JPS61251593A - 高純度半導体単結晶製造用ルツボ - Google Patents
高純度半導体単結晶製造用ルツボInfo
- Publication number
- JPS61251593A JPS61251593A JP9418085A JP9418085A JPS61251593A JP S61251593 A JPS61251593 A JP S61251593A JP 9418085 A JP9418085 A JP 9418085A JP 9418085 A JP9418085 A JP 9418085A JP S61251593 A JPS61251593 A JP S61251593A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- graphite
- coated
- semiconductor
- production
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は窒化ホウ素でコーディングされたルツボであり
、特に高純度半導体単結晶製造用ルツボに関するもので
ある。
、特に高純度半導体単結晶製造用ルツボに関するもので
ある。
半導体業界においては、良品賞の半導体製品を作成する
に当たって、まず高純度の珪素、ゲルマ二６ム、ヒ化ガ
リウム（ＧａＡｓ ）等の単結晶を製造することが重要
である。
に当たって、まず高純度の珪素、ゲルマ二６ム、ヒ化ガ
リウム（ＧａＡｓ ）等の単結晶を製造することが重要
である。
即ち、原料に不純物が混入しないように為すことばかシ
でなく、得られた半導体物質を熔融しで引き上げ法によ
シ大径の単結晶を製造する際にその装置自体の損傷など
によシそれが不純物となって該単結晶に混入されること
のないようにする必要がある。
でなく、得られた半導体物質を熔融しで引き上げ法によ
シ大径の単結晶を製造する際にその装置自体の損傷など
によシそれが不純物となって該単結晶に混入されること
のないようにする必要がある。
熔融状態の半導体素材から引き上げ法によって単結晶を
得る方法においては、熔融のためのルツボを半導体材料
と反応性のない高純度の材料で構成すべきであり、各種
セラミック、貴金属材料等が用いられている。しかしな
がら、それらルツボ材料には種々の焼結剤が配合されて
いることや若干の反応性があることなどの理由から、高
純度半導体単結晶の製造、特に超ＬＳＩ用ＧａＡ３半導
体単結晶の製造に際してはルツボ材料が不純物となって
該単結晶に混入してくることが重大な問題となっている
。また、昨今の大型半導体ウェハー製造工業においては
、大容量のルツボを要するため、ルツボ材料使用量は増
大し、そして大容量の内容物を安全に収容するためには
！ツボ材料の強度も高めなければならない。
得る方法においては、熔融のためのルツボを半導体材料
と反応性のない高純度の材料で構成すべきであり、各種
セラミック、貴金属材料等が用いられている。しかしな
がら、それらルツボ材料には種々の焼結剤が配合されて
いることや若干の反応性があることなどの理由から、高
純度半導体単結晶の製造、特に超ＬＳＩ用ＧａＡ３半導
体単結晶の製造に際してはルツボ材料が不純物となって
該単結晶に混入してくることが重大な問題となっている
。また、昨今の大型半導体ウェハー製造工業においては
、大容量のルツボを要するため、ルツボ材料使用量は増
大し、そして大容量の内容物を安全に収容するためには
！ツボ材料の強度も高めなければならない。
ところで、窒化はう素は電気絶縁性、熱伝導性、耐熱衝
撃性に優れ、高温下での化学的安定性、附酸化性、潤滑
性等が優れていることから、その用途は多分野に亘って
賞月されているが、前記半導体の製造用ルツボとしても
好適なものとして使用されつつちる。
撃性に優れ、高温下での化学的安定性、附酸化性、潤滑
性等が優れていることから、その用途は多分野に亘って
賞月されているが、前記半導体の製造用ルツボとしても
好適なものとして使用されつつちる。
窒化ホウ素の製造法にはホウ素酸化物をアンモニア中炭
素で還元窒化する方法や、ハロゲン化ホウ素とアンモニ
アを高温で気相反応させる方法（ＣＶＤ法）等があるが
、後者の気相反応による方法では熱分解窒化ホウ素（Ｐ
ＢＮ）が得られ、高純度なものであるので、半導体製造
用ルツボ用には特に良い。
素で還元窒化する方法や、ハロゲン化ホウ素とアンモニ
アを高温で気相反応させる方法（ＣＶＤ法）等があるが
、後者の気相反応による方法では熱分解窒化ホウ素（Ｐ
ＢＮ）が得られ、高純度なものであるので、半導体製造
用ルツボ用には特に良い。
しかしながら、そのＣＶＤ法による製造は容易でなく、
