JPS6116589A - Setter for operating temperature of semiconductor laser - Google Patents
Setter for operating temperature of semiconductor laserInfo
- Publication number
- JPS6116589A JPS6116589A JP13776184A JP13776184A JPS6116589A JP S6116589 A JPS6116589 A JP S6116589A JP 13776184 A JP13776184 A JP 13776184A JP 13776184 A JP13776184 A JP 13776184A JP S6116589 A JPS6116589 A JP S6116589A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor laser
- output power
- optical power
- range
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/0617—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium using memorised or pre-programmed laser characteristics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06837—Stabilising otherwise than by an applied electric field or current, e.g. by controlling the temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）発明の分野
この発明は、ＤＡＤ （デジタル・オーディオ・ディス
ク）、光ディスク及び半導体レーザ（ＬＤ）応用計測機
器等の光源として使用される半導体レーザの動作温度設
定装置に関する。Detailed Description of the Invention (a) Field of the Invention The present invention relates to an operating temperature setting device for a semiconductor laser used as a light source for a DAD (digital audio disk), an optical disk, and a semiconductor laser (LD) application measuring instrument. Regarding.
（ロ）従来技術とその問題点
一般に、半導体レーザの光源として使用されるレーザダ
イオードは、周囲温度が大きく変化する環境では、出射
パワーも大きく変動する。この出射パワー変動の主要因
はレーザダイオードのしきい値電流の温度依存性にある
が、一定の出射パワ −一を必要とする機器では、こ
の変動は大きな問題であり、周囲を一定温度に調整する
必要があった。(b) Prior Art and Its Problems In general, the output power of a laser diode used as a light source for a semiconductor laser fluctuates greatly in an environment where the ambient temperature changes greatly. The main cause of this variation in output power is the temperature dependence of the threshold current of the laser diode, but this variation is a major problem in equipment that requires a constant output power, and the surrounding temperature is adjusted to a constant temperature. I needed to.
このため、従来の半導体し〜ザには、温度調整装置が備
えられていた。その温度調整装置の一例を第５図に示し
ている。同図において、１は半導体レーザ光源であって
、温度を一定に保つための銅ブロツク２内に半導体レー
ザ（図示せず）が収納されている。３は温度制御用のペ
ルチェ素子、４は温度検出用のシート状のＣＡ熱電対、
ｐｔ低抵抗サーミスタ等の温度センサ、５は放熱フィン
である。この装置において、今仮に銅ブロツク２内の半
導体レーザ近傍の温度が高いと、温度センサ４により基
準電圧よりも大なる電圧が帰還され、比較器６を経てＰ
ＩＤ演算制御部７を動作させ、リレ（または５ＳＲ）回
路８によりペルチェ素子電源９をオン・オフして、ベル
チェ素子３が周囲より熱を吸収し、半導体レーザ近傍の
温度を下げるように制御される。一方、半導体レーザ近
傍の温度が低いと、温度センサ４により基準電圧よりも
小なる電圧が帰還され、上記とは逆に制御され、ベルチ
ェ素子３が周囲に熱を放散するような極性の電圧が、ペ
ルチェ素子電源９より所定時間ベルチェ素子３に印加さ
れる。このようにして半導体レーザの温度が一定に保た
れる。For this reason, conventional semiconductor devices have been equipped with temperature adjustment devices. An example of the temperature adjustment device is shown in FIG. In the figure, 1 is a semiconductor laser light source, and a semiconductor laser (not shown) is housed in a copper block 2 for keeping the temperature constant. 3 is a Peltier element for temperature control, 4 is a sheet-shaped CA thermocouple for temperature detection,
A temperature sensor such as a PT low resistance thermistor, and 5 are heat radiation fins. In this device, if the temperature near the semiconductor laser in the copper block 2 is high, a voltage higher than the reference voltage is fed back by the temperature sensor 4 and passed through the comparator 6 to the
The ID operation control section 7 is operated, and the relay (or 5SR) circuit 8 turns on and off the Peltier element power supply 9, thereby controlling the Vertier element 3 to absorb heat from the surroundings and lower the temperature near the semiconductor laser. Ru. On the other hand, when the temperature near the semiconductor laser is low, a voltage smaller than the reference voltage is fed back by the temperature sensor 4, and the polarity of the voltage is such that the Vertier element 3 dissipates heat to the surroundings. , is applied from the Peltier element power supply 9 to the Vertier element 3 for a predetermined time. In this way, the temperature of the semiconductor laser is kept constant.
