JPS61238954A - 多結晶薄膜の形成方法 - Google Patents
多結晶薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JPS61238954A JPS61238954A JP8027085A JP8027085A JPS61238954A JP S61238954 A JPS61238954 A JP S61238954A JP 8027085 A JP8027085 A JP 8027085A JP 8027085 A JP8027085 A JP 8027085A JP S61238954 A JPS61238954 A JP S61238954A
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- JP
- Japan
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- cluster
- cluster ion
- iron
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は例えばα相鉄、ステンレス鋼のような多結晶基
板上に結晶方位<+++> に配向したFg、St
の鉄シリサイド薄膜全形成する方法に関するものである
。
板上に結晶方位<+++> に配向したFg、St
の鉄シリサイド薄膜全形成する方法に関するものである
。
従来の技術
従来の鉄シリサイド形成方法は基本的には熱力学的に平
衡な状態を利用していた。
衡な状態を利用していた。
発明が解決しようとする問題点
したがって、次のような特徴を有していた。
(1) 配向を示さない多結晶を形成する(溶融冷却
の場合)。
の場合)。
(2) Fg3Si以外の他の鉄シリサイドすなわち
FaSi、 FgSi、の多結晶層を形成する(接会加
熱O場合)。
FaSi、 FgSi、の多結晶層を形成する(接会加
熱O場合)。
本発明は上記の事情に鑑みなされたものであって、その
目的とす′るところは鉄を主成分とする多結晶基板上に
Fe5Siの〈111〉に配向し九多結晶薄膜を形成し
得る多結晶薄膜の形成方法を提供することにある。
目的とす′るところは鉄を主成分とする多結晶基板上に
Fe5Siの〈111〉に配向し九多結晶薄膜を形成し
得る多結晶薄膜の形成方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段及び作用
本発明は、クラスタイオンビーム法を用いてクラスタイ
オン化電流5 Q mA 以上、クラスタイオン加速電
圧−5に′v以上のもとで基板温度を500℃より高温
に保持し鉄を主成分とする多結晶基板上にFe3Siの
(+ + +〉に配向した多結晶薄膜を形成するように
したものである。
オン化電流5 Q mA 以上、クラスタイオン加速電
圧−5に′v以上のもとで基板温度を500℃より高温
に保持し鉄を主成分とする多結晶基板上にFe3Siの
(+ + +〉に配向した多結晶薄膜を形成するように
したものである。
実 施 例
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第1図にクラスタイオンビーム法によるFg3Si薄膜
形成装置を示す。
形成装置を示す。
Fe3Si薄膜形成装置は真空容器1を備えており、こ
の真空容器1内にはルツボ2とルツボ加熱用ヒータ3と
基板ホルダー4とが収容してあシ、ルツボ2の端面には
ノズル5′が設けである。
の真空容器1内にはルツボ2とルツボ加熱用ヒータ3と
基板ホルダー4とが収容してあシ、ルツボ2の端面には
ノズル5′が設けである。
また基板ホルダー4には基板ヒーター5が設けである。
真空容器1内のルツボ2のノズル5′と基板ホルダー4
との間に熱電子引き出し用グリッド6とクラスタ引き出
し用グリッド7とが設けてあり、熱電子引き出し用グリ
ッド6の外側方にクラスタイオン化用フィラメント8が
設けである。
との間に熱電子引き出し用グリッド6とクラスタ引き出
し用グリッド7とが設けてあり、熱電子引き出し用グリ
ッド6の外側方にクラスタイオン化用フィラメント8が
設けである。
熱電子引き出し用グリッド6は電源9に接続されていて
クラスタイオン化電流の供給全党けており、また基板ヒ
ーター5とクラスタ引き出し用グリッド7とは電源10
に接続しである。
クラスタイオン化電流の供給全党けており、また基板ヒ
ーター5とクラスタ引き出し用グリッド7とは電源10
に接続しである。
またルツボ2内にはSi原料11が収容してあり、基板
ホルダー4にはα相鉄捷たはステンレス儒のような基板
12が取付けである。
ホルダー4にはα相鉄捷たはステンレス儒のような基板
12が取付けである。
そして、ルツボ2内でSi原料11を加熱して蒸気化し
シリコンクラスタafノズル5′より真空容器1内の真
空領域に噴出させ、クラスタイオン化フィラメント8よ
り放射された電子をシリコンクラスタaに衝突させてイ
オン化し、イオン化したシリコンクラスタafクラスタ
引き出し電極7の電界によって加速させて基板12に射
突させ、基板12上に結晶方位<I I +>に配向し
たFa3Siの鉄シリサイド薄膜を形成する。
シリコンクラスタafノズル5′より真空容器1内の真
空領域に噴出させ、クラスタイオン化フィラメント8よ
り放射された電子をシリコンクラスタaに衝突させてイ
オン化し、イオン化したシリコンクラスタafクラスタ
引き出し電極7の電界によって加速させて基板12に射
突させ、基板12上に結晶方位<I I +>に配向し
たFa3Siの鉄シリサイド薄膜を形成する。
この場合、基板温度が500℃以下ではクラスタイオン
化電流10om、4以下、クラスタイオン加速電圧−8
KV迄の負高圧において鉄製基板12上にはアモルファ
スシリコンが形成される。
化電流10om、4以下、クラスタイオン加速電圧−8
KV迄の負高圧において鉄製基板12上にはアモルファ
スシリコンが形成される。
これに対し、500℃よV高温に基板12全保持した場
合、クラスタイオン化電流53 mA 以上、クラスタ
