明の基板は、ボート成長法、または
、チシクラルスキー法によって成長させられたＧａＡｓ
単結晶からスライシング装置により、スライシングする
ことによって得られる。Also, the substrate surface is tilted from the +1001 plane as a reference (the direction may be any of the four <100> directions included in the 11001 plane. Also, the direction in which the substrate surface is tilted must be Even if it is not in the <100> direction, it may be substantially in the <ioo> direction1. For example, even if there is an error of about ±10° with respect to the <100> direction, the effects of the present invention will be fully exhibited. It is more preferable that the substrate is within ±5°.
It is obtained by slicing a single crystal using a slicing device.

スライシング装置としては、内周刃式スライシング装置
を用いて、純水を切削部に流して、切削熱及び切削くず
を除去しながら行なうのが通常であるが、ワイア・ソ一
式スライシング装置、その他の装置を用いてもよい。As a slicing device, it is normal to use an internal blade type slicing device and run pure water through the cutting part to remove cutting heat and cutting waste, but wire-saw type slicing devices and other slicing devices A device may also be used.

スライシングの際の面方位の決定は、カット面検査装置
を用いて、Ｘ線回折法を用いて行なうのが、高精度が得
られるので好ましい。It is preferable to determine the surface orientation during slicing by using an X-ray diffraction method using a cut surface inspection device because high accuracy can be obtained.

基板の厚さは、通常は０．１〜０　、５　ａｍの範囲で
ある。また、スライシング直後の基板の表面には、ソー
・マークと称される損傷があるので、ラッピング及びボ
リシングを行ないソー・マークを除去するとともに、表
面の平滑度及び表面と裏面の平行度を向上させるのが通
常である。The thickness of the substrate typically ranges from 0.1 to 0.5 am. In addition, since the surface of the substrate immediately after slicing has damage called saw marks, lapping and boring are performed to remove the saw marks and improve the smoothness of the surface and the parallelism between the front and back surfaces. is normal.

「発明の効果」 本発明の基板は、気相エピタキシャル成長を行なうとき
、下記各項に示すように表面状態及び均一性の極めて良
好なエピタキシャル・ウェハを与える点で、極めて有用
である。"Effects of the Invention" The substrate of the present invention is extremely useful in providing epitaxial wafers with extremely good surface conditions and uniformity as shown in the following items when performing vapor phase epitaxial growth.

（１）　ウェハの表面に観察される、異常成長による突
起物の数が、同一面積当り、従来の基板を用いた場合の
１７２〜１７３に減少し、かつ、その大きさも小さくな
る。(1) The number of protrusions due to abnormal growth observed on the surface of the wafer is reduced to 172 to 173 per the same area when a conventional substrate is used, and the size thereof is also reduced.

（２）　エピタキシャル層の厚さの均一性が優れている
。(2) The epitaxial layer has excellent uniformity in thickness.

（３）　エピタキシャル層中のキャリア濃度の均一性も
優れでいる。(3) The uniformity of carrier concentration in the epitaxial layer is also excellent.

その結果、本発明の基板から製造されたエピタキシャル
拳ウェハを用いると、デバイス製造の際の歩留が向上す
るので、産業上の利用価値は極めて大である。As a result, when the epitaxial fist wafer manufactured from the substrate of the present invention is used, the yield during device manufacturing is improved, so that it has extremely great industrial utility value.

「実施例１ 本発明を、実施例及び比較例に基づいて、具体的に説明
する。“Example 1 The present invention will be specifically explained based on Examples and Comparative Examples.

実施例 ボート成長法によって製造した、長さ３５０　ｍｍ。Example Manufactured by boat growth method, length 350 mm.

断面が直径５０１の半円形である、＜１１１＞Ａｓ方向
に成長させた、クロム（Ｃ「）ドープＧａＡｓ単結晶か
ら、厚さ０．４５ｗｎの基板を切り出した。A substrate with a thickness of 0.45 wn was cut from a chromium (C'')-doped GaAs single crystal grown in the <111>As direction and having a semicircular cross section with a diameter of 501 mm.