大型のものの製造はコストも実大なものとなシ、実際上
不可能に近いものである。
大型のものの製造はコストも実大なものとなシ、実際上
不可能に近いものである。
更に半導体製造用ルツボとしては石英製、黒鉛製、炭化
珪素製、貴金属製等のものが使用されていて、サイズ、
強度の点では好適なルツボが提供されてはいるが、内容
物の熔融時にそれらルツボ材料がしばしば不純物として
半導体に導入される結果、優良な半導体単結晶が得られ
難いという問題点がある。
珪素製、貴金属製等のものが使用されていて、サイズ、
強度の点では好適なルツボが提供されてはいるが、内容
物の熔融時にそれらルツボ材料がしばしば不純物として
半導体に導入される結果、優良な半導体単結晶が得られ
難いという問題点がある。
一方、ＰＢＮの厚膜でコーティングされたグツファイト
（黒鉛）からなる蒸着のための金属蒸気生成用ルツボあ
るいはボートが公知であシ（例えば、特公昭５９−１９
１９２号公報ゝ・、この場合ＰＥＮ膜は保護膜として、
金属蒸気発生用熔融金属によってグツファイトが侵食さ
れないようにするため且つ同時にグツファイトから浸出
する不純物によって該熔融金属が汚染されないようにす
るために作用している。しかしながら、高純度半導体単
結晶製造用ルツボに該公知ルツボを使用しようとすると
、ＰＢＮコーティング層へ不純物として不可避的に導入
される幾分かのグツファイトが問題となることと、また
グツファイトとＰＢＮの密着性は非常に弱く、そしてＰ
ＥＮ膜は膜層に平行の方向の熱膨張係数が−２，９Ｘ
１０ ／℃と負の膨張であることからグツファイト基
体とＰＢＮ薄膜とは熱膨張率が大きく異なるため加熱−
冷却サイケ〜を受けると、たちまち剥離現象が生じると
いった問題がある。
（黒鉛）からなる蒸着のための金属蒸気生成用ルツボあ
るいはボートが公知であシ（例えば、特公昭５９−１９
１９２号公報ゝ・、この場合ＰＥＮ膜は保護膜として、
金属蒸気発生用熔融金属によってグツファイトが侵食さ
れないようにするため且つ同時にグツファイトから浸出
する不純物によって該熔融金属が汚染されないようにす
るために作用している。しかしながら、高純度半導体単
結晶製造用ルツボに該公知ルツボを使用しようとすると
、ＰＢＮコーティング層へ不純物として不可避的に導入
される幾分かのグツファイトが問題となることと、また
グツファイトとＰＢＮの密着性は非常に弱く、そしてＰ
ＥＮ膜は膜層に平行の方向の熱膨張係数が−２，９Ｘ
１０ ／℃と負の膨張であることからグツファイト基
体とＰＢＮ薄膜とは熱膨張率が大きく異なるため加熱−
冷却サイケ〜を受けると、たちまち剥離現象が生じると
いった問題がある。
従って、実用品となるルツボを製造するには、グツファ
イト自体が低強度のものであることとも相まって、ＰＢ
Ｎを長時間の蒸着によシ分厚く、実際にはグツファイト
基体よシも厚層にコーディングしなければならない状況
である。
イト自体が低強度のものであることとも相まって、ＰＢ
Ｎを長時間の蒸着によシ分厚く、実際にはグツファイト
基体よシも厚層にコーディングしなければならない状況
である。
従って本発明は叙上の問題を解決すべく完成されたもの
であり、その目的は大型であってしかも強度も充分に保
証でき、加えて比較的低コストな高純度半導体単結晶製
造用ルツボを提供することにある。
であり、その目的は大型であってしかも強度も充分に保
証でき、加えて比較的低コストな高純度半導体単結晶製
造用ルツボを提供することにある。
本発明によれば、黒鉛から成るルツボ状成形体基体の表
面が炭化珪素膜を介して熱分解窒化ホウ素でコーティン
グされてなることを特徴とする高純度半導体単結晶製造
用ルツボが提供される。
面が炭化珪素膜を介して熱分解窒化ホウ素でコーティン
グされてなることを特徴とする高純度半導体単結晶製造
用ルツボが提供される。
本発明のルツボ状成形体基体の心金には低コストで加工
性に優れた黒鉛を下地として、この上に高融点を有し、
熔融半導体に対する耐食性の良い炭化珪素膜を形成して
成るものであシ、この心金の表面に熱分解窒化ホウ素（
ＰＢＮ）が（４Ｄ法によシ、通常０．０１〜１．０屑ｍ
程度コーティングされる。
性に優れた黒鉛を下地として、この上に高融点を有し、
熔融半導体に対する耐食性の良い炭化珪素膜を形成して
成るものであシ、この心金の表面に熱分解窒化ホウ素（
ＰＢＮ）が（４Ｄ法によシ、通常０．０１〜１．０屑ｍ
程度コーティングされる。
本発明に係る心金によれば、黒鉛だけを用いたものに比
べて強度が大きく、壁厚を比較的薄くしてもルツボの強
度は充分であシ、軽量且つ大型のものとすることができ
る。そして、黒鉛の熱伝導率は約１５Ｑ Ｗ／ｍｌｃで
