JPS61244062A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
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- JPS61244062A JPS61244062A JP60084425A JP8442585A JPS61244062A JP S61244062 A JPS61244062 A JP S61244062A JP 60084425 A JP60084425 A JP 60084425A JP 8442585 A JP8442585 A JP 8442585A JP S61244062 A JPS61244062 A JP S61244062A
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- 238000010408 sweeping Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 31
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 108091006146 Channels Proteins 0.000 description 9
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 101000694017 Homo sapiens Sodium channel protein type 5 subunit alpha Proteins 0.000 description 1
- 241000287531 Psittacidae Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N [Si].[Pt] Chemical compound [Si].[Pt] XRZCZVQJHOCRCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14887—Blooming suppression
Landscapes
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、２種類以上の異なった感知波長領域をもつ感
光部を有する固体撮像装置の余剰電荷掃き出しドレイン
に関する。
光部を有する固体撮像装置の余剰電荷掃き出しドレイン
に関する。
２種類以上の異なる感光波長領域をもつ感光部を有する
固体撮像装置においては、各波長領域ごとに光のエネル
ギーも，感光部の光電変換効率も異なるため、各波長領
域についての信号電荷量が異なる。
固体撮像装置においては、各波長領域ごとに光のエネル
ギーも，感光部の光電変換効率も異なるため、各波長領
域についての信号電荷量が異なる。
２種類以上の異なる感光波長領域をもつ感光部を有する
固体撮像装置の１列を第５図に示す。信号電荷読み出し
部には、インターライン転送ＣＯＤ（ｌｌ）を用いてお
シ，単位画素はφｌ．φ２あるいはφ３，φ４なる２つ
の転送ゲートを有する．第５図の構造では，２種類の波
長領域についての信号電荷は，各々φｌ，φ２（あるい
はφ３，φりの転送ゲート電極（ ５＊） − （ ５
！） ｌこ正パルス電圧を印加することで感光領域から
垂［ＣＣＤチャネルロ＋ＩＩ（２）へ転送され読み出さ
れる．このとき信号電荷の垂直ＣＯＤチャネルロ＋層｛
２｝内での転送はこの転送電極と，これに隣接して連続
して形成した転送電極に４相の負クロックパルスφｌ〜
φ４を印加して行なう。
固体撮像装置の１列を第５図に示す。信号電荷読み出し
部には、インターライン転送ＣＯＤ（ｌｌ）を用いてお
シ，単位画素はφｌ．φ２あるいはφ３，φ４なる２つ
の転送ゲートを有する．第５図の構造では，２種類の波
長領域についての信号電荷は，各々φｌ，φ２（あるい
はφ３，φりの転送ゲート電極（ ５＊） − （ ５
！） ｌこ正パルス電圧を印加することで感光領域から
垂［ＣＣＤチャネルロ＋ＩＩ（２）へ転送され読み出さ
れる．このとき信号電荷の垂直ＣＯＤチャネルロ＋層｛
２｝内での転送はこの転送電極と，これに隣接して連続
して形成した転送電極に４相の負クロックパルスφｌ〜
φ４を印加して行なう。
ところで、第５図の構造においでは、取り扱える最大の
