JPS61254392A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
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- JPS61254392A JPS61254392A JP60097528A JP9752885A JPS61254392A JP S61254392 A JPS61254392 A JP S61254392A JP 60097528 A JP60097528 A JP 60097528A JP 9752885 A JP9752885 A JP 9752885A JP S61254392 A JPS61254392 A JP S61254392A
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- polyethylene
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- G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
- G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
Ｌ産業上の利用分野コ
本発明は光学的情報記録媒体に関する。さらに詳しくは
、レーザにより情報の記録、再生を行なう光学的情報記
録媒体に関する。
、レーザにより情報の記録、再生を行なう光学的情報記
録媒体に関する。
［従来の技術］
従来、レーザにより情報を記録する記録媒体として、レ
ーザ照射部がレーザからのエネルギーを吸収して局部的
に加熱され、溶融、蒸発などの状態変化を起こし、これ
を信号ピットとして情報を記録するものが知られている
。いわゆるヒートモード光記録材料と呼ばれるものであ
る。
ーザ照射部がレーザからのエネルギーを吸収して局部的
に加熱され、溶融、蒸発などの状態変化を起こし、これ
を信号ピットとして情報を記録するものが知られている
。いわゆるヒートモード光記録材料と呼ばれるものであ
る。
この欅の記録層として、Ｔｅをはじめとするカルコゲナ
イド系簿膜あるいは金属薄膜がよく知られているが、感
度をはじめ、作製技術、毒性、安定性などの面でまだま
だ多くの問題をかかえている。
イド系簿膜あるいは金属薄膜がよく知られているが、感
度をはじめ、作製技術、毒性、安定性などの面でまだま
だ多くの問題をかかえている。
そこで、これら無機系薄膜にかわって有孜系薄膜を使用
したものが種々検討されている。すなわち有機系材料の
もつ優れた熱的性質（低融点、低分解温度、低熱伝導率
など）によって高感度化を達成するとともに製造コスト
の低減に寄与しようとするものである。
したものが種々検討されている。すなわち有機系材料の
もつ優れた熱的性質（低融点、低分解温度、低熱伝導率
など）によって高感度化を達成するとともに製造コスト
の低減に寄与しようとするものである。
たとえばスクワリウム系色素（（１，’Ｊ、Ｇｒａｖｅ
ｔｅｉｊｎ ｅｔ、ａｌ、、５ＰＩＥ ４２０，３２７
（１９８３）など）、アズレン誘導体（特開昭５８−
２１４１６２号公報など）インダンスレン誘導体（特開
昭５８−２２４４４８号公報など）を用いたものや、色
素を光吸収剤として熱可塑性ポリマー中に分散させたも
のが知られている（Ｊａｍｅｓ Ｗ、１４ｈｅｃｌｅｒ
ｅｔ、ａｌ、。
ｔｅｉｊｎ ｅｔ、ａｌ、、５ＰＩＥ ４２０，３２７
（１９８３）など）、アズレン誘導体（特開昭５８−
２１４１６２号公報など）インダンスレン誘導体（特開
昭５８−２２４４４８号公報など）を用いたものや、色
素を光吸収剤として熱可塑性ポリマー中に分散させたも
のが知られている（Ｊａｍｅｓ Ｗ、１４ｈｅｃｌｅｒ
ｅｔ、ａｌ、。
５ＰＩＥ ４２０，３９（１９８３１など）。また無
機・有機複合型のものとして微細な金１粉を光吸収剤と
してポリマーに分散したもの、たとえば熱収縮性のコロ
イド状有機物（ゼラチン）中に銀粒子を分散させたもの
（Ｊｅｒｏｌｅ ＤｒｅＸｌｅｒ、５ＰＩＥ ４２０，
５７（１９８３））が知られている。
機・有機複合型のものとして微細な金１粉を光吸収剤と
