JPS61222021A - Magnetic recording medium - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To form a thin chromium film to the extent of obviating the generation of a film crack, etc. and to obtain an excellent magnetic characteristic by forming the side where an underlying layer contacts with a substrate of a film consisting essentially of zirconium oxide, etc. and forming the side where said layer contacts with a magnetic layer of the chromium film. CONSTITUTION:The non-magnetic underlying layer 2 consisting of a ZrO2 layer, the 2nd underlying layer 3 consisting of the Cr film, a thin magnetic metallic layer 4 consisting of a Co-Ni film and a protective layer 5 consisting of a thin carbon film are successively formed on a non-magnetic soda lime glass substrate 1. The film consisting essentially of the zirconium oxide, etc. is formed between the non-magnetic substrate 1 and the chromium film 2 as the underlying layer and therefore the thickness of the chromium film is made as small as 1000 Angstrom at which the crack of the film, etc. are not generated. The excellent magnetic characteristic is thus obtd.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気的記憶装置に用いられる磁気記録媒体に
関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a magnetic recording medium used in a magnetic storage device.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、磁気記録媒体の高記録密度化の要請によυ、金属
磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜形の磁気記録媒体が注
目を集めている。このような金属−・・パ−１４−醋−
１＋ｒｌ＋１−　町、Ｚ、・７　Ｊ　１１　・ノブ体温
により形成したＣｏまたはＣｏ−Ｎｉ　、Ｃｏ−Ｎ１−
Ｐ、Ｃｏ−Ｐなどの合金系の金属薄膜が知られているが
、その磁気特性を改善するために、非磁性支持体と上記
磁性層との間に下地層としてＣｒ膜を介在させることが
知られている（アイ・イー・イー・イー・トランザクシ
ョンズ・オン・マグネティックス、ＭＡＧ、　１５巻３
号１１３５頁（ＩＥＥＥ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏ
ｎ　Ｍａｇｎｅｔｔｃｓ　、　Ｖ（）１９ＭＡＧ、　１
５．Ｎ１３　、ｐ、　１１３５　。In recent years, due to the demand for higher recording densities in magnetic recording media, continuous thin film magnetic recording media having a magnetic layer made of a metal magnetic thin film have attracted attention. Such metal...par 14-
1+rl+1- Machi, Z, ・7 J 11 ・Co or Co-Ni formed by knob body temperature, Co-N1-
Metal thin films based on alloys such as P and Co-P are known, but in order to improve their magnetic properties, it is possible to interpose a Cr film as an underlayer between the non-magnetic support and the magnetic layer. Known (IEE Transactions on Magnetics, MAG, Volume 15, Volume 3)
No. 1135 page (IEEE Transactions
n Magnettcs, V()19MAG, 1
5. N13, p, 1135.

１９７９　）　）。1979)).

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

しかし、このようなＣｒ膜を用いて高密度磁気配置に適
した十分に高い保磁力を得ようとすると、下地層として
のＣｒ膜を厚くしなければならない。However, in order to obtain a sufficiently high coercive force suitable for a high-density magnetic arrangement using such a Cr film, the Cr film as an underlayer must be thick.

ところが、支持体表面が十分に平滑に研摩されているこ
ともあって、Ｃｒ膜の膜厚が例えば５０００λ以上と大
きくなると、膜応力の増大に付着力が抗し切れず、微小
な膜割れを生ずる場合がおる。特に、安価なガラス基板
を支持体とし、表面を研摩して用いた場合には、このよ
うな膜割れが発生しやすいが、このような下地層の膜割
れは、例えば磁気ヘッドとの間隔が２００〜３００ｎｍ
という小さな値を保ちながら回転する磁気ディスクにと
って致命的な欠陥となる。However, because the surface of the support is polished sufficiently smooth, when the thickness of the Cr film increases, for example, 5000λ or more, the adhesion force cannot withstand the increase in film stress, resulting in minute film cracks. This may occur in some cases. Particularly, such film cracking is likely to occur when using an inexpensive glass substrate as a support with a polished surface. 200-300nm
This is a fatal flaw for magnetic disks that rotate while maintaining a small value.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