しかし、この温度調整装置においては、温度は一定に保
たれるものの、温度そのものは任意に設定されていた。However, in this temperature adjustment device, although the temperature is kept constant, the temperature itself is arbitrarily set.
そのため、たまたま設定温度がモードポンプの生砂る温
度とされると、波長や出射パワーにパルス的な変動が生
じるという欠点があった。これでは高精度な半導体レー
ザ応用計測機器用の光源としてそのまま使用できず、使
用するためには最適な温度で半導体レーザの周囲を温度
調節する必要があった。Therefore, if the set temperature happens to be the temperature of the green sand of the mode pump, there is a drawback that pulse-like fluctuations occur in the wavelength and output power. This makes it impossible to use the device as it is as a light source for high-precision semiconductor laser-applied measurement equipment, and in order to use it, it is necessary to adjust the temperature around the semiconductor laser to an optimal temperature.
半導体レーザの周囲温度を最適に設定する方法としては
、第６図（ａ）に示すように、温調装置１０により、レ
ーザダイオード１１の周囲温度を順次変化して、出射さ
れるレーザ光をレンズ１２を介して分光計１３で受け、
これをペンレコーダ１４に記録し、第２図（ｂ）のよう
な温度Ｔ−ピーク波長λｐ特性を得て、このペンレコー
ダ１４の記録よりモードホップする温度を知り、波長変
化のない最適温度を知るか、第７図（ａ）に示すように
、温調装置２０によりレーザダイオード２１の周囲温度
を時間とともに順次変化して、出射されるレーザ光を光
センサ２２で受け、その光パワーを光パワーメータ２３
で検出し、この検出出力をペンレコーダ２４に記録し、
第７図（ｂ）のような時間（温度）も−光バワーｐ特性
を得て、光パワーの落ら込む点よりモードホップする温
度を知り、パワー変化の生じない最適温度範囲を知る方
法がある。As shown in FIG. 6(a), a method for optimally setting the ambient temperature of a semiconductor laser is to sequentially change the ambient temperature of a laser diode 11 using a temperature controller 10 to direct the emitted laser light to a lens. received by a spectrometer 13 via 12,
Record this on the pen recorder 14, obtain the temperature T-peak wavelength λp characteristic as shown in FIG. As shown in FIG. 7(a), the temperature control device 20 sequentially changes the ambient temperature of the laser diode 21 over time, the emitted laser light is received by the optical sensor 22, and the optical power is detected by the optical sensor 22. power meter 23
, and record this detection output on the pen recorder 24.
There is a way to obtain the time (temperature) -optical power p characteristic as shown in Figure 7(b), find out the temperature at which the mode hop occurs from the point where the optical power drops, and find out the optimal temperature range in which no power change occurs. be.
しかしながら、上記方法で最適温度範囲を知るとなると
、分光計、ペンレコーダ等の特別の機器設備を要し、こ
れらを準備するとなるとコスト高となるし、また測定に
時間がかかるという問題がある。However, determining the optimum temperature range using the above method requires special equipment such as a spectrometer and a pen recorder, which is expensive and requires time to measure.
（ハ）発明の目的
上記に鑑み、この発明の目的は、特性にバラツキのある
半導体レーザの各素子に対し、操作が簡単で、短時間に
最適温度を設定し得る、しかもそのために特別の機器設
備を必要としない半導体レーザの動作温度設定装置を提
供することである。(c) Purpose of the Invention In view of the above, the purpose of the present invention is to provide a device that is easy to operate and can set the optimum temperature in a short time for each element of a semiconductor laser that has varying characteristics, and that also provides special equipment for this purpose. An object of the present invention is to provide an operating temperature setting device for a semiconductor laser that does not require equipment.
