JPS61209376A - 磁界センサ - Google Patents

磁界センサ

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JPS61209376A
JPS61209376A JP60288083A JP28808385A JPS61209376A JP S61209376 A JPS61209376 A JP S61209376A JP 60288083 A JP60288083 A JP 60288083A JP 28808385 A JP28808385 A JP 28808385A JP S61209376 A JPS61209376 A JP S61209376A
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magnetic field
field sensor
sensor according
housing
support
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JP60288083A
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ハンス ピータ メイヤー
ヘルムツト ベツカー
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Publication date
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01DMEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D5/00Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
    • G01D5/12Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
    • G01D5/14Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
    • G01D5/142Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
    • G01D5/147Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices influenced by the movement of a third element, the position of Hall device and the source of magnetic field being fixed in respect to each other

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は特許請求の範囲第1項に記載したような磁界セ
ンサに関する。
このような特性の磁界検出器は、西ドイツ公開特許明m
書第24 26 420号に開示されており、永久磁石
の1つの極がU字状のヨークの中心脚に゛配置され、こ
のヨークが中心脚を取り囲んでいる。その反対側の極の
表面には互いに隣接する半導体の二つの磁界依存抵抗が
配置され、例えば接着されている。磁界依存抵抗の平坦
な上側面には保護被覆を備えることができる。U字状の
前記ヨークにはフィルムが堆積され、その一部は軟磁性
体からなり、これによって磁界依存半導体抵抗の抵抗が
変化する。永久磁石の磁束はヨーク、フィルムの軟磁性
体の部分、及びこのフィルムと半導体の磁界依存抵抗を
含む永久磁石の磁極との間の空隙を介して閉成する。こ
のフィルムは磁力により吸引され、ヨークの脚と接触し
ており、その上をフィルム及び当該装置の残りの部分が
他方に相対して移動するに従い摺動する。
本発明の目的は、汎用できるように磁界に又は磁界にお
ける変化に応答し、単純な設計であっても高い分解能が
得られるセンサを設計することにある。この目的は特許
請求の範囲第1項の特徴部分に示すことにより達成され
る。この特性の磁界センサを損傷することは実質的に不
可能なことであり、考え得る種々の磁界制御装置、例え
ば磁気又は磁化可能な歯車又はラック、フォイル制御グ
リッド等に関連して用いられる。更に、連続的な磁束を
必要としないので、ヨークを必要としないことも明らか
となった。しかも、外部磁界によってセンサが影響され
ることはない。
本発明のこの他の特徴の詳細については特許請求の範囲
の従属項に記載されており、図面に示した実施例に基づ
き以下詳細に説明する。
[実施例] 数字1は、少なくとも頂部で解放された非磁性体、例え
ば真鍮、ダイキャスト亜鉛、若しくはアルミニュウムの
、又は絶縁プラスチックのハウジングを示している。説
明している実施例では、ハウジング1は金属からなる。
支持4の一方の平側面5は検出器側!!!2の内側3上
に配置されている。
支持4の平側面5には第1図に上部から底部に伸延して
