JPS61216356A - 半導体抵抗 - Google Patents
半導体抵抗Info
- Publication number
- JPS61216356A JPS61216356A JP60057308A JP5730885A JPS61216356A JP S61216356 A JPS61216356 A JP S61216356A JP 60057308 A JP60057308 A JP 60057308A JP 5730885 A JP5730885 A JP 5730885A JP S61216356 A JPS61216356 A JP S61216356A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistor
- polycrystalline silicon
- mask
- silicon
- resistive element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、不純物を含ませた単結晶シリコンまたは多結
晶シリコンを抵抗体とする半導体抵抗に関する。
晶シリコンを抵抗体とする半導体抵抗に関する。
第３図に多結晶シリコンを抵抗体とする従来の半導体抵
抗を示す。第３図において、１は半導体基体、２は厚い
フィールド絶縁膜、３は多結晶シリコンによる抵抗体、
３ａ、３ｂは前記抵抗体３０両端に設けられた低抵抗領
域、５は低抵抗領域３ｇ、３ｂを形成するためのマスク
層で、例えばシリコン窒化物からなる。
抗を示す。第３図において、１は半導体基体、２は厚い
フィールド絶縁膜、３は多結晶シリコンによる抵抗体、
３ａ、３ｂは前記抵抗体３０両端に設けられた低抵抗領
域、５は低抵抗領域３ｇ、３ｂを形成するためのマスク
層で、例えばシリコン窒化物からなる。
一般に、抵抗体３には比較的低濃度のリン又はヒ素等の
不純物がイオン注入されてその抵抗値が決定され、引き
出し電極用として使用される低抵抗領域ａａ、ａｂは、
マスク層５を利用して高濃度のリン又はヒ素が熱拡散又
はイオン注入によシ導入されて形成されるが、多結晶シ
リコン中の前記不純物の拡散は非常に速い為に、第３図
７に示すように、低抵抗領域の不純物が抵抗体３の内部
に向って数ミクロンに亘り拡散し、抵抗体３の長さ８を
短くシ、かつ再現性を悪化させていた。又、この為、抵
抗自体の寸法も、横方向の高濃度不純物の拡散７０分の
マージンを取る必要から大きくなっていた。
不純物がイオン注入されてその抵抗値が決定され、引き
出し電極用として使用される低抵抗領域ａａ、ａｂは、
マスク層５を利用して高濃度のリン又はヒ素が熱拡散又
はイオン注入によシ導入されて形成されるが、多結晶シ
リコン中の前記不純物の拡散は非常に速い為に、第３図
７に示すように、低抵抗領域の不純物が抵抗体３の内部
に向って数ミクロンに亘り拡散し、抵抗体３の長さ８を
短くシ、かつ再現性を悪化させていた。又、この為、抵
抗自体の寸法も、横方向の高濃度不純物の拡散７０分の
マージンを取る必要から大きくなっていた。
（問題点を解決するための手段〕
上記問題点に対し、本発明では単結晶半導体または多結
晶シリコンの抵抗体の電極引出し用領域の構造を、前記
抵抗体と、金属とシリコンとの反応生成物であるシリサ
イドとの２層構造にしている。
晶シリコンの抵抗体の電極引出し用領域の構造を、前記
抵抗体と、金属とシリコンとの反応生成物であるシリサ
イドとの２層構造にしている。
つぎに本発明を実施例により説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、ｌは半導体基体、２は厚いフィールド絶縁膜、３は多
結晶シリコンからなる抵抗体であって、抵抗体３の表面
のマスク５で分けられた両端部に１シリサイド４ａ、４
ｂがそれぞれ形成されている０シリサイド４ａ、４ｂは
、電極引出し用の低抵抗領域をなすもので、例えば窒化
シリコンのマスク層５をマスクとして、抵抗体３の表面
に、タングステン、白金、チタンなどの金属被膜を成長
させた後、熱処理を行って、これら金属と多結晶シリコ
ンとの反応生成物を成長させるととＫより形成され、一
般に多結晶シリコンよシー桁または数桁低い層抵抗を示
す。
、ｌは半導体基体、２は厚いフィールド絶縁膜、３は多
結晶シリコンからなる抵抗体であって、抵抗体３の表面
のマスク５で分けられた両端部に１シリサイド４ａ、４
ｂがそれぞれ形成されている０シリサイド４ａ、４ｂは
、電極引出し用の低抵抗領域をなすもので、例えば窒化
シリコンのマスク層５をマスクとして、抵抗体３の表面
に、タングステン、白金、チタンなどの金属被膜を成長
させた後、熱処理を行って、これら金属と多結晶シリコ
ンとの反応生成物を成長させるととＫより形成され、一
般に多結晶シリコンよシー桁または数桁低い層抵抗を示
す。
クリサイド４ａ 、４ｂは、また、スパッタなどの方法
で直接多結晶シリコン３の表面に形成することもできる
。
で直接多結晶シリコン３の表面に形成することもできる
。
第２図は本発明の他の実施例の断面図である。
図において、ｌは半導体基体、１２は厚いフィールド絶
縁膜、１３は半導体基体ｌとＰＮ接合を有する単結晶シ
リコンの抵抗体層、抵抗体層１３の表面のマスク５で分
けられた両側の表面には、引出し電極を形成するために
シリサイド層６ａと６ｂが設けられている。
縁膜、１３は半導体基体ｌとＰＮ接合を有する単結晶シ
リコンの抵抗体層、抵抗体層１３の表面のマスク５で分
けられた両側の表面には、引出し電極を形成するために
シリサイド層６ａと６ｂが設けられている。
