JPS61202143A - 吸光度測定装置 - Google Patents
吸光度測定装置Info
- Publication number
- JPS61202143A JPS61202143A JP4284285A JP4284285A JPS61202143A JP S61202143 A JPS61202143 A JP S61202143A JP 4284285 A JP4284285 A JP 4284285A JP 4284285 A JP4284285 A JP 4284285A JP S61202143 A JPS61202143 A JP S61202143A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flash lamp
- light
- absorbance
- xenon flash
- detector
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/255—Details, e.g. use of specially adapted sources, lighting or optical systems
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は、自動化学分析装置における吸光度測定装置
に係り、さらに詳しくは、光源からの光を反応セルに投
光し、その後多波長に分光して吸光度の測定を行う後分
光方式の吸光度測定装置に関するものである。
に係り、さらに詳しくは、光源からの光を反応セルに投
光し、その後多波長に分光して吸光度の測定を行う後分
光方式の吸光度測定装置に関するものである。
［発明の技術的背景］
自動化学分析等においては、検体を収納した反応管を直
接測光することにより、従来の７０−セルタイプに比べ
て微量な検体で吸光度測定が可能となっている。
接測光することにより、従来の７０−セルタイプに比べ
て微量な検体で吸光度測定が可能となっている。
この直接測光方式には、分光器からの単色光を反応管に
入射させて吸光分析を行う前分光方式と、反応管の透過
光を分光して吸光分析を行う後分光方式とがある。
入射させて吸光分析を行う前分光方式と、反応管の透過
光を分光して吸光分析を行う後分光方式とがある。
前分光方式では迷光に伴う問題が避けられないため、近
年では多くの機種に後分光方式が採用されている。
年では多くの機種に後分光方式が採用されている。
この場合、光源としては多くはハロゲンタングステンラ
ンプ等の連続光が用いられている。
ンプ等の連続光が用いられている。
［背景技術の問題点］
最近の生化学分析法の主流を占める酵素活性反応（ＲＡ
ＴＥ法）の測定においては、測定に供する測光波長が３
４０ｎｍの紫外領域に集中しでいる。
ＴＥ法）の測定においては、測定に供する測光波長が３
４０ｎｍの紫外領域に集中しでいる。
ところで、前記ハロゲンタングステンランプは、発光′
点のバラツキが少なく安定な光源としての利点があるが
、第１図図示ａに示すように、紫外領域の光量は可視光
量のピークに比べて１００倍近く低くなっている。この
ため、最新の半導体検出器の感度特性（第１図図示す参
照）をもってしても、光量検出に際して極めて高いＳ−
Ｎ比が要求される。
点のバラツキが少なく安定な光源としての利点があるが
、第１図図示ａに示すように、紫外領域の光量は可視光
量のピークに比べて１００倍近く低くなっている。この
ため、最新の半導体検出器の感度特性（第１図図示す参
照）をもってしても、光量検出に際して極めて高いＳ−
Ｎ比が要求される。
また、ハロゲンタングステンランプによって、紫外領域
での所定の光量を確保するとすれば、出力（ワット数）
を高めなければならない。このため、高出力の安定化電
源を必要とし、また、高出力に伴う発熱の問題をも生ず
る。例えば、後分光方式においては、反応管に相当量の
光が入射するため、試料の光分解が生じ熱的影響が大き
い。
での所定の光量を確保するとすれば、出力（ワット数）
を高めなければならない。このため、高出力の安定化電
源を必要とし、また、高出力に伴う発熱の問題をも生ず
る。例えば、後分光方式においては、反応管に相当量の
光が入射するため、試料の光分解が生じ熱的影響が大き
い。
さらに、近年の光ファイバの技術進歩に伴い吸光度測定
装置における光ガイドとして光ファイバが使用されてい
るが、使用されている光ファイバの充填率が低いため光
損失が大きく、光量の少な−リ − 光ファイバの使用が困難となっている。
装置における光ガイドとして光ファイバが使用されてい
るが、使用されている光ファイバの充填率が低いため光
損失が大きく、光量の少な−リ − 光ファイバの使用が困難となっている。
そこで、前記ハロゲンタングステンランプに変わる新た
な光源として、キセノンフラッシュランプが注目されて
いる。キセノンフラッシュランプとは、パルス点灯方式
によって高輝度の光を発するものであり、第１図図示Ｃ
に示すように、紫外領域におけるキセノンフラッシュラ
ンプの光量は前記ハロゲンタングステンランプの光量に
比べてほぼ１０００倍に達する。しかも、キセノンフラ
ッシュランプは閃光時間が数μｓｅｃと短いため、光量