あって、熱伝導率に優れた炭化珪素の約２倍の熱伝導率
を有しているため、特に、大型のルツボ内の熔融半導体
を均等且つ迅速に所定の温度にまで到達させる効果があ
る。
べて強度が大きく、壁厚を比較的薄くしてもルツボの強
度は充分であシ、軽量且つ大型のものとすることができ
る。そして、黒鉛の熱伝導率は約１５Ｑ Ｗ／ｍｌｃで
あって、熱伝導率に優れた炭化珪素の約２倍の熱伝導率
を有しているため、特に、大型のルツボ内の熔融半導体
を均等且つ迅速に所定の温度にまで到達させる効果があ
る。
また本発明によれば、炭化珪素膜にＰＢＮをコーティン
グさせると、界面に反応層が生じるのでＰＥＮ膜の密着
力が顕著に向上する。
グさせると、界面に反応層が生じるのでＰＥＮ膜の密着
力が顕著に向上する。
本発明は、特に、超ＬＳＩの工Ｃ々どに用いられる高純
度ＧａＡｓ半導体の製造のためのｙツボ′として好適な
ものであシ、ルツボからの不純物の浸出がなく、また、
加熱・冷却サイクルによるＰＢＮコーティング層の剥離
がない、そして強度も充分テカツまた製造コストも安価
であるという有利性がある。
度ＧａＡｓ半導体の製造のためのｙツボ′として好適な
ものであシ、ルツボからの不純物の浸出がなく、また、
加熱・冷却サイクルによるＰＢＮコーティング層の剥離
がない、そして強度も充分テカツまた製造コストも安価
であるという有利性がある。
本発明においては上述した通シ、炭化珪素膜を介在させ
ることが重要であシ、この膜は周知のＣＶＤ法を用いれ
ばよく、また黒鉛から成る下地の表面を気相化学反応に
より珪化処理を施すことによっても炭化珪素膜を形成す
ることができる。
ることが重要であシ、この膜は周知のＣＶＤ法を用いれ
ばよく、また黒鉛から成る下地の表面を気相化学反応に
より珪化処理を施すことによっても炭化珪素膜を形成す
ることができる。
次に本発明の実施例を述べる。
（例１）
高緻密黒鉛から成る直径２ｏＣＭ、高さ２０ｃ１１、肉
厚０．５肩渭のルツボ状成形体を作成した。
厚０．５肩渭のルツボ状成形体を作成した。
次いで、この成形体を反応室に設置し、該成形体を１２
００℃として反応室に５ＩＨ４ガスを３Ｑ ＴＯｒｒの
圧力で導入し、１時間珪化反応を行った。その結果、黒
鉛成形体の表面に１０００μｍの膜厚で炭化珪素を全面
に形成した。
００℃として反応室に５ＩＨ４ガスを３Ｑ ＴＯｒｒの
圧力で導入し、１時間珪化反応を行った。その結果、黒
鉛成形体の表面に１０００μｍの膜厚で炭化珪素を全面
に形成した。
然る後、前記成形体（心金）をＣＶＤ反応室に配置して
１３００℃の温度に設置し、該反応室内にＢＣＩｓガス
、ＮＨ３ガス及びＨ意ガスをそれぞれ５０ＣＱ／ｍ、
２００ ＱＱ／謡及び１０００ ＱＣ／ｌｉｎの流速で
導入して圧カフ、Ｑ Ｔｏｒｒとし、１０時間にわ九っ
て接触反応をさせ、前記炭化珪素膜の全面に厚さ５０μ
鯛のＰＢＮコーティングを施した。
１３００℃の温度に設置し、該反応室内にＢＣＩｓガス
、ＮＨ３ガス及びＨ意ガスをそれぞれ５０ＣＱ／ｍ、
２００ ＱＱ／謡及び１０００ ＱＣ／ｌｉｎの流速で
導入して圧カフ、Ｑ Ｔｏｒｒとし、１０時間にわ九っ
て接触反応をさせ、前記炭化珪素膜の全面に厚さ５０μ
鯛のＰＢＮコーティングを施した。
得られた本発明製品を引き上げ法による半導体ＧａＡｓ
単結晶製造ルツボとして使用した結果、１０回の使用（
加熱−冷却サイクル付与１回）によっても、ＰＢＮコー
ティング膜には剥離やクツツクが生ぜず、セしてルツボ
から不純物がＧａＡ３熔融体へ混入することも全くなく
、良品の高純度半導体ＧａＡｓ単結晶を製造することが
できた。
単結晶製造ルツボとして使用した結果、１０回の使用（
加熱−冷却サイクル付与１回）によっても、ＰＢＮコー
ティング膜には剥離やクツツクが生ぜず、セしてルツボ
から不純物がＧａＡ３熔融体へ混入することも全くなく
、良品の高純度半導体ＧａＡｓ単結晶を製造することが
できた。
また、該ルツボはＰＢＮコーティング膜によシ良耐食性
が発揮されるばかシでなく、炭化珪素膜で被覆された黒
鉛から成る心金は熱伝導性の優良なものであるため、ル
ツボ全体の温度を常に均一に維持することができ、ルツ
ボ内の試料は均一に溶解されるので優良な単結晶の製造
に好適である。
が発揮されるばかシでなく、炭化珪素膜で被覆された黒
鉛から成る心金は熱伝導性の優良なものであるため、ル
ツボ全体の温度を常に均一に維持することができ、ルツ
ボ内の試料は均一に溶解されるので優良な単結晶の製造
に好適である。
（例２）
例１で用いられた黒鉛製ルツボ状成形体をＣＶＤ反応室
に配置して１４００℃の温度に設置し、ＣＨ４５ｌ−Ｃ
Ｉｔｓガスを導入して熱分解によ’） ２００ ａｍ
