JPS61241925A - 電極の形成方法 - Google Patents
電極の形成方法Info
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- JPS61241925A JPS61241925A JP60082868A JP8286885A JPS61241925A JP S61241925 A JPS61241925 A JP S61241925A JP 60082868 A JP60082868 A JP 60082868A JP 8286885 A JP8286885 A JP 8286885A JP S61241925 A JPS61241925 A JP S61241925A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
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- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
この発明は薄膜Ｘ Ｌ （Ｘ１ｅｃｔｒｏ −Ｌｕｍｉ
ｎｅｇａ＠ｎｃｅ ）素子などの電極形成方法に関し、
特に微細に分割された多数の電極をリフトオフ法を用い
て形成する方法に関する。
ｎｅｇａ＠ｎｃｅ ）素子などの電極形成方法に関し、
特に微細に分割された多数の電極をリフトオフ法を用い
て形成する方法に関する。
従来の技術
たとえば、従来よりミ場発光蛍光体を用いた固体映像表
示装置としては、Ｘ−Ｙマトリックス表示装置が知られ
ている。この装置は電場発光層の両面に水平平行電極群
と垂直平行電極群とを互いに直交するように配置し、そ
れぞれの電極群に接続された給電線により切換装置を通
して信号を加えて両電極の交点部分の電場発光層（以下
、ＫＬ発光層と略称する。）ｔ−発光させ（この交点の
発光部分面を絵素と称する。）、発光絵素の組合せによ
って文字記号１図形等を表示させるものである。ここで
用いられる固体映像表示板は、通常ガラスなどの透光性
基板上に透明平行電極群を形成し、その上にＫＬ発光層
および発光制御層を順次積層し、さらにその上に背面平
行電極群を下層の透明平行電極群に直交する配置で積層
して形成する。各電極群には給電線への接続のために引
出し端子が設けられている。一般に透明平行電極群とし
ては平滑なガラス基板上に酸化錫を被着するなどにより
形成される。これに直交し、対向する背面平行電極群と
してはアルミ斤つムが真空蒸着などにより形成される。
示装置としては、Ｘ−Ｙマトリックス表示装置が知られ
ている。この装置は電場発光層の両面に水平平行電極群
と垂直平行電極群とを互いに直交するように配置し、そ
れぞれの電極群に接続された給電線により切換装置を通
して信号を加えて両電極の交点部分の電場発光層（以下
、ＫＬ発光層と略称する。）ｔ−発光させ（この交点の
発光部分面を絵素と称する。）、発光絵素の組合せによ
って文字記号１図形等を表示させるものである。ここで
用いられる固体映像表示板は、通常ガラスなどの透光性
基板上に透明平行電極群を形成し、その上にＫＬ発光層
および発光制御層を順次積層し、さらにその上に背面平
行電極群を下層の透明平行電極群に直交する配置で積層
して形成する。各電極群には給電線への接続のために引
出し端子が設けられている。一般に透明平行電極群とし
ては平滑なガラス基板上に酸化錫を被着するなどにより
形成される。これに直交し、対向する背面平行電極群と
してはアルミ斤つムが真空蒸着などにより形成される。
この背面平行電極のノ々ターン形成には従来メタルマス
ク法が最も簡単な方法として用いられてきたが、このメ
タルマスク法はＩＥＬパネルの電極などのようにパター
ンが大面積化、微細化した場合にはマスクの加工精度や
マスクと基板との密着性などの問題で限界があった。
ク法が最も簡単な方法として用いられてきたが、このメ
タルマスク法はＩＥＬパネルの電極などのようにパター
ンが大面積化、微細化した場合にはマスクの加工精度や
マスクと基板との密着性などの問題で限界があった。
発明が解決しようとする問題点
前述のような欠点を改善する方法として、メタルマスク
を用いない電極パターンの形成法が考案されておシ、主
なものとしてはケミカルエッチ法とリフトオフ法がある