切り出しに際し、面方位の決定には、理学電機（株）製
カット面検査装置２９９１Ｅ１を用い、また切り出しに
は、東京精密（株）ｒ２２　ａＤＣＪ型スライシング装
置を用いた。During cutting, a cut surface inspection device 2991E1 manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd. was used to determine the surface orientation, and a r22 aDCJ type slicing device manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd. was used for cutting.

得られた基板の面方位は、（１００）面のそれから、（
０１０１方向に２．０°傾いていた。The plane orientation of the obtained substrate is from that of the (100) plane to (
It was tilted 2.0 degrees in the 0101 direction.

比較例 実施例と同様にして、（１００）面から、［０１１１方
向に２．０°傾いた表面を有する、厚さ０．４５ｍ曽の
基板を切り出した。Comparative Example In the same manner as in the Example, a substrate having a thickness of 0.45 m and having a surface inclined by 2.0° in the [0111 direction from the (100) plane was cut out.

［基板の評価１ 実施例及び比較例で得られた基板を評価するために、下
記の装、置を用い、下記の方法によって、Ｇ　ａ　Ａ　
ｓ単結晶薄膜を気相エピタキシャル成長させた。また、
評価の方法および結果は、後記の通りであった。[Substrate Evaluation 1 In order to evaluate the substrates obtained in the Examples and Comparative Examples, the G a A
s single crystal thin film was grown by vapor phase epitaxial growth. Also,
The evaluation method and results were as described below.

エピタキシ　乞え先ＬＬ 気相エピタキシャル成長には、第２図の縦断面模型図に
示す装置を用いた。同図中、２は、内径７０Ｉ、長さ１
，０００ｍｍの石英製反応器である。Epitaxy LL For vapor phase epitaxial growth, the apparatus shown in the longitudinal cross-sectional model diagram of FIG. 2 was used. In the same figure, 2 indicates an inner diameter of 70I and a length of 1
,000mm quartz reactor.

３は、ガリウム・ボートである。４は基板載置台である
。５は、雰囲気ガス入口である。６は、成長用がス入口
である。７は、ガス出口である。８は、基板加熱用電気
炉、また、９は、ガリウム・ボート加熱用電気炉である
。１０は、温度測定用熱電対挿入管である。3 is a gallium boat. 4 is a substrate mounting table. 5 is an atmospheric gas inlet. 6 is a growth chamber inlet. 7 is a gas outlet. 8 is an electric furnace for heating a substrate, and 9 is an electric furnace for heating a gallium boat. 10 is a thermocouple insertion tube for temperature measurement.

エピタキシャル威 実施例及び比較例で得られた基板を、直径４０−　の円
形に整形した後、ラッピング及びボリシングを行ない表
面を鏡面とした。The substrates obtained in the epitaxial examples and comparative examples were shaped into a circle with a diameter of 40 mm, and then subjected to lapping and polishing to give a mirror surface.

この基板を、第２図に示す気相エピタキシャル成長装置
の基板＠置台４に載置した。入口５から、窒素ガスを導
入して、反応器内の空気を置換した後、窒素ガスの供給
を停止して、水素ガスを２．０００ｍｌ／分の速度で導
入した。電気炉８及び９により、基板温度を７００℃、
ガリウム・ボートを８５０℃に加熱した。続いて、三塩
化ひ素で飽和した、温度３０℃の水素がスを、１２０ｍ
１Ｚ分の割合で１５分間、入口６から導入し、アンドー
プＧａＡｓエピタキシャルＭ（いわゆる、バ・７７７層
）を成長させた。This substrate was placed on the substrate @ mounting table 4 of the vapor phase epitaxial growth apparatus shown in FIG. After nitrogen gas was introduced from inlet 5 to replace the air in the reactor, the supply of nitrogen gas was stopped and hydrogen gas was introduced at a rate of 2.000 ml/min. Electric furnaces 8 and 9 raise the substrate temperature to 700°C.
The gallium boat was heated to 850°C. Subsequently, hydrogen gas at a temperature of 30°C, saturated with arsenic trichloride, was heated for 120 m
It was introduced from the inlet 6 at a rate of 1Z for 15 minutes to grow an undoped GaAs epitaxial layer M (so-called B.777 layer).