してポリマーに分散したもの、たとえば熱収縮性のコロ
イド状有機物（ゼラチン）中に銀粒子を分散させたもの
（Ｊｅｒｏｌｅ ＤｒｅＸｌｅｒ、５ＰＩＥ ４２０，
５７（１９８３））が知られている。
さらに最近半導体レーザの発展が著しく、小型でかつ安
価なことから、各種記録装置の光源として使用されてき
ている。
価なことから、各種記録装置の光源として使用されてき
ている。
半導体レーザの発掘波長は、短波長側では寿命、出力な
どの点でまだ問題を残しており、比較的長波長側のもの
が一般に使用されている。
どの点でまだ問題を残しており、比較的長波長側のもの
が一般に使用されている。
このような半導体レーザによって感度よく記録を行なう
ためには、発掘波長に対応した吸収特性を持つ記録層で
あること、すなわち７００〜９００ｎｍの光を効率よく
吸収する記録層であることが必要である。
ためには、発掘波長に対応した吸収特性を持つ記録層で
あること、すなわち７００〜９００ｎｍの光を効率よく
吸収する記録層であることが必要である。
しかしながら、一般に金属やカルコゲイト系のものを用
いた記録層では、この領域における反射率が高く、また
通常の有機色素を用いた記録層ではこの領域に吸収性を
持たない。それゆえ、この領域に吸収性を持つシアニン
色素や有機金属錯体を記録層として使用するための試み
がなされている。しかしながら、感度、安定性および成
膜性に多くの問題をかかえている。
いた記録層では、この領域における反射率が高く、また
通常の有機色素を用いた記録層ではこの領域に吸収性を
持たない。それゆえ、この領域に吸収性を持つシアニン
色素や有機金属錯体を記録層として使用するための試み
がなされている。しかしながら、感度、安定性および成
膜性に多くの問題をかかえている。
［発明が解決しようとする問題点］
無機系材料にかわって有機系薄膜を使用することの利点
はその優れた熱的性質により、感度が向上できることに
ある。しかしながら半導体レーザー光を効率よく吸収す
る色素類や有機金属錯体類の使用では、その構造を有さ
なければならないという制約を受けるので有利な材料を
捜しても得られにくく、優れた熱的性質を示すことがで
きず、感度の向−ヒの妨げとなっている。
はその優れた熱的性質により、感度が向上できることに
ある。しかしながら半導体レーザー光を効率よく吸収す
る色素類や有機金属錯体類の使用では、その構造を有さ
なければならないという制約を受けるので有利な材料を
捜しても得られにくく、優れた熱的性質を示すことがで
きず、感度の向−ヒの妨げとなっている。
本発明は、有機系材料のもつ優れた熱的性質を充分に発
揮させ、高感度化を達成するためになされたものである
。
揮させ、高感度化を達成するためになされたものである
。
Ｅ問題点を解決するための手段］
すなわち本発明は、半導体レーザにより記録、再生を行
なう情報記録媒体において、記録層が真空蒸着法により
形成させたフタ、ロシアニン環を有する化合物の蒸着物
とポリエチレンの蒸着物との複合膜からなることを特徴
とする光学的情報記録媒体に関する。
なう情報記録媒体において、記録層が真空蒸着法により
形成させたフタ、ロシアニン環を有する化合物の蒸着物
とポリエチレンの蒸着物との複合膜からなることを特徴
とする光学的情報記録媒体に関する。
し実施例］
本発明における半導体レーザとは、発振波長が７００〜
９００ｎＩＢのレーザで記録装置の光源として用いうる
ものである限り、とくに限定はない。
９００ｎＩＢのレーザで記録装置の光源として用いうる
ものである限り、とくに限定はない。
このようなレーザーの具体例としては、たとえばＡｊ
ＧａＡＳのごとき半導体を用いた半導体レーザなどがあ
げられる。
ＧａＡＳのごとき半導体を用いた半導体レーザなどがあ
げられる。
本発明の記録媒体はレーザにより記録、再生が行なわれ
、該記録媒体の記録層は真空蒸着力により形成したフタ
ロシアニン環を有する化合物の蒸着法と、ポリエチレン
の蒸着物との複合膜から形成される。
、該記録媒体の記録層は真空蒸着力により形成したフタ
ロシアニン環を有する化合物の蒸着法と、ポリエチレン
の蒸着物との複合膜から形成される。
前記フタロシアニン環を有する化合物としては、たとえ