。ケミカルエッチ法は、まず基板全面に電極膜を形成し
、その後でホトレジストを塗布して電極のパターンを露
光し不要部をケミカルにエツチングして除去するもので
ある。
を用いない電極パターンの形成法が考案されておシ、主
なものとしてはケミカルエッチ法とリフトオフ法がある
。ケミカルエッチ法は、まず基板全面に電極膜を形成し
、その後でホトレジストを塗布して電極のパターンを露
光し不要部をケミカルにエツチングして除去するもので
ある。
したがって電極膜を真空蒸着にて形成するときに基板温
度を十分高くすることができ、低抵抗で付着力の大きい
電極の形成が可能であるが、膜のピンホール等の欠陥が
あると他の構成膜もエツチングしてしまうという欠点が
あった。リフトオフ法かじめホトレジストにて形成して
おき、しかる後に電極膜を全面形成し、その後不要部と
ホトレジストヲ除去するものである。この場合は膜のピ
ンホール等の欠陥とは無関係に電極のパターン形成がで
きるが、真空蒸着にて電極を形成する場合、ホトレジス
トの耐熱温度（通常１００℃以下）以上に基板温度を高
くするとＶシスト膜の変形や硬化が発生しパターンが乱
詐る。したがって電極膜の付着力や抵抗値の点で問題が
あった。
度を十分高くすることができ、低抵抗で付着力の大きい
電極の形成が可能であるが、膜のピンホール等の欠陥が
あると他の構成膜もエツチングしてしまうという欠点が
あった。リフトオフ法かじめホトレジストにて形成して
おき、しかる後に電極膜を全面形成し、その後不要部と
ホトレジストヲ除去するものである。この場合は膜のピ
ンホール等の欠陥とは無関係に電極のパターン形成がで
きるが、真空蒸着にて電極を形成する場合、ホトレジス
トの耐熱温度（通常１００℃以下）以上に基板温度を高
くするとＶシスト膜の変形や硬化が発生しパターンが乱
詐る。したがって電極膜の付着力や抵抗値の点で問題が
あった。
そこで本発明は従来のリフトオフ法を用いて形成した電
極より抵抗が低く、付着強度の大きい電極を形成する方
法を提供することを目的とする。
極より抵抗が低く、付着強度の大きい電極を形成する方
法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、電極形成のための
パターンがあらかじめホトレジストにより形成されてい
る基板に、基板温度が室温から１００Ｃ以下にて蒸着に
より金属膜を形成し、さらにその上に基板温［ｆ１１５
０℃から４００℃以下にて蒸着にニジ金属膜を形成し、
しかる後に前記ホトレジストを除去する。
パターンがあらかじめホトレジストにより形成されてい
る基板に、基板温度が室温から１００Ｃ以下にて蒸着に
より金属膜を形成し、さらにその上に基板温［ｆ１１５
０℃から４００℃以下にて蒸着にニジ金属膜を形成し、
しかる後に前記ホトレジストを除去する。
作用
本発明は上記した構成により、電極形成のためのパター
ンがあらかじめホ）Ｌ／シストにて形成されている基板
に、ホトレジストの耐熱温度を越えない室温から１００
℃以下の基板温度にて蒸着により金属膜を形成し、つぎ
に金属膜の抵抗が下がるように基板温度を１６０℃から
４００℃以下にして再度重ねて金属膜を蒸着することに
より、パターンの乱れがなくしかも従来より低抵抗、高
付着力の電極を実現することができる。
ンがあらかじめホ）Ｌ／シストにて形成されている基板
に、ホトレジストの耐熱温度を越えない室温から１００
℃以下の基板温度にて蒸着により金属膜を形成し、つぎ
に金属膜の抵抗が下がるように基板温度を１６０℃から
４００℃以下にして再度重ねて金属膜を蒸着することに
より、パターンの乱れがなくしかも従来より低抵抗、高
付着力の電極を実現することができる。
実施例
第１図、第２図は、本発明にかかる電極の形成方法を用
いた薄膜ＩＣＬ素子の製造における一実施例を示したも
のである。本発明にかかる電極の形成方法を用いた薄膜
ＫＬ素子は以下のようにして製造される。縦１２０ＭＭ
、横２２０ｆｌ、厚さ２ｇの透明なガラス基板１上に電
子ビーム蒸着法にて厚さ３０００人のＩＴＯ膜を基板全
面に形成する。
いた薄膜ＩＣＬ素子の製造における一実施例を示したも
のである。本発明にかかる電極の形成方法を用いた薄膜
ＫＬ素子は以下のようにして製造される。縦１２０ＭＭ
、横２２０ｆｌ、厚さ２ｇの透明なガラス基板１上に電
