JPS612081A - プロ−ブ装置 - Google Patents

プロ−ブ装置

Info

Publication number
JPS612081A
JPS612081A JP12198784A JP12198784A JPS612081A JP S612081 A JPS612081 A JP S612081A JP 12198784 A JP12198784 A JP 12198784A JP 12198784 A JP12198784 A JP 12198784A JP S612081 A JPS612081 A JP S612081A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
stage
sensor
moved
camera
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP12198784A
Other languages
English (en)
Inventor
Teruya Sato
光弥 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP12198784A priority Critical patent/JPS612081A/ja
Publication of JPS612081A publication Critical patent/JPS612081A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、プローブ装置に関する。
〔従来技術〕
一般に半導体素子製造工程において、個々のチップに切
断する前のウェハ状態でICチップの特性をテストする
ための装置としてICテスタ及びプローブ装置(以下ク
エハプローパという。)が使われている。実際のテスト
はICテスタで行われるが、このICテスタとウェハ上
のICチップとの電気的コンタクトを行うのがクエハプ
ローパである。
この電気的コンタクトを行うためにウエノ1プローバに
おいては、テストすべきウェハをXyz方向に移動可能
に配置し、他方ウェハの各チップのポンディングパッド
の位置に対応してプローブ針を取り付けたプローブカー
ドを回転可能に配置する。そして上述のグローブ針とI
Cチップのポンディングパッドとを正確に電気的なコン
タクトを行なわせるためには、プローブカードをウエハ
プローバに取付ける際にプローブカードの正確な位置合
わせが必要となる。
したがってウエハプローパは、上記の正確な位置合わせ
(アライメント)を行うために下記のようなセンサを有
する。
1)ウニ八エツジセンサ・・・・・・粗位置合わせ(プ
リアライメント)のためウェハの外周の検出に用いる。
普通容量型センサが使用されている。
2)オートアライメント用センサ・・・・・・最終アラ
イメントに用いる。
TVカメラを用いた画像処理又はレーザスキャンシステ
ム等が使用されている。
3)ウェハハイドセンサ・・・・・・ウエノ1の表面の
高さの検出(二側いる。
ウェハエツジセンサと兼用されることが多い。
従来のウエハプローパは上述の様なセンサ類を有してい
たが、それらのセンサは各々1つしかなかった。そのた
め従来のウエノ1プローパでは、ウェハ全外周のウェハ
エツジセンス、ウエノ1全面のバイトセンス及びウニ/
%上の任意の位置でのオートアライメントの実行等を行
うためには、各センサの下にウェハ上の測定すべき点を
位置させる必要があり、このためウェハステージは、実
際のテスト時に必要なステージの可動範囲より大きなス
テージ可動範囲を必要とし、装置が大型化するという欠
点があった。この欠点はフェノ1サイズが小さい場合に
は大きな問題とはならなかったが、近年ウェハサイズが
大型化して来ているため、この欠点は無視出来ないもの
となって来た。
〔発明の目的〕
本発明は、上述従来例の欠点を除去するもので、ウエハ
プローバの小型化を目的としたものである。
〔実施例〕
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例の概略平面図であり、第2図
は第1図の概略正面図である。
プローブカード1には、テストするウエノ1のポンディ
ングパッドの配置位置に対応したプローフ゛針2が取り
付けられ、またプローブカード1は、XY平面内で回転
可能に不図示のグローブ(本体に保持されている。
更にプローパ本体のプローブカード1の両側縁(X方向
)近傍において、それぞれ画像処理で自動位置検出を行
うオートアライメント用TVカメラ41,42、及びウ
ェハエツジセンスとウェハハイドセンサに兼用して使用
する静電容量型のセンサ51,52がセンサ保持部31
.32を介して取り付けられている。
またプローブカード1の下方(=配置されているのは、
テストするウエノ16を真空チャック等で保持するウェ
ハチャック7、ウェハチャック7を支持するウェハステ
ージ8であり、ウェハチャック7とウェハステージ8は
共にXY方向に移動可能であり、またXY平面において
回転可能である。
なお第1図のlloは、センサ保持部31.32からグ
ローブカード1の中心Oまでの距離を示す。
上記構成の実施例の動作について、まず粗位置合わせ(
プリアライメント)を説明する。
ウェハ6を保持したウェハステージ8は、まず静電容量
型センサ52の下に移動し、更にX、  Y方向に移動
することによりウェハ6の右半分のウェハエツジセンス
を行う。この後ウェハステージ8は静電容量型センサ5
1の下に移動し、先と同様にウェハ6の左半分のウェハ
エツジセンスを行う。以上の動作によりウェハ6の外周
の情報が得られ、次にウェハステージ8な回転させるこ
とによりウェハ6のオリエンテーションフラットを所定
の方向に合わせる。この後再び静電容量型センサ52.
51によりウェハ6の右半分、左半分のウニハムイトセ
ンスを行う。
以上のウエノX6の外形による粗位置合わせ及びウェハ
6の全面のハイドセンス終了後は、最終アライメントエ
リアがウエノ\6の右半分にある場合はTVカメラ42
により、又最終アライメントエリアがウェハ6の左半分
にある場合にはTVカメラ41(二より最終アライメン
トを行う。この最終アライメントは公知の画像処理で行
うことができる。
以上の様にして最終アライメントが終了すると、ウェハ
6上の各ICチップ(図示せず)の各々を順番にプロー
ブ針2の下に移動させ、次にウエノ1チャック7を上昇
させることによりICチップのポンディングパッド(図
示せず)とプローブ針2とを接触させる。プローブ針2
は不図示のICテスタに接続されており、当該ICチッ
プのテストが行なわれる。
上記実施例の構成及び動作について詳述すると、ウェハ
ステージ8の必要可動範囲りは、ウエノX6の半径なr
とすると、 r≦lloにおいて L=2Ao  ・・・・・・・・
・・・・■r>lloにおいて L= 2r  ・・・
・・・・・・・・・■となる。
他方、従来の装置すなわちセンサ(,41,51)。
(42、52’)のいずれか一方しかない場合には、ウ
ニ八ステージの可動範囲りは L=7o+2r   ・・・・・・・・・・・・■であ
る。
上記の式■■■について第6図に示すと、a、bは、そ
れぞれ従来例、本発明の構成が必要とするウェハステー
ジ可動範囲である。このグラフからも明らかな様に、r
≧bになると、従来例より本発明の構成の方がウェハス
テージ必要可動範囲が小さくなる。
ところで現在主に用いられているプローブカードの幅(
X方向)は120朋程度であるため、プローブカードの
端からセンサ保持部中心までを10間と考えると、 ” −”−Q−+ 10−= 70 msとなる。つま
りウニへ半径が70 wn以上の場合においては、本発
明の構成が従来例よりウェハステージ必要可動範囲が小
さくなることが解る。
なお前記実施例の構成において、被テストウェハのサイ
ズに応じてセンサ等の配置を変更して使用したり、最適
配置のセンサ等を選択して使用することができることは
勿論である。
〔発明の効果〕
以上説明した様にプローブカードの周囲に複数のセンサ
群を配置するという構成により、ウェハの位置情報の検
出時間を短縮化することができ、また装置を小型化する
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の概略上面図、第2図は第1
図の概略正面図、第6図は本発明及び従来例のウニ八ス
テージの必要可動範囲を示すグラフである。 1はプローブカード、2はプローブ針、61 。 62はセンサ保持部、41.42はTVカメラ、51.
52は静電容量型センサ、6はウェハ、7はウェハチャ
ック、8はウェハステージである。 第1図 第2図 第3図 ど ウエノ\羊羽1