イオン加速電圧−5KV以上の負高圧のもとで(+ +
+>に配向したFすSiが形成される。
合、クラスタイオン化電流53 mA 以上、クラスタ
イオン加速電圧−5KV以上の負高圧のもとで(+ +
+>に配向したFすSiが形成される。
々お、ルツボ温度はシリコンクラスタが形成される温度
である1800℃以上に保持される。
である1800℃以上に保持される。
第2図、第3図、第4図に実験結果を示す。
第2図は基板温度500℃、クラスタイオン化電流5Q
mA、クラスタイオン加速電圧−5Kvの場合における
X線回折強度、第3図は基板温度500℃以下、クラス
タイオン化電流5QmA、クラスタイオン化電圧−8K
Yの場合におけるX線回折強度であり、第4図は試料の
断面金成分分析器(EpMA )によって鉄とシリコン
の存在を分析した結果を定性的に示したものであり基板
2はいずれも5US304が用いである。
mA、クラスタイオン加速電圧−5Kvの場合における
X線回折強度、第3図は基板温度500℃以下、クラス
タイオン化電流5QmA、クラスタイオン化電圧−8K
Yの場合におけるX線回折強度であり、第4図は試料の
断面金成分分析器(EpMA )によって鉄とシリコン
の存在を分析した結果を定性的に示したものであり基板
2はいずれも5US304が用いである。
また、クラスタイオン加速電圧を制御することにより<
+++> 配向のFe3Siの全量が制御できる。
+++> 配向のFe3Siの全量が制御できる。
第5図はクラスタイオン加速電圧−7KVの場合のX線
回折強度、第6図はクラスタイオン加速電圧−5KVの
場合のX線回折強度であり、これらの共通条件としては
基板温度500℃、クラスタイオン化電流5 Q mA
である。
回折強度、第6図はクラスタイオン加速電圧−5KVの
場合のX線回折強度であり、これらの共通条件としては
基板温度500℃、クラスタイオン化電流5 Q mA
である。
発明の効果
本発明は上記のようになるから、クラスタイオンビーム
法を用いて、クラスタイオン化電流5 Q mA 以上
、クラスタイオン加速電圧−5KV以上のもとで基板温
度t−500℃より高温に保持することによシ鉄を主成
分とする多結晶基板上にFe3Siの<+++>に配向
した多結晶薄膜を形成することができる。またクラスタ
イオン加速電圧全制御することにより<+++> 配
向のFz s Si の全′Ikヲ制御することがで
きる。
法を用いて、クラスタイオン化電流5 Q mA 以上
、クラスタイオン加速電圧−5KV以上のもとで基板温
度t−500℃より高温に保持することによシ鉄を主成
分とする多結晶基板上にFe3Siの<+++>に配向
した多結晶薄膜を形成することができる。またクラスタ
イオン加速電圧全制御することにより<+++> 配
向のFz s Si の全′Ikヲ制御することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第1図はクラスタイオンビーム法によるFすS1薄膜形
成装置の構成説明図、第2図、第3図はX線回折強度線
図、第4図は鉄、シリコン分析線図、第5図、第6図は
X線回折強度線図である。
成装置の構成説明図、第2図、第3図はX線回折強度線
図、第4図は鉄、シリコン分析線図、第5図、第6図は
X線回折強度線図である。
Claims (1)
- クラスタイオンビーム法を用いて、クラスタイオン化電
流50mA以上、クラスタイオン加速電圧−5KV以上
のもとで基板温度を500℃より高温に保持し鉄を主成
分とする多結晶基板上にFe_3Siの〈111〉に配
向した多結晶薄膜を形成するようにしたことを特徴とす
る多結晶薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8027085A JPS61238954A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8027085A JPS61238954A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61238954A true JPS61238954A (ja) | 1986-10-24 |
Family
ID=13713598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8027085A Pending JPS61238954A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61238954A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103233203A (zh) * | 2013-03-18 | 2013-08-07 | 内蒙古大学 | 一种铁磁性增强的BiFeO3薄膜的制备方法 |
CN105441877A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-30 | 贵州大学 | 电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺 |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP8027085A patent/JPS61238954A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103233203A (zh) * | 2013-03-18 | 2013-08-07 | 内蒙古大学 | 一种铁磁性增强的BiFeO3薄膜的制备方法 |
CN105441877A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-30 | 贵州大学 | 电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺 |
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