ば一般式（Ｉ）： （式中、Ｈは■価の金属、■価の金属酸化物、■価もし
くは■価の金属のハロゲン化物または水素２原子、Ｘは
水素原子またはハロゲン原子であり、それぞれが異なっ
ていてもよく、同一であってもよい）で表わされる化合
物（以下トＰＣ（Ｘｈｓという）があげられる。一般式
（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、たとえばＣ
ｔｌ−ＰＣ（旧＋６ 、ＣＵ−ＰＣ（ＣＩ）ｎ （Ｈ
）１６−、（ｎｉ〜１６）、Ｃｏ−ＰＣ（Ｈ）１６ 、
Ｎ１−Ｐｃ（旧＋６ 、Ｈ（１−ＰＣ（Ｈ）＋６、Ｐｂ
−ＰＣ（Ｈ）＋ｓ 、Ｈｎ−ＰＣ（旧＋ｓ 、 ｚｎ−
Ｐｃ（ｔｌ）＋６、Ｖ−ＰＣ（Ｈ）＋６ 、ＶＯ−ＰＣ
（Ｈ）＋ｓ、ＶＣＩ−ｐｃ （Ｉ（）＋６、ＣｒＣＩ−
ＰＣ（Ｈ）＋６、ＣｒＦ−ＰＣ（）ｌｈ 、Ｃｒ−ＰＣ
（Ｈ）＋６、Ｍ ＣＩ−ＰＣ（ＨＩＩ６、 Ａｆ Ｃ１−Ｐｃ（ＣＩ ）ｎ’ （１１）１６−ｎ（
ｎ−１〜１６）、ＩｎＣＩ−ＰＣ（Ｈ）＋６、Ｉｎ−Ｐ
ｃ（ＣＮ ）ｎ （Ｈ）１６−、（ｎ−１〜１６）、
Ｎ２−ＰＣ（Ｈ）＋６ 、Ｇａ−ＰＣ（Ｈａｔ６、Ｇａ
−Ｐｃ（ＣＩ）。（Ｈ）１Ｂ−、（ｎ−１〜１６）、Ｇ
ａＣｌ −Ｐｃ（ＣＩ ）。（Ｈ）１６−、（ｎ−１〜
１６） 、５ｎ−Ｐｃ（Ｈ）＋６、Ｔｉ−ＰＣ（Ｈ）＋
６、Ｐｒ−ＰＣＤＩ）＋６などがあげられる。
ば一般式（Ｉ）： （式中、Ｈは■価の金属、■価の金属酸化物、■価もし
くは■価の金属のハロゲン化物または水素２原子、Ｘは
水素原子またはハロゲン原子であり、それぞれが異なっ
ていてもよく、同一であってもよい）で表わされる化合
物（以下トＰＣ（Ｘｈｓという）があげられる。一般式
（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、たとえばＣ
ｔｌ−ＰＣ（旧＋６ 、ＣＵ−ＰＣ（ＣＩ）ｎ （Ｈ
）１６−、（ｎｉ〜１６）、Ｃｏ−ＰＣ（Ｈ）１６ 、
Ｎ１−Ｐｃ（旧＋６ 、Ｈ（１−ＰＣ（Ｈ）＋６、Ｐｂ
−ＰＣ（Ｈ）＋ｓ 、Ｈｎ−ＰＣ（旧＋ｓ 、 ｚｎ−
Ｐｃ（ｔｌ）＋６、Ｖ−ＰＣ（Ｈ）＋６ 、ＶＯ−ＰＣ
（Ｈ）＋ｓ、ＶＣＩ−ｐｃ （Ｉ（）＋６、ＣｒＣＩ−
ＰＣ（Ｈ）＋６、ＣｒＦ−ＰＣ（）ｌｈ 、Ｃｒ−ＰＣ
（Ｈ）＋６、Ｍ ＣＩ−ＰＣ（ＨＩＩ６、 Ａｆ Ｃ１−Ｐｃ（ＣＩ ）ｎ’ （１１）１６−ｎ（
ｎ−１〜１６）、ＩｎＣＩ−ＰＣ（Ｈ）＋６、Ｉｎ−Ｐ
ｃ（ＣＮ ）ｎ （Ｈ）１６−、（ｎ−１〜１６）、
Ｎ２−ＰＣ（Ｈ）＋６ 、Ｇａ−ＰＣ（Ｈａｔ６、Ｇａ
−Ｐｃ（ＣＩ）。（Ｈ）１Ｂ−、（ｎ−１〜１６）、Ｇ
ａＣｌ −Ｐｃ（ＣＩ ）。（Ｈ）１６−、（ｎ−１〜
１６） 、５ｎ−Ｐｃ（Ｈ）＋６、Ｔｉ−ＰＣ（Ｈ）＋
６、Ｐｒ−ＰＣＤＩ）＋６などがあげられる。
フタロシアニン環を有する化合物は、７００〜９００ｒ
＋ｍの領域で高い吸光度を示し、熱的、化学的に安定で
、耐光性などの長期安定性にも優れている。また、一般
に熱昇華性を有し、１０−４〜１０−６Ｔｏｒｒの減圧
下、３００〜５００℃の条件で真空蒸着法により均一な
Ｉｌｌをうろことができるという特徴を有するものであ
る。
＋ｍの領域で高い吸光度を示し、熱的、化学的に安定で
、耐光性などの長期安定性にも優れている。また、一般
に熱昇華性を有し、１０−４〜１０−６Ｔｏｒｒの減圧
下、３００〜５００℃の条件で真空蒸着法により均一な
Ｉｌｌをうろことができるという特徴を有するものであ
る。
第１図に基板上にフタロシアニン環を有する化合物から
形成された薄膜の吸収スペクトルの具体例を示す。
形成された薄膜の吸収スペクトルの具体例を示す。
前記ポリエチレンは、低密度（０，９１〜０．９４）、
高密度（０，９４〜０．９７）のいずれをも用いること
ができるが、得られた蒸着物の熱的性質の良さから高密
度で枝分かれが少ないものが好ましい。
高密度（０，９４〜０．９７）のいずれをも用いること
ができるが、得られた蒸着物の熱的性質の良さから高密
度で枝分かれが少ないものが好ましい。
該ポリエチレンの分子量は、重量平均分子Ｗ＆がｓ、ｏ
ｏｏ以上のものが好ましい。
ｏｏ以上のものが好ましい。
ポリエチレンは、真空蒸着を行なう条件で加熱すること
に−より、主鎖および側鎖の間然をおこし、蒸着時にお