電荷量は垂直ＣＯＤチャネルｎ＋ｌｉｉ（２）によシ制
限されるが、前述したように、波長領域ごとに感光部で
生成される信号電荷量は異なる。
電荷量は垂直ＣＯＤチャネルｎ＋ｌｉｉ（２）によシ制
限されるが、前述したように、波長領域ごとに感光部で
生成される信号電荷量は異なる。
たとえば、２つの波長領域λ１．λ、における信号電荷
Ｑ、 、 Ｑ、を交互ｌこ読み出す場合各感光部の蓄積
時間は同じであるので、Ｑ、＞＞鵡となることが考えら
れる。このとき垂直ＣＯＤチャネルｎ十層（２）で取シ
扱える最大の電荷量Ｑ ｍａｘ ｔ Ｑ！に合わせて設
定すればＱ、は垂直ＣＯＤチャネル内にあふれ出しブル
ーミングを起こすし、逆にＱ ｍａｘを９重に合わせて
設定すればＱ 意（Ｑ ｍａｘとな夛、垂直ＣＯＤにお
ける転送効率は著し、＜・低下し、さらにＳ／Ｎの低下
にもつながる。
Ｑ、 、 Ｑ、を交互ｌこ読み出す場合各感光部の蓄積
時間は同じであるので、Ｑ、＞＞鵡となることが考えら
れる。このとき垂直ＣＯＤチャネルｎ十層（２）で取シ
扱える最大の電荷量Ｑ ｍａｘ ｔ Ｑ！に合わせて設
定すればＱ、は垂直ＣＯＤチャネル内にあふれ出しブル
ーミングを起こすし、逆にＱ ｍａｘを９重に合わせて
設定すればＱ 意（Ｑ ｍａｘとな夛、垂直ＣＯＤにお
ける転送効率は著し、＜・低下し、さらにＳ／Ｎの低下
にもつながる。
また２８ｍ類以上の波長領域のうち、その一方のみの画
儂を得るためにはたとえば、φ１にのみ正パルス電圧を
印加しφ２には正パルスを印加しない方法があるが、そ
のときφ２に隣接する感光部Ｒ１では信号電荷Ｑ、が蓄
積し続けることになり、信号電荷Ｑ！が垂直ＣＯＤチャ
ネル０十層（２）にあふれ出すことも考えられる。
儂を得るためにはたとえば、φ１にのみ正パルス電圧を
印加しφ２には正パルスを印加しない方法があるが、そ
のときφ２に隣接する感光部Ｒ１では信号電荷Ｑ、が蓄
積し続けることになり、信号電荷Ｑ！が垂直ＣＯＤチャ
ネル０十層（２）にあふれ出すことも考えられる。
本発明は２種類以上の異なった感知波長領域をもつ感光
部を有する固体撮像装置において、波長領域による撮像
特性の差異がなくすべて波長領域において良好な撮像特
性を持つ固体撮像装置を提供することを目的とする。
部を有する固体撮像装置において、波長領域による撮像
特性の差異がなくすべて波長領域において良好な撮像特
性を持つ固体撮像装置を提供することを目的とする。
本発明は２種類以上の異なった感知波長領域をもつ感光
部を有する固体撮像装置において、各波長帯ごとの感光
部に隣接して余剰電荷掃き出しドレインを設け、また、
各波長帯ごとの感光部と。
部を有する固体撮像装置において、各波長帯ごとの感光
部に隣接して余剰電荷掃き出しドレインを設け、また、
各波長帯ごとの感光部と。
これに隣接する余剰電荷掃き出しドレインとの間に、電
荷掃き出し制御ゲートを設けることで各波長帯ごとの感
光部の蓄積時間を制御することを特徴とする。
荷掃き出し制御ゲートを設けることで各波長帯ごとの感
光部の蓄積時間を制御することを特徴とする。
本発明によれば２種類以上の異なった感知波長領域をも
つ感光部を有する固体撮像装置において、各波長帯にお
ける撮像特性に差異がなくすべての波長領域において良
好な撮像特性を持つ固体撮像装置を得ることができる。
つ感光部を有する固体撮像装置において、各波長帯にお
ける撮像特性に差異がなくすべての波長領域において良
好な撮像特性を持つ固体撮像装置を得ることができる。
本発明の実施例を第１図に示す。従来構造の一例である
第５図に対して、蓄積電荷掃き出し制御ゲー ト （Ｉ
ｎｔｅｇｒａｌ Ｃ１ｅａｒ Ｇａｔｅ ：
ＩＣＧ）ＩＣＧＩＣＬ２１・）。
第５図に対して、蓄積電荷掃き出し制御ゲー ト （Ｉ
ｎｔｅｇｒａｌ Ｃ１ｅａｒ Ｇａｔｅ ：
ＩＣＧ）ＩＣＧＩＣＬ２１・）。
Ｉ與２（１２船よび蓄積電荷掃き出しドレイン（Ｉｎｔ
ｅｇｒａｌＣ１ｅ＋ｓｒ Ｄｒａｉｎ Ｉ ＣＤ ）
（１３） ｔ−２種類の感光領域に隣接して設けた構造
となりている。第１図、第４図。
ｅｇｒａｌＣ１ｅ＋ｓｒ Ｄｒａｉｎ Ｉ ＣＤ ）
（１３） ｔ−２種類の感光領域に隣接して設けた構造
となりている。第１図、第４図。
第５図いずれも（ａ）は垂直ＣＯＤの転送方向に沿う２
画素部分の平面図、（ｂ） （Ｃ）は各（ａ）のＡ−Ａ
’、Ｂ−Ｂ’断面図である。
