JPS61256726A - エツチング方法 - Google Patents
エツチング方法Info
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- JPS61256726A JPS61256726A JP9773685A JP9773685A JPS61256726A JP S61256726 A JPS61256726 A JP S61256726A JP 9773685 A JP9773685 A JP 9773685A JP 9773685 A JP9773685 A JP 9773685A JP S61256726 A JPS61256726 A JP S61256726A
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- etching
- gas
- sulfur hexafluoride
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はタングステンもしくはその硅素化合物のエツチ
ング方法に係り、特に微細パターンをエツチング形成す
るのに好適なエツチング方法に関する。
ング方法に係り、特に微細パターンをエツチング形成す
るのに好適なエツチング方法に関する。
法は、微細なパターンを高精度に加工できる方法であり
、現在半導体集積回路の製造方法として主流となってい
る。
、現在半導体集積回路の製造方法として主流となってい
る。
タングステンもしくはその硅素化合物の場合には、反応
性ガスとして六弗化イオウを用いると、大きなエツチン
グ速度・下地酸化膜との高い選択性が得られ、また特願
昭５８−１７２９８４号に記載のように、六弗化イオウ
に窒素もしくはアルゴンを混合することにより、エツチ
ング残渣やパターン端部の裾引現象を解消できることが
可能である。しかし、六弗化イオウによるエツチングは
、プラズマ中のラジカルによる寄与が大きいため等方的
なエツチングとなり、マスク寸法からのアンダーカット
は避けられなかった。
性ガスとして六弗化イオウを用いると、大きなエツチン
グ速度・下地酸化膜との高い選択性が得られ、また特願
昭５８−１７２９８４号に記載のように、六弗化イオウ
に窒素もしくはアルゴンを混合することにより、エツチ
ング残渣やパターン端部の裾引現象を解消できることが
可能である。しかし、六弗化イオウによるエツチングは
、プラズマ中のラジカルによる寄与が大きいため等方的
なエツチングとなり、マスク寸法からのアンダーカット
は避けられなかった。
本発明の目的は、タングステンもしくはその硅素化合物
を六弗化イオウのプラズマ中でエツチングする際に生ず
るマスクからのアンダーカットを解消して、寸法精度の
高ずエツチング方法を提供することにある。
を六弗化イオウのプラズマ中でエツチングする際に生ず
るマスクからのアンダーカットを解消して、寸法精度の
高ずエツチング方法を提供することにある。
タングステンを六弗化イオウのプラズマ中でエツチング
した時に生ずるアンダーカットの大きさをマスク材料が
有機物レジストのみである場合と。
した時に生ずるアンダーカットの大きさをマスク材料が
有機物レジストのみである場合と。
有機物レジストとタングステンの間にＰＳＧ膜が入って
いる場合とで比べると、前者の方が小さい。
いる場合とで比べると、前者の方が小さい。
これはプラズマ中で有機物レジストから発生する物質に
よるタングステン側壁の保護効果の差によるものと考え
られる。そこで六弗化イオウに他のガスを混合すること
により同様な効果が得られればタングステンのアンダー
カットを低減できると考え、種々のガスを混合してその
効果を調べた。
よるタングステン側壁の保護効果の差によるものと考え
られる。そこで六弗化イオウに他のガスを混合すること
により同様な効果が得られればタングステンのアンダー
カットを低減できると考え、種々のガスを混合してその
効果を調べた。
その結果、ＣＦ、、ＣＨ４，Ｃ，Ｆ、、Ｃ：Ｃ１４のう
ちのいずれか１つを混合した場合にタングステンのアン
ダーカットが低減されることを見い出した。
ちのいずれか１つを混合した場合にタングステンのアン
ダーカットが低減されることを見い出した。
他の炭化水素もしくはそのフルオルクロル置換体でも同
様な効果がある。
様な効果がある。
〔発明の実施例〕
以下１本発明の実施例を示す。
実施例１
第１図に本発明で用いた有磁場マイクロ波エツチング装
置の構成図を示す。有磁場マイクロ波エツチング装置は
、真空容器１と放電管２より成るチャンバ内にガス導入
系３よりガスを導入すると同時に排気系１５によりチャ
ンバ内の圧力を一定に保ち、マグネット４で発生された
マイクロ波を導波管５によって伝播し、これと電磁コイ
ル６によって発生する磁場との相乗効果によって、イオ
ン化率・ラジカル発生率の高いプラズマを発生させ、試
料台７の上に載置された試料８をエツチングする装置で
ある。
置の構成図を示す。有磁場マイクロ波エツチング装置は
、真空容器１と放電管２より成るチャンバ内にガス導入
系３よりガスを導入すると同時に排気系１５によりチャ
ンバ内の圧力を一定に保ち、マグネット４で発生された
マイクロ波を導波管５によって伝播し、これと電磁コイ
ル６によって発生する磁場との相乗効果によって、イオ
ン化率・ラジカル発生率の高いプラズマを発生させ、試
料台７の上に載置された試料８をエツチングする装置で
ある。
第２図は有機物レジストマスク９とタングステン１０の
間にＰＳＧ膜１１がある試料を、前記有磁場マイクロ波
エツチング装置にて、六弗化イオウのみでエツチングし
た時の断面形状である。タングステン１０は大きくアン
ダーカットされている。
間にＰＳＧ膜１１がある試料を、前記有磁場マイクロ波
エツチング装置にて、六弗化イオウのみでエツチングし
た時の断面形状である。タングステン１０は大きくアン
ダーカットされている。
第３図は第２図と同じ試料を六弗化イオウにＣＦ４を混
合したガスを用いてエツチングしたときの断面形状を示
す。ガスの混合比は体積比で六弗化イオウ３３％、ＣＦ
４６７％である。タングステンはアンダーカットなくエ
ツチングされている。
合したガスを用いてエツチングしたときの断面形状を示
す。ガスの混合比は体積比で六弗化イオウ３３％、ＣＦ
４６７％である。タングステンはアンダーカットなくエ
ツチングされている。
実施例２
第４図に第２図と同じ試料を体積比で六弗化イオウ２５
％、ＣＦ４７５％の混合ガスでエツチングしたときのタ
ングステンの断面形状を示す、この場合もタングステン
はアンダーカットなくエツチングされている。
％、ＣＦ４７５％の混合ガスでエツチングしたときのタ
ングステンの断面形状を示す、この場合もタングステン