の時間当りの積分値が著しく小さく化学反応への悪影響
が生じない。このように、キセノンフラッシュランプを
用いることにより、ハロゲンタングステンランプの欠点
を全て解決することができる。
な光源として、キセノンフラッシュランプが注目されて
いる。キセノンフラッシュランプとは、パルス点灯方式
によって高輝度の光を発するものであり、第１図図示Ｃ
に示すように、紫外領域におけるキセノンフラッシュラ
ンプの光量は前記ハロゲンタングステンランプの光量に
比べてほぼ１０００倍に達する。しかも、キセノンフラ
ッシュランプは閃光時間が数μｓｅｃと短いため、光量
の時間当りの積分値が著しく小さく化学反応への悪影響
が生じない。このように、キセノンフラッシュランプを
用いることにより、ハロゲンタングステンランプの欠点
を全て解決することができる。
しかしながら、キセノンランプはその発光点がばらつく
という欠点を有し、パルス点灯方式によるキセノンフラ
ッシュランプにあってはさらにそのばらつきが大きく光
源として不安定である欠点を有する。
という欠点を有し、パルス点灯方式によるキセノンフラ
ッシュランプにあってはさらにそのばらつきが大きく光
源として不安定である欠点を有する。
゛ 従って、光量９発熱の面で理想的なキレノンフラッ
シュランプは、光源としての安定性に欠けるという唯一
の欠点のために、吸光度測定装置に採用されていないの
が現状である゛。
シュランプは、光源としての安定性に欠けるという唯一
の欠点のために、吸光度測定装置に採用されていないの
が現状である゛。
［発明の目的］
この発明は前記事情に鑑みて成されたものであり、キセ
ノンフラッシュランプを光源として用いながらも高精痕
の吸光分析を行うことのできる吸光度測定装置を提供す
ることを目的とするものである。
ノンフラッシュランプを光源として用いながらも高精痕
の吸光分析を行うことのできる吸光度測定装置を提供す
ることを目的とするものである。
［発明の概要１
前記目的を達成するためのこの発明の概要は、呈色反応
後の試料を吸光度分析する吸光度測定装置において、高
輝度の光をパルス状に発するキセノンフラッシュランプ
と、該キセノンフラッシュランプが発する光を均一化す
□る拡散板と、同一試料につき前記キセノンフラッシュ
ランプにパルス高電圧を印加する高圧Ｎ８Ｉと、前記キ
セノンフラッシュランプが発する光を前記試料を介して
入射すると共に、これを分光する分光素子と、該分光素
子からの単色光を検出する検出器と、該検出器の出力を
入力して複数波長差の吸光度値を算出する演算手段とを
有することを特徴とするものである。
後の試料を吸光度分析する吸光度測定装置において、高
輝度の光をパルス状に発するキセノンフラッシュランプ
と、該キセノンフラッシュランプが発する光を均一化す
□る拡散板と、同一試料につき前記キセノンフラッシュ
ランプにパルス高電圧を印加する高圧Ｎ８Ｉと、前記キ
セノンフラッシュランプが発する光を前記試料を介して
入射すると共に、これを分光する分光素子と、該分光素
子からの単色光を検出する検出器と、該検出器の出力を
入力して複数波長差の吸光度値を算出する演算手段とを
有することを特徴とするものである。
［発明の実施例］
以下、この発明・の一実施例を図面を参照して説明する
。
。
第２図は、この発明の一実施例である吸光度測定装置の
ブロックダイヤグラムである。第２図において、キセノ
ンフラッシュランプ１はパルス点灯方式によって高輝度
の光を発する。拡散板２は前記キセノンフラッシュラン
プ１に近接して設けられて、キセノンフラッシュランプ
１から発せられる光を振動の少ない均一な光となるよう
に動く。
ブロックダイヤグラムである。第２図において、キセノ
ンフラッシュランプ１はパルス点灯方式によって高輝度
の光を発する。拡散板２は前記キセノンフラッシュラン
プ１に近接して設けられて、キセノンフラッシュランプ
１から発せられる光を振動の少ない均一な光となるよう
に動く。
高圧電源１０はＣＰＵ１１の制御に基づいて同一試料に
対して前記キセノンフラッシュランプ１をパルス点灯さ
せるごとく高電圧を印加する集光レンズ３ａは前記キセ
ノンフラッシュランプ１の光を集光して反応管４に導く
。反応管４内の試料の透過光は集光レンズ３ｂ、スリン
１〜５を介して例えば回折格子６に導かれる。回折格子
６は前記透過光を複数波長例えば２波艮λ１．λ２に分
光する。検出器７は波長λ１．λ２の単色光を検出する
。増幅器８は前記検出器７の出力を入力し、これを増幅
して出力する。演算手段９は、前記増幅器８の出力する
波長λ１．λ２について透過光ＩＩ（λ１）、１（λ２
）を入力して２波長差の吸光度値を求める。
対して前記キセノンフラッシュランプ１をパルス点灯さ
せるごとく高電圧を印加する集光レンズ３ａは前記キセ
ノンフラッシュランプ１の光を集光して反応管４に導く
。反応管４内の試料の透過光は集光レンズ３ｂ、スリン
１〜５を介して例えば回折格子６に導かれる。回折格子
６は前記透過光を複数波長例えば２波艮λ１．λ２に分
光する。検出器７は波長λ１．λ２の単色光を検出する
。増幅器８は前記検出器７の出力を入力し、これを増幅
して出力する。演算手段９は、前記増幅器８の出力する
波長λ１．λ２について透過光ＩＩ（λ１）、１（λ２