画素部分の平面図、（ｂ） （Ｃ）は各（ａ）のＡ−Ａ
’、Ｂ−Ｂ’断面図である。
第１図に示した実施列では可視光領域と赤外光領域の２
種類の波長領域の撮像を行なうものとする。以下、第１
図の実施例を製造工程に沿って説明する。ｐ型半導体基
板（１）上に信号電荷を読み出すための垂直ＣＯＤチャ
ネルｎ＋層（２）と可視光に感度のある第１の感光部で
あるＰＮ接合のためのｎ ” ｉｔ （Ｌｏｌ）および
蓄積電荷を掃き出すためのＩＣＤｎ±ｔ １ （１３）
？形成した後筒２の感光部として赤外光に感度のある
たとえば白金−シリコン（ｐｔ−８ｉ）ショットキーダ
イオード（３）（以後Ｐｔ−８ｉダイオードと呼ぶ）を
形成する。そしてこの半導体基板上に、ゲート絶縁膜（
４）を介してｍ厘ＣＯＤの転送ゲート電極（５ｓ） （
５ｇ）および蓄積電荷の掃き出しを制御するためのＩＣ
Ｇ電極（１２ｔ ） （１２ｍ ）を形成する。
種類の波長領域の撮像を行なうものとする。以下、第１
図の実施例を製造工程に沿って説明する。ｐ型半導体基
板（１）上に信号電荷を読み出すための垂直ＣＯＤチャ
ネルｎ＋層（２）と可視光に感度のある第１の感光部で
あるＰＮ接合のためのｎ ” ｉｔ （Ｌｏｌ）および
蓄積電荷を掃き出すためのＩＣＤｎ±ｔ １ （１３）
？形成した後筒２の感光部として赤外光に感度のある
たとえば白金−シリコン（ｐｔ−８ｉ）ショットキーダ
イオード（３）（以後Ｐｔ−８ｉダイオードと呼ぶ）を
形成する。そしてこの半導体基板上に、ゲート絶縁膜（
４）を介してｍ厘ＣＯＤの転送ゲート電極（５ｓ） （
５ｇ）および蓄積電荷の掃き出しを制御するためのＩＣ
Ｇ電極（１２ｔ ） （１２ｍ ）を形成する。
こうして可視光領域と赤外光領域の撮像が可能な固体撮
像装置がＩＣＧとＩＣＤ＝＜設けた形で構成される。
像装置がＩＣＧとＩＣＤ＝＜設けた形で構成される。
次に、第１図に示した固体撮像装置の駆動方法の一例に
ついて第２図を用いて説明する。！１２ＦＪＡの便宜上
第１図（ａ）の構成図を第２図（ａ）のように書く。
ついて第２図を用いて説明する。！１２ＦＪＡの便宜上
第１図（ａ）の構成図を第２図（ａ）のように書く。
赤外光感光セルのＰｔ−８ｉダイオードｔ’Ｒｘ−Ｒ８
として可視光感光セルのシリコンＰＮ接合をＶ、、Ｖ、
と示す。そして前述したようにφｌとφ３に正パルス電
圧を印加すると可視光信号をＶ。
として可視光感光セルのシリコンＰＮ接合をＶ、、Ｖ、
と示す。そして前述したようにφｌとφ３に正パルス電
圧を印加すると可視光信号をＶ。
とｖ冨から読み出すことができ、φ２とφ４に正パルス
電圧を印加すると赤外光信号をＲ，、Ｒ。
電圧を印加すると赤外光信号をＲ，、Ｒ。
から読み出すことができる。ここで、このよう−な構成
を複数個２次元的に配置して２次元固体撮像装置では１
フレ一ム画像ｔ−２フィールドよシ構成する撮像方式を
採用した場合、第２図（ｂ）に示すように、Ａフィール
ドから可視光信号Ｓｖだけを、Ｂフィールドからは赤外
光信号ＳＲだけを読み出すことができる。
を複数個２次元的に配置して２次元固体撮像装置では１
フレ一ム画像ｔ−２フィールドよシ構成する撮像方式を
採用した場合、第２図（ｂ）に示すように、Ａフィール
ドから可視光信号Ｓｖだけを、Ｂフィールドからは赤外
光信号ＳＲだけを読み出すことができる。
このとき、赤外光感光セルＲ，，，Ｒ，の蓄積時間ＴＲ
，と、可視光感光セルＶ、、Ｖ、の蓄積時間Ｔｖはいず
れもｌフレーム期間であシ、すなわち置＝Ｔｖとなって
いる。しかし前述のとおりＴＲ。
，と、可視光感光セルＶ、、Ｖ、の蓄積時間Ｔｖはいず
れもｌフレーム期間であシ、すなわち置＝Ｔｖとなって
いる。しかし前述のとおりＴＲ。
ｓｍＴｖの条件では赤外光のエネルギーが可視光のエネ
ルギーより低いこと、および赤外光感光セルの量子収率
が可視光感光セルの量子効率よシ低いことから一般にＳ
Ｒ（Ｓｖ となってしまう。したがってブルーミング防
止のために重置ＣＯＤチャネルｎ”ｌにおける取）扱い
最大信号電荷量Ｓ ｍａｘ ） Ｓｙ という条件で固
体撮像装置は設計される。しかしながら、 ８ ｍａｘ
）） ８Ｂ、なる条件で赤外光信号ＳＲを読み出す
ことは垂直ＣＯＤにおける転送効率の低下、およびＳ／
Ｎｉ低下を招くことになｐ１可視光の撮像特性と赤外光
の撮像特性の間に著しい差異をもたらす。
ルギーより低いこと、および赤外光感光セルの量子収率