その後、他のガスの流量を一定に保ったまま、更に３０
重ｉｔ　ｐｐｍの硫化水素を含有する水素ガスを、２５
ｍ１／分の割合で５分間、入口６から導入して、ｎ型Ｇ
ａＡｓエピタキシャル層（いわゆる、アクティブ層）を
、成長させた０次いで、三塩化ひ素含有水素ガス、及び
、硫化水素含有水素ガスの供給を停止して、反応器の温
度を室温まで降下させた後、得られたエビタキンヤル・
ウェハを取り出した。Then, while keeping the flow rate of other gases constant,
Hydrogen gas containing heavy it ppm of hydrogen sulfide was
Introduced from inlet 6 for 5 minutes at a rate of m1/min to
After growing an aAs epitaxial layer (so-called active layer), the supply of hydrogen gas containing arsenic trichloride and hydrogen gas containing hydrogen sulfide was stopped, and the temperature of the reactor was lowered to room temperature. Obtained Evita Kinyal・
I took out the wafer.

４廼３ＪＬｉＬｕθ劃ｉ 得られたエピタキシャル・ウェハは、次の方法により評
価した。4廼3JLiLuθ劃i The obtained epitaxial wafer was evaluated by the following method.

（１）突起物の数及び大きさは、偏゛光顕微鏡を用いて
測定した。すなわち、高さ７μ論以上、または、長径５
０μ−以上の異常突起Ｍ１と、高さ７μ論未満、かつ、
長径５０μ輸未溝の異常突起Ｍ２の数をウェハ全体につ
いて、数えた。(1) The number and size of protrusions were measured using a polarizing microscope. In other words, the height is 7μ or more, or the major axis is 5
Abnormal protrusion M1 of 0μ or more, height less than 7μ, and
The number of abnormal protrusions M2 in the untransformed grooves having a long diameter of 50 μm was counted for the entire wafer.

（２）　キャリア濃度は、英国ポーラロン社製セミコン
ダクター・プ°ロアＴイル・プロッターを用いて、Ｃ−
■法により測定した。(2) The carrier concentration was measured using a Semiconductor Profiler Til plotter manufactured by Polaron, UK.
Measured by method.

（３）　エピタキシャル層全体の厚さは、共和理研（株
）Ｋ−６９Ｊ１５０型膜厚測定ドリラーを用いて、ドリ
フ−法によって測定した。(3) The thickness of the entire epitaxial layer was measured by the drift method using a film thickness measuring driller model K-69J150 manufactured by Kyowa Riken Co., Ltd.

（４）　エピタキシャル層のうち、キャリア濃度の高い
、いわゆるアクティブ層の厚さは、上記キャリア濃度測
定値の変化曲線から求めた。(4) The thickness of the so-called active layer having a high carrier concentration among the epitaxial layers was determined from the change curve of the measured carrier concentration values.

（５）　上記（２）〜（４）のキャリア濃度及Ｃ／贋厚
は、エピタキシャル・ウェハの中心及び周辺４１１所（
９０°間隔）、計５ｒＭ所で測定した。(5) The carrier concentration and C/counterfeit thickness in (2) to (4) above are calculated at 411 locations at the center and periphery of the epitaxial wafer (
90° intervals), and measured at a total of 5 rM.

平均値は、いづれも上記５１１１所の測定値の単純平均
値である。Each average value is a simple average value of the measured values at the 5111 locations.

（６）　キャリア濃度及び層厚の均一性は、上記（５）
の測定値から、下式により産出した値で表わした。(6) The uniformity of carrier concentration and layer thickness is as specified in (5) above.
From the measured value, it was expressed as the value produced by the following formula.

