JPS61247086A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS61247086A JPS61247086A JP9040085A JP9040085A JPS61247086A JP S61247086 A JPS61247086 A JP S61247086A JP 9040085 A JP9040085 A JP 9040085A JP 9040085 A JP9040085 A JP 9040085A JP S61247086 A JPS61247086 A JP S61247086A
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- Japan
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- layer
- groove
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、レーザ光の吸収の少ない窓領域を有する半導
体レーザ素子の新規な構造に関するものである。
体レーザ素子の新規な構造に関するものである。
〈従来の技術とその問題点〉
半導体レーザの寿命を制限する要因の１つに光出射面と
なる共振器端面でのレーザ光の吸収による端面劣化があ
ることは良く知られている。また、この問題を解決する
ため端面でのレーザ光の吸収を少なくしたウィンドウ（
窓形）ＶＳ Ｉ Ｓレーザ（Ｗｉｎｄｏｗ ＶＳＩＳ
１ａｓｅｒ ； Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
なる共振器端面でのレーザ光の吸収による端面劣化があ
ることは良く知られている。また、この問題を解決する
ため端面でのレーザ光の吸収を少なくしたウィンドウ（
窓形）ＶＳ Ｉ Ｓレーザ（Ｗｉｎｄｏｗ ＶＳＩＳ
１ａｓｅｒ ； Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｌｅｔｔｅｒｓ Ｖｏ１４２．Ｎｏ、５，１．Ｍａｒ
、１９８３゜Ｐ２Ｏ３）が提唱されている。このレーザ
素子は、基板上に７字溝を形成して内部ストライプ構造
とし、この上にダブルへテロ接合型のレーザ発振用多層
結晶を成長させ、さらに共振器端面にレーザ光の窓機能
を付与したもので、特性的には非常に優れたものである
が、レーザ励起領域に湾曲した活性層を用いる必要があ
る。ところが、通常の液相エピタキシャル成長法ではＧ
ａ溶液の飽和度や成長炉内。温度分布等の関係でその湾
曲度を一定に制御することが非常に困難であるという欠
点を有している。また、レーザ励起部に湾曲した活性層
を用いていることよシ高出力動作時に光密度が上昇し、
これは劣化を誘発する要因として作用する。
、１９８３゜Ｐ２Ｏ３）が提唱されている。このレーザ
素子は、基板上に７字溝を形成して内部ストライプ構造
とし、この上にダブルへテロ接合型のレーザ発振用多層
結晶を成長させ、さらに共振器端面にレーザ光の窓機能
を付与したもので、特性的には非常に優れたものである
が、レーザ励起領域に湾曲した活性層を用いる必要があ
る。ところが、通常の液相エピタキシャル成長法ではＧ
ａ溶液の飽和度や成長炉内。温度分布等の関係でその湾
曲度を一定に制御することが非常に困難であるという欠
点を有している。また、レーザ励起部に湾曲した活性層
を用いていることよシ高出力動作時に光密度が上昇し、
これは劣化を誘発する要因として作用する。
〈問題点を解決するだめの手段〉
本発明は、上述の問題点を解決するため、ＶＳＩＳレー
ザを基本とする内部ヌトライプ構造半導体レーザ素子に
おいて、レーザ発振に関与する主ストライプ状溝の両側
に並設してこの主ストライプ状溝のヌトライプ幅よりも
広い副ストライプ状溝を形成し、これら２種のストライ
プ状溝の形成された基板上に成長されたレーザ発振用共
振器の端面近傍では主ストライプ状溝と副ストライプ状
溝との間隔が共振器中央部付近に比べて狭くなるように
設定し、液相エピタキシャル成長法を用いた場合でも基
板上に形成される活性層の共振器端面近傍で確実に安定
な窓機能を付与することのできる半導体レーザ素子を構
成したことを特徴とする。