このような問題点を解決するために、本発明は、非磁性
下地層としてＣｒ膜の他に、当該Ｃｒ膜と非磁性支持体
との間に、酸化ジルコニウム（ＺｒＯｌ）、フッ化マグ
ネシウム（ＭｇＦ＊）、酸化インジウム（ＩｎｌＯ，）
、酸化スズ（ＳｎＯｌ）の少なくとも１ｓ類を主成分と
する膜を介在させたものである。In order to solve these problems, the present invention provides, in addition to a Cr film as a non-magnetic underlayer, zirconium oxide (ZrOl) and magnesium fluoride (MgF) between the Cr film and the non-magnetic support. *), indium oxide (InlO,)
, a film containing at least 1s of tin oxide (SnOl) as a main component is interposed therebetween.

〔作用〕[Effect]

このような膜を介在させることにより、比較的薄いＣｒ
膜で、しかも従来Ｃｒ膜単独の下地層を用いた場合には
得られなかったよう表すぐれた磁気特性を示す理由は必
ずしも明らかではないが、上述した膜はいずれも結晶性
の膜でアシ、この存在によってその上に形成されるＣｒ
膜や磁性膜の結晶性が改善されることによると考えられ
る。By interposing such a film, relatively thin Cr
Although it is not necessarily clear why the film exhibits excellent magnetic properties that could not be obtained when using a conventional Cr film alone as an underlayer, the films mentioned above are all crystalline films and have reeds. Cr formed on it by this presence
This is thought to be due to improved crystallinity of the film and magnetic film.

〔実施例〕〔Example〕

（その１） 図示のように、非磁性支持体としてのソーダライムガラ
ス基板１の上に、第１の非磁性下地層として１０００　
ＸのＺ　ｒ　Ｑ、層２を、電子ビームを用い九真空蒸着
法によって形成し、さらに第２の下地層としてマグネト
ロンスパッタリング法によって１５００ＸのＣｒ膜３を
形成した。次に、このＣｒ膜３の上に、金属薄膜磁性層
として、同じスパッタリング装置を用いて１５ｗＬ％の
Ｎｌを含むＣ。(Part 1) As shown in the figure, on a soda lime glass substrate 1 as a non-magnetic support, a 1000 ml film is applied as a first non-magnetic underlayer.
A Z r Q layer 2 of X was formed by vacuum evaporation using an electron beam, and a Cr film 3 of 1500X was formed as a second underlayer by magnetron sputtering. Next, on this Cr film 3, a metal thin film magnetic layer is formed using the same sputtering apparatus to form a C layer containing 15 wL% of Nl.

−Ｎｉ膜４を４０ＯＡの厚さに成膜した。さらにその上
に、保護膜としてスパッタリング法により５００Ｘの炭
素薄膜５を形成した。-Ni film 4 was formed to a thickness of 40OA. Furthermore, a 500X carbon thin film 5 was formed thereon as a protective film by sputtering.

（その２） 第１の実施例において、ＺｒＯ，膜の代υに１００１０
００ｊｌ）、膜を同様の方法によって形成した。(Part 2) In the first embodiment, the ZrO film thickness υ is 10010
00jl), the membrane was formed by a similar method.

（その３） 第１の実施例において、Ｚｒ０１膜の代りに１１０ＯＡ
のＩ　ｎ＊　ＯＢ膜を同様に形成した。(Part 3) In the first embodiment, 110OA film was used instead of Zr01 film.
An I n* OB film was similarly formed.

（その４） 第１の実施例において、ｚｒＯ□膜の代りに１５００＾
のＳｎＯ，膜を同様に形成した。(Part 4) In the first example, 1500^ was used instead of the zrO□ film.
A SnO film was formed in the same manner.

（その５） 第１の実施例におい電、ＺｒＯ，膜の代りに１６００＾
のＩＴＯ膜、ＳｎＯ，を含むＩ　ｌ’ｌ！Ｏ，膜をスパ
ッタリング法により形成した。(Part 5) In the first embodiment, 1600 ^
ITO film containing SnO, I l'l! The O film was formed by sputtering.