の厚みの炭化珪素膜を全面に形成した。
に配置して１４００℃の温度に設置し、ＣＨ４５ｌ−Ｃ
Ｉｔｓガスを導入して熱分解によ’） ２００ ａｍ
の厚みの炭化珪素膜を全面に形成した。
次いで例１と同様にして全面に厚さ５０ ｓｗｔのＰＢ
Ｎコーティングを施した。
Ｎコーティングを施した。
得られた本発明製品を引き上げ法による半導体ＧａＡｓ
単結晶製造ルツボとして使用した結果、ＰＢＮコーティ
ング膜には剥離やクツツクが生じることなく、そしてル
ツボから不純物がＧａＡ３熔融体へ混入することは全く
なく、高純度半導体ＧａＡｓ単結晶が得られた。
単結晶製造ルツボとして使用した結果、ＰＢＮコーティ
ング膜には剥離やクツツクが生じることなく、そしてル
ツボから不純物がＧａＡ３熔融体へ混入することは全く
なく、高純度半導体ＧａＡｓ単結晶が得られた。
また、ルツボ全体の温度を常に均−Ｉ／ｃ、Ｉｉ持する
ことができ、ルツボ内の試料は均一に溶解されるので優
良な単結晶の製造に好適である。
ことができ、ルツボ内の試料は均一に溶解されるので優
良な単結晶の製造に好適である。
本発明のものは、高純度半導体単結晶製造用ルツボとし
て適当であり特に、超ＬＳＩの工Ｃなどに用いられる高
純度ＧａＡＳ半導体の製造用ルツボとして好適なもので
あって、又、ｍ−ｖ族半導体やＩｔ−ＶＩ族半導体を作
成する方法である分子線エピタキシー法（ＭＢ］１ｉｌ
ｙ）やクフスターイオンプＶ−ディング法（工ＣＢ）等
におけるπ、ｍ、ｖ。
て適当であり特に、超ＬＳＩの工Ｃなどに用いられる高
純度ＧａＡＳ半導体の製造用ルツボとして好適なもので
あって、又、ｍ−ｖ族半導体やＩｔ−ＶＩ族半導体を作
成する方法である分子線エピタキシー法（ＭＢ］１ｉｌ
ｙ）やクフスターイオンプＶ−ディング法（工ＣＢ）等
におけるπ、ｍ、ｖ。
■族の合金を蒸発させるるつばとしても用いることがで
きる。
きる。
更に、本発明によれば基体に炭化珪素膜で被覆した黒鉛
を用いているためにルツボからの不純物浸出がなく、ま
た基体とＰＢＮとは密着性が良いために、加熱・冷却サ
イク〜によってもＰＢＮコーティング層が剥離すること
がない。そして基体は高強度であるため、ルツボの壁厚
を薄くしても強度が充分で軽量、大型のものとすること
ができ、且つ安価な黒鉛を使用するのく加えてＰＢＮ層
の厚みを大きくする必要もないため、製造コストを低減
できるという優れた有利性がある。
を用いているためにルツボからの不純物浸出がなく、ま
た基体とＰＢＮとは密着性が良いために、加熱・冷却サ
イク〜によってもＰＢＮコーティング層が剥離すること
がない。そして基体は高強度であるため、ルツボの壁厚
を薄くしても強度が充分で軽量、大型のものとすること
ができ、且つ安価な黒鉛を使用するのく加えてＰＢＮ層
の厚みを大きくする必要もないため、製造コストを低減
できるという優れた有利性がある。
Claims (1)
- 黒鉛から成るルツボ状成形体基体の表面が炭化珪素膜
を介して熱分解窒化ホウ素でコーテイングされてなるこ
とを特徴とする高純度半導体単結晶製造用ルツボ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094180A JPH0686352B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60094180A JPH0686352B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61251593A true JPS61251593A (ja) | 1986-11-08 |
| JPH0686352B2 JPH0686352B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=14103129
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60094180A Expired - Lifetime JPH0686352B2 (ja) | 1985-04-30 | 1985-04-30 | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0686352B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132145A (en) * | 1987-04-27 | 1992-07-21 | Societe Anonyme | Method of making composite material crucible for use in a device for making single crystals |