（ニ）発明の構成と効果
上記目的を達成するために、この発明の半導体レーザの
動作温度設定装置は、半導体レーザ光源と、半導体レー
ザの使用温度範囲ＴＳ〜ＴＥを入力する入力手段と、設
定すべき出射パワーに対する許容最大変動率ΔＰＭに相
当する許容変動レベルを設定する許容変動レヘル設定手
段と、所定の温度ΔＴずつ温度を変化する温度調整手段
と、前記半導体レーザ光源よりの出射パワーを信号導出
する出射パワー導出手段と、この出射パワー導出手段よ
りの出射パワー信号と前記許容変動レヘルとを比較する
手段と、この比較手段の比較により、許容変動レヘルを
出射パワーが交叉する点の温度を表示する表示部とから
構成されている。(d) Structure and effect of the invention In order to achieve the above object, the semiconductor laser operating temperature setting device of the present invention includes a semiconductor laser light source, an input means for inputting the operating temperature range TS to TE of the semiconductor laser, and a setting device for setting the operating temperature of the semiconductor laser. a permissible fluctuation level setting means for setting a permissible fluctuation level corresponding to a permissible maximum fluctuation rate ΔPM for the output power to be output; a temperature adjusting means for changing the temperature by a predetermined temperature ΔT; and a signal for output power from the semiconductor laser light source. An output power deriving means, a means for comparing the output power signal from the output power deriving means and the permissible fluctuation level, and a comparison between the comparison means to calculate the temperature at the point where the output power crosses the permissible fluctuation level. It consists of a display section for displaying information.
この発明によれば、その出射パワー変動率が出射パワー
最大変動率内にある温度範囲が表示されるので、高精度
な最適温度設定が可能である。また、出力された温度範
囲によりモードホップする温度を含まない温調がなされ
るので、長時間に亘り、高精度に安定した出射パワーが
得られる。そのため精度を必要とする半導体レーザ応用
計測機器の光源にも使用できる。さらにまた、ＣＰＵ。According to the present invention, since the temperature range in which the rate of variation of the output power is within the maximum rate of variation of the output power is displayed, it is possible to set the optimum temperature with high accuracy. In addition, since the output temperature range allows temperature control that does not include mode-hop temperatures, highly accurate and stable output power can be obtained over a long period of time. Therefore, it can also be used as a light source for semiconductor laser applied measurement equipment that requires precision. Furthermore, the CPU.
メモリ等のデータ処理手段を用いて実現可能であり、分
光計、ペンレコーダ等は不用であるから、装置が大形化
せず、測定に時間、労力を要せず、また操作性も良い等
の利点がある。その上、ＡＰＣ回路のみで許容パワーの
コントール可能な環境温度範囲の把握が可能である。す
なわち、周囲温度変動に対するＡＰＣ制御において、Ａ
ＰＣ回路の性能評価試験が容易に実現できる。It can be realized using data processing means such as memory, and spectrometers, pen recorders, etc. are not required, so the equipment does not become large, the measurement does not require time or effort, and it is easy to operate. There are advantages. Furthermore, it is possible to grasp the environmental temperature range within which the allowable power can be controlled using only the APC circuit. In other words, in APC control for ambient temperature fluctuations, A
Performance evaluation tests for PC circuits can be easily implemented.
（ホ）実施例の説明
以下、実施例により、この発明をさらに詳細に説明する
。(e) Description of Examples The present invention will be explained in more detail below with reference to Examples.
第１図は、この発明の１実施例を示す半導体レーザ装置
のブロック図である。同図において３０は半導体レーザ
パッケージであり、レーザダイオード３０ａ、ホトダイ
オード３０ｂとから構成されている。３１はレーザダイ
オード３０ａ等を駆動するためのＡＰＣ（自動パワーコ
ントロール）回路３２は半導体レーザパッケージ３０内
の温度を調整するためのペルチェ素子、３３は半導体レ
ーザパッケージ３０内の温度を検出する温度センサとし
てのｐｔ抵抗素子である。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor laser device showing one embodiment of the present invention. In the figure, 30 is a semiconductor laser package, which is composed of a laser diode 30a and a photodiode 30b. 31 is an APC (automatic power control) circuit for driving the laser diode 30a, etc.; 32 is a Peltier element for adjusting the temperature inside the semiconductor laser package 30; and 33 is a temperature sensor for detecting the temperature inside the semiconductor laser package 30. This is a PT resistance element.
