JPS61238954A - 多結晶薄膜の形成方法 - Google Patents
多結晶薄膜の形成方法Info
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- JPS61238954A JPS61238954A JP8027085A JP8027085A JPS61238954A JP S61238954 A JPS61238954 A JP S61238954A JP 8027085 A JP8027085 A JP 8027085A JP 8027085 A JP8027085 A JP 8027085A JP S61238954 A JPS61238954 A JP S61238954A
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- cluster
- cluster ion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は例えばα相鉄、ステンレス鋼のような多結晶基
板上に結晶方位＜＋＋＋＞ に配向したＦｇ、Ｓｔ
の鉄シリサイド薄膜全形成する方法に関するものである
。
板上に結晶方位＜＋＋＋＞ に配向したＦｇ、Ｓｔ
の鉄シリサイド薄膜全形成する方法に関するものである
。
従来の技術
従来の鉄シリサイド形成方法は基本的には熱力学的に平
衡な状態を利用していた。
衡な状態を利用していた。
発明が解決しようとする問題点
したがって、次のような特徴を有していた。
（１） 配向を示さない多結晶を形成する（溶融冷却
の場合）。
の場合）。
（２） Ｆｇ３Ｓｉ以外の他の鉄シリサイドすなわち
ＦａＳｉ、 ＦｇＳｉ、の多結晶層を形成する（接会加
熱Ｏ場合）。
ＦａＳｉ、 ＦｇＳｉ、の多結晶層を形成する（接会加
熱Ｏ場合）。
本発明は上記の事情に鑑みなされたものであって、その
目的とす′るところは鉄を主成分とする多結晶基板上に
Ｆｅ５Ｓｉの〈１１１〉に配向し九多結晶薄膜を形成し
得る多結晶薄膜の形成方法を提供することにある。
目的とす′るところは鉄を主成分とする多結晶基板上に
Ｆｅ５Ｓｉの〈１１１〉に配向し九多結晶薄膜を形成し
得る多結晶薄膜の形成方法を提供することにある。
問題点を解決するための手段及び作用
本発明は、クラスタイオンビーム法を用いてクラスタイ
オン化電流５ Ｑ ｍＡ 以上、クラスタイオン加速電
圧−５に′ｖ以上のもとで基板温度を５００℃より高温
に保持し鉄を主成分とする多結晶基板上にＦｅ３Ｓｉの
（＋ ＋ ＋〉に配向した多結晶薄膜を形成するように
したものである。
オン化電流５ Ｑ ｍＡ 以上、クラスタイオン加速電
圧−５に′ｖ以上のもとで基板温度を５００℃より高温
に保持し鉄を主成分とする多結晶基板上にＦｅ３Ｓｉの
（＋ ＋ ＋〉に配向した多結晶薄膜を形成するように
したものである。
実 施 例
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図にクラスタイオンビーム法によるＦｇ３Ｓｉ薄膜
形成装置を示す。
形成装置を示す。
Ｆｅ３Ｓｉ薄膜形成装置は真空容器１を備えており、こ
の真空容器１内にはルツボ２とルツボ加熱用ヒータ３と
基板ホルダー４とが収容してあシ、ルツボ２の端面には
ノズル５′が設けである。
の真空容器１内にはルツボ２とルツボ加熱用ヒータ３と
基板ホルダー４とが収容してあシ、ルツボ２の端面には
ノズル５′が設けである。
また基板ホルダー４には基板ヒーター５が設けである。
真空容器１内のルツボ２のノズル５′と基板ホルダー４
との間に熱電子引き出し用グリッド６とクラスタ引き出
し用グリッド７とが設けてあり、熱電子引き出し用グリ
ッド６の外側方にクラスタイオン化用フィラメント８が
設けである。
との間に熱電子引き出し用グリッド６とクラスタ引き出
し用グリッド７とが設けてあり、熱電子引き出し用グリ
ッド６の外側方にクラスタイオン化用フィラメント８が
設けである。
熱電子引き出し用グリッド６は電源９に接続されていて
クラスタイオン化電流の供給全党けており、また基板ヒ
ーター５とクラスタ引き出し用グリッド７とは電源１０
に接続しである。
クラスタイオン化電流の供給全党けており、また基板ヒ
ーター５とクラスタ引き出し用グリッド７とは電源１０
に接続しである。
またルツボ２内にはＳｉ原料１１が収容してあり、基板
ホルダー４にはα相鉄捷たはステンレス儒のような基板
１２が取付けである。
ホルダー４にはα相鉄捷たはステンレス儒のような基板
１２が取付けである。
そして、ルツボ２内でＳｉ原料１１を加熱して蒸気化し
シリコンクラスタａｆノズル５′より真空容器１内の真
空領域に噴出させ、クラスタイオン化フィラメント８よ
り放射された電子をシリコンクラスタａに衝突させてイ
オン化し、イオン化したシリコンクラスタａｆクラスタ
引き出し電極７の電界によって加速させて基板１２に射
突させ、基板１２上に結晶方位＜Ｉ Ｉ ＋＞に配向し
たＦａ３Ｓｉの鉄シリサイド薄膜を形成する。
シリコンクラスタａｆノズル５′より真空容器１内の真
空領域に噴出させ、クラスタイオン化フィラメント８よ
り放射された電子をシリコンクラスタａに衝突させてイ
オン化し、イオン化したシリコンクラスタａｆクラスタ
引き出し電極７の電界によって加速させて基板１２に射
突させ、基板１２上に結晶方位＜Ｉ Ｉ ＋＞に配向し
たＦａ３Ｓｉの鉄シリサイド薄膜を形成する。
この場合、基板温度が５００℃以下ではクラスタイオン
化電流１０ｏｍ、４以下、クラスタイオン加速電圧−８
ＫＶ迄の負高圧において鉄製基板１２上にはアモルファ
スシリコンが形成される。
化電流１０ｏｍ、４以下、クラスタイオン加速電圧−８
ＫＶ迄の負高圧において鉄製基板１２上にはアモルファ
スシリコンが形成される。
これに対し、５００℃よＶ高温に基板１２全保持した場
合、クラスタイオン化電流５３ ｍＡ 以上、クラスタ
イオン加速電圧−５ＫＶ以上の負高圧のもとで（＋ ＋