が可視光感光セルの量子効率よシ低いことから一般にＳ
Ｒ（Ｓｖ となってしまう。したがってブルーミング防
止のために重置ＣＯＤチャネルｎ”ｌにおける取）扱い
最大信号電荷量Ｓ ｍａｘ ） Ｓｙ という条件で固
体撮像装置は設計される。しかしながら、 ８ ｍａｘ
）） ８Ｂ、なる条件で赤外光信号ＳＲを読み出す
ことは垂直ＣＯＤにおける転送効率の低下、およびＳ／
Ｎｉ低下を招くことになｐ１可視光の撮像特性と赤外光
の撮像特性の間に著しい差異をもたらす。
そこで、固体撮像装置の設計において赤外光信号８Ｂ、
の読み出しが良好に行なわれる条件で設計を行ない、可
視光信号Ｓｖの量を８ ｖ ：８ Ｂとなるように制御
すれば、波長帯によらず良好な撮像特性を得ることがで
きる。具体的にはＩＣＧとＩＣＤを用いて、可視光感光
セルの蓄積時間を制御すれば良い、蓄積時間の制御方法
を第３図によ〕説明する。第３図（１ｍ）（ｂ）はφｌ
とφ２にかかるパルス電圧であるが、ＩＣＧによる蓄積
時間の制御を行なわない場合、可視光感光セルの蓄積時
間Ｔｖと赤外光感光セルの蓄積時間ＴＢはいずれもほぼ
１フレ一ム期間Ｔ０に等しく、Ｔｖ−ＴＢたＴＯである
・−力筒３図（ｃ）に示すようにＩＣＧＩに印加する電
圧を制御して可視光感光セルから垂ＩＣＣＤへ可視光信
号Ｓｖを伝送するための正パルス電圧がＯＦＦとなりた
ときから、Ｔｅｌなる期間、可視光感光セルに隣接する
ＩＣＧＩに正パルス電圧を印加した場合、Ｔｃ、なる期
間、光電変換で生゛じた可視光信号Ｓｖは、ＩＣＤへ掃
き出され、蓄積時間Ｔ’ｖｍＴｖ−Ｔｅｌとな〕従がり
て可視光信号量は８’ｖ−８ｖ串（Ｔｖ−Ｔｃｌ ）／
Ｔｖ となる。こ（ＤＴｃｌの値を適当に設定するこ
とでＳ′ｖ＃ＳＲとすることが可能となる。
の読み出しが良好に行なわれる条件で設計を行ない、可
視光信号Ｓｖの量を８ ｖ ：８ Ｂとなるように制御
すれば、波長帯によらず良好な撮像特性を得ることがで
きる。具体的にはＩＣＧとＩＣＤを用いて、可視光感光
セルの蓄積時間を制御すれば良い、蓄積時間の制御方法
を第３図によ〕説明する。第３図（１ｍ）（ｂ）はφｌ
とφ２にかかるパルス電圧であるが、ＩＣＧによる蓄積
時間の制御を行なわない場合、可視光感光セルの蓄積時
間Ｔｖと赤外光感光セルの蓄積時間ＴＢはいずれもほぼ
１フレ一ム期間Ｔ０に等しく、Ｔｖ−ＴＢたＴＯである
・−力筒３図（ｃ）に示すようにＩＣＧＩに印加する電
圧を制御して可視光感光セルから垂ＩＣＣＤへ可視光信
号Ｓｖを伝送するための正パルス電圧がＯＦＦとなりた
ときから、Ｔｅｌなる期間、可視光感光セルに隣接する
ＩＣＧＩに正パルス電圧を印加した場合、Ｔｃ、なる期
間、光電変換で生゛じた可視光信号Ｓｖは、ＩＣＤへ掃
き出され、蓄積時間Ｔ’ｖｍＴｖ−Ｔｅｌとな〕従がり
て可視光信号量は８’ｖ−８ｖ串（Ｔｖ−Ｔｃｌ ）／
Ｔｖ となる。こ（ＤＴｃｌの値を適当に設定するこ
とでＳ′ｖ＃ＳＲとすることが可能となる。
蓄積時間制御を行なった時の信号電荷読み出しの状態を
第２図（ｃ）に示す。
第２図（ｃ）に示す。
また撮像条件によりては逆ｌこＳＲ，〉Ｓｖとなる事も
考えられるが、その場合にも第３図ｆｄ）に示すように
ＩＣＧ２に印加する電圧によって赤外光感光セルの蓄積
時間を制御することで８’Ｒ，−８Ｒ，（ＴＢ−Ｔ ｃ
鵞） ／Ｔ Ｒ〜８ｖとすることが出来る・このとき
、ＩＣＤには第３図（ｅ）に示すように正の電圧が印加
されている。
考えられるが、その場合にも第３図ｆｄ）に示すように
ＩＣＧ２に印加する電圧によって赤外光感光セルの蓄積
時間を制御することで８’Ｒ，−８Ｒ，（ＴＢ−Ｔ ｃ
鵞） ／Ｔ Ｒ〜８ｖとすることが出来る・このとき
、ＩＣＤには第３図（ｅ）に示すように正の電圧が印加
されている。
以上説明したとりゃ、本発明の提供する固体撮像装置に
よれば可視光信号Ｓｖと赤外光信号ＳＢ。
よれば可視光信号Ｓｖと赤外光信号ＳＢ。
の間の信号電荷量の著しい差異を除去し、読み出し用垂
直ＣＯＤを効率良く使用することで可視光。
直ＣＯＤを効率良く使用することで可視光。
赤外光のいずれにおいても良好な撮像特性を得ることが
出来る。
出来る。
また、可視光像のみの撮像あるいは赤外光像のみの現像
を行なう必要が生じた場合はＩＣＧ１あるいはＩＣＧ２
のいずれかを常にＯＮの状態として８ｖあるいはＳＲ，
ｔ−すべてＩＣＤに掃き出し、φｌ。