ｉ（１／２）・（ｘ−−ｘ、、、　）／　ＭＩ　Ｘ　１
００上式において ・　　に−：　測定値の最大値 ×、：　　　同　　最小値 Ｘ　：　　同　　平均値 （７）　キャリア濃度及び層厚の均一性総合評価は、上
記（５）の測定値両者の積について、下式により産出し
た値で表わした。i(1/2)・(x−−x,,, )/MI X 1
00 In the above formula, -: Maximum value of the measured value ×,: Same Minimum value , expressed as the value produced by the following formula.

ｔｌ１２・（（ｎ−ｄ）−−（ｎ−ｄ）−１／（ｎ−ｄ
）ＩＸ　１００ｎ：　キャリア濃度、 ｄ：　層厚 （ｎ−ｄ）、＝、（ｎ−ｄ）、、、：　　ｎ・ｄの最大
値及び最小値 （「］）：　ｎ−ｄの平均値 評価結果をｐｌ＆１表に示す。tl12・((n-d)--(n-d)-1/(n-d
) IX 100n: Carrier concentration, d: Layer thickness (nd), =, (nd), ,: Maximum and minimum value of n・d ("]): Average value evaluation result of n-d is shown in table pl&1.

第１表 第１表に示した実施例及び比較例の評価結果から明らか
な通り、本発明の基板を用いると、得られるエピタキシ
ャル・ウェハの表面状態は、極めて良好であり、かつ、
厚さ及びキャリア濃度の均一性は着しく向上する。Table 1 As is clear from the evaluation results of the examples and comparative examples shown in Table 1, when the substrate of the present invention is used, the surface condition of the epitaxial wafer obtained is extremely good, and
The uniformity of thickness and carrier concentration is significantly improved.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第１図は、本発明の基板の１例について説明するＧａＡ
ｓ単結晶のステレオ投影図である。 第２図は、横型気相エピタキシャル成長！Ｉｆｔの１例
を示す縦断面模型図である。 １・・・本発明の基板の面方位の範囲を示す、４つの直
線からなる投影図。 ２・・・反応器　　３・・・ガリウム・ボート４・・・
基板載置台　５・・・雰囲気〃ス入口６・・・成長用〃
ス入口　　７・・・ガス出口８．９・　電気炉　　　１
０・・・熱電対挿入管特許出願人　三菱モンサント化成
株式会社三菱化成工業株式会社 代　理　人　弁理士　　長谷用　− （ほか１名）FIG. 1 is a GaA substrate explaining one example of the substrate of the present invention.
FIG. 2 is a stereo projection diagram of a s single crystal. Figure 2 shows horizontal vapor phase epitaxial growth! FIG. 2 is a vertical cross-sectional model diagram showing an example of Ift. 1... A projection view consisting of four straight lines showing the range of surface orientation of the substrate of the present invention. 2...Reactor 3...Gallium boat 4...
Substrate mounting table 5...Atmosphere inlet 6...For growth
Gas inlet 7...Gas outlet 8.9/Electric furnace 1
0...Thermocouple insertion tube Patent applicant Mitsubishi Monsanto Chemical Co., Ltd. Mitsubishi Chemical Industries, Ltd. Agent Patent attorney Hase - (1 other person)

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）基板の表面の結晶学的面方位が、１つの｛１００
｝面のそれから、該｛１００｝面に含まれる１つの〈１
００〉方向に、１°〜６°傾いているひ化ガリウム単結
晶基板。(1) The crystallographic plane orientation of the surface of the substrate is one {100
} plane, one <1 included in the {100} plane
A gallium arsenide single crystal substrate tilted by 1° to 6° in the 00> direction. （２）基板の表面の結晶学的面方位の傾きが、１．５°
〜３°である特許請求の範囲第１項記載のひ化ガリウム
単結晶基板。(2) The inclination of the crystallographic plane orientation of the surface of the substrate is 1.5°
The gallium arsenide single crystal substrate according to claim 1, wherein the gallium arsenide single crystal substrate has an angle of ˜3°.