示し、かつ第3図に点線により示す線条の形式にある一
つ又は複数の磁界依存抵抗6が付加されている。更に、
磁界依存抵抗6がこれらと内側3上で直接又は間接的に
例えばフィルム7、特に絶縁フィルムを介して接触して
いる。フィルム7の代わりに、支持4及び磁界依存抵抗
6に絶縁被覆を付着させることもできる。永久磁石10
の極板9は支持4の他の平側面8と接触している。
永久磁石10はハウジング1のガイド・ベッド11にあ
る支持4の方向に摺動可能に案内され、極板9に対して
力を加えている。極板9は更に圧縮ばね12の効果によ
り支持4に対して力を加えている。従って、磁界依存抵
抗6は実質的に空隙なしに内側3に接触している。
その外側では、軟鉄又は硬い金属材料、例えば図から明
らかなように、検出器側壁2のすぐ近傍、例えば最大約
1履の距離を通って歯車やラック等の制御要素13を移
動させることができる。これによって、磁界依存抵抗6
に達する磁界の変動が許容される。磁界を大ぎく変化さ
せ、これによって磁界依存抵抗6の抵抗値を大きく変化
させるために、磁界依存抵抗6又は薄い壁状に、即ちダ
イアフラム状に薄く設計された支持4全体の少なくとも
活性領域に、検出器側壁2を設けている。検出器側壁2
の厚さXは、例えばせ0.03〜最大law、好ましく
は0.1〜0.6amである。この薄い領域は内側3を
凹ませることにより形成することができ、このようにし
て形成された3つの側端は少なくとも三つの横方向の端
14.15゜16に支持4の位置を固定させる。検出器
側壁2の厚さXは他のハウジング壁17,18.19及
び/又はハウジング・ベース20の厚さより薄いのが好
ましい。
磁界依存抵抗6を堆積している支持4の平側面5に磁界
依存抵抗6を電気的に接続して、支持4を貫通接続又は
補助接続させる必要性をなくすために、ハウジング1は
検出器側4422の上、磁界依存抵抗6の電気的な接続
面21の領域において、外側に向かって形成された壁部
22を有する。この壁部22によって内部空間23が形
成され、この内部空間へ支持4を、圧縮したり接触させ
ることなく、引き出し線25を有する電気接続面21の
半田付は即ち接合点24と共に、突出させている。
引き出し線25の各他端は、例えば接続ビンの形式に設
計された端子27の内端26に電気的及び機械的に接続
されている。圧入又は鋳込みによりハウジング1に端子
27が取り付けられ、かつ特殊な絶縁部材28、例えば
ガラス又はセラミック又はプラスチックの貫通要素が電
気的な導体のハウジング1の筐体における端子27の周
辺に配置されている。外側に伸延する端子27の端部2
9は、好ましくはプラグ・コネクタの形式、例えば円形
の又はフラット・ケーブル・プラグの形式に設計されて
いる。永久磁石10は通常、中央に配置され、かつ端子
27はその長さ方向の両側部30.31に配置されてい
る。ハウジング1には突出したアタッチメント・タブ3
2が形成されており、例えばその孔33を介してハウジ
ング1をある装置に取り付けることができる。また、ア
タッチメント・タブ32とハ「クジング1とを接続する
補強材34が都合よく設けられている。
ハウジング1は片側が開放されているのが実際的である
。必要に応じてこの側面から各部品、即ち支持4、極板
9、永久磁石10及び圧縮手段12、更にフィルム7を
挿入し、次いでハウジング1を充填材により充填する。
ポリエステル・ペースの合成樹脂、エポキシ樹脂及び/
又はシリコン・ゴムを充填材として用いることができる
が、このような高い機械的な強度を必要としないときは
ワックスを用いてもよい。
磁界依存抵抗6は、例えば抵抗体の形式で支持4の上に
配置される。この抵抗体は、ブリッジ回路に挿入するこ
と、又は組み合わせて完全なブリッジ、即ち通常は4つ
の磁界依存抵抗6、例えば線条又は二重の線条を形成す
ることができる特性のものである。
磁界依存抵抗6は、製造過程で容易軸が線条の方向に、
即ち磁界依存抵抗の線条に対して平行な車軸異方性を示
すように延びている性質の磁界により処理されたもので
、磁界依存抵抗として用いるのに適したものである。こ
のような特性の線条は、例えばN i Fe、C0Fe
B、FeBe等の強磁性体から作成され、その被覆の厚
さは0.5μm以下であるのが好ましい。
【図面の簡単な説明】
第1図は第2図の断面A−8から見た本発明による磁界
センサの側面図、第2図は非充填にしたとき又は透明な
充填材により充填したときの本発明による磁界センサの
平面図、第3図は第1図の断面C−Dから見た磁界セン
サの断面図である。 1・・・ハウジング、2・・・検出器側壁、3・・・内
側、4・・・支持、6・・・磁界依存抵抗、7・・・非
電磁絶縁層、9・・・極板、10・・・永久磁石、11
・・・ガイド・ベッド、12・・・圧縮手段、14.1
5.16・・・端、21・・・接続点、22・・・壁部
、23・・・内部空間、26・・・内端、27・・・端
子、29・・・端部、30゜31・・・側部、32・・
・アタッチメント・タブ、33・・・孔、34・・・補
強材。 手続補正書(方式) 昭和61年4月 9日