本発明の半導体抵抗においては、電極引出しのための低
抵抗領域のシリサイドが、マスクの下部に滲み込まない
ために１マスクの寸法により、正確に抵抗値を決めるこ
とができ、よって正しい抵抗値の半導体抵抗が再現性よ
く実現できる。また、抵抗全体の寸法が、不要のマージ
ンを見込む必要がないために、小形に形成でき、高集積
化にも１刺である。
抵抗領域のシリサイドが、マスクの下部に滲み込まない
ために１マスクの寸法により、正確に抵抗値を決めるこ
とができ、よって正しい抵抗値の半導体抵抗が再現性よ
く実現できる。また、抵抗全体の寸法が、不要のマージ
ンを見込む必要がないために、小形に形成でき、高集積
化にも１刺である。
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明の
他の実施例の断面図、第３図は従来の半導体抵抗の断面
図である。 １．１１・・・・・・半導体基体、２，１２・・・・・
・厚いフィールド絶縁膜、３・・・・・・多結晶シリコ
ン抵抗体、４ａ、４ｂ、６ｍ、６ｂ・・・・・・シリサ
イド、５・・・・・・マスク、７・・・・・・横方向拡
散領域、８・・・・・・抵抗体寸法。 第 ３図
他の実施例の断面図、第３図は従来の半導体抵抗の断面
図である。 １．１１・・・・・・半導体基体、２，１２・・・・・
・厚いフィールド絶縁膜、３・・・・・・多結晶シリコ
ン抵抗体、４ａ、４ｂ、６ｍ、６ｂ・・・・・・シリサ
イド、５・・・・・・マスク、７・・・・・・横方向拡
散領域、８・・・・・・抵抗体寸法。 第 ３図
Claims (1)
- 単結晶半導体又は、多結晶シリコンを抵抗体とした半導
体抵抗において、前記抵抗体の両端に設けられた接続用
領域の表面には、金属とシリコンとの反応生成物である
シリサイドを有することを特徴とする半導体抵抗。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057308A JPS61216356A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 半導体抵抗 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60057308A JPS61216356A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 半導体抵抗 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61216356A true JPS61216356A (ja) | 1986-09-26 |
Family
ID=13051933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60057308A Pending JPS61216356A (ja) | 1985-03-20 | 1985-03-20 | 半導体抵抗 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61216356A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283851A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPH0319273A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH04229647A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-08-19 | Digital Equip Corp <Dec> | 自己整合けい素化合物化ｍｏｓ工法による精密抵抗体の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107279A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-22 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1985
- 1985-03-20 JP JP60057308A patent/JPS61216356A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54107279A (en) * | 1978-02-10 | 1979-08-22 | Nec Corp | Semiconductor device |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01283851A (ja) * | 1988-05-10 | 1989-11-15 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
| JPH0319273A (ja) * | 1989-06-15 | 1991-01-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH04229647A (ja) * | 1990-04-27 | 1992-08-19 | Digital Equip Corp <Dec> | 自己整合けい素化合物化ｍｏｓ工法による精密抵抗体の製造方法 |
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