を行なう必要が生じた場合はＩＣＧ１あるいはＩＣＧ２
のいずれかを常にＯＮの状態として８ｖあるいはＳＲ，
ｔ−すべてＩＣＤに掃き出し、φｌ。
φ３あるいはφ２．φ４にのみ正のパルス電圧を印加す
れば良い。
れば良い。
さらに、ＩＣＧＩに正パルス電圧が印加される期間Ｔｃ
ｌと、ＩＣＧ２）こ正パルス電圧が印加される期間ＴＣ
！の両方を制御することで赤外光信号８Ｂ、と可視光信
号８ｖの両方を制御することも可能である。従がって、
固体撮像装置に隣接しであるいは固体撮像装置内に入射
光量を検知する光量検知部を設け、光量検知部の出力に
応じてＴｅ１Ｔｃ、を制御し、自動感度調節機能を持た
せることも可能である。
ｌと、ＩＣＧ２）こ正パルス電圧が印加される期間ＴＣ
！の両方を制御することで赤外光信号８Ｂ、と可視光信
号８ｖの両方を制御することも可能である。従がって、
固体撮像装置に隣接しであるいは固体撮像装置内に入射
光量を検知する光量検知部を設け、光量検知部の出力に
応じてＴｅ１Ｔｃ、を制御し、自動感度調節機能を持た
せることも可能である。
以上の実施例では可視光感知領域と赤外光感知領域が、
同一平面上に形成した固体撮像装置について説明してき
たが、たとえば第４図に示すように積層構造の複数波長
帯撮像デバイスにおいても、本発明の構造を適用するこ
とが可能である。
同一平面上に形成した固体撮像装置について説明してき
たが、たとえば第４図に示すように積層構造の複数波長
帯撮像デバイスにおいても、本発明の構造を適用するこ
とが可能である。
また以上の実施例では可視光と赤外光の２１！！類の波
長領域のみを撮像する場合について説明してきたが同様
の方法によフ２種類以上の波長領域を撮像する場合にも
適用可能である。
長領域のみを撮像する場合について説明してきたが同様
の方法によフ２種類以上の波長領域を撮像する場合にも
適用可能である。
第１図は本発明の一実施例における感光セルの構造を説
明するための図、第２図はその信号読み出し法の一例を
説明するための図、第３図は信号読み出し時に各ゲート
に印加するパルス電圧とそのタイミングを説明する図、
第４図は本発明を積ＩＩＩＩＩ造固体撮像装置に適用し
た一実施例における感光セルの構造を説明するための図
、第５図は従来の複数波長帯撮像デバイスにおける感光
セルの構造の一例を示す図である。 図において、 ｌ・・・ｐ槃半導体基板、２・−ｎ＋１（垂［ＣＣＤチ
ャネル）、３・・・Ｐｔ−８４ダイオード、４．６・・
・絶縁１１− ５ｔ−５ｍ・・・転送ゲート電極、７・
・・画素電極、８・・・光導電膜、９・・・透明１他、
１０．・・・１十ＩＩ（フォトダイオード）、ｌＯ鵞・
・・ｎ”ｆｌ（蓄積ダイオード）、１１・・・垂［Ｃ０
Ｄ（信号電荷読み出し部）、１２ｓ ＃ １２１・−蓄
積電荷掃き出し制御ゲート、１３・・・口 Ｉｗ（蓄
積電荷掃き出しドレイン）。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（他１名）Ｗず 第１図 第２図 第４図 第５図
明するための図、第２図はその信号読み出し法の一例を
説明するための図、第３図は信号読み出し時に各ゲート
に印加するパルス電圧とそのタイミングを説明する図、
第４図は本発明を積ＩＩＩＩＩ造固体撮像装置に適用し
た一実施例における感光セルの構造を説明するための図
、第５図は従来の複数波長帯撮像デバイスにおける感光
セルの構造の一例を示す図である。 図において、 ｌ・・・ｐ槃半導体基板、２・−ｎ＋１（垂［ＣＣＤチ
ャネル）、３・・・Ｐｔ−８４ダイオード、４．６・・
・絶縁１１− ５ｔ−５ｍ・・・転送ゲート電極、７・
・・画素電極、８・・・光導電膜、９・・・透明１他、
１０．・・・１十ＩＩ（フォトダイオード）、ｌＯ鵞・
・・ｎ”ｆｌ（蓄積ダイオード）、１１・・・垂［Ｃ０
Ｄ（信号電荷読み出し部）、１２ｓ ＃ １２１・−蓄
積電荷掃き出し制御ゲート、１３・・・口 Ｉｗ（蓄
積電荷掃き出しドレイン）。 代理人弁理士 則 近 憲 佑（他１名）Ｗず 第１図 第２図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）２種類以上の異なった感知波長領域をもつ感光部
を有する固体撮像装置において、各波長帯ごとの感光部
に隣接した余剰電荷掃き出しドレインを設けたことを特
徴とする固体撮像装置。 - （２）各波長帯ごとの感光部と、各波長帯ごとの感光部