はアンダーカットなくエツチングされている。
実施例１及び実施例２に示した効果は、ＣＦ４の混合率
がＳＦ、とＣＦ、の混合ガスに対する体積比で５０％乃
至８０％の範囲で得られた。もちろんＣＦ４混合率が５
０％以下であってもアンダーカット低減効果がある。ま
た８０％以上でも効果が大きいが、タングステンのエッ
チ速度が極度に小さくなるので、マスク材料の寸法減少
が著しくなるため良好なエツチングが行われない。
がＳＦ、とＣＦ、の混合ガスに対する体積比で５０％乃
至８０％の範囲で得られた。もちろんＣＦ４混合率が５
０％以下であってもアンダーカット低減効果がある。ま
た８０％以上でも効果が大きいが、タングステンのエッ
チ速度が極度に小さくなるので、マスク材料の寸法減少
が著しくなるため良好なエツチングが行われない。
実施例３
六弗化イオウに、ＣＨ，、Ｃ，Ｆ、、ＣＣ１，のうちい
ずれか１つを混合した場合にも、実施例１及び実施例２
に示したのと同様な効果が得られた。
ずれか１つを混合した場合にも、実施例１及び実施例２
に示したのと同様な効果が得られた。
また良好なエツチングが行われるための、混合ガス全体
積に対応する添加ガス混合率の体積比の範囲も上記ガス
種間で多少の差異はあるが、はぼ５０％以上であった。
積に対応する添加ガス混合率の体積比の範囲も上記ガス
種間で多少の差異はあるが、はぼ５０％以上であった。
本発明によれば、タングステンのアンダーカットのない
エツチングが実現できるので、パターン寸法精度を高く
し、微細加工性を向上する効果がある。またタングステ
ン以外の材料としてタングステンシリサイド、およびタ
ングステンシリサイドと多結晶シリコンの二層膜を同時
にエツチングしたところ、同じくアンダーカットのない
エツチングが実現できた。
エツチングが実現できるので、パターン寸法精度を高く
し、微細加工性を向上する効果がある。またタングステ
ン以外の材料としてタングステンシリサイド、およびタ
ングステンシリサイドと多結晶シリコンの二層膜を同時
にエツチングしたところ、同じくアンダーカットのない
エツチングが実現できた。
【図面の簡単な説明】
第１図は有磁場マイクロ波エツチング装置の構成を示す
概略縦断面、第２図から第４図はタングステンのエツチ
ング後の形状を示す断面図である。 １・・・真空容器、２・・・放電管、３・・・ガス導入
系、４・・・マグネトロン、５・・・導波管、６・・・
電磁コイル、７・・・試料台、８・・・試料、９・・・
有機物レジスト、１ｏ・・・タングステン膜、１１・・
・ＰＳＧ膜、１２・・・下地酸化膜、１３・・・シリコ
ン基板。 ￥ １ 図 冨２図
概略縦断面、第２図から第４図はタングステンのエツチ
ング後の形状を示す断面図である。 １・・・真空容器、２・・・放電管、３・・・ガス導入
系、４・・・マグネトロン、５・・・導波管、６・・・
電磁コイル、７・・・試料台、８・・・試料、９・・・
有機物レジスト、１ｏ・・・タングステン膜、１１・・
・ＰＳＧ膜、１２・・・下地酸化膜、１３・・・シリコ
ン基板。 ￥ １ 図 冨２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、六弗化イオウに炭化水素もしくはそのフルオルクロ
ル置換体を混合したガスの放電プラズマ中で、タングス
テンもしくはその硅素化合物をドライエッチングするこ
とを特徴とするエッチング方法。 ２、六弗個イオウに少なくともＣＨ＿４もしくはＣＦ＿
４もしくはＣ＿３Ｆ＿■もしくはＣＣｌ＿４のうちいず
れか１つを混合することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9773685A JPS61256726A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | エツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9773685A JPS61256726A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | エツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61256726A true JPS61256726A (ja) | 1986-11-14 |
Family
ID=14200180
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9773685A Pending JPS61256726A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | エツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61256726A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415953A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JPH01279782A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-10 | Sharp Corp | 積層金属の反応性イオンエッチング方法 |
| JPH04247619A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高融点金属のドライエッチング方法 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9773685A patent/JPS61256726A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6415953A (en) * | 1987-07-10 | 1989-01-19 | Hitachi Ltd | Dry etching method |
| JPH01279782A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-10 | Sharp Corp | 積層金属の反応性イオンエッチング方法 |
| JPH04247619A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-09-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高融点金属のドライエッチング方法 |
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