| WO1996010100A1 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Advanced Ceramics Corporation | Evaporator having multiple coating |
| WO2000012447A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Textron Systems Corporation | Process for the production of improved boron coatings onto graphite and article obtained in this process |
| KR20030052467A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳 성장용 흑연 도가니 |
| JP2006225262A (ja) * | 1999-04-06 | 2006-08-31 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ |
| JP2010208939A (ja) * | 1999-04-06 | 2010-09-24 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101331699B1 (ko) * | 2012-07-16 | 2013-11-20 | 주식회사 엘지실트론 | 대구경 실리콘 단결정 성장용 도가니 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632397A (en) * | 1979-08-17 | 1981-04-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Silicon single crystal pulling apparatus |
| JPS5919192A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-01-31 | Ricoh Co Ltd | 多色感圧複写材 |
| JPS59227800A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体製造用部材 |
-
1985
- 1985-04-30 JP JP60094180A patent/JPH0686352B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5632397A (en) * | 1979-08-17 | 1981-04-01 | Toshiba Ceramics Co Ltd | Silicon single crystal pulling apparatus |
| JPS5919192A (ja) * | 1982-07-26 | 1984-01-31 | Ricoh Co Ltd | 多色感圧複写材 |
| JPS59227800A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 化合物半導体製造用部材 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5132145A (en) * | 1987-04-27 | 1992-07-21 | Societe Anonyme | Method of making composite material crucible for use in a device for making single crystals |
| WO1996010100A1 (en) * | 1994-09-28 | 1996-04-04 | Advanced Ceramics Corporation | Evaporator having multiple coating |
| CN1046971C (zh) * | 1994-09-28 | 1999-12-01 | 先进陶瓷公司 | 多层闪蒸器 |
| WO2000012447A1 (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Textron Systems Corporation | Process for the production of improved boron coatings onto graphite and article obtained in this process |
