JPS61230295A - フレキシブル型発光素子 - Google Patents
フレキシブル型発光素子Info
- Publication number
- JPS61230295A JPS61230295A JP60070934A JP7093485A JPS61230295A JP S61230295 A JPS61230295 A JP S61230295A JP 60070934 A JP60070934 A JP 60070934A JP 7093485 A JP7093485 A JP 7093485A JP S61230295 A JPS61230295 A JP S61230295A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- emitting element
- electrode
- metal foil
- back electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はフレキシブル型発光素子に係わり、ＯＡ機器、
自動車機器、家庭電子機器及び電装品に好適なフレキシ
ブル型発光素子に関する。
自動車機器、家庭電子機器及び電装品に好適なフレキシ
ブル型発光素子に関する。
現在、内外各社でフレキシブル型の分散型発 。
光素子の開発が行なわれており、すでに市販されている
各種液晶表示素子や液晶テレビのバックライト及び種々
の表示デバイスとして実用化が拡がりつつある、しかし
、まだ本格的に需要が伸びな（・のは、寿命の問題もあ
るが、輝度が今−歩不足ということにもある。従来のフ
レキシブル型発光素子は日経エレクトロニクス１９Ｂ０
゜ＩＩ、２４号第２２０頁〜２２７頁に記載されている
ように、透明電極と背面電極との間に螢光体発光層と反
射絶縁層を備えた構造である。実際に作成されている素
子では、その発光層の膜厚（電極間隔）が６０μｍ以上
と太きい。従って、例えば１００ｖの電圧を臼加した場
合の発光層に加わる平均電場強度は１．７ Ｖ／μｍ以
下である。元来電場発光性のＺｒＬＳ系螢光体の発光輝
度の電場依存性は大きく、電場強度の２〜５乗に比例す
るので、印加電場の周波数を高くしないで輝度をあげる
には発光層に加わる平均１場強度を少くとも２ｖ／μｍ
以上、２．５ Ｖ／μｍ位に向上させる必要がある。そ
れには、従来よりも発光ｉ（反射層を含む）膜厚を現状
の６０〜７０μｍをその２１５位に薄くしなければなら
ない。それには両電極間の絶縁耐圧を大巾に向上させる
必要がある。
各種液晶表示素子や液晶テレビのバックライト及び種々
の表示デバイスとして実用化が拡がりつつある、しかし
、まだ本格的に需要が伸びな（・のは、寿命の問題もあ
るが、輝度が今−歩不足ということにもある。従来のフ
レキシブル型発光素子は日経エレクトロニクス１９Ｂ０
゜ＩＩ、２４号第２２０頁〜２２７頁に記載されている
ように、透明電極と背面電極との間に螢光体発光層と反
射絶縁層を備えた構造である。実際に作成されている素
子では、その発光層の膜厚（電極間隔）が６０μｍ以上
と太きい。従って、例えば１００ｖの電圧を臼加した場
合の発光層に加わる平均電場強度は１．７ Ｖ／μｍ以
下である。元来電場発光性のＺｒＬＳ系螢光体の発光輝
度の電場依存性は大きく、電場強度の２〜５乗に比例す
るので、印加電場の周波数を高くしないで輝度をあげる
には発光層に加わる平均１場強度を少くとも２ｖ／μｍ
以上、２．５ Ｖ／μｍ位に向上させる必要がある。そ
れには、従来よりも発光ｉ（反射層を含む）膜厚を現状
の６０〜７０μｍをその２１５位に薄くしなければなら
ない。それには両電極間の絶縁耐圧を大巾に向上させる
必要がある。
本発明の目的は、前述の従来法くよるフレキシブル型発
光素子の欠点を排し、輝度及び発光効率を大ぎく向上さ
せたフレキシブル型発光素子を提供することにある。
光素子の欠点を排し、輝度及び発光効率を大ぎく向上さ
せたフレキシブル型発光素子を提供することにある。
本発明は絶縁耐圧を向上させ、それだけ電極間隔を小に
して発光層に加わる平均電界強度を大きくして輝度を向
上させ、かつ発光時における実効電流を低減して発光効
率を向上させたフレキシブル型発光素子である。絶縁耐
圧を向上させる手段は背面電極として使用する金属箔表
百Ｋ、例えば有機金属錯体法またはスパッタリンク法に
より０５〜０．５μｍ厚の酸化チタン薄層を設けるもの
である。
して発光層に加わる平均電界強度を大きくして輝度を向
上させ、かつ発光時における実効電流を低減して発光効
率を向上させたフレキシブル型発光素子である。絶縁耐
圧を向上させる手段は背面電極として使用する金属箔表
百Ｋ、例えば有機金属錯体法またはスパッタリンク法に
より０５〜０．５μｍ厚の酸化チタン薄層を設けるもの
である。
