JPS61254910A - 光情報処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、光デイスク装置等の光情報処理装置に係り、
特に、光源の取付精度を高めた光情報処理装置に関する
ものである。

〔従来の技術〕

第５図は、光デイスク装置に用いられる光学式ヘッド装
置（該光学式ヘッド装置は、光ディスクに対し、情報の
書込み、又は読出しを行なう）を示す。

図中、１はｓｉ等で形成された基板、２は該基板１の上
面に積層されたバッファ層で、該バッファ層２は５ｉ（
ｈ等で形成されている。３は該バッファ層２の上面に積
層された誘電体薄膜導波部材としての誘電体薄膜導波路
を示す。

又、４は光源としての半導体レーザーダイオードで、該
半導体レーザーダイオード４は、レーザ−光の光軸と上
記誘電体薄膜導波路３の端面とが一致するように該誘電
体薄膜導波路３の端面に取付けられている。

ここで、上記誘電体薄膜導波路３の屈折率は上記バッフ
ァ層２の屈折率より大きく設定されている。従って、上
記半導体レーザーダイオード４が出力したレーザー光は
、上記誘電体薄膜導波路３内を全反射しながら通るもの
であり、バッファ層２内へは露出しない。

又、５は上記半導体レーザーダイオード４から上記誘電
体薄膜導波路３内に注入された注入光を平行光にするコ
リメートレンズを示す。６は該コリメートレンズ５の後
位に位置するビームスプリッタ、７は該ビームスプリン
タ６を通過した光を集光する集光グレーディングを示す
。これらコリメートレンズ５．ビームスプリッタ６、集
光グレーディング７は、上記誘電体薄膜導波路３の上面
に誘電体層を設け、これに電子ビーム露光等することに
より形成される。

又、８は上記集光グレーディング７で集光された光の集
光点に配置された光情報媒体としての光ディスクで、該
光ディスク８で反射された光は集光グレーディング７を
通り、誘電体薄膜導波路３内に侵入した後、ビームスプ
リッタ６で進行方向が変更されて光検知器９で受光され
、電気信号に変換されるようになっている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、従来の光学式ヘッド装置は以上の様に構成さ
れているので、半導体レーザーダイオード４を出た光は
誘電体薄膜導波路３に効率良く注入されねばならず、こ
のため、誘電体薄膜導波路３に半導体レーザーダイオー
ド４の光軸を合わせて取付けることが必要である。

しかしながら、上記誘電体薄膜導波路３は普通１〜２μ
ｍと非常に薄く、このため、半導体レーザーダイオード
４の上記誘電体薄膜導波路３の端面への積層方向の取付
け、すなわち光軸調整が容易ではないと云う問題点があ
った。

従って、本発明の目的は、光源の取付精度を高めること
を可能とした光情報処理装置を提供するにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、光源が取付けられる誘電体薄膜導波部材の端
面側を他より厚肉としたものである。

〔作用〕

誘電体薄膜導波部材の端面が広くなり、このため、光源
を取付は易くなり、その結果、光源の取付精度が向上す
る。

〔実施例〕

以下に、本発明の実施例を第１図ないし第５図に基づき
説明する。なお、従来技術と同一構成要素には同一符号
を付して説明を省略する。第２図は本発明の第１実施例
を示す。。

然るに、１１は本実施例に係る誘電体薄膜導波路で、該
誘電体薄膜導波路１１は、第２図に示すように半導体レ
ーザーダイオード４を取付ける端面１２側の厚肉部１３
と、該厚肉部１３に連設した薄肉部１４とから構成され
ている。該薄肉部１４は従来技術による誘電体薄膜導波
路３と同一の肉厚である。

ここで、上記厚肉部１３は上記端面１２側へ向は傾斜角
αの傾斜面１５をもって直線的に徐々に厚肉化するよう
に構成されている。上記傾斜角αは所定範囲の角度、即
ち第２図に示すように半導体レーザーダイオード４から
上記端面１２に垂直に入射されたレーザー光Ｒを上記傾
斜面１５において全反射でき、当該レーザー光Ｒが外に
漏出しないようにする範囲の角度とする。

かくして、上記端面１２は上記誘電体薄膜導波路１１の
肉厚方向に対し、従来技術よりも広面積となる。

次に、作用を説明するに、上述の如く、半導体レーザー
ダイオード４を取付けるための端面１２が広くなるため
、該半導体レーザーダイオード４は取付は易くなり、そ
の結果、該半導体レーザーダイオード４の取付精度が向
上する。

又、第３図は本発明の第２実施例を示し、この実施例の
特徴は、上記第１実施例における誘電体薄膜導波路１１
の厚肉部１３の傾斜面を湾曲面１６としたことにある。

なお、この場合、該湾曲画工６の各点ＰＩ、Ｐ２．−・
−における各傾斜角は、上記第１実施例における傾斜角
αと同様に、所定範囲内の角度とする。

又、第４図は本発明の第３実施例を示し、この実施例の
特徴は、バッファ層２の上記端面１２側を下方へ向は湾
曲させ、誘電体薄膜導波路１１の下面を上記バッファ層
２に沿って下方へ湾曲させることによって、半導体レー
ザーダイオード４が取付けられる端面１２側を厚肉部１
７としたことにある。なお、この場合、該厚肉部１７の
湾曲面１８の各点Ｑｌ、Ｑ２．・・−における各傾斜角
は上記第１実施例における傾斜角αと同様に所定範囲の
角度とする。

なお、上記誘電体薄膜導波路１１の上、下側面を傾斜さ
せることにより厚肉部を形成しても良い。

〔発明の効果〕

以上説明したように本発明によれば、光源が取付けられ
る誘電体薄膜導波部材の端面側の肉厚を他より厚肉とし
たので、光源を取付は易くなり、その結果、光源の取付
精度が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明における光情報処理装置としての光学式
ヘッド装置の斜視図、第２図は本発明の第１実施例の側
面図、第３図は本発明の第２実施例の側面図、第４図は
同じく第３実施例の側面図、第５図は従来技術による光
学式ヘッド装置の斜視図である。 ４・・・光源（半導体レーザーダイオード）、５・・・
コリメートレンズ、６・・・ビームスプリッタ、７・・
・集光グレーディング、１１・・・誘電体薄膜導波部材
（誘電体薄膜導波路）、１２・・・端面、１３．１７・
・・厚肉部。 代理人　　大　　岩　　増　　雄（ばか２名）昭和　　
年　　月　　日 ！

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）層状の誘電体薄膜導波部材と、この誘電体薄膜導
   波部材の端面に対応し、この端面より光を注入する光源
   と、上記誘電体薄膜導波部材の表面側に位置し上記注入
   された光を制御する光処理手段とを備えた光情報処理装
   置において、上記誘電体薄膜導波部材の上記端面側の肉
   厚を、他より厚肉としたことを特徴とする光情報処理装
   置。
2. （２）上記端面側の肉厚を、他より徐々に厚肉としたこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光情報処理
   装置。
3. （３）上記光処理手段は、注入光を平行光にするコリメ
   ートレンズと、このコリメートレンズからの光を透過す
   るビームスプリッタと、このビームスプリッタからの光
   を光情報媒体に集光し、かつその反射光を上記ビームス
   プリッタ方向に出射する集光グレーティングと、上記ビ
   ームスプリッタから分光された上記反射光を電気信号に
   変換する光検知器より成ることを特徴とする特許請求の
   範囲第１項記載の光情報処理装置。