ザを基本とする内部ヌトライプ構造半導体レーザ素子に
おいて、レーザ発振に関与する主ストライプ状溝の両側
に並設してこの主ストライプ状溝のヌトライプ幅よりも
広い副ストライプ状溝を形成し、これら２種のストライ
プ状溝の形成された基板上に成長されたレーザ発振用共
振器の端面近傍では主ストライプ状溝と副ストライプ状
溝との間隔が共振器中央部付近に比べて狭くなるように
設定し、液相エピタキシャル成長法を用いた場合でも基
板上に形成される活性層の共振器端面近傍で確実に安定
な窓機能を付与することのできる半導体レーザ素子を構
成したことを特徴とする。
また、発光に関与する主ストライプ状溝上の活性層の層
厚がレーザ共振方向に沿って共振器端面近傍では薄く、
内部の励起部では厚くなシ、これによって光導波路が形
成され、端面劣化要因のない窓形レーザ素子が得られる
。
厚がレーザ共振方向に沿って共振器端面近傍では薄く、
内部の励起部では厚くなシ、これによって光導波路が形
成され、端面劣化要因のない窓形レーザ素子が得られる
。
〈実施例〉
以下、本発明を図示する実施例によシ詳細に説明する。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の部
分切断斜視図である木実施例は半導体レーザ素子のレー
ザ共振器長が２５０μｍであシ、そのうち両共振端面か
ら共振器内方に向って２５μｍの窓領域、ｌａ、ｌｂと
これら窓領域１ａ、ｌｂに連結される共振器中央部のレ
ーザ励起領域２より成る。素子構造は、基板ＪＯ上に逆
導電型の電流阻止層１１が堆積され、この電流阻止層】
１の界面よりＶ字状の主ストライプ状溝２１と主ストラ
イプ状溝２】の左右に位置する副ストライプ状溝２２．
２３が設けられている。主ストライプ状溝２】は基板］
０よシミ流阻止層】１を溝に沿って除去し、電流通路を
形成するＶ字型チャンネル溝であり、副ヌトライプ状溝
２２．２３は窓領域ｌａ、ｌｂの配列間隔が狭い左右１
対の溝２２ａ。
分切断斜視図である木実施例は半導体レーザ素子のレー
ザ共振器長が２５０μｍであシ、そのうち両共振端面か
ら共振器内方に向って２５μｍの窓領域、ｌａ、ｌｂと
これら窓領域１ａ、ｌｂに連結される共振器中央部のレ
ーザ励起領域２より成る。素子構造は、基板ＪＯ上に逆
導電型の電流阻止層１１が堆積され、この電流阻止層】
１の界面よりＶ字状の主ストライプ状溝２１と主ストラ
イプ状溝２】の左右に位置する副ストライプ状溝２２．
２３が設けられている。主ストライプ状溝２】は基板］
０よシミ流阻止層】１を溝に沿って除去し、電流通路を
形成するＶ字型チャンネル溝であり、副ヌトライプ状溝
２２．２３は窓領域ｌａ、ｌｂの配列間隔が狭い左右１
対の溝２２ａ。
２２ｂ、２２ｃ、２２ｄと励起領域２の配列間隔が広い
左右】対の溝２３ａ、２３ｂで構成される。
左右】対の溝２３ａ、２３ｂで構成される。
これらの溝が形成された基板１０上にクラッド層１２が
堆積される。このクラッド層１２は主ストライプ状溝２
１直上では平坦であるが副ストライプ状溝２２．２３直
上では溝形状の影響を受けて凹陥成形されている。クラ
ッド層】２上にけレーザ発振用活性層】３が積層される
が、この活性層１３は下地のクラッド層１２の影響を受
けて副ストライプ状溝２２．２３の直上で湾曲され、他
の部分では平坦に形成される。活性Ｎ１３上にはダブル
へテロ接合を構成するためのもう一方のクラッド層１４
か積層され、この上にオーミックコンタクトを得るため
にキャップ層】５が積層される。
堆積される。このクラッド層１２は主ストライプ状溝２
１直上では平坦であるが副ストライプ状溝２２．２３直
上では溝形状の影響を受けて凹陥成形されている。クラ
ッド層】２上にけレーザ発振用活性層】３が積層される
が、この活性層１３は下地のクラッド層１２の影響を受
けて副ストライプ状溝２２．２３の直上で湾曲され、他
の部分では平坦に形成される。活性Ｎ１３上にはダブル
へテロ接合を構成するためのもう一方のクラッド層１４
か積層され、この上にオーミックコンタクトを得るため
にキャップ層】５が積層される。
以上によシレーザ動作用多層結晶構造が基板１゜上に積
層形成される。
層形成される。
上記構造において、活性Ｎ１３の主ストライプ状溝２１