３４はレーザダイオード３０ａよりのレーザ光を受ける
光センサ、３５は光センサ３４で受光される光パワーを
導出する光パワーメータである。34 is an optical sensor that receives laser light from the laser diode 30a, and 35 is an optical power meter that derives the optical power received by the optical sensor 34.
３６は信号処理部であって、半導体レーザの使用温度範
囲ＴＳ〜ＴＥ及びサンプリング毎に変化させる温度ΔＴ
を設定入力するキーを含む入力部３７、入力部３７より
の設定信号を取込むだめの１１０部３８、レーザダイオ
ードの温度コントロール信号の出力及び最適動作温度の
演算を行うＣＰＵ３９、光パワーメータ３５からのアナ
ログの光パワー信号と、設定出射パワーに対する最大変
動率ΔＰＭに相当する許容変動レベル（しきい値）とを
比較し、出射パワー信号が許容変動レベルと交叉すると
トリガされる比較部４０、トリガ時の温度等を記憶する
メモリ４１、サンプリング温度及びｐｔ抵抗素子３３よ
りの信号に基づき、ペルチェ素子３２を制御する設定温
度調整部４２及び、入力された使用温度範囲ＴＳ〜ＴＥ
と、最大変動率ΔＰＭ内にある温度範囲Ｔ１〜Ｔ２、Ｔ
３〜Ｔ４、・・・、Ｔｉ−Ｔｊ、・・・を表示するため
の表示部４３とから構成されている。36 is a signal processing unit that controls the operating temperature range TS to TE of the semiconductor laser and the temperature ΔT that is changed for each sampling.
an input unit 37 including keys for inputting settings, a 110 unit 38 for receiving setting signals from the input unit 37, a CPU 39 for outputting temperature control signals of the laser diode and calculating the optimum operating temperature, and an optical power meter 35. A comparator 40 that compares the analog optical power signal of 1 with an allowable fluctuation level (threshold value) corresponding to the maximum fluctuation rate ΔPM for the set output power, and is triggered when the output power signal crosses the allowable fluctuation level. A memory 41 that stores the temperature at the time, etc., a set temperature adjustment unit 42 that controls the Peltier element 32 based on the sampling temperature and a signal from the PT resistance element 33, and an input operating temperature range TS to TE.
and the temperature range T1 to T2, T within the maximum fluctuation rate ΔPM.
3 to T4, . . . , a display section 43 for displaying Ti-Tj, .
なお、信号処理部３６は、温度センサ３３よりの信号を
入力する端子４４、ペルチェ素子３２へ温度コントロー
ル信号を出力する端子４５及び光パワーメータ３５より
の光パワー信号を受ける端子４６、最大変動率ΔＰＭに
相当する許容電圧の下限値ＶＬ及び上限値ＶＨを印加す
る端子４７．４８を備えている。４９はペルチェ素子３
２用の直流電源、５０は信号処理部３６用の交流電源で
ある。The signal processing unit 36 includes a terminal 44 for inputting a signal from the temperature sensor 33, a terminal 45 for outputting a temperature control signal to the Peltier element 32, a terminal 46 for receiving an optical power signal from the optical power meter 35, and a maximum fluctuation rate. Terminals 47 and 48 are provided to apply a lower limit value VL and an upper limit value VH of allowable voltage corresponding to ΔPM. 49 is Peltier element 3
2, and 50 is an AC power source for the signal processing section 36.
上記比較部４０は、第４図に示すように、２個の比較器
４０１．４０２と、トランジスタ４０３とから構成され
ており、比較器４０１の（＋）入力端と比較器４０２の
（−）入力端に、端子４６よりの光パワー信号ＶＳが加
えられるとともに、比較器４０１の（−）入力端に許容
電圧の上限値ＶＨが、比較器４０２の（＋）入力端に許
容電圧の下限値ＶＬが、それぞれ加えられるようになっ
ている。As shown in FIG. 4, the comparator 40 is composed of two comparators 401 and 402 and a transistor 403, with the (+) input terminal of the comparator 401 and the (-) input terminal of the comparator 402. The optical power signal VS from the terminal 46 is applied to the input terminal, the upper limit value VH of the allowable voltage is applied to the (-) input terminal of the comparator 401, and the lower limit value of the allowable voltage is applied to the (+) input terminal of the comparator 402. VL can be added respectively.
そのため、光パワー信号■Ｓが、許容電圧レベルＶＬ−
ＶＨの範囲にある間は、両比較器４０１．４０２の出力
はＬ″ （ロー）で、トランジスタ４０３はオフしてお
り、Ｈ” （ハイ）の出力■０が導出されるが、光パワ
ー信号ＶＳが上限値■Ｈよりも大、あるいは下限値ＶＬ
よりも小になると、トランジスタ４０３がオンし、その
出力が“■、”となる。すなわち光パワー■Ｓが、許容
電圧レベルＶ ＨｌあるいはＶＬラインと交叉する点で
、トリガされるようになっている。Therefore, the optical power signal ■S is at the permissible voltage level VL-
While in the VH range, the outputs of both comparators 401 and 402 are L'' (low), the transistor 403 is off, and H'' (high) output ■0 is derived, but the optical power signal VS is greater than the upper limit ■H, or the lower limit VL
When it becomes smaller than , the transistor 403 turns on and its output becomes "■,". That is, a trigger is generated at the point where the optical power ■S crosses the permissible voltage level V Hl or the VL line.
次に、以上のように構成される実施例装置の動作を第２
図に示すフロー図を参照して説明する。Next, the operation of the embodiment device configured as described above will be described in a second manner.
This will be explained with reference to the flowchart shown in the figure.
動作がスタートすると、まずステップＳＴ（以下ＳＴと
略す）１で、入力部３７からキー操作により半導体レー
ザの使用温度範囲ＴＳとＴＥ（ＴＳ＜ＴＥ）を設定する
。続いて同じ入力部３７からキー操作により、サンプリ
ング毎に変化させる微小温度変化量へＴを設定する（Ｓ
ｒ１）。続いて、設定出射パワーに対する最大変動率±
ΔＰＭに相当する許容変動レベルＶＨ１ＶＨを設定する
（Ｓｒ３）。When the operation starts, first in step ST (hereinafter abbreviated as ST) 1, the operating temperature ranges TS and TE (TS<TE) of the semiconductor laser are set by key operation from the input section 37. Next, by key operation from the same input section 37, T is set to the minute temperature change amount to be changed for each sampling (S
r1). Next, the maximum variation rate ±
A permissible fluctuation level VH1VH corresponding to ΔPM is set (Sr3).
次に、入力部３７に設けられるスタートキーを押して温
度制御動作を開始させ（Ｓｒ１）、温度ＴをＴＳとする
（Ｓｒ５）。そして、この温度ＴＳに対応して、レーザ
ダイオード３０ａの出射パワーが光センサ３４で受光さ
れ、光パワーメータ３５、端子４６を経て、比較部４０
に入力され、信号処理される（Ｓｒ６）。すなわち比較
部４０では、光パワー信号ＶＳと許容電圧ＶＬ〜ＶＨと
の比較がなされる。スタート時（温度ＴＳ）は、第３図
（ａ）に示すように、設定出射パワーＰＯに対応する電
圧ＶＳ＝Ｖｏは、下限値ＶＬと上限値ＶＨ内にあり、し
たがってその出力電圧Ｖは第３図（ｂ）に示すように“
Ｈ”となる。Next, the start key provided on the input unit 37 is pressed to start the temperature control operation (Sr1), and the temperature T is set to TS (Sr5). Then, in accordance with this temperature TS, the output power of the laser diode 30a is received by the optical sensor 34, passes through the optical power meter 35 and the terminal 46, and is transmitted to the comparison unit 40.
and undergoes signal processing (Sr6). That is, the comparison section 40 compares the optical power signal VS with the allowable voltages VL to VH. At the start (temperature TS), as shown in FIG. 3(a), the voltage VS=Vo corresponding to the set output power PO is within the lower limit value VL and the upper limit value VH, so the output voltage V is As shown in Figure 3 (b), “
H”.
さらに続いて、ＣＰＵ３９がΔＴだけ温度を上昇させる
出力信号を設定温度調整部４２に入力し、半導体レーザ
パンケージ３０内の温度Ｔ＋ΔＴとなるように調整する
（Ｓｒ１）。そしてＣＰＵ３９は、温度Ｔが使用温度の
上限設定値ＴＥに達したか否かを判定しく５Ｔ８）、温
度Ｔが上限設定値ＴＥを越えていない場合はＳｒ１に戻
り、出射パワーの信号処理を行う。すなわち比較部４０
で光パワー信号ＶＳと許容電圧ＶＬ−ＶＨとの比較を行
う。Further, the CPU 39 inputs an output signal for increasing the temperature by ΔT to the set temperature adjustment section 42, and adjusts the temperature inside the semiconductor laser pancage 30 to T+ΔT (Sr1). Then, the CPU 39 determines whether the temperature T has reached the upper limit set value TE of the operating temperature (5T8), and if the temperature T does not exceed the upper limit set value TE, returns to Sr1 and performs signal processing of the output power. . That is, the comparison section 40
The optical power signal VS is compared with the allowable voltage VL-VH.
続いてまた温度をΔＴだけ上昇させ（Ｓｒ１）このＳｒ
１からＳｒ１までの処理を温度ＴがＴ〉Ｔ、Ｅとなるま
で繰り返す。この繰り返し過程で、光パワー信号ＶＳが
、許容電圧ＶＬ−ＶＨの範囲内にある時は、比較部４０
の出力は”Ｈ”であり、範囲外に出るとその出力は“Ｌ
″となる。すなわち範囲内に入る光パワー信号ＶＳと許
容電圧レベルの交叉点では、比較部４０より出力される
パルス信号は立上がり、範囲内から出る光パワー信号ｖ
Ｓと許容電圧レベルの交叉点では、出力パルス信号が立
下がる。Ｓｒ１の信号処理でこの立上がり時と立下がり
時の温度Ｔ１・Ｔ２、Ｔ３・Ｔ４、Ｔ５・Ｔ６、・・・
、Ｔｉ−’ｒｊ、・・・を、メモリ４１に記憶しておく
。Subsequently, the temperature is increased by ΔT again (Sr1), and this Sr
The processes from 1 to Sr1 are repeated until the temperature T becomes T>T,E. In this repeating process, when the optical power signal VS is within the range of allowable voltage VL-VH, the comparator 40
The output is “H”, and when it goes out of range, the output is “L”.
''.In other words, at the intersection of the optical power signal VS that falls within the range and the allowable voltage level, the pulse signal output from the comparator 40 rises, and the optical power signal VS that falls within the range
At the intersection of S and the permissible voltage level, the output pulse signal falls. Through signal processing of Sr1, the temperatures at the rising and falling times T1, T2, T3, T4, T5, T6, etc.
, Ti-'rj, . . . are stored in the memory 41.
温度Ｔが、使用温度範囲の上限ＴＥに達すると、Ｓｒ１
の判定はＹＥＳとなり、次に続いて、Ｓｒ１で表示処理
が行われる。この表示は、トリガ点、すなわち、パルス
信号の立上がり時、立下がり時の温度の対について行わ
れる。したがって表示部３８には、ＴＩ・Ｔ２、Ｔ３・
Ｔ４、・・・、Ｔ７・Ｔ８が表示される。これらの表示
は、出射パワーが最大変動率±ＡＰＭ内にある温度範囲
を示すものであり、これらの温度範囲は、それぞれＣＰ
Ｕ３９で計算され、かつ比較演算により、最も広い温度
範囲Ｔｉ”Ｔｊが決定され、この温度範囲Ｔｉ−Ｔｊの
みが点滅表示され、他の温度範囲と区別される。そして
、最適設定温度は（Ｔｉ十Ｔｊ）／２近辺の温度となる
。When the temperature T reaches the upper limit TE of the operating temperature range, Sr1
The determination is YES, and display processing is subsequently performed in Sr1. This display is performed for a pair of temperatures at the trigger point, that is, at the rising edge and falling edge of the pulse signal. Therefore, the display section 38 shows TI・T2, T3・
T4, . . . , T7 and T8 are displayed. These indications indicate the temperature range within which the output power is within the maximum variation rate ±APM, and these temperature ranges are respectively CP
The widest temperature range Ti"Tj is calculated in U39 and determined by the comparison operation, and only this temperature range Ti-Tj is displayed blinking to distinguish it from other temperature ranges.The optimum set temperature is (Ti"Tj). The temperature is around 10Tj)/2.
なお、上記実施例において、許容変動レベルは上限値、
及び下限値を設定しているが、上限値あるいは下限値の
みを設定してもよい。In addition, in the above embodiment, the allowable fluctuation level is the upper limit value,
Although the upper limit value and the lower limit value are set, only the upper limit value or the lower limit value may be set.
第１図はこの発明の１実施例を示す半導体レーザの動作
温度設定装置のブロック図、第２図は同動作温度設定装
置の動作を説明するためのフロー図、第３図は同実施例
装置の動作を説明するための特性図であって、第３図（
ａ）は、温度Ｔの変化に対する光パワー信号の変化を示
す図、第３図（ｂ）は温度Ｔの変化に対する比較部の出
力を示す図、第４図は同実施例装置の比較部の具体回路
を示す接続図、第５図は従来の温度調整装置を示゛ずブ
ロック図、第６図は従来の最適温度を決定するための方
法を示す図であって、第６図（ａ）はその方法を実施す
る回路ブロック図、第６図（ｂ）はその方法実施によっ
て出力される温度−ピーり波長特性を示す図、第７図は
従来の最適温度を決定するための他の方法を示す図であ
って、第７図＜ａ＞はその方法を実施する回路ブロック
図、第７図（ｂ）はその方法実施によって出力される温
度−光パワー特性を示す図である。
３０：半導体レーザパッケージ、
３０ａ：レーザダイオード、
３５：光パワーメータ、 ３７：入力部、３９：ＣＰＬ
Ｊ、 ４０：サンプリング部、４１：メモリ、
４３：表示部
特許出願人 立石電機株式会社代理人
弁理士 中 村 茂 信第２図
第３図
第４図FIG. 1 is a block diagram of an operating temperature setting device for a semiconductor laser showing one embodiment of the present invention, FIG. 2 is a flow diagram for explaining the operation of the same operating temperature setting device, and FIG. 3 is a block diagram of the same embodiment of the device. FIG. 3 is a characteristic diagram for explaining the operation of
a) is a diagram showing the change in the optical power signal with respect to the change in temperature T, FIG. 3(b) is a diagram showing the output of the comparator with respect to the change in temperature T, and FIG. A connection diagram showing a specific circuit, FIG. 5 is a block diagram without showing a conventional temperature adjustment device, and FIG. 6 is a diagram showing a conventional method for determining the optimum temperature, and FIG. 6(a) is a circuit block diagram for implementing the method, FIG. 6(b) is a diagram showing the temperature-peak wavelength characteristics output by implementing the method, and FIG. 7 is another conventional method for determining the optimum temperature. FIG. 7<a> is a circuit block diagram for implementing the method, and FIG. 7(b) is a diagram showing the temperature-optical power characteristics output by implementing the method. 30: Semiconductor laser package, 30a: Laser diode, 35: Optical power meter, 37: Input section, 39: CPL
J, 40: Sampling section, 41: Memory,
43: Display unit patent applicant Tateishi Electric Co., Ltd. agent
Patent Attorney Shigeru Nakamura Figure 2 Figure 3 Figure 4
Claims (1)
囲ＴＳ〜ＴＥを入力する入力手段と、設定すべき出射パ
ワーに対する許容最大変動率ΔＰＭに相当する許容変動
レベルを設定する許容変動レベル設定手段と、所定の温
度ΔＴずつ温度を変化する温度調整手段と、前記半導体
レーザ光源よりの出射パワーを信号導出する出射パワー
導出手段と、この出射パワー導出手段よりの出射パワー
信号と前記許容変動レベルとを比較する手段と、この比
較手段の比較により、許容変動レベルを出射パワーが交
叉する点の温度を表示する表示部とからなる半導体レー
ザの動作温度設定装置。(1) A semiconductor laser light source, an input means for inputting the operating temperature range TS to TE of the semiconductor laser, and an allowable fluctuation level setting means for setting an allowable fluctuation level corresponding to the maximum allowable fluctuation rate ΔPM for the output power to be set. , a temperature adjusting means for changing the temperature by a predetermined temperature ΔT, an output power deriving means for deriving a signal of the output power from the semiconductor laser light source, and an output power signal from the output power deriving means and the permissible fluctuation level. A device for setting an operating temperature of a semiconductor laser, comprising a comparison means and a display section that displays the temperature at a point where the output power crosses an allowable fluctuation level based on the comparison made by the comparison means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13776184A JPS6116589A (en) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Setter for operating temperature of semiconductor laser |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13776184A JPS6116589A (en) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Setter for operating temperature of semiconductor laser |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6116589A true JPS6116589A (en) | 1986-01-24 |
Family
ID=15206215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13776184A Pending JPS6116589A (en) | 1984-07-02 | 1984-07-02 | Setter for operating temperature of semiconductor laser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6116589A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930134A (en) * | 1989-06-05 | 1990-05-29 | Reiton Corporation | Precision temperature sensor |
| JP2009177140A (en) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Eudyna Devices Inc | Method of testing wavelength-tunable laser, method of controlling wavelength-tunable laser, and laser device |
-
1984
- 1984-07-02 JP JP13776184A patent/JPS6116589A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4930134A (en) * | 1989-06-05 | 1990-05-29 | Reiton Corporation | Precision temperature sensor |
| JP2009177140A (en) * | 2007-12-28 | 2009-08-06 | Eudyna Devices Inc | Method of testing wavelength-tunable laser, method of controlling wavelength-tunable laser, and laser device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2575614B2 (en) | Optical output stabilizer | |
| US4728188A (en) | Light source degeradation detecting apparatus for laser device | |
| US5521375A (en) | Method and apparatus for controlling the output level of a second harmonic generator by temperature compensation | |
| US7236506B2 (en) | Method and apparatus for compensating for temperature characteristics of laser diode in optical communication system | |
| US20070127530A1 (en) | Laser control | |
| JPS6116589A (en) | Setter for operating temperature of semiconductor laser | |
| US5209567A (en) | Apparatus for measuring the radiation capacity of lasers | |
| JPH11261146A (en) | Laser power stabilizer | |
| US6693703B2 (en) | Distance measuring device and method for adjusting photodetection unit of distance measuring device | |
| CA1301859C (en) | Automatic gain control circuit | |
| JPS6122679A (en) | Apparatus for setting operating temperature of semiconductor laser | |
| JPS63111488A (en) | Distance measuring method by light wave range finder | |
| KR19980021473A (en) | Temperature measuring device and temperature compensation method | |
| JP2001127367A (en) | Laser driving device | |
| JP3187621B2 (en) | Active triangulation | |
| JP2002324909A (en) | Photoelectric conversion circuit and laser range finder | |
| JP3150789B2 (en) | Laser dew point meter | |
| JPH0528334B2 (en) | ||
| KR100524953B1 (en) | Apparatus and method for measuring of optical recoding device | |
| JP2840275B2 (en) | Semiconductor laser controller | |
| JPS6116590A (en) | Setter for operating temperature of semiconductor laser | |
| JPH11297171A (en) | Optical beam sensor | |
| JPS60142582A (en) | Method of predicting service life of semiconductor laser | |
| JP3257118B2 (en) | Optical disk recording device | |
| KR100414369B1 (en) | Optical power control apparatus and its method |