JPS61199039U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS61199039U JPS61199039U JP8323485U JP8323485U JPS61199039U JP S61199039 U JPS61199039 U JP S61199039U JP 8323485 U JP8323485 U JP 8323485U JP 8323485 U JP8323485 U JP 8323485U JP S61199039 U JPS61199039 U JP S61199039U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dry etching
- etching apparatus
- plasma dry
- utility
- scope
- Prior art date
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- Pending
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- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 3
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第1図はこの考案の一実施例によるプラズマド
ライエツチング装置の反応室周辺の断面側面図、
第2図は従来のプラズマドライエツチング装置の
断面側面図である。 2……下部電極、3……下部電極支持台、4…
…チヤンバー、5……チヤンバー支持台、6……
上部電極。なお、図中同一符号は同一又は相当部
分を示す。
ライエツチング装置の反応室周辺の断面側面図、
第2図は従来のプラズマドライエツチング装置の
断面側面図である。 2……下部電極、3……下部電極支持台、4…
…チヤンバー、5……チヤンバー支持台、6……
上部電極。なお、図中同一符号は同一又は相当部
分を示す。
Claims (1)
- 電極構造が平行平板型のプラズマドライエツチ
ング装置において、その上部電極の下面の構造を
略半球凹状にしたことを特徴とするプラズマドラ
イエツチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8323485U JPS61199039U (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8323485U JPS61199039U (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61199039U true JPS61199039U (ja) | 1986-12-12 |
Family
ID=30631675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8323485U Pending JPS61199039U (ja) | 1985-05-31 | 1985-05-31 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61199039U (ja) |
-
1985
- 1985-05-31 JP JP8323485U patent/JPS61199039U/ja active Pending