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハの外周を検出するセンサと、ウェハの表面の高さ
    を検出するセンサと、自動位置合わせ用のセンサの少な
    くとも一種類のセンサを複数個設けたプローブ装置。
JP12198784A 1984-06-15 1984-06-15 プロ−ブ装置 Pending JPS612081A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12198784A JPS612081A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 プロ−ブ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP12198784A JPS612081A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 プロ−ブ装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS612081A true JPS612081A (ja) 1986-01-08

Family

ID=14824755

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP12198784A Pending JPS612081A (ja) 1984-06-15 1984-06-15 プロ−ブ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS612081A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01276640A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Fujitsu Ltd ウエハの位置合せ方法および装置。
KR100439609B1 (ko) * 1995-06-07 2004-10-14 배리언 어소시에이츠 인코포레이티드 웨이퍼배향정렬방법및시스템

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01276640A (ja) * 1988-04-28 1989-11-07 Fujitsu Ltd ウエハの位置合せ方法および装置。
KR100439609B1 (ko) * 1995-06-07 2004-10-14 배리언 어소시에이츠 인코포레이티드 웨이퍼배향정렬방법및시스템

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4786867A (en) Wafer prober
US5530374A (en) Method of identifying probe position and probing method in prober
US5264918A (en) Method and device for detecting the center of a wafer
US4677474A (en) Wafer prober
KR950015701A (ko) 프로우빙 방법 및 프로우브 장치
US20090085594A1 (en) Probe apparatus and probing method
US4870288A (en) Alignment method
KR20160052198A (ko) 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법
JP4010244B2 (ja) 表面実装型パッケージ
JPS612081A (ja) プロ−ブ装置
US5113132A (en) Probing method
US20050099196A1 (en) Semiconductor inspection device based on use of probe information, and semiconductor inspection method
US6160415A (en) Apparatus and method for setting zero point of Z-axis in a wafer probe station
JPH0536767A (ja) プローブ装置
CN101963646B (zh) 半导体器件的测试设备及其测试方法
JPS61199623A (ja) ウエハの位置検出方法およびウエハ
US7126145B2 (en) Frame transfer prober
JPH05333100A (ja) プローブ装置
KR101496059B1 (ko) 다이들의 위치 정보를 획득하는 방법
JP2906094B2 (ja) プローブ装置
JPH0254544A (ja) プロービング方法
US20240096675A1 (en) Substrate for carrying wafer
JP2939665B2 (ja) 半導体ウエハの測定方法
JPS63128636A (ja) 半導体集積回路装置
JPH0399450A (ja) 半導体試験装置