直上は窓領域１ａ、ｌｂで層厚が薄く、励起領域２で層
厚が厚くなっておシ、窓領域１ａ。
直上は窓領域１ａ、ｌｂで層厚が薄く、励起領域２で層
厚が厚くなっておシ、窓領域１ａ。
】ｂの活性層】３でレーザ光の吸収の少ない窓機能が形
成されている。この窓領域１ａ、ｌｂと励起領域２の活
性層厚の差は、次の原因によって生ずる。即ち、窓領域
１ａ、ｌｂにある副ストライプ状溝２２ａ、２２ｂ、２
２ｃ、２２ｄと励起領域２にある副ヌトライプ状溝２３
ａ、２３ｂにおいて活性層２１が成長速度の速い湾曲成
長を起こしておシ、この結果成長融液中のＡｓがこの湾
曲成長部分に拡散集中する現象を起こす。これによって
主ストライプ状溝２１直上の活性層】３の成長が鈍化さ
れ遅くなる。また、その成長速度の鈍化の割合は、主ス
トライプ状溝２】と副ストライプ状溝２３の間隔に依存
し、間隔が狭くなる程成長速度が遅くなる。従っ−ｃ１
窓領域］ａ、１ｂでは活性層１３の成長が遅く、逆に励
起領域２では活性層】３の成長がこれよシ速ぐなり、結
果として得られる活性層１３の厚さに差が生じる。木実
雄側では窓領域１ａ、ＩｂＯ主ヌトライプ状溝２】と副
ストライプ状溝２２ ａ ＋ ２２ ｂ ＊ ２２
Ｃｌ２２ｄ間の間隔は１０μｍ、励起領域２での主スト
ライプ状溝２１と副ストライプ状溝２３ｄ、２３ｂ間の
間隔は３０μｍに設定した。この結果、主ストライプ状
溝２１直上の活性層Ｊ３を窓領域１ａ。
成されている。この窓領域１ａ、ｌｂと励起領域２の活
性層厚の差は、次の原因によって生ずる。即ち、窓領域
１ａ、ｌｂにある副ストライプ状溝２２ａ、２２ｂ、２
２ｃ、２２ｄと励起領域２にある副ヌトライプ状溝２３
ａ、２３ｂにおいて活性層２１が成長速度の速い湾曲成
長を起こしておシ、この結果成長融液中のＡｓがこの湾
曲成長部分に拡散集中する現象を起こす。これによって
主ストライプ状溝２１直上の活性層】３の成長が鈍化さ
れ遅くなる。また、その成長速度の鈍化の割合は、主ス
トライプ状溝２】と副ストライプ状溝２３の間隔に依存
し、間隔が狭くなる程成長速度が遅くなる。従っ−ｃ１
窓領域］ａ、１ｂでは活性層１３の成長が遅く、逆に励
起領域２では活性層】３の成長がこれよシ速ぐなり、結
果として得られる活性層１３の厚さに差が生じる。木実
雄側では窓領域１ａ、ＩｂＯ主ヌトライプ状溝２】と副
ストライプ状溝２２ ａ ＋ ２２ ｂ ＊ ２２
Ｃｌ２２ｄ間の間隔は１０μｍ、励起領域２での主スト
ライプ状溝２１と副ストライプ状溝２３ｄ、２３ｂ間の
間隔は３０μｍに設定した。この結果、主ストライプ状
溝２１直上の活性層Ｊ３を窓領域１ａ。
１ｂで励起領域２より薄く成長形成させることができた
。
。
以上の構成を有する半導体レーザ素子に電流を流すと、
窓領域１ａ、ｌｂでは励起領域２よシも活性層厚が薄い
ので注入電子は励起領域２より伝導帯の高いところまで
注入される。従って励起領域２で発振したレーザ光は窓
領域］ａ、］ｂにおいて吸収を受けず、いわゆるウィン
ドウ（窓形）レーザとなシ、高出力動作が可能となる。
窓領域１ａ、ｌｂでは励起領域２よシも活性層厚が薄い
ので注入電子は励起領域２より伝導帯の高いところまで
注入される。従って励起領域２で発振したレーザ光は窓
領域］ａ、］ｂにおいて吸収を受けず、いわゆるウィン
ドウ（窓形）レーザとなシ、高出力動作が可能となる。
次に第１図に示す半導体レーザ素子の製造方法について
第２図を参照しながら説明する。第２図（Ａ）に示す様
にｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板１０（Ｚｎドープ、キャリ
ア濃度］ Ｘ １０”ｃｌＩ１３ ）に後の工程で形成
される副ストライプ状溝と同じ位置に同じ形成或いはそ
れよりも大きい形状のストライプ加工溝２２ａ’、２２
ｂ’、２２ｃ’、２２ｄ’、２３ａ’。
第２図を参照しながら説明する。第２図（Ａ）に示す様
にｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板１０（Ｚｎドープ、キャリ
ア濃度］ Ｘ １０”ｃｌＩ１３ ）に後の工程で形成
される副ストライプ状溝と同じ位置に同じ形成或いはそ
れよりも大きい形状のストライプ加工溝２２ａ’、２２
ｂ’、２２ｃ’、２２ｄ’、２３ａ’。
２３ｂ′を形成する。この基板】０上に、液相エピタキ
シャル成長法を用いて第２図（Ｂ）に示す様に、ｎ型Ｇ
ａＡｓ（Ｔｅドープ、キャリア濃度６×］０′８ｃｌｒ
３）電流阻止層】１を、ストライプ加工溝２２ａ’、２
２ｂ’、２２ｃ’、２２ｄ’。
シャル成長法を用いて第２図（Ｂ）に示す様に、ｎ型Ｇ
ａＡｓ（Ｔｅドープ、キャリア濃度６×］０′８ｃｌｒ
３）電流阻止層】１を、ストライプ加工溝２２ａ’、２
２ｂ’、２２ｃ’、２２ｄ’。
２３ ａ’ ＋ ２３ ｂ ’が完全に埋設されかつ後
の工程で形成する主ストライプ状溝２１の位置での電流
阻止層】１の層厚が０．８μｍとなる様に、エビタキシ
ャμ成長させる。続いて、エツチングにより、第２図（
Ｃ）に示す様に幅８μ雇い深さ１．０μｍの副ストライ
プ状溝２２ａ、２２ｂ、２２ｃ。
の工程で形成する主ストライプ状溝２１の位置での電流
阻止層】１の層厚が０．８μｍとなる様に、エビタキシ
ャμ成長させる。続いて、エツチングにより、第２図（
Ｃ）に示す様に幅８μ雇い深さ１．０μｍの副ストライ
プ状溝２２ａ、２２ｂ、２２ｃ。
２２ｄ、２３ａ、２３ｂｅ電流阻止層１１表面よシ刻設
する。この溝加工はストライプ加工溝２２ａ’。
する。この溝加工はストライプ加工溝２２ａ’。
２２ｂ’、２２ｃ’、２２ｄ’、２３ａ’、２３ｂ’に
重畳して形成する。更に、幅３μｍ、深さ１．０μｍの
主ストライプ状溝２】を左右１対の副ヌトライプ状溝の
中間位置に刻設する。尚、主ストライプ状溝２】の位置
では電流阻止層】１の厚さは０．８μｍであり、エツチ
ングによって主ストライプ状溝２１はこの電流阻止層２
１を突き抜けることになシミ流通路が形成される。一方
、副ストライプ状溝を形成した位置では電流阻止層１１
の層厚が厚く電流通路は形成されず、この結果、電流は
主ストライプ状溝２１にのみ集中して流れ、有効な電流
狭窄を行なうことができる。
重畳して形成する。更に、幅３μｍ、深さ１．０μｍの
主ストライプ状溝２】を左右１対の副ヌトライプ状溝の
中間位置に刻設する。尚、主ストライプ状溝２】の位置
では電流阻止層】１の厚さは０．８μｍであり、エツチ
ングによって主ストライプ状溝２１はこの電流阻止層２
１を突き抜けることになシミ流通路が形成される。一方
、副ストライプ状溝を形成した位置では電流阻止層１１
の層厚が厚く電流通路は形成されず、この結果、電流は
主ストライプ状溝２１にのみ集中して流れ、有効な電流
狭窄を行なうことができる。
この後、再び液相エピタキシャル成長法によ択第２図（
Ｄ）に示す様にｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１２、ｐ−
ＧａＡｌＡｓ活性層１３、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッドＭ
】４、ｎ−ＧａＡｓキａｅｙプ層１５全１５成長し、ダ
ブルへテロ接合構造のレーザ動作用多層結晶を形成する
。この成長の際に、副ヌトライプ状溝で活性層１３が湾
曲する様に成長条件を選定することによシ、既に述べた
効果に基いて、主ストライプ状溝２】と副ストライプ状
溝２２．２３間の間隔の違いによシ、内部の励起領域２
での主ストライプ状溝２１上の活性層厚、を木実雄側で
は０．１０μｍ、同じく窓領域１ａ。
Ｄ）に示す様にｐ−ＧａＡｌＡｓクラッド層１２、ｐ−
ＧａＡｌＡｓ活性層１３、ｎ−ＧａＡｌＡｓクラッドＭ
】４、ｎ−ＧａＡｓキａｅｙプ層１５全１５成長し、ダ
ブルへテロ接合構造のレーザ動作用多層結晶を形成する
。この成長の際に、副ヌトライプ状溝で活性層１３が湾
曲する様に成長条件を選定することによシ、既に述べた
効果に基いて、主ストライプ状溝２】と副ストライプ状
溝２２．２３間の間隔の違いによシ、内部の励起領域２
での主ストライプ状溝２１上の活性層厚、を木実雄側で
は０．１０μｍ、同じく窓領域１ａ。
１ｂでの主ストライプ状溝２１直上の活性層厚を０．０
４μｍ程度に薄く成長させることができ、ウィンドウ（
窓形）半導体レーザ素子を作製することができる。この
素子は室温連続発振で最大２００ｍＷの出力を得ること
ができた。
４μｍ程度に薄く成長させることができ、ウィンドウ（
窓形）半導体レーザ素子を作製することができる。この
素子は室温連続発振で最大２００ｍＷの出力を得ること
ができた。
尚、上記実施例では、ｐ型ＧａＡｓ半導体基板を用いた
が、反対の導電型のものを用いて本良く、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、ＧａＡｌＡｓＳｂ系等にも適用することができる。
が、反対の導電型のものを用いて本良く、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ、ＧａＡｌＡｓＳｂ系等にも適用することができる。
〈発明の効果〉
以上詳説した如く、半導体レーザ端面近傍を光吸収のな
い窓領域とすることによシ室温連続発振で高出力動作を
可能とすることができ、また、発光に関与する主ストラ
イプ構造上の活性層に湾曲した部分が無くよシ一層の高
出力化並びに製作条件性の制御性が良好で製造歩留いの
向上が実現される。
い窓領域とすることによシ室温連続発振で高出力動作を
可能とすることができ、また、発光に関与する主ストラ
イプ構造上の活性層に湾曲した部分が無くよシ一層の高
出力化並びに製作条件性の制御性が良好で製造歩留いの
向上が実現される。
第１図は本発明の１実施例を示す半導体レーザ素子の部
分切断斜視図である。第２図は、第１図に示す半導体レ
ーザ素子の製造工程図である。 Ｉａ、’Ｉｂ・・窓領域 ２・・・励起領域 １０−ｐ型ＧａＡｓ基板 】】・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層 １２・・ｐ型ＧａＡｓＡｓクラッド層 １３−ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ、 ｓ活性層Ｊ４・・・
ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１５・・・ｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層 ２１・・・主ストライプ状溝 ２２ ａ 、 ２２ ｂ 、 ２２ ｃ 、 ２２ ｄ
−窓領域の副ストライプ状溝 ２３ａ、２３ｂ・・・励起領域の副ストライプ状溝代理
人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図
分切断斜視図である。第２図は、第１図に示す半導体レ
ーザ素子の製造工程図である。 Ｉａ、’Ｉｂ・・窓領域 ２・・・励起領域 １０−ｐ型ＧａＡｓ基板 】】・・・ｎ型ＧａＡｓ電流阻止層 １２・・ｐ型ＧａＡｓＡｓクラッド層 １３−ｐ型Ｇ ａ Ａ Ｉ Ａ、 ｓ活性層Ｊ４・・・
ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層１５・・・ｎ型ＧａＡｓキ
ャップ層 ２１・・・主ストライプ状溝 ２２ ａ 、 ２２ ｂ 、 ２２ ｃ 、 ２２ ｄ
−窓領域の副ストライプ状溝 ２３ａ、２３ｂ・・・励起領域の副ストライプ状溝代理
人 弁理士 福 士 愛 彦（他２名）第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に形成した第１のストライプ状溝の両側に、
該第１のストライプ状溝のストライプ幅よりも幅の広い
第２及び第３のストライプ状溝が並設され、前記基板上
に成長されたレーザ発振用活性層に形成される共振器の
両端面近傍では前記第１のストライプ状溝と前記第２及
び第３のストライプ状溝の間隔が前記共振器の中央部に
比べて狭く設定され、前記第１のストライプ状溝で電流
通路が開通されるとともに前記第２及び第３のストライ
プ状溝では直上の前記活性層が下方へ湾曲されて前記共
振器の両端面近傍では前記活性層が薄く中央部ではそれ
より厚く形成されていることを特徴とする半導体レーザ
素子。 ２、共振器の両端面近傍の活性層を光導波路として働く
窓領域とした特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040085A JPS61247086A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体レ−ザ素子 |
| DE86303044T DE3688943T2 (de) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Halbleiterlaservorrichtung. |
| US06/854,627 US4819245A (en) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | Semiconductor laser device having substriped channels for forming an active layer which is thin in an inside portion |
| EP86303044A EP0199588B1 (en) | 1985-04-23 | 1986-04-22 | A semiconductor laser device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9040085A JPS61247086A (ja) | 1985-04-24 | 1985-04-24 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61247086A true JPS61247086A (ja) | 1986-11-04 |
| JPH0315830B2 JPH0315830B2 (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=13997535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9040085A Granted JPS61247086A (ja) | 1985-04-23 | 1985-04-24 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61247086A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117483A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60789A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6037191A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-26 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
-
1985
- 1985-04-24 JP JP9040085A patent/JPS61247086A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60789A (ja) * | 1983-06-16 | 1985-01-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6037191A (ja) * | 1983-08-09 | 1985-02-26 | Nec Corp | 半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63117483A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-21 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| JPH0531835B2 (ja) * | 1986-11-06 | 1993-05-13 | Sharp Kk |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0315830B2 (ja) | 1991-03-04 |
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| JPS60789A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
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