）を入力して２波長差の吸光度値を求める。
以上のように構成された吸光度測定装置の作用について
説明する。
説明する。
反応管４内の同一試料に対して、キセノンフラッシュラ
ンプ１からパルス状の光が発せられると、このパルス状
の光は拡散板２によって均一化された後反応管４内の試
料を透過して順次回折格子６に入射する。この回折格子
６で波長λ１．λ２に分光された光は検出器７で検出さ
れ、検出器７の出力は増幅器８を介して演算手段９に入
力する。
ンプ１からパルス状の光が発せられると、このパルス状
の光は拡散板２によって均一化された後反応管４内の試
料を透過して順次回折格子６に入射する。この回折格子
６で波長λ１．λ２に分光された光は検出器７で検出さ
れ、検出器７の出力は増幅器８を介して演算手段９に入
力する。
これにより演算手段９は２波長λ１．λ２の差の吸光度
値を求める。
値を求める。
フラッシュランプ１に近接して設けた場合について説明
したが、キセノンフラッシュランプ１の出射面に接触し
て設けるようにしても良い。
したが、キセノンフラッシュランプ１の出射面に接触し
て設けるようにしても良い。
［発明の効果］
以上説明したように、この発明によると、キセノンフラ
ッシュランプを光源として用いながらも、拡散板のよう
な簡単な光学材料を用いることにより安定した光源とな
すことができるので高精度の吸光分析を行う吸光度測定
装置を提供することができる。従って、吸光度測定装置
の光源にキセノンフラッシュランプを採用した場合の利
益即ち紫外領域における所定の光量の確保、試料の光分
解の防止及び充填率の低い光ファイバの採用等の利益を
もたらすことができる。
ッシュランプを光源として用いながらも、拡散板のよう
な簡単な光学材料を用いることにより安定した光源とな
すことができるので高精度の吸光分析を行う吸光度測定
装置を提供することができる。従って、吸光度測定装置
の光源にキセノンフラッシュランプを採用した場合の利
益即ち紫外領域における所定の光量の確保、試料の光分
解の防止及び充填率の低い光ファイバの採用等の利益を
もたらすことができる。
第１図は各波長に対するハロゲンタングステンランプと
キセノンフラッシュランプとの光量及び半導体検出器の
感度を示す特性図、第２図はこの発明の一実施例である
吸光度測定装置のブロックダイヤグラムである。 １・・・・・・キセノンフラッシュランプ、２・・・・
・・拡散板、４・・・・・・反応管、６・・・・・・分
光素子、７・・・・・・検出器、９・・・・・・演算手
段、１０・・・・・・高圧電源。 代理人 弁理士 則近憲佑（はが１名）込（ｍ７ｎ−）
キセノンフラッシュランプとの光量及び半導体検出器の
感度を示す特性図、第２図はこの発明の一実施例である
吸光度測定装置のブロックダイヤグラムである。 １・・・・・・キセノンフラッシュランプ、２・・・・
・・拡散板、４・・・・・・反応管、６・・・・・・分
光素子、７・・・・・・検出器、９・・・・・・演算手
段、１０・・・・・・高圧電源。 代理人 弁理士 則近憲佑（はが１名）込（ｍ７ｎ−）
Claims (1)
- 呈色反応後の試料を吸光度分析する吸光度測定装置にお
いて、高輝度の光をパルス状に発するキセノンフラッシ
ュランプと、該キセノンフラッシュランプが発する光を
均一化する拡散板と、同一試料につき前記キセノンフラ
ッシュランプにパルス高電圧を印加する高圧電源と、前
記キセノンフラッシュランプが発する光を前記試料を介
して入射すると共に、これを分光する分光素子と、該分
光素子からの単色光を検出する検出器と、該検出器の出
力を入力して複数波長差の吸光度値を算出する演算手段
とを有することを特徴とする吸光度測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284285A JPS61202143A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 吸光度測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4284285A JPS61202143A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 吸光度測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61202143A true JPS61202143A (ja) | 1986-09-06 |
Family
ID=12647245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4284285A Pending JPS61202143A (ja) | 1985-03-06 | 1985-03-06 | 吸光度測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61202143A (ja) |
-
1985
- 1985-03-06 JP JP4284285A patent/JPS61202143A/ja active Pending
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