以上の各実施例の磁気記録媒体について、保磁力Ｈｅ、
残留磁束密度Ｂｒおよび角形比（残留磁束密度Ｂｒ／飽
和磁束密度Ｂ畠）を測定した結果を下の表に示す。Regarding the magnetic recording media of each of the above examples, the coercive force He,
The results of measuring the residual magnetic flux density Br and squareness ratio (residual magnetic flux density Br/saturation magnetic flux density B) are shown in the table below.

ここで、従来例とは第１の下地層のみを省略し、他は各
実施例と全く同様に形成したものであるが、この表から
明らかなように、各実施例はいずれも従来ｆ１１に圧絞
して磁’ｉｌ己！露体、Ｌｌ−て缶りめてすぐれた特性
を示している。すなわち、角形比Ｂｒ／ｉ１ｓ　ｒｉ大
きいほど出力電圧が高くまた記録や消去も容易になる。Here, the conventional example is one in which only the first base layer is omitted, and the other parts are formed exactly the same as in each example, but as is clear from this table, each example is different from the conventional f11. Squeeze and magnetize yourself! It shows particularly excellent characteristics in both the exposure and the Ll-. That is, the larger the squareness ratio Br/i1s ri, the higher the output voltage and the easier recording and erasing.

さらに保磁力Ｈｅは、過大であると記録や消去が困難と
なるため大きければ大きいほど良いというもＯではない
が、小さいと自己減磁が大きく、また外部磁界によって
記録が消滅する傾向にあシ、従来は上述したように過小
であった。Furthermore, if the coercive force He is too large, recording and erasing will be difficult, so the larger the better, but if it is small, the self-demagnetization will be large and the recording will tend to be erased by an external magnetic field. , has conventionally been too small as mentioned above.

上述した各実施例において、ガラス基板１は、周知のガ
ラス研摩法によって平均表面粗さが３０〜２００大とな
るように仕上げたソーダライムガラス基板を用いた。こ
れは、従来一般に用いられている機械加工仕上げのＡｔ
”ｆｉたはＡｔ合金基板に比較して素材そのものが安価
であるとともに、磁性層の腐食を防止するためにＮ１−
Ｐメッキ層や陽極酸化Ａ’！Ｏ８層を形成するという工
程（その後で研摩法によシ平均表面粗さ２００　Ｘ程度
に鏡面仕上げされる）を除くことができ、コスト低減に
大きく寄与する利点を有するが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、ソーダライムガラスの他、アルミノ
シリケートガラスなど各種の多成分系ガラスあるいは石
英ガラス等を用いてもよい。もちろん、従来より使用さ
れている上記Ａｌｔ７’（はｋＡ合金基板、あるいはポ
リエチレンテレフ・タレート基板、シリコン基板等の各
種非磁性支持体を用いることもできる。In each of the embodiments described above, the glass substrate 1 used was a soda lime glass substrate finished by a well-known glass polishing method to have an average surface roughness of 30 to 200. This is a conventionally commonly used machined finished At
``The material itself is cheaper than Fi or At alloy substrates, and in order to prevent corrosion of the magnetic layer, N1-
P plating layer and anodic oxidation A'! The process of forming the O8 layer (which is then polished to a mirror finish with an average surface roughness of about 200X) can be omitted, which has the advantage of greatly contributing to cost reduction. The material is not limited to soda lime glass, and various multicomponent glasses such as aluminosilicate glass or quartz glass may be used. Of course, various nonmagnetic supports such as the Alt7'(kA alloy substrate), a polyethylene terephthalate substrate, a silicon substrate, etc., which have been used conventionally, may also be used.