ける圧力と加熱温度により決まるある大きさのフラグメ
ントとなって蒸着され、薄膜を形成する。このようにし
て（ｑられたポリエチレンの蒸着物は蒸着前のものに比
べ、分子量が低下し、枝分かれが少なくなり、分子量分
布が小さなものとなっている。第２図にポリエチレンの
蒸着前と蒸着摂の分子量分布をＧＰＣ（ゲルバーミエイ
ションクロマトグラフィ）により測定した結果の例を示
す。
に−より、主鎖および側鎖の間然をおこし、蒸着時にお
ける圧力と加熱温度により決まるある大きさのフラグメ
ントとなって蒸着され、薄膜を形成する。このようにし
て（ｑられたポリエチレンの蒸着物は蒸着前のものに比
べ、分子量が低下し、枝分かれが少なくなり、分子量分
布が小さなものとなっている。第２図にポリエチレンの
蒸着前と蒸着摂の分子量分布をＧＰＣ（ゲルバーミエイ
ションクロマトグラフィ）により測定した結果の例を示
す。
次にフタロシアニン環を有する化合物とポリエチレンと
を用いて真空蒸着法により形成される記録層である複合
膜について説明する。
を用いて真空蒸着法により形成される記録層である複合
膜について説明する。
該複合膜は、たとえばフタロシアニン環を有する化合物
の蒸着物とポリエチレンのＮ着物とをそれぞれ１〜２１
ｉｉづつ交互に積層したものであってもよく、またそれ
ぞれの蒸着物が互いに分散しあった共蒸着物からなるも
のであってもよい。
の蒸着物とポリエチレンのＮ着物とをそれぞれ１〜２１
ｉｉづつ交互に積層したものであってもよく、またそれ
ぞれの蒸着物が互いに分散しあった共蒸着物からなるも
のであってもよい。
前記複合膜を形成する方法としてはっぎのような方法が
例示されうる。
例示されうる。
第１に、フタロシアニン環を有する化合物の蒸着物とポ
リエチレンの蒸着物とを積層して複合膜を形成する方法
である。エチレンの蒸着物１０−４〜１０−６ Ｔｏｒ
ｒの減圧下、ルツボを２００〜４００℃に加熱し、基板
温度Ｏ〜５０℃で、膜厚が好ましくは １００〜１００
００人、より好ましくは５００〜５０００人になるよう
に形成したのち、フタロシアニン環を有する化合物の蒸
着物を１０−４〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒの減圧下、３００〜
５００℃の条件でフタロシアニン環を有する化合物を、
膜厚が好ましくは１００〜１００００人、より好ましく
は５００〜５０００人になるように蒸着させることによ
りえられる。
リエチレンの蒸着物とを積層して複合膜を形成する方法
である。エチレンの蒸着物１０−４〜１０−６ Ｔｏｒ
ｒの減圧下、ルツボを２００〜４００℃に加熱し、基板
温度Ｏ〜５０℃で、膜厚が好ましくは １００〜１００
００人、より好ましくは５００〜５０００人になるよう
に形成したのち、フタロシアニン環を有する化合物の蒸
着物を１０−４〜１Ｏ−６Ｔｏｒｒの減圧下、３００〜
５００℃の条件でフタロシアニン環を有する化合物を、
膜厚が好ましくは１００〜１００００人、より好ましく
は５００〜５０００人になるように蒸着させることによ
りえられる。
要すればこの操作をくりかえせばよい。ポリエチレンと
フタロシアニン環を有する化合物との蒸着順序を反対し
たものであってもよい。
フタロシアニン環を有する化合物との蒸着順序を反対し
たものであってもよい。
第２に、フタロシアニン環を有する化合物の蒸着物とポ
リエチレンの蒸着物とが互いに分散しあった共蒸着物か
らなる複合膜を形成する方法について説明する。
リエチレンの蒸着物とが互いに分散しあった共蒸着物か
らなる複合膜を形成する方法について説明する。
前記共蒸着物は１個のルツボにポリエチレンとフタロシ
アニン環を有する化合物との所定の割合の混合物を入れ
、前記と同様の条件で真空蒸着をおこなう１源系共蒸着
法、および２個のルツボを使用してそれぞれ別個にポリ
エチレンとフタロシアニン環を有する化合物とを入れて
、前記と同様の条件で真空蒸着を行なう２源系共蒸着法
により形成することができる。
アニン環を有する化合物との所定の割合の混合物を入れ
、前記と同様の条件で真空蒸着をおこなう１源系共蒸着
法、および２個のルツボを使用してそれぞれ別個にポリ
エチレンとフタロシアニン環を有する化合物とを入れて