以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。フレ
キシブル型発光素子の背面電極となる厚さ０．１ａａｍ
のアルミニウム箔板１上にチタンテトライソプロポキシ
ド１部重量、安定剤アクリルエステル８Ａ（三菱レーヨ
ン製商品名）１部重量及び稀釈溶剤１５５部重量らなる
チタニウムアルコキシド処理液を浸漬法またはスピン塗
布法により塗布し、乾燥させた後４５０で約４（３ｒｎ
ｉｎの焼成を行ない上記アルミニウム箔上に約ｏ、４μ
ｍ厚の配化チタン薄膜２を形成する。
キシブル型発光素子の背面電極となる厚さ０．１ａａｍ
のアルミニウム箔板１上にチタンテトライソプロポキシ
ド１部重量、安定剤アクリルエステル８Ａ（三菱レーヨ
ン製商品名）１部重量及び稀釈溶剤１５５部重量らなる
チタニウムアルコキシド処理液を浸漬法またはスピン塗
布法により塗布し、乾燥させた後４５０で約４（３ｒｎ
ｉｎの焼成を行ない上記アルミニウム箔上に約ｏ、４μ
ｍ厚の配化チタン薄膜２を形成する。
次に前記酸化チタン薄膜２上にドクターブレード法によ
り電場発光性螢光体とシアノエチル化サッカローズとシ
アノエチル化セルローズ及び溶剤よりなる螢光体スラリ
ーを塗布し、引続き１２０′ｃで加熱して乾燥させ膜厚
約４０μｍの発光層Ｓを形成する。次に前記発光層５に
１２０ｔ、約５ｈｒの減圧加熱処理を施した後、乾燥雰
囲気中１５０でで加熱乾燥し、て透明導電性フィルム４
をラミネートし、それぞれ電極引出処理をした後、加熱
乾燥雰囲気中でＳ弗化塩化エチレン系のエンベロープ５
に入れ、周縁部６を圧着して７レキシプル型発光素子を
作成した。
り電場発光性螢光体とシアノエチル化サッカローズとシ
アノエチル化セルローズ及び溶剤よりなる螢光体スラリ
ーを塗布し、引続き１２０′ｃで加熱して乾燥させ膜厚
約４０μｍの発光層Ｓを形成する。次に前記発光層５に
１２０ｔ、約５ｈｒの減圧加熱処理を施した後、乾燥雰
囲気中１５０でで加熱乾燥し、て透明導電性フィルム４
をラミネートし、それぞれ電極引出処理をした後、加熱
乾燥雰囲気中でＳ弗化塩化エチレン系のエンベロープ５
に入れ、周縁部６を圧着して７レキシプル型発光素子を
作成した。
この様にして作られた本発明に係わる発光素子の絶縁耐
圧を調べた結果、５００■以上を有し、従来の素子のよ
うな無処理のアルミニウム箔電極を使用し、電極間隔的
６０μｍの発光素子に勝るものであった。本発明による
素子と従来の素子とにそれぞれローの２５０Ｈｚ、１５
０■の電圧を印加して輝度特性を比較した結果、従来の
素子は輝度７０ｃｄ／ｒ？、発光効率１．５ｔｒｔ／Ｗ
であるのに対し、本発明によって作成した素子は輝度１
５０ｃｄ／ｙｄ 、発光効率約２．５ｍｌ／Ｗであり、
同等の絶縁耐圧で輝度効率が大巾に向上することがわか
った０ 更に、本発明の他の実施例を第２図について説明する。
圧を調べた結果、５００■以上を有し、従来の素子のよ
うな無処理のアルミニウム箔電極を使用し、電極間隔的
６０μｍの発光素子に勝るものであった。本発明による
素子と従来の素子とにそれぞれローの２５０Ｈｚ、１５
０■の電圧を印加して輝度特性を比較した結果、従来の
素子は輝度７０ｃｄ／ｒ？、発光効率１．５ｔｒｔ／Ｗ
であるのに対し、本発明によって作成した素子は輝度１
５０ｃｄ／ｙｄ 、発光効率約２．５ｍｌ／Ｗであり、
同等の絶縁耐圧で輝度効率が大巾に向上することがわか
った０ 更に、本発明の他の実施例を第２図について説明する。
第１図と同一符号は同一部材を示している。第２図に示
された発光素子の特長部分は６で示した高誘電率光反射
層である。本実施例では、高誘電率光反射層にチタン酸
バリウムあるいはチタン酸バリウムを主成分とする材料
で構成した。その結果、本発明による酸化チタン薄膜を
形成した金属箔背面電極を用いた発光素子は、従来の素
子と比較して絶縁耐圧は約１．５倍に向上した・従りて
、それだけ電極間隔を小さくすることが可能となるため
、輝度及び発光効率面で約２倍に向上させることができ
る。
された発光素子の特長部分は６で示した高誘電率光反射
層である。本実施例では、高誘電率光反射層にチタン酸
バリウムあるいはチタン酸バリウムを主成分とする材料
で構成した。その結果、本発明による酸化チタン薄膜を
形成した金属箔背面電極を用いた発光素子は、従来の素
子と比較して絶縁耐圧は約１．５倍に向上した・従りて
、それだけ電極間隔を小さくすることが可能となるため
、輝度及び発光効率面で約２倍に向上させることができ
る。
なお、背面電極に用ｔ・る金属箔上に酸化チタン薄膜を
形成する手段として、酸化チタンターゲットを用いるス
パッタリング法も実験した。
形成する手段として、酸化チタンターゲットを用いるス
パッタリング法も実験した。
この場合も前記同様ＫＯ１５〜０．４μｍの酸化チタン