に隣接する余剰電荷掃き出しドレインとの間に、電荷掃
き出し制御ゲートを設けたことを特徴とする前記特許請
求の範囲第１項記載の固体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084425A JPS61244062A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60084425A JPS61244062A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61244062A true JPS61244062A (ja) | 1986-10-30 |
Family
ID=13830226
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60084425A Pending JPS61244062A (ja) | 1985-04-22 | 1985-04-22 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61244062A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0574612A2 (en) * | 1992-06-18 | 1993-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Linear image sensor |
| EP0605898A1 (en) * | 1993-01-01 | 1994-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device |
-
1985
- 1985-04-22 JP JP60084425A patent/JPS61244062A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0574612A2 (en) * | 1992-06-18 | 1993-12-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Linear image sensor |
| EP0574612A3 (en) * | 1992-06-18 | 1994-05-11 | Mitsubishi Electric Corp | Linear image sensor |
| US5483282A (en) * | 1992-06-18 | 1996-01-09 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method for driving a linear image sensor |
| EP0605898A1 (en) * | 1993-01-01 | 1994-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device |
| US5453611A (en) * | 1993-01-01 | 1995-09-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device with a plurality of photoelectric conversion elements on a common semiconductor chip |
| EP0809298A1 (en) * | 1993-01-01 | 1997-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device |
| US5801373A (en) * | 1993-01-01 | 1998-09-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Solid-state image pickup device having a plurality of photoelectric conversion elements on a common substrate |
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