子ビーム蒸着法にて厚さ３０００人のＩＴＯ膜を基板全
面に形成する。
その後写真食刻法にて透明電極２をパターン形成する。
その上に厚さ５０００人の酸化イツトリウム膜３、厚さ
４０００人のマンガン付活硫化亜鉛膜４、厚さ５ｏｏｏ
人の酸化イツトリウム膜６の各層の膜を電子ビーム蒸着
法にて順次積層して形成する。その後ホトレジストヲ全
面に塗布し、背面電極のパターンを露光し、背面電極部
のみが酸化イツトリウム膜６に形成されるよう不要なホ
トレジストを除去してＶシスト膜ｅを形成する◇この基
板を真空蒸着装置（図面は省略）内にセットし基板温度
を室温として電子ビーム蒸着法にて第１のアルミニウム
膜７を厚さ１ｏＯＯλ形成した。
４０００人のマンガン付活硫化亜鉛膜４、厚さ５ｏｏｏ
人の酸化イツトリウム膜６の各層の膜を電子ビーム蒸着
法にて順次積層して形成する。その後ホトレジストヲ全
面に塗布し、背面電極のパターンを露光し、背面電極部
のみが酸化イツトリウム膜６に形成されるよう不要なホ
トレジストを除去してＶシスト膜ｅを形成する◇この基
板を真空蒸着装置（図面は省略）内にセットし基板温度
を室温として電子ビーム蒸着法にて第１のアルミニウム
膜７を厚さ１ｏＯＯλ形成した。
さらにひきつづいて基板温度が２００℃になるように蒸
着面の方向よυランプで加熱を行ない電子ビーム蒸着法
にて第２のアルミニウム膜８を形成した。この後レジス
ト膜６を除去することによりアルミニウムの背面電極が
完放し、薄膜ＫＬ素子が製造された。このようにして形
成されたアルミニウムの背面電極の抵抗を基板装置室温
で同じ電子ビーム蒸着法で形成した厚さ２０００人の電
極の抵抗と比べると約半分に下がっており、しかも付着
強度も大であった。またホトレジストの乱れによる電極
のパターンの乱れもなく通常のりフトオ７の手法がその
まま使用できた。
着面の方向よυランプで加熱を行ない電子ビーム蒸着法
にて第２のアルミニウム膜８を形成した。この後レジス
ト膜６を除去することによりアルミニウムの背面電極が
完放し、薄膜ＫＬ素子が製造された。このようにして形
成されたアルミニウムの背面電極の抵抗を基板装置室温
で同じ電子ビーム蒸着法で形成した厚さ２０００人の電
極の抵抗と比べると約半分に下がっており、しかも付着
強度も大であった。またホトレジストの乱れによる電極
のパターンの乱れもなく通常のりフトオ７の手法がその
まま使用できた。
本実施例では基板を加熱するのにランプを用いて蒸着面
方向から加熱したが、これは第１のアルミニウム膜が赤
外反射膜として作用するためレジスト膜の温度上昇を押
えるためである。したがってランプ以外の熱源でも効果
は同じであるが、蒸着面の反対側から加熱を行なった場
合は若干効果は小さくなる。また電極の材料はアルミニ
ウムに限るものではないことは明らかでお夛、他にムＵ
。
方向から加熱したが、これは第１のアルミニウム膜が赤
外反射膜として作用するためレジスト膜の温度上昇を押
えるためである。したがってランプ以外の熱源でも効果
は同じであるが、蒸着面の反対側から加熱を行なった場
合は若干効果は小さくなる。また電極の材料はアルミニ
ウムに限るものではないことは明らかでお夛、他にムＵ
。
五ｇ 、 Ｏｒ 、 Ｎｉなどが考えられる。
第１．第２のアルミニウム膜の厚さの比もとくに限定さ
れるものではないが、第１の膜が厚い程熱しゃへいの効
果は大であ夛、第２の膜が厚い程抵抗値降下の効果は大
きい。またアルミニウムの蒸着には電子ビーム蒸着法を
用いたが、他の方法たとえば抵抗加熱法でも全く同じ効
果であることは言うまでもなく、薄膜８Ｌ素子以外の表
示素子などの電極の形成にも何らさしつかえなく使用で
きる。
れるものではないが、第１の膜が厚い程熱しゃへいの効
果は大であ夛、第２の膜が厚い程抵抗値降下の効果は大
きい。またアルミニウムの蒸着には電子ビーム蒸着法を
用いたが、他の方法たとえば抵抗加熱法でも全く同じ効
果であることは言うまでもなく、薄膜８Ｌ素子以外の表
示素子などの電極の形成にも何らさしつかえなく使用で
きる。
発明の効果
以上述べてきたように、本発明によれば、きわめて簡易
な構成で微細で低抵抗かつ付着強度の大きい電極を形成
することができ、実用的にきわめて有用である。
な構成で微細で低抵抗かつ付着強度の大きい電極を形成
することができ、実用的にきわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例における電極の形成方法を説
明するための平面図、第２図はその人−Ｘ断面図である
。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３，５・・・・・・酸化イツトリウム膜、４・・・・・
・マンガン付活硫化亜鉛膜、６・・・・・・レジスト膜
、７・・・・・・第１のアルミニウム膜、８・・・・・
・第２のアルミニウム膜。
明するための平面図、第２図はその人−Ｘ断面図である
。 １・・・・・・ガラス基板、２・・・・・・透明電極、
３，５・・・・・・酸化イツトリウム膜、４・・・・・
・マンガン付活硫化亜鉛膜、６・・・・・・レジスト膜
、７・・・・・・第１のアルミニウム膜、８・・・・・
・第２のアルミニウム膜。
Claims (2)
- （１） 電極形成のためのパターンがあらかじめホトレ
ジストにより形成されている基板に、基板温度が室温か
ら１００℃以下にて蒸着により金属膜を形成し、さらに
その上に基板温度を１５０℃から４００℃以下にて蒸着
により金属膜を形成し、しかるのちに前記ホトレジスト
を除去する工程を含む電極の形成方法。 - （２） 基板の加熱が、前記基板の蒸着面方向より行な
われることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の電
極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082868A JPH0666155B2 (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60082868A JPH0666155B2 (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61241925A true JPS61241925A (ja) | 1986-10-28 |
| JPH0666155B2 JPH0666155B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=13786289
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60082868A Expired - Fee Related JPH0666155B2 (ja) | 1985-04-18 | 1985-04-18 | 電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666155B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0594300B1 (en) * | 1992-09-22 | 1998-07-29 | STMicroelectronics, Inc. | Method for forming a metal contact |
| JP2020072114A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 微細金属バンプの形成方法及び微細金属バンプ |
-
1985
- 1985-04-18 JP JP60082868A patent/JPH0666155B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0594300B1 (en) * | 1992-09-22 | 1998-07-29 | STMicroelectronics, Inc. | Method for forming a metal contact |
| JP2020072114A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 | 微細金属バンプの形成方法及び微細金属バンプ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666155B2 (ja) | 1994-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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