薄膜が形成され、それを背面電極に使用して作成した発
光素子は従来の素子と比較して、絶縁耐圧は約１．５倍
に向上し、輝度及び発光効率も約２倍に向上する結果が
得られた。
薄膜が形成され、それを背面電極に使用して作成した発
光素子は従来の素子と比較して、絶縁耐圧は約１．５倍
に向上し、輝度及び発光効率も約２倍に向上する結果が
得られた。
本発明の実施例で述べたように、本発明によれば、フレ
キシブル型発光素子の絶縁耐圧が著しく向上するので、
それだけ発光層膜厚を薄くして電極間隔を狭くてること
ができ、同一の外部電場を印加した場合でも螢光体層に
加わる平均電界強度が増大し、発光輝度を約２倍に向上
させることができる。また、両電極層間の絶縁性が良い
ので発光動作時における実効消費電流、実効消費電力が
低減し素子の発光効率を約２倍に向上させることができ
る。
キシブル型発光素子の絶縁耐圧が著しく向上するので、
それだけ発光層膜厚を薄くして電極間隔を狭くてること
ができ、同一の外部電場を印加した場合でも螢光体層に
加わる平均電界強度が増大し、発光輝度を約２倍に向上
させることができる。また、両電極層間の絶縁性が良い
ので発光動作時における実効消費電流、実効消費電力が
低減し素子の発光効率を約２倍に向上させることができ
る。
第１図は本発明に係わる発光素子の一部拡大縦断面図、
第２図は本発明に係わる他の発光素子の一部拡大縦断面
図である。 １・・・背面電極層 ２・・・酸化チタン薄膜層 ５・・・発光層 ４・・・透明電極層 ５・・・エンベロープ ６・・・発生素子の周縁部 代理人弁理士 小 川 膀 労゛− あ１ 巴 晃２目
第２図は本発明に係わる他の発光素子の一部拡大縦断面
図である。 １・・・背面電極層 ２・・・酸化チタン薄膜層 ５・・・発光層 ４・・・透明電極層 ５・・・エンベロープ ６・・・発生素子の周縁部 代理人弁理士 小 川 膀 労゛− あ１ 巴 晃２目
Claims (2)
- １．透明導電フイルムと、金属箔背面電極と、上記透
明導電フイルムと上記金属箔背面電極との間に介在する
電場発光性螢光体を含む発光層とから成るフレキシブル
型発光素子に於いて、上記背面電極と上記発光層との間
に、酸化チタン薄膜を設けたことを特徴とするフレキシ
ブル型発光素子。 - ２．透明導電フイルムと、金属箔背面電極と、上記透
明導電フイルムと上記金属箔背面電極との間に介在する
電場発光性螢光体を含む発光層とから成るフレキシブル
型発光素子に於いて、上記背面電極に接して酸化チタン
薄膜及び高誘電率反射層を設けたことを特徴とするフレ
キシブル型発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070934A JPS61230295A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | フレキシブル型発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60070934A JPS61230295A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | フレキシブル型発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61230295A true JPS61230295A (ja) | 1986-10-14 |
Family
ID=13445832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60070934A Pending JPS61230295A (ja) | 1985-04-05 | 1985-04-05 | フレキシブル型発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61230295A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009520347A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機ｌｅｄ素子 |
-
1985
- 1985-04-05 JP JP60070934A patent/JPS61230295A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009520347A (ja) * | 2005-12-19 | 2009-05-21 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 有機ｌｅｄ素子 |
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