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)少なくとも一端を解放しているハウジングの外壁
    の近傍に配置された少なくとも一つの磁界依存抵抗を備
    え、更に磁界依存抵抗に隣接して永久磁石を備えた磁界
    センサにおいて、前記磁界依存抵抗(6)は支持(4)
    上に配列されると共に前記ハウジング(1)の検出器側
    壁(2)の内側に接触し、かつ前記検出器側壁(2)の
    厚さ(x)は少なくとも前記磁界依存抵抗(6)の活性
    面の領域にあると共に他のハウジング壁(17、18、
    19)及び/又はハウジング・ベース(20)の領域よ
    り小さいことを特徴とする磁界センサ。
  2. (2)特許請求の範囲第1項記載の磁界センサにおいて
    、前記検出器側壁(2)の薄い壁領域は少なくとも横方
    向の3つの端(14、15、16)上に前記支持体(4
    )を固定させることを特徴とする磁界センサ。
  3. (3)特許請求の範囲第1項又は第2項記載の磁界セン
    サにおいて、前記磁界依存抵抗(6)と前記検出器側壁
    (2)の内側(3)との間に非磁性体の電気的な絶縁層
    (7)を配置したことを特徴とする磁界センサ。
  4. (4)特許請求の範囲第3項記載の磁界センサにおいて
    、前記支持(4)上の前記絶縁層(7)は前記磁界依存
    抵抗(6)と同一側に形成されていることを特徴とする
    磁界センサ。
  5. (5)特許請求の範囲第3項記載の磁界センサにおいて
    、前記絶縁層(7)は必要に応じて適正に配置される付
    加的なフィルムであることを特徴とする磁界センサ。
  6. (6)特許請求の範囲第1項から第5項までのいずれか
    に記載の磁界センサにおいて、前記検出器側壁(2)は
    前記磁界依存抵抗(6)の電気的な接続点(21)の領
    域で外側へ向かつて形成された少なくとも一つの壁部(
    22)を有すると共に、前記壁部(22)は前記検出器
    側壁(2)の内側(3)と前記接続点(21)と、従つ
    て支持(4)との間に内部空間(23)を形成している
    ことを特徴とする磁界センサ。
  7. (7)特許請求の範囲第1項から第6項までのいずれか
    に記載の磁界センサにおいて、前記ハウジング(1)に
    前記永久磁石(10)のガイド・ベッド(11を配置す
    ると共に、前記永久磁石(10)を前記ガイド・ベッド
    (11)により前記支持(4)の方向に摺動可能に案内
    し、かつ前記永久磁石(10)の一方の端面と前記ハウ
    ジング(1)との間に圧縮手段(12)を配置し、前記
    永久磁石(10)の他方の端面は前記圧縮手段(12)
    により支持(4)に対して力を印加し、続いてこの支持
    (4)は直接又は軟磁性体からなる極板のいずれかによ
    り検出器側壁(2)の内側(3)に対して力を印加し得
    るようにしたことを特徴とする磁界センサ。
  8. (8)特許請求の範囲第7項記載の磁界センサにおいて
    、前記永久磁石(10)は磁気ヨークを備えていないこ
    とを特徴とする磁界センサ。
  9. (9)特許請求の範囲第1項から第8項までのいずれか
    に記載の磁界センサにおいて、前記ハウジング(1)は
    非磁性体の金属、好ましくはアルミニュウムからなるこ
    とを特徴とする磁界センサ。
  10. (10)特許請求の範囲第1項から第8項までのいずれ
    かに記載の磁界センサにおいて、前記ハウジング(1)
    はプラスチックからなることを特徴とする磁界センサ。
  11. (11)特許請求の範囲第1項から第10項までのいず
    れかに記載の磁界センサにおいて、前記磁界依存抵抗(
    6)当り少なくとも一つの端子(27)は絶縁された形
    式で前記ハウジング(1)に配列されると共に、前記端
    子(27)の一端(29)は外側に伸延し、他方の前記
    端子(26)は内側に伸延し、前記端子(27)は少な
    くとも一つの前記磁界依存抵抗(6)に電気的に接続さ
    れていることを特徴とする磁界センサ。
  12. (12)特許請求の範囲第11項記載の磁界センサにお
    いて、前記端子(27)は前記永久磁石(10)の長さ
    方向の両側部(30、31)に配列されていることを特
    徴とする磁界センサ。
  13. (13)特許請求の範囲第11項又は第12項に記載の
    磁界センサにおいて、前記端子(27)の外側部分はコ
    ネクタ・プラグの形式に設計されていることを特徴とす
    る磁界センサ。
  14. (14)特許請求の範囲11項から第13項までのいず
    れかに記載の磁界センサにおいて、前記ハウジング(1
    )は少なくとも1つの孔(33)を含むアタッチメント
    ・タブ(32)を有することを特徴とする磁界センサ。
  15. (15)特許請求の範囲14項記載の磁界センサにおい
    て、前記アタッチメント・タブ(32)は前記ハウジン
    グ(1)に形成された補強材(34)により前記ハウジ
    ング(1)に接続されていることを特徴とする磁界セン
    サ。
  16. (16)特許請求の範囲第1項から第15項までのいず
    れかに記載の磁界センサにおいて、前記ハウジング(1
    )は片側を解放していると共に、充填材により充填され
    ていることを特徴とする磁界センサ。
  17. (17)特許請求の範囲第16項記載の磁界センサにお
    いて、前記充填材は合成樹脂、好ましくはポリエステル
    及び/又はエポキシ樹脂であることを特徴とする磁界セ
    ンサ。
  18. (18)特許請求の範囲第16項記載の磁界センサにお
    いて、前記充填材はシリコン・ゴムであることを特徴と
    する磁界センサ。
  19. (19)特許請求の範囲第1項から第18項までのいず
    れかに記載の磁界センサにおいて、4つの前記磁界依存
    抵抗(6)はブリッジを形成するように組合せ可能にさ
    れ、前記支持(4)の上に配置されていることを特徴と
    する磁界センサ。
  20. (20)特許請求の範囲第1項から第19項までのいず
    れかに記載の磁界センサにおいて、複数の前記磁界依存
    抵抗(6)は強磁性体の線条からなり、被膜の厚さを最
    大0.5μmとし、互いに平行に配列され、かつ前記線
    条に対して容易軸を平行に伸延させるように磁界により
    処理されていることを特徴とする磁界センサ。
JP60288083A 1984-12-24 1985-12-23 磁界センサ Pending JPS61209376A (ja)

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DE3447312.2 1984-12-24
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