| GB2357779A (en) * | 1998-08-31 | 2001-07-04 | Textron Systems Corp | Process for the production of improved boron coatings onto graphite and article obtained in this process |
| GB2357779B (en) * | 1998-08-31 | 2003-08-06 | Textron Systems Corp | Process for the production of improved boron coatings onto a porous substrate and article obtained in this process |
| JP2006225262A (ja) * | 1999-04-06 | 2006-08-31 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ |
| JP2010208939A (ja) * | 1999-04-06 | 2010-09-24 | Toyo Tanso Kk | シリコン単結晶引上用黒鉛ルツボ |
| KR20030052467A (ko) * | 2001-12-21 | 2003-06-27 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳 성장용 흑연 도가니 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0686352B2 (ja) | 1994-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS6047202B2 (ja) | 超硬高純度の配向多結晶質窒化珪素 | |
| JPS61251593A (ja) | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ | |
| JPS62153189A (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボおよびその製造方法 | |
| US5759646A (en) | Vessel of pyrolytic boron nitride | |
| JPH05254808A (ja) | 窒化ほう素の作製方法 | |
| JPS62176981A (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボ | |
| JP2000073171A (ja) | 化学蒸着法多層ＳｉＣ膜の製造方法 | |
| JP3929140B2 (ja) | 耐蝕性部材およびその製造方法 | |
| JPS61219787A (ja) | 高純度半導体単結晶製造用ルツボ | |
| JPH0456766B2 (ja) | ||
| JPH0784357B2 (ja) | 窒化ホウ素被覆ルツボ | |
| JPS61236672A (ja) | 熱分解窒化ホウ素被覆物品及びその製法 | |
| JPH03146470A (ja) | 炭化ケイ素質材料 | |
| JPH0798708B2 (ja) | 熱分解窒化ホウ素被覆物品の製造方法 | |
| JPH1067584A (ja) | 反応容器 | |
| JPH0789776A (ja) | 窒化硼素被覆炭素材料の製造法 | |
| JPH01252780A (ja) | 窒化ホウ素被覆体及びその製造方法 | |
| JPH0692761A (ja) | ＣＶＤ−ＳｉＣコートＳｉ含浸ＳｉＣ製品およびその製造方法 | |
| JP2708612B2 (ja) | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 | |
| JPS61242945A (ja) | 高純度セラミツクス製品の製造方法 | |
| JPS61236655A (ja) | 熱分解窒化ホウ素物品およびその製法 | |
| JPH0410904A (ja) | 成形体製造用型材および成形体の製造方法 | |
| JPH0310562B2 (ja) | ||
| JPH0337109A (ja) | 黒鉛材料 | |
| JPH0431309A (ja) | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |