JP2002324909A - Photoelectric conversion circuit and laser range finder - Google Patents
Photoelectric conversion circuit and laser range finderInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、光を電気信号に変
換する光電変換回路、及びそれを利用したレーザ測距装
置に関するものである。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a photoelectric conversion circuit for converting light into an electric signal, and a laser distance measuring device using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】測定対象物に向けてレーザ光を放射し、
レーザ光を放射したタイミングと、測定対象物から反射
したレーザ光が受光されたタイミングの時間差を測定す
ることにより、測定対象物までの距離を測定するレーザ
測距装置は、比較的遠距離にある測定対象物までの距離
を精度良く測定できる装置として、測量等に広く用いら
れている。2. Description of the Related Art A laser beam is emitted toward an object to be measured.
A laser distance measuring device that measures the distance to the measurement target by measuring the time difference between the timing of emitting the laser light and the timing of receiving the laser light reflected from the measurement target is relatively far away. It is widely used in surveying and the like as a device that can accurately measure the distance to a measurement object.
【０００３】このようなレーザ測距装置においては、測
定対象物までの距離が遠くなるに従い、反射光の強度が
弱くなるので、微弱な光を高感度で検出する必要がある
他、非常に短い時間を正確に検出する必要がある。この
ような要求に応える光電変換素子としてアバランシェフ
ォトダイオードが用いられている。このように、アバラ
ンシェフォトダイオードは、微弱な光を高感度（高増幅
度）で、しかも高応答速度で検出する必要がある場合に
多く用いられている。In such a laser distance measuring device, as the distance to the object to be measured increases, the intensity of the reflected light decreases. Therefore, it is necessary to detect weak light with high sensitivity. Time must be accurately detected. Avalanche photodiodes are used as photoelectric conversion elements that meet such demands. Thus, avalanche photodiodes are often used when it is necessary to detect weak light with high sensitivity (high amplification) and high response speed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アバラ
ンシェフォトダイオードは、その高感度の故に、安定性
に欠けるという問題点を有している。すなわち、一定の
強度の光に対して流れる電流の割合（電流増倍率とい
う）は、印加される逆バイアス電圧で決定される。ま
た、印加される逆バイアス電圧が逆降伏電圧（ブレーク
ダウン電圧）に近くなると電流増倍率は急激に大きくな
る傾向を有する。よって、光検出感度を上げるために
は、印加される逆バイアス電圧を逆降伏電圧に近い電圧
で使用することが好ましい。However, avalanche photodiodes have a problem that they lack stability because of their high sensitivity. That is, the ratio of the current flowing to light having a constant intensity (referred to as current multiplication factor) is determined by the applied reverse bias voltage. Also, when the applied reverse bias voltage approaches the reverse breakdown voltage (breakdown voltage), the current multiplication factor tends to increase sharply. Therefore, in order to increase the photodetection sensitivity, it is preferable to use the applied reverse bias voltage at a voltage close to the reverse breakdown voltage.
【０００５】ところが、逆降伏電圧は、温度の影響によ
り変化する。よって、逆バイアス電圧を逆降伏電圧に近
い電圧とすると、逆降伏電圧の変化によって、電流増倍
率が大きく変化することになる。However, the reverse breakdown voltage changes under the influence of temperature. Therefore, assuming that the reverse bias voltage is a voltage close to the reverse breakdown voltage, the change in the reverse breakdown voltage greatly changes the current multiplication factor.
【０００６】この様子を図５に示す。図５は逆バイアス
電圧と電流増倍率（一定の光が入ったときに流れる電流
の大きさを示す値）の関係を示す図である。これらの関
係が実線で示すような関係にあるとき、逆バイアス電圧
がＶ０に設定されていると、電流増倍率はα０となる。
ところが、逆降伏電圧の変化によりこれらの関係が破線
で示すように変化すると、電流増倍率はα０’に変化し
てしまう。FIG. 5 shows this state. FIG. 5 is a diagram showing the relationship between the reverse bias voltage and the current multiplication factor (a value indicating the magnitude of the current flowing when certain light enters). When these relationships are as shown by the solid line, if the reverse bias voltage is set to V 0 , the current multiplication factor becomes α 0 .
However, if these relationships change as indicated by the broken line due to the change in the reverse breakdown voltage, the current multiplication factor changes to α 0 ′.
【０００７】このようなことが起こると、レーザ距離測
定装置に使用して、測定対象物からの反射光を検出する
場合、反射光量に依存せずに検出器からの出力が変化し
てしまい、受光される反射光の測定タイミングに誤差を
生じたり、甚だしい場合には、測定ができなくなること
がある。When such a phenomenon occurs, when the light reflected from the object to be measured is detected using the laser distance measuring device, the output from the detector changes without depending on the amount of reflected light. If an error occurs in the measurement timing of the received reflected light or if the measurement timing is severe, the measurement may not be performed.
【０００８】そのため、アバランシェフォトダイオード
を安定して作動させるために、従来は検出装置内の温度
を一定に保つような装置を付属したり、アバランシェフ
ォトダイオードの電流増倍率の低い領域で使用してい
た。前者の場合は、温度を一定に保つ装置が必要な分だ
け装置が高価になり、後者の場合は、検出できる光量に
制限があるため、レーザ距離測定装置に使用した場合に
は、測定できる距離が短くなるというような問題点があ
った。Therefore, in order to stably operate the avalanche photodiode, a device for keeping the temperature inside the detection device constant has been conventionally attached or used in a region where the current amplifying factor of the avalanche photodiode is low. Was. In the former case, the device is expensive because of the need for a device that keeps the temperature constant.In the latter case, the amount of light that can be detected is limited. However, there is a problem that the length is shortened.
【０００９】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、電流増幅率の高い領域で安定して作動するアバ
ランシェフォトダイオードを使用した光電変換回路、及
びそれを使用したレーザ距離測定装置を提供することを
課題とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a photoelectric conversion circuit using an avalanche photodiode which operates stably in a high current amplification region, and a laser distance measuring device using the same. The task is to provide.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、アバランシェフォトダイオードを用い
た光電変換回路であって、当該アバランシェフォトダイ
オードに印加する逆バイアス電圧を調整する逆バイアス
電圧調整部と、当該アバランシェフォトダイオードに流
れる電流を測定する測定部と、前記逆バイアス電圧を調
整し、当該アバランシェフォトダイオードに所定電流が
流れる逆バイアス電圧（基準逆バイアス電圧）を検出す
る基準逆バイアス電圧検出部と、光電変換時に前記アバ
ランシェフォトダイオードに印加する逆バイアス電圧
を、前記検出された基準逆バイアス電圧に所定比を掛け
た電圧に調整する逆バイアス電圧設定部とを有すること
を特徴とする光電変換回路（請求項１）である。According to a first aspect of the present invention, there is provided a photoelectric conversion circuit using an avalanche photodiode, wherein the reverse bias adjusts a reverse bias voltage applied to the avalanche photodiode. A voltage adjustment unit, a measurement unit that measures a current flowing through the avalanche photodiode, and a reference reverse unit that adjusts the reverse bias voltage and detects a reverse bias voltage (a reference reverse bias voltage) at which a predetermined current flows through the avalanche photodiode. A bias voltage detection unit; and a reverse bias voltage setting unit that adjusts a reverse bias voltage applied to the avalanche photodiode during photoelectric conversion to a voltage obtained by multiplying the detected reference reverse bias voltage by a predetermined ratio. (Claim 1).
【００１１】本手段においては、非測定状態において、
逆バイアス電圧調整部によりアバランシェフォトダイオ
ードに印加する逆バイアス電圧を変化させ、基準逆バイ
アス電圧検出部により、アバランシェフォトダイオード
に予め定められた所定電流が流れる逆バイアス電圧を検
出する。これは、逆降伏電圧を測定していることと等価
である。そして、測定の際には、逆バイアス電圧設定部
により、逆バイアス電圧調整部を駆動して、アバランシ
ェフォトダイオードに印加する逆バイアス電圧を、前記
検出された電圧に所定比を掛けた電圧に調整する。これ
により、逆降伏電圧が温度等により変化しても、電流増
倍率を一定に保つことができ、安定した光検出が可能で
ある。よって、高い電流増倍率を有する逆バイアス電圧
で使用することが可能となり、微弱な光を安定して検出
することができる。In this means, in the non-measurement state,
The reverse bias voltage adjusting unit changes the reverse bias voltage applied to the avalanche photodiode, and the reference reverse bias voltage detecting unit detects a reverse bias voltage at which a predetermined current flows through the avalanche photodiode. This is equivalent to measuring the reverse breakdown voltage. At the time of measurement, the reverse bias voltage setting unit drives the reverse bias voltage adjustment unit to adjust the reverse bias voltage applied to the avalanche photodiode to a voltage obtained by multiplying the detected voltage by a predetermined ratio. I do. Thereby, even if the reverse breakdown voltage changes due to temperature or the like, the current multiplication factor can be kept constant, and stable light detection can be performed. Therefore, it can be used with a reverse bias voltage having a high current multiplication factor, and weak light can be detected stably.
【００１２】前記所定比は１より大きくすることもでき
るが、通常は１以下のとし、大きな電流が流れる電圧を
検出し、それ以下の電圧で使用するようにした方が、安
定な使用方法とすることができる。なお、所定比を１と
した場合には、電圧調整手段は駆動されず、基準逆バイ
アス電圧がそのまま光電変換時の逆バイアス電圧として
用いられる。Although the predetermined ratio can be set to be larger than 1, it is usually set to 1 or less, and it is better to detect a voltage at which a large current flows and to use the voltage at a voltage lower than 1 to obtain a stable use method. can do. When the predetermined ratio is 1, the voltage adjusting means is not driven, and the reference reverse bias voltage is used as it is as the reverse bias voltage at the time of photoelectric conversion.
【００１３】前記課題を解決するための第２の手段は、
測定対象物に向けてレーザ光を放射し、レーザ光を放射
したタイミングと、測定対象物から反射したレーザ光が
受光されたタイミングの時間差を測定することにより、
測定対象物までの距離を測定するレーザ測距装置であっ
て、測定対象物から反射したレーザ光の受光を検出する
回路が、請求項１に記載の光電変換回路を有することを
特徴とするレーザ測距装置（請求項２）である。[0013] A second means for solving the above-mentioned problems is as follows.
By radiating laser light toward the measurement object, by measuring the time difference between the timing of emitting the laser light and the timing of receiving the laser light reflected from the measurement object,
A laser distance measuring apparatus for measuring a distance to an object to be measured, wherein a circuit for detecting reception of laser light reflected from the object to be measured has the photoelectric conversion circuit according to claim 1. It is a distance measuring device (claim 2).
【００１４】本手段においては、前記第１の手段である
光電変換回路を、測定対象物から反射したレーザ光を検
出する回路に使用しているので、常に安定した、高い電
流増倍率で反射光を検出することができる。従って、光
検出回路の不安定に起因する測定誤差や検出不能状態の
発生を防止することができる他、微弱な光でも安定して
検出できるので、測定可能距離を長くすることができ
る。In this means, since the photoelectric conversion circuit, which is the first means, is used in a circuit for detecting a laser beam reflected from the object to be measured, the reflected light is always stabilized at a high current multiplication factor. Can be detected. Therefore, it is possible to prevent a measurement error or an undetectable state due to the instability of the photodetector circuit, and to stably detect even weak light, thereby increasing the measurable distance.
【００１５】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第２の手段であって、前記逆バイアス電圧設定部
を、測定開始の前毎、又は装置の電源が入ったとき毎に
作動させることを特徴とするもの（請求項３）である。[0015] A third means for solving the above problems is as follows.
The second means is characterized in that the reverse bias voltage setting section is operated every time before the start of measurement or every time the power of the apparatus is turned on (Claim 3).
【００１６】前記第２の手段において、逆バイアス電圧
設定手段を作動させるタイミングとしては、レーザ測距
装置の電源が入ったとき毎、測定開始の前毎、所定時間
毎、温度が所定以上変化する毎等、いろいろなタイミン
グが考えられるが、測定開始の前毎、又は装置の電源が
入ったとき毎に行うのが、最も正確な結果を得ることが
できるので好ましい。In the second means, the timing for operating the reverse bias voltage setting means is such that the temperature changes by a predetermined value or more every time the power of the laser range finder is turned on, before the start of the measurement, at a predetermined time, or every time. Although various timings are conceivable, such as every time, it is preferable to perform the timing before the start of the measurement or every time the power of the apparatus is turned on, since the most accurate result can be obtained.