、前記と同様の条件で真空蒸着を行なう２源系共蒸着法
により形成することができる。
形成されたポリエチレンの蒸着物とフタロシアニン環を
有する化合物の蒸着物との共蒸着物におけるポリエチレ
ンの蒸着物とフタロシアニン環を有する化合物の蒸着物
との混合割合は、成膜条件により任意に変えることが可
能であるが、フロシアニン環を有する化合物の蒸着物／
ポリエチレンの蒸着物のｌｌ場比が０．０１〜１ｏであ
ることが好ましく、０．５〜２の範囲がより好ましい。
有する化合物の蒸着物との共蒸着物におけるポリエチレ
ンの蒸着物とフタロシアニン環を有する化合物の蒸着物
との混合割合は、成膜条件により任意に変えることが可
能であるが、フロシアニン環を有する化合物の蒸着物／
ポリエチレンの蒸着物のｌｌ場比が０．０１〜１ｏであ
ることが好ましく、０．５〜２の範囲がより好ましい。
共蒸着物の膜厚は５００〜５００００人が好ましく、１
０００〜１００００人の範囲がより好ましい。
０００〜１００００人の範囲がより好ましい。
本発明に用いられる基板は、通常の記録媒体に使用でき
るものであればいずれのものを用いてもよい。このよう
な基板の具体例としては、たとえばガラス、ポリメタク
リル酸メチル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルなど
があげられる。また必要に応じてアルミニウムなど反射
率の高い膜を基板上に形成させたもの、または表面反射
率の高いアルミ板なども基板として用いてもよい。
るものであればいずれのものを用いてもよい。このよう
な基板の具体例としては、たとえばガラス、ポリメタク
リル酸メチル、ポリカーボネート、ポリ塩化ビニルなど
があげられる。また必要に応じてアルミニウムなど反射
率の高い膜を基板上に形成させたもの、または表面反射
率の高いアルミ板なども基板として用いてもよい。
っぎに本発明の記録媒体を実施例にもとづき説明する。
実施例１
ガラス基板上にポリエチレンの蒸着物をＩＪＷが２００
０人になるように形成させ、その上にＡＩ ＣＩ −Ｐ
Ｃ（Ｈ）＋６ （Ｄ 蒸着物’ｊｉ： ３０００人（７
）Ｉｌｌ 厚ニナルＪ：うに載せ、積層型の複合膜を作
製した。得られた複合膜を光学顕微鏡下で観察したとこ
ろ不均一性は見られず、また表面平滑性の優れたきれい
な薄膜であることが確認できた。
０人になるように形成させ、その上にＡＩ ＣＩ −Ｐ
Ｃ（Ｈ）＋６ （Ｄ 蒸着物’ｊｉ： ３０００人（７
）Ｉｌｌ 厚ニナルＪ：うに載せ、積層型の複合膜を作
製した。得られた複合膜を光学顕微鏡下で観察したとこ
ろ不均一性は見られず、また表面平滑性の優れたきれい
な薄膜であることが確認できた。
＃ ＧａＡＳ半導体レーザ（発振波長７８０ｎｍ）を使
用し、レンズによってビームを１ＪＪＩｌ怪に絞り、５
μ５ＩＢＣのパルスで複合膜上に照射した。このとき膜
上におけるレーザーパワーは６．７ｍ−であった。その
のち走査型電子顕微鏡で表面観察を行ったところ約１ρ
径のきれいな円形のピットの形成が確認できた。
用し、レンズによってビームを１ＪＪＩｌ怪に絞り、５
μ５ＩＢＣのパルスで複合膜上に照射した。このとき膜
上におけるレーザーパワーは６．７ｍ−であった。その
のち走査型電子顕微鏡で表面観察を行ったところ約１ρ
径のきれいな円形のピットの形成が確認できた。
比較例１
ガラス基板上にＭ ＣＩ−ＰＣ（Ｈ）＋ｓの蒸着物を膜
厚が２０００人になるように載せ、これに実施例１と同
様の試験を行なったところ、ぐットの形成は確認できな
かった。パルス幅を５０μｓｅｃにして行なったところ
ピットらしきものが確認できただけで形状は不十分であ
った。
厚が２０００人になるように載せ、これに実施例１と同
様の試験を行なったところ、ぐットの形成は確認できな
かった。パルス幅を５０μｓｅｃにして行なったところ
ピットらしきものが確認できただけで形状は不十分であ
った。
比較例２
ガラス基板上にポリエチレンの蒸着物を膜厚が２０００
人になるように形成させ、これに実施例１と同様の試験
を行なったところ、ビットは確認できなかった。パルス
幅を５０μｓｅｃにして行なってもビットは確認できな
かった。
人になるように形成させ、これに実施例１と同様の試験