＋＞に配向したＦすＳｉが形成される。
合、クラスタイオン化電流５３ ｍＡ 以上、クラスタ
イオン加速電圧−５ＫＶ以上の負高圧のもとで（＋ ＋
＋＞に配向したＦすＳｉが形成される。
々お、ルツボ温度はシリコンクラスタが形成される温度
である１８００℃以上に保持される。
である１８００℃以上に保持される。
第２図、第３図、第４図に実験結果を示す。
第２図は基板温度５００℃、クラスタイオン化電流５Ｑ
ｍＡ、クラスタイオン加速電圧−５Ｋｖの場合における
Ｘ線回折強度、第３図は基板温度５００℃以下、クラス
タイオン化電流５ＱｍＡ、クラスタイオン化電圧−８Ｋ
Ｙの場合におけるＸ線回折強度であり、第４図は試料の
断面金成分分析器（ＥｐＭＡ ）によって鉄とシリコン
の存在を分析した結果を定性的に示したものであり基板
２はいずれも５ＵＳ３０４が用いである。
ｍＡ、クラスタイオン加速電圧−５Ｋｖの場合における
Ｘ線回折強度、第３図は基板温度５００℃以下、クラス
タイオン化電流５ＱｍＡ、クラスタイオン化電圧−８Ｋ
Ｙの場合におけるＸ線回折強度であり、第４図は試料の
断面金成分分析器（ＥｐＭＡ ）によって鉄とシリコン
の存在を分析した結果を定性的に示したものであり基板
２はいずれも５ＵＳ３０４が用いである。
また、クラスタイオン加速電圧を制御することにより＜
＋＋＋＞ 配向のＦｅ３Ｓｉの全量が制御できる。
＋＋＋＞ 配向のＦｅ３Ｓｉの全量が制御できる。
第５図はクラスタイオン加速電圧−７ＫＶの場合のＸ線
回折強度、第６図はクラスタイオン加速電圧−５ＫＶの
場合のＸ線回折強度であり、これらの共通条件としては
基板温度５００℃、クラスタイオン化電流５ Ｑ ｍＡ
である。
回折強度、第６図はクラスタイオン加速電圧−５ＫＶの
場合のＸ線回折強度であり、これらの共通条件としては
基板温度５００℃、クラスタイオン化電流５ Ｑ ｍＡ
である。
発明の効果
本発明は上記のようになるから、クラスタイオンビーム
法を用いて、クラスタイオン化電流５ Ｑ ｍＡ 以上
、クラスタイオン加速電圧−５ＫＶ以上のもとで基板温
度ｔ−５００℃より高温に保持することによシ鉄を主成
分とする多結晶基板上にＦｅ３Ｓｉの＜＋＋＋＞に配向
した多結晶薄膜を形成することができる。またクラスタ
イオン加速電圧全制御することにより＜＋＋＋＞ 配
向のＦｚ ｓ Ｓｉ の全′Ｉｋヲ制御することがで
きる。
法を用いて、クラスタイオン化電流５ Ｑ ｍＡ 以上
、クラスタイオン加速電圧−５ＫＶ以上のもとで基板温
度ｔ−５００℃より高温に保持することによシ鉄を主成
分とする多結晶基板上にＦｅ３Ｓｉの＜＋＋＋＞に配向
した多結晶薄膜を形成することができる。またクラスタ
イオン加速電圧全制御することにより＜＋＋＋＞ 配
向のＦｚ ｓ Ｓｉ の全′Ｉｋヲ制御することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
第１図はクラスタイオンビーム法によるＦすＳ１薄膜形
成装置の構成説明図、第２図、第３図はＸ線回折強度線
図、第４図は鉄、シリコン分析線図、第５図、第６図は
Ｘ線回折強度線図である。
成装置の構成説明図、第２図、第３図はＸ線回折強度線
図、第４図は鉄、シリコン分析線図、第５図、第６図は
Ｘ線回折強度線図である。
Claims (1)
- クラスタイオンビーム法を用いて、クラスタイオン化電
流５０ｍＡ以上、クラスタイオン加速電圧−５ＫＶ以上
のもとで基板温度を５００℃より高温に保持し鉄を主成
分とする多結晶基板上にＦｅ＿３Ｓｉの〈１１１〉に配
向した多結晶薄膜を形成するようにしたことを特徴とす
る多結晶薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027085A JPS61238954A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8027085A JPS61238954A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61238954A true JPS61238954A (ja) | 1986-10-24 |
Family
ID=13713598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8027085A Pending JPS61238954A (ja) | 1985-04-17 | 1985-04-17 | 多結晶薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61238954A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103233203A (zh) * | 2013-03-18 | 2013-08-07 | 内蒙古大学 | 一种铁磁性增强的BiFeO3薄膜的制备方法 |
| CN105441877A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-30 | 贵州大学 | 电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺 |
-
1985
- 1985-04-17 JP JP8027085A patent/JPS61238954A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103233203A (zh) * | 2013-03-18 | 2013-08-07 | 内蒙古大学 | 一种铁磁性增强的BiFeO3薄膜的制备方法 |
| CN105441877A (zh) * | 2015-12-10 | 2016-03-30 | 贵州大学 | 电阻式热蒸发制备铁磁性材料Fe3Si薄膜的工艺 |
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