JPS61240436A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

磁気記録媒体の製造方法

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JPS61240436A
JPS61240436A JP8316385A JP8316385A JPS61240436A JP S61240436 A JPS61240436 A JP S61240436A JP 8316385 A JP8316385 A JP 8316385A JP 8316385 A JP8316385 A JP 8316385A JP S61240436 A JPS61240436 A JP S61240436A
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JP
Japan
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substrate
glow discharge
recording medium
magnetic recording
magnetic
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Pending
Application number
JP8316385A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuji Sugita
龍二 杉田
Kiyokazu Touma
清和 東間
Kazuyoshi Honda
和義 本田
Taro Nanbu
太郎 南部
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は高分子材料より成る基板上に直接あるいは下地
層を介して金属薄膜磁性層を形成した磁気記録媒体の製
造方法に関する。
従来の技術 従来、磁気記録媒体としては非磁性基板上に磁性粉を塗
布した塗布形のものが使用されて来たが、より高い記録
密度を達成するために、非磁性基板上に金属薄膜を真空
蒸着法で形成した薄膜形が実用化されつつある。
高分子材料より成る基板上に真空蒸着法を用いて金属*
m磁性層を形成する方法としては、基板を円筒状キャン
の周面に沿わせて走行させつつ蒸看する方法が最も優れ
ている。第3図はこのような方法を用いた真空蒸着装置
の内部構造の概略を示す。高分子材料により成る基板1
は円筒状キャン2の周面に沿って矢印へ方向に走行する
。この基板1上に蒸発源5によって磁性層が形成される
3.4はそれぞれ基板1の供給ロール及び巻取りロール
であio 発明が解決しようとする問題点 第3図のような真空蒸着装置にて高分子材料より成る基
板上に磁性層を形成すると、基板1の幅方向および長さ
方向に特性が変動して安定な膜を得ることが困難である
。このことを例をあげて説明すると、垂直磁気記録用媒
体としてよく知られているCo−Cr垂直磁気異方性躾
を、第3図の真空蒸着装置にて作製し、膜面に垂直方向
の保磁力の長さ方向の分布を測定すると、第4図のよう
に大幅な変化が見られた。幅方向でも第4図と同様に垂
直方向の保磁力が変化していた。この原因としては、基
板表面状態の不均一性および基板1のキャン2への密着
が均一でなく、基板1にキャン2と密着している部分と
そうでない部分ができるために生じる基板1の温度むら
が考えられる。
このように、磁気特性が均一にならないこと以外に、特
にキャンの温度を150℃以上に昇温する場合にはしわ
も非常に入り易(、磁気特性、形状ともに安定な媒体を
作製することは困難である。
本発明は磁気特性ならびに形状が安定な金属薄膜型磁気
記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
問題点を解決するための手段 本発明の磁気記録媒体の製造方法は、円筒状キャンの同
面に沿って高分子材料基板を走行させて前記基板上に直
接あるいは下地層を介して金属薄膜磁性層を真空蒸着法
・によって形成する際に、前記基板が円筒状キャンに接
し始める直前に基板にグロー放電処理を施すことを特徴
とする。
作用 この構成によれば、基板がキャンに接し始める直前(こ
こで言う直前とはキャンに接し始める部分を含んでいる
。)に基板をグロー放電処理するので、基板の表面状態
が均一になり、かつグロー放電による除電効果のために
基板の帯電が取り除かれてキャンに一様に密着し、その
結果、しわのない特性の均一な磁気記録媒体が得られる
実施例 以下、本発明の製造方法を具体的な一実施例に基づいて
説明する。
第1図は本発明の製造方法を実施する真空蒸着装置を示
し、第3図と同様の作用を成すものには同一符号が付け
られており、高分子材料基板1がキャン2に接し始める
直前にグロー放電用電極6によりグロー放電処理が施さ
れる点だけが第3図とは異なる。グロー放電用電極6に
電力を供給し真空度を調整することにより電極近傍にグ
ロー放電が発生する。なお、グロー放電用電極6は、グ
ロー放電が基板1が円筒状キャン2に接し始める部分に
も及ぶように配置されている。このグロー放電状態にあ
る気体中を基板1が通過することにより、基板1の表面
状態が均一になり、かつ基板1の帯電が取り除かれる。
その結果、キャン2への基板1の貼り付きが一様になり
、しわのない特性の均一な磁気記録媒体が得られる。
グロー放電の形式としては、直流、交流、高周波、マグ
ネトロン形など、種々あるが、これらのいずれでも良い
。グロー放電を生じさせるために真空槽内に導入する気
体としては、A「あるいはN2が安定性の点から好まし
い。
なお、グロー放電用電極を第5図に示すように、基板1
のキャン2への入口近傍から離して設置すると、上述の
効果は大幅に低下してしまう。これは、グロー放電処理
を受けた基板1がキャン2に接し始めるまでに、真空槽
内の気体やフリーローラ7に接するので、グロー放電処
理の効果が弱められてしまうためだと考えられる。
また、グロー放電処理は基板1の片側だけに施してもか
なりの効果が認められるが、第1図に示す如(基板1の
両側に施すことが望ましい。さらに第2図に示す如く、
真空槽9内を仕切り板8によってグロー放電処理部Bと
蒸着膜形成部Cとに仕切り、蒸着膜形成部Cの真空度を
グロー放電処環部Bよりも高い真空度に保つことにより
、磁性層の磁気特性が向上する。第2図において、10
は排気ポンプである。
また、磁性層とキャン2の周面との間に電圧を印加する
ことにより、基板1のキャン2への密着性が向上し、よ
り安定な媒体が得られる。
なお、本発明の効果はキャン2の周面温度が150℃以
上の場合に、より顕著である。Co−Cr!1!直磁気
異方性膜を真空蒸着法で作製する際には、キャン2の周
面温度を150″C以上、より好ましくは200℃以上
にする必要があるので、本発明はco−Cr垂直磁気異
方性膜を作製する場合に特に有効である。
次に本発明のより具体的な実験例を説明する。
[実験例] 第2図の真空蒸着装置にて、基板1として膜厚10μ讃
のポリイミドフィルムを使用し、この上に磁性層として
膜厚300OAのCo−Cr垂直磁気異方性膜を形成し
た。ここでキャン2の周面の温度を230℃とした。グ
ロー放電用電源としては13.6MHzの高周波電源を
用い、グロー放電用電極6をポリイミドフィルムが円筒
状キャンに接し始める直前に設置した。グロー放電を発
生させるために、グロー放電用電極の近傍からA「を導
入し、グロー放電部近傍の真空度を0.01 Torr
とした。
この状態で蒸着膜形成部近傍の真空度は 1.2×1O
−4T Orrであった。また、キャン2の周面とco
 −Cr !!直磁気異方性膜との間に120ボルトの
電圧を印加した。
このようにして形成された膜はしわが全くなく、長さ方
向及び幅方向に特性が均一であり、垂直磁気記録媒体と
して優れた特性を有していた。これに対し、グロー放電
処理を施さない場合には、長さ方向及び幅方向に均一な
特性の膜は得られなかった。なお、上記のように、ポリ
イミドフィルム上に直接co−Cr躾を形成せずに、問
に酸化物膜等の下地層を介してco−Cr膜を形成する
場合にも同様の効果が認められた。
発明の詳細 な説明のように本発明の磁気記録媒体の製造方法は、高
分子材料基板が円筒状キャンに接し始める直前に、基板
にグロー放電処理を施し、円筒状キャンの周面に沿って
走行しつつある高分子材料基板上に直接にあるいは下地
層を介して金jl薄膜磁性層を真空蒸着するため、基板
がキャンに接し始める直前(ここで言う直前とはキャン
に接し始める部分を含んでいる。)に基板をグロー放電
処理すると、基板の表面状態が均一になり、かつグロー
放電による除電効果のために基板の帯電が取り除かれて
キャンに一様に密着し、完成した磁気記録媒体は高分子
材料基板上にしわがなく、長さ方向及び幅方向に特性が
均一な磁性層であった。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の製造方法を実施する真空蒸着装置の一
実施例の構成図、第2図は第1図の他の実施例の構成図
、第3図は従来の真空蒸着装置の構成図、第4図は従来
の方法で磁性層を蒸着した場合の保磁力のむらを示す説
明図、第5図は第1図におけるグロー放電用電極の配°
設位置説明図である。 1・・・高分子材料基板、2・・・円筒状キャン、3・
・・供給ロール、4・・・巻取りロール、5・・・蒸発
源、6・・・グロー放電用電極、8・・・仕切り板、9
・・・真空槽、B・・・グロー放電処理部、C・・・蒸
着膜形成部代理人   森  本  義  弘 第7図     /=−鉢j材料幕扱 2−一一円墳醜ミ(えヤ。 5−五発練 第3図 第4図 吾ハ―〕

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、円筒状キャンの周面に沿って高分子材料基板を走行
    させて前記基板上に直接あるいは下地層を介して金属薄
    膜磁性層を真空蒸着法によって形成する際に、前記基板
    が円筒状キャンに接し始める直前に基板にグロー放電処
    理を施す磁気記録媒体の製造方法。 2、グロー放電処理を、基板の両面に施すことを特徴と
    する特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体の製造方
    法。 3、グロー放電処理と磁性層の蒸着とを真空槽内で両室
    間に差圧を有する別々の室で実施することを特徴とする
    特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒体の製造方法。 4、磁性層と円筒状キャンの周面の電位を異ならせるこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気記録媒
    体の製造方法。 5、グロー放電用のガスとして、ArあるいはN_2を
    用いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁
    気記録媒体の製造方法。 6、磁性層としてCo−Cr垂直磁気異方性膜を用いる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の磁気記録
    媒体の製造方法。
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