を行なったところ、ビットは確認できなかった。パルス
幅を５０μｓｅｃにして行なってもビットは確認できな
かった。
以上の実施例１および比較例１．２の結果からうかがえ
るように、蒸着によりフタロシアニンとポリエチレンと
を複合させた場合にパルス巾０．５μｓｅｃのレーザ光
で記録しろる高感度の記録媒体を得られた。すなわちこ
の場合ポリエチレン蒸着物は感度向上材の役割をしてい
る。
るように、蒸着によりフタロシアニンとポリエチレンと
を複合させた場合にパルス巾０．５μｓｅｃのレーザ光
で記録しろる高感度の記録媒体を得られた。すなわちこ
の場合ポリエチレン蒸着物は感度向上材の役割をしてい
る。
実施例２
ガラス基板上にポリエチレンとＭ ＣＩ −ＰＣ（■）
＋６の２源系共蒸着によりトータル膜厚９０００人の薄
膜を作製した。ＡＩ Ｃｊ −ＰＣ（Ｈ）＋６ ／ポリ
エチレンの蒸着物の重量比は０．８であった。得られた
複合膜を光学顕微鏡下で観察したところ不拘−性ハ見ら
れず、また表面平滑性の優れたきれいな薄膜であること
が確認できた。実施例１と同様の試験を行なったところ
、実施例１と同様約１カ径のビットの形成が確認できた
。
＋６の２源系共蒸着によりトータル膜厚９０００人の薄
膜を作製した。ＡＩ Ｃｊ −ＰＣ（Ｈ）＋６ ／ポリ
エチレンの蒸着物の重量比は０．８であった。得られた
複合膜を光学顕微鏡下で観察したところ不拘−性ハ見ら
れず、また表面平滑性の優れたきれいな薄膜であること
が確認できた。実施例１と同様の試験を行なったところ
、実施例１と同様約１カ径のビットの形成が確認できた
。
［発明の効果］
真空蒸着法により形成されたフクロシアニン環を有する
化合物の蒸着物とポリエチレンの蒸着物とを複合するこ
とにより、レーザ光のパルスに感度の高い記録媒体かえ
られた。
化合物の蒸着物とポリエチレンの蒸着物とを複合するこ
とにより、レーザ光のパルスに感度の高い記録媒体かえ
られた。
第１図は基板上に形成されたフタロシアニン環を有する
化合物から形成された薄膜の吸収スペクトルの具体例を
示すグラフ、第２図は、ポリエチレンとその蒸着物のＧ
ＰＣによる分子Ｑ分布の測定結果である。 月２ 波長（ｎｍ）
化合物から形成された薄膜の吸収スペクトルの具体例を
示すグラフ、第２図は、ポリエチレンとその蒸着物のＧ
ＰＣによる分子Ｑ分布の測定結果である。 月２ 波長（ｎｍ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体レーザーにより記録、再生を行なう情報記録
媒体において、記録層が真空蒸着法により形成されたフ
タロシアニン環を有する化合物の蒸着物と、ポリエチレ
ンの蒸着物との複合膜からなることを特徴とする光学的
情報記録媒体。 ２ 該記録層が、フタロシアニン環を有する化合物の蒸
着物とポリエチレンの蒸着物とを積層した複合膜である
特許請求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 ３ 該記録層が、フタロシアニン環を有する化合物の蒸
着物とポリエチレンの蒸着物とがお互いに分散しあつた
共蒸着物からなる複合膜であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の光学的情報記録媒体。 ４ フタロシアニン環を有する化合物が一般式（ I ）
： ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中、ＭはII価の金属、IV価の金属の酸化物、III価
もしくはIV価の金属のハロゲン化物または水素２原子、
Ｘは水素原子またはハロゲン原子であり、それぞれのＸ
が異なっていてもよく、同一であってもよい）で示され
る化合物であることを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光学情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60097528A JPS61254392A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60097528A JPS61254392A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61254392A true JPS61254392A (ja) | 1986-11-12 |
| JPH0582315B2 JPH0582315B2 (ja) | 1993-11-18 |
Family
ID=14194748
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60097528A Granted JPS61254392A (ja) | 1985-05-07 | 1985-05-07 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61254392A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6239286A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学記録体 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5782096A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-22 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS57212636A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS58112794A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5967093A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-16 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS59190895A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
-
1985
- 1985-05-07 JP JP60097528A patent/JPS61254392A/ja active Granted
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5782096A (en) * | 1980-11-12 | 1982-05-22 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS57212636A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-27 | Ricoh Co Ltd | Optical information recording medium |
| JPS58112794A (ja) * | 1981-12-28 | 1983-07-05 | Ricoh Co Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JPS5967093A (ja) * | 1982-10-11 | 1984-04-16 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
| JPS59190895A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Tdk Corp | 光記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6239286A (ja) * | 1985-08-13 | 1987-02-20 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光学記録体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582315B2 (ja) | 1993-11-18 |
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