【００１７】[0017]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例
を、図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態
の１例である光電変換回路の概要を示す図である。この
回路はＭＰＵ（マイクロプロセッサユニット）１を中心
に構成されており、レーザ測距装置の一部を構成してい
る。ＭＰＵ１は、距離測定に関する制御も行っており、
距離測定の回路も付属しているが、これらはすべて図示
を省略している。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an outline of a photoelectric conversion circuit which is an example of an embodiment of the present invention. This circuit is mainly composed of an MPU (microprocessor unit) 1 and constitutes a part of a laser distance measuring device. The MPU 1 also controls distance measurement,
A circuit for distance measurement is also attached, but these are not shown.
【００１８】ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）
電圧設定回路２は、ＭＰＵ１からの指令を受け、指令さ
れた値の逆バイアス電圧をＡＰＤ３に印加する。これに
よりＡＰＤ３には、印加された逆バイアス電圧に対応す
る電流が流れるので、それを電流検出回路４で検出し、
Ａ／Ｄ変換器５でディジタル値に変換してＭＰＵ１に入
力する。APD (avalanche photodiode)
The voltage setting circuit 2 receives a command from the MPU 1 and applies a reverse bias voltage of the commanded value to the APD 3. As a result, a current corresponding to the applied reverse bias voltage flows through the APD 3 and is detected by the current detection circuit 4.
The digital value is converted by the A / D converter 5 and input to the MPU 1.
【００１９】請求項１との関連を示すと、ＡＰＤ電圧設
定回路２が逆バイアス電圧調整手段、電流検出回路４と
Ａ／Ｄ変換器５がアバランシェフォトダイオードに流れ
る電流を測定する手段、ＭＰＵ１の中のプログラムが、
基準逆バイアス電圧検出手段、逆バイアス電圧設定手段
に相当する。The APD voltage setting circuit 2 is a reverse bias voltage adjusting means, the current detecting circuit 4 and the A / D converter 5 are means for measuring a current flowing through an avalanche photodiode, and the MPU 1 The program inside is
It corresponds to the reference reverse bias voltage detecting means and the reverse bias voltage setting means.
【００２０】この回路の動作を、図２、図３を参照しな
がら説明する。図２は、ＭＰＵ１の動作の概要を示すフ
ローチャートであり、図３は、ＡＰＤ３に印加される逆
バイアス電圧と検出電流値、及び電流増倍率との関係を
示すグラフである。The operation of this circuit will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is a flowchart showing the outline of the operation of the MPU 1, and FIG. 3 is a graph showing the relationship between the reverse bias voltage applied to the APD 3, the detected current value, and the current multiplication factor.
【００２１】図２のフローチャートに記載される動作
は、距離測定指令が入力されるごとに起動される。ＭＰ
Ｕ１は、まず、ＡＰＤ３を流れる電流が所定値となる逆
バイアス電圧を測定する。具体的には、ＡＰＤ電圧設定
回路２に与える指令電圧値を段階的に増加して行くこと
により、ＡＰＤ３に印加する逆バイアス電圧を段階的に
増加し、その都度ＡＰＤ３を流れる電流を電流検出回路
４を介して測定する。そして、検出された電流値と所定
値との差が許容値内に収まったときの逆バイアス電圧を
基準逆バイアス電圧とする。The operation described in the flowchart of FIG. 2 is started every time a distance measurement command is input. MP
U1 first measures the reverse bias voltage at which the current flowing through the APD 3 becomes a predetermined value. Specifically, by increasing the command voltage value applied to the APD voltage setting circuit 2 in a stepwise manner, the reverse bias voltage applied to the APD 3 is increased in a stepwise manner. Measured via 4. Then, the reverse bias voltage when the difference between the detected current value and the predetermined value falls within the allowable value is set as the reference reverse bias voltage.
【００２２】図３を参照すると、前記所定電流値がＩ１
であるとき、特性が実線で示されるような場合は、基準
逆バイアス電圧はＶ１となり、特定が破線で示されるよ
うな場合は、基準逆バイアス電圧はＶ１’となる。Referring to FIG. 3, the predetermined current value is I 1
When the characteristic is indicated by a solid line, the reference reverse bias voltage is V 1 , and when the characteristic is indicated by a broken line, the reference reverse bias voltage is V 1 ′.
【００２３】次に、ＭＰＵ１は、求められた逆バイアス
電圧（基準逆バイアス電圧）に所定比を掛けた電圧を決
定し、それを測定に用いる逆バイアス電圧として、ＡＰ
Ｄ電圧設定回路２を介してＡＰＤ３に印加する。これに
より、図３に示すように、特性が実線で示す状態にある
場合は逆バイアス電圧はＶ０に、特性が破線で示す状態
にある場合は逆バイアス電圧はＶ０ ’となり、ＡＰＤの
特性が実線で示す状態にあっても破線で示す状態にあっ
ても、検出電流値は一定となる。このとき、図４に示す
ように、ＡＰＤ３の特性が実線で示すような状態であっ
ても破線で示すような状態であっても、ＡＰＤ３の電流
増倍率は一定値であるα０に保たれる。Next, the MPU 1 determines a voltage obtained by multiplying the determined reverse bias voltage (reference reverse bias voltage) by a predetermined ratio, and uses the determined voltage as the reverse bias voltage used for measurement.
It is applied to the APD 3 via the D voltage setting circuit 2. As a result, as shown in FIG. 3, when the characteristic is in the state indicated by the solid line, the reverse bias voltage is V 0, and when the characteristic is in the state indicated by the broken line, the reverse bias voltage is V 0 ′ . , The detected current value is constant regardless of the state shown by the solid line or the state shown by the broken line. At this time, as shown in FIG. 4, the current multiplication factor of the APD 3 is kept at a constant value α0 regardless of whether the characteristics of the APD 3 are in the state shown by the solid line or the state shown by the broken line. It is.
【００２４】なお、以上の説明においては、図２のフロ
ーチャートに記載される動作を、距離測定指令が入力さ
れるごとに起動されるようにしていたが、レーザ測距装
置の電源が入ったとき毎、所定時間毎、温度が所定以上
変化する毎等、他の適当なタイミングで起動するように
してもよい。In the above description, the operation described in the flowchart of FIG. 2 is started every time a distance measurement command is input. However, when the power of the laser distance measuring device is turned on. It may be started at any other appropriate timing, such as every time, every predetermined time, every time the temperature changes by a predetermined amount or more.
【００２５】ＭＰＵ１は、この状態で距離測定を実施す
る。すなわち、レーザダイオードよりパルスレーザ光を
測定対象に向けて照射し、反射光をＡＰＤ３で検出し、
パルスレーザ光の放射タイミングと反射光の検出タイミ
ングのずれ時間から測定対象物までの距離を検出する。
その際、ＡＰＤ３の電流増幅率が、温度が変化しても一
定値であるα０に保たれているので、安定した測定が行
われる。The MPU 1 performs distance measurement in this state. That is, the laser diode irradiates a pulse laser beam toward the object to be measured, and the reflected light is detected by the APD 3,
The distance to the measurement object is detected from the time difference between the emission timing of the pulse laser light and the detection timing of the reflected light.
At this time, since the current amplification factor of the APD 3 is kept at α0, which is a constant value even when the temperature changes, stable measurement is performed.
【００２６】[0026]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のうち請求
項１に係る発明においては、アバランシェフォトダイオ
ードを、高い電流増倍率を有する逆バイアス電圧で使用
することが可能となり、微弱な光を安定して検出するこ
とができる。As described above, according to the first aspect of the present invention, an avalanche photodiode can be used at a reverse bias voltage having a high current multiplication factor, and faint light can be generated. It can be detected stably.
【００２７】請求項２に係る発明では、光検出回路の不
安定に起因する測定誤差や検出不能状態の発生を防止す
ることができる他、微弱な光でも安定して検出できるの
で、測定可能距離を長くすることができる。According to the second aspect of the present invention, it is possible to prevent a measurement error or an undetectable state due to the instability of the photodetector circuit, and to stably detect even weak light. Can be lengthened.
【００２８】請求項３に係る発明においては、最も適当
なタイミングで、光検出回路の不安定に起因する測定誤
差や検出不能状態の発生を防止することができる。According to the third aspect of the present invention, it is possible to prevent a measurement error or an undetectable state caused by the instability of the photodetector circuit at the most appropriate timing.
【図１】本発明の実施の形態の１例である光電変換回路
の概要を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an outline of a photoelectric conversion circuit which is an example of an embodiment of the present invention.
【図２】ＭＰＵの動作の概要を示すフローチャートであ
る。FIG. 2 is a flowchart showing an outline of the operation of the MPU.
【図３】ＡＰＤ３に印加される逆バイアス電圧と検出電
流値との関係を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing a relationship between a reverse bias voltage applied to an APD 3 and a detected current value.
【図４】ＡＰＤ３に印加される逆バイアス電圧と電流増
倍率との関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing a relationship between a reverse bias voltage applied to an APD 3 and a current multiplication factor.
【図５】逆バイアス電圧と電流増倍率の関係を示す図で
ある。FIG. 5 is a diagram illustrating a relationship between a reverse bias voltage and a current multiplication factor.
１…ＭＰＵ ２…ＡＰＤ電圧設定回路 ３…アバランシェフォトダイオード ４…電流検出回路 ５…Ａ／Ｄ変換器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... MPU 2 ... APD voltage setting circuit 3 ... Avalanche photodiode 4 ... Current detection circuit 5 ... A / D converter
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｈ０１Ｌ 31/10 Ｂ Ｆターム(参考） 2F112 AD01 BA00 BA07 CA12 DA28 FA23 FA45 2G065 AA12 AB09 AB14 AB22 BA09 BC02 BC22 BC35 CA21 CA25 DA15 DA20 5F049 MA07 NB07 UA06 UA11 UA17 5F072 AB13 KK30 SS06 YY13 5J084 AA05 AD01 BA03 BA36 CA21 CA31 DA09 EA07 FA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01S 3/00 H01L 31/10 B F term (Reference) 2F112 AD01 BA00 BA07 CA12 DA28 FA23 FA45 2G065 AA12 AB09 AB14 AB22 BA09 BC02 BC22 BC35 CA21 CA25 DA15 DA20 5F049 MA07 NB07 UA06 UA11 UA17 5F072 AB13 KK30 SS06 YY13 5J084 AA05 AD01 BA03 BA36 CA21 CA31 DA09 EA07 FA03
Claims (3)
光電変換回路であって、当該アバランシェフォトダイオ
ードに印加する逆バイアス電圧を調整する逆バイアス電
圧調整部と、当該アバランシェフォトダイオードに流れ
る電流を測定する電流測定部と、前記逆バイアス電圧を
調整し、当該アバランシェフォトダイオードに所定電流
が流れる逆バイアス電圧（基準逆バイアス電圧）を検出
する基準逆バイアス電圧検出部と、光電変換時に前記ア
バランシェフォトダイオードに印加する逆バイアス電圧
を、前記検出された基準逆バイアス電圧に所定比を掛け
た電圧に調整する逆バイアス電圧設定部とを有すること
を特徴とする光電変換回路。1. A photoelectric conversion circuit using an avalanche photodiode, comprising: a reverse bias voltage adjuster for adjusting a reverse bias voltage applied to the avalanche photodiode; and a current measurement for measuring a current flowing through the avalanche photodiode. And a reference reverse bias voltage detecting unit that adjusts the reverse bias voltage and detects a reverse bias voltage (reference reverse bias voltage) at which a predetermined current flows through the avalanche photodiode, and applies the reverse bias voltage to the avalanche photodiode during photoelectric conversion. A reverse bias voltage setting unit that adjusts the reverse bias voltage to a voltage obtained by multiplying the detected reference reverse bias voltage by a predetermined ratio.
レーザ光を放射したタイミングと、測定対象物から反射
したレーザ光が受光されたタイミングの時間差を測定す
ることにより、測定対象物までの距離を測定するレーザ
測距装置であって、測定対象物から反射したレーザ光の
受光を検出する回路が、請求項１に記載の光電変換回路
を有することを特徴とするレーザ測距装置。2. A laser beam is emitted toward an object to be measured.
A laser ranging device that measures a time difference between a timing at which a laser beam is emitted and a timing at which a laser beam reflected from a measurement target is received, thereby measuring a distance to the measurement target. A laser distance measuring apparatus, wherein a circuit for detecting the reception of the reflected laser light includes the photoelectric conversion circuit according to claim 1.
の前毎、又は装置の電源が入ったとき毎に作動させるこ
とを特徴とする請求項２に記載のレーザ測距装置。3. The laser distance measuring apparatus according to claim 2, wherein the reverse bias voltage setting section is operated every time before the start of the measurement or every time the power of the apparatus is turned on.
Priority Applications (7)
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