また、第１の非磁性下地層としてのＺｒ０ｙ等の膜厚は
、高保磁力を得るためには３００に以上であることが望
ましい。上限は特に限定されないが、５０００Ａ以上で
は保磁力の増加が飽和するため、実用上は５０００Ｘ以
下とすることが望ましい。また成膜法は蒸着法に限定さ
れるものではなく、例えばイオンブレーティング法やス
パッタリング法等を利用してもよい。同様にＣｒ膜の形
成方法もスパッタリング法に限定されるものではない。Further, it is desirable that the film thickness of Zr0y or the like as the first non-magnetic underlayer be 300 mm or more in order to obtain a high coercive force. The upper limit is not particularly limited, but since the increase in coercive force is saturated at 5000A or more, it is practically desirable to set it to 5000X or less. Further, the film forming method is not limited to the vapor deposition method, and for example, an ion blasting method, a sputtering method, or the like may be used. Similarly, the method for forming the Cr film is not limited to the sputtering method.

また、磁性層も上述した実施例に限定されるものではな
く、特にＣｏ−Ｎｉ合金の成分比を変えたものやｃｏ単
体、Ｃｏ−Ｎ１Ｋ　Ｆ＊（”Ｐｔなどを混合した合金、
Ｃｏ　−Ｐ　ｔなど他のＣｏ系合金についても同様に良
好な結果が得られる。Furthermore, the magnetic layer is not limited to the above-mentioned embodiments, and may include one in which the component ratio of Co-Ni alloy is changed, single Co, Co-N1K F* ("alloy containing Pt etc.),
Similar good results can be obtained with other Co-based alloys such as Co-Pt.

さらに保護層としては、炭素薄膜の他にもＣｒ／Ｃ複合
層、Ｓｉｎ、層、Ｃｒ　／　Ｓ　ｉ　Ｏ＠複合層、Ｃ〆
Ｃ／ｓ　ｔ　ｏ、複合層、Ｃｒ　／Ｓ　＞　０！／　Ｃ
複合層、５ｔＯ１／Ｃ複合層等も有効であった。Furthermore, as a protective layer, in addition to the carbon thin film, Cr/C composite layer, Sin layer, Cr/SiO@composite layer, C〆C/sto, composite layer, Cr/S > 0! /C
Composite layers, 5tO1/C composite layers, etc. were also effective.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、非磁性支持体と
、この支持体と磁性層との間に下地層として形成するク
ロム膜との間に、酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウ
ム、酸化インジウムおよび酸化スズの少なくとも１種類
を主成分とする膜を介在させたことにより、Ｃｒ膜を膜
割れ等の生じない薄さに抑え、なおかつ従来Ｃｒ膜のみ
を用いた場合には得られなかったすぐれた磁気特性を得
ることができる。As explained above, according to the present invention, zirconium oxide, magnesium fluoride, indium oxide, and By interposing a film containing at least one type of tin oxide as a main component, the Cr film can be kept thin enough to prevent film cracking, and it can also achieve excellent properties that could not be obtained by conventionally using only a Cr film. Magnetic properties can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

図は本発明の一実施例を示す断面図である。 １・・・優ソーダライムガラス基板（非磁性支持体）、
２・拳・・Ｚ　ｒ　Ｏ＠膜、３・・・・Ｃｒ膜、４・・
・・Ｃｏ−Ｎ１膜（磁性層）、５・拳拳−炭素薄膜（保
護膜）。The figure is a sectional view showing one embodiment of the present invention. 1... Excellent soda lime glass substrate (non-magnetic support),
2. Fist... Z r O @ membrane, 3... Cr film, 4...
...Co-N1 film (magnetic layer), 5. Fist-carbon thin film (protective film).

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 非磁性支持体上に、下地層、磁性層、保護層を順次積層
してなる磁気記録媒体において、下地層は、支持体と接
する側が酸化ジルコニウム、フッ化マグネシウム、酸化
インジウムおよび酸化スズの少なくとも１種類を主成分
とする膜からなりかつ磁性層と接する側がクロム膜から
なることを特徴とする磁気記録媒体。In a magnetic recording medium formed by sequentially laminating an underlayer, a magnetic layer, and a protective layer on a nonmagnetic support, the underlayer has at least one of zirconium oxide, magnesium fluoride, indium oxide, and tin oxide on the side in contact with the support. 1. A magnetic recording medium characterized in that the main component is a chromium film, and the side in contact with the magnetic layer is a chromium film.