JPS61165656A - 固定化酵素薄膜の形成法 - Google Patents
固定化酵素薄膜の形成法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体イオン感応素子表面に固定化酵素薄
板を形成する方法に関するものである。
板を形成する方法に関するものである。
各種有機物の迅速測定を目的として、これまでれつつあ
る。酵素センナは、各種の電気化学的トランスジエーサ
ー、例えば過酸化水素電極、酸素電極、イ、オン電極、
炭素電極、金属線電極、半導体イオン感応素子等を下地
電極として、その感応面に酵素を固定化した膜を装着し
たものである。
る。酵素センナは、各種の電気化学的トランスジエーサ
ー、例えば過酸化水素電極、酸素電極、イ、オン電極、
炭素電極、金属線電極、半導体イオン感応素子等を下地
電極として、その感応面に酵素を固定化した膜を装着し
たものである。
特に半導体イオン感応素子は超小型化が容易なこと、大
量生産にて安価なものが供給できること、多量化に適し
ているなどの特徴を有することから特に注目を集めてい
る。しかし、微小な部分に酵素を固定化するため、また
応答速度を速くするために膜の薄膜化が必要とされてい
る。
量生産にて安価なものが供給できること、多量化に適し
ているなどの特徴を有することから特に注目を集めてい
る。しかし、微小な部分に酵素を固定化するため、また
応答速度を速くするために膜の薄膜化が必要とされてい
る。
第3図は、半導体イオン感応素子を下地電極とする従来
の酵素センナを示す断面図であり、図において、(1)
は半導体イオン感応素子、(2)はp″″のシリコン基
板、(J)はソース(領域)、(ダ)はドレイン(領域
)、(5)は熱酸化シリコン膜、(6)はイオン感応膜
、(り)は固定化酵素膜、(t)は膜中に固定化された
酵素を示している。
の酵素センナを示す断面図であり、図において、(1)
は半導体イオン感応素子、(2)はp″″のシリコン基
板、(J)はソース(領域)、(ダ)はドレイン(領域
)、(5)は熱酸化シリコン膜、(6)はイオン感応膜
、(り)は固定化酵素膜、(t)は膜中に固定化された
酵素を示している。
半導体イオン感応素子(、/)上に固定化酵素膜(7)
を形成するには、一般に、酵素と牛血清アルブミンを溶
液中に溶°かし、この溶液とグルタルアルデヒドとの混
合液を半導体イオン感応素子(1)の感応面上に塗布し
、たん白質とグルタルアルデヒドとの架橋反志により膜
を形成していた。しかし、このような従来の製膜法では
、架橋反応をさせながら半導体イオン素子上に酵素を含
む溶液が塗布されるため、製膜が塗布操作に犬ぎり′#
響され、均一な厚みを持つ層膜が困難であったり、薄膜
化することが離しい。また、一つの小さな素子上に異っ
た種類の酵素膜を形成するのは困難であるなどの問題点
があった。さらに、下地のイオン感応膜との関に化学的
な結合がないため、酵素膜と半導体イオン素子との接着
性が悪いという問題点があった。
を形成するには、一般に、酵素と牛血清アルブミンを溶
液中に溶°かし、この溶液とグルタルアルデヒドとの混
合液を半導体イオン感応素子(1)の感応面上に塗布し
、たん白質とグルタルアルデヒドとの架橋反志により膜
を形成していた。しかし、このような従来の製膜法では
、架橋反応をさせながら半導体イオン素子上に酵素を含
む溶液が塗布されるため、製膜が塗布操作に犬ぎり′#
響され、均一な厚みを持つ層膜が困難であったり、薄膜
化することが離しい。また、一つの小さな素子上に異っ
た種類の酵素膜を形成するのは困難であるなどの問題点
があった。さらに、下地のイオン感応膜との関に化学的
な結合がないため、酵素膜と半導体イオン素子との接着
性が悪いという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、均一な厚みを持つ薄膜を再現よく形成でき
るとともに、異った種類の薄膜を一つの小さなチップ上
に形成でき、さらに、半導体イオン素子との接着性の良
い固定化酵素薄膜を得ることを目的とする。
れたもので、均一な厚みを持つ薄膜を再現よく形成でき
るとともに、異った種類の薄膜を一つの小さなチップ上
に形成でき、さらに、半導体イオン素子との接着性の良
い固定化酵素薄膜を得ることを目的とする。
すなわちこの発明は、アミノ基を有するシランカップリ
ング剤で半導体イオン感応素子の表面を処理して該表面
にアミ7基を導入し、該半導体イオン官能素子を前記ア
ミ7基とシツフ塩基をつくる架橋剤を含む水溶液中に浸
漬し、得られた半導体イオーン官能素子我面に水溶性感
光樹脂溶液中に酵素を溶解した酵素溶液を直接塗布し、
塗布した感光樹脂に紫外線を照射して感光樹脂を硬化さ
せることを特徴とする固定化酵素薄膜の形成法である。
ング剤で半導体イオン感応素子の表面を処理して該表面
にアミ7基を導入し、該半導体イオン官能素子を前記ア
ミ7基とシツフ塩基をつくる架橋剤を含む水溶液中に浸
漬し、得られた半導体イオーン官能素子我面に水溶性感
光樹脂溶液中に酵素を溶解した酵素溶液を直接塗布し、
塗布した感光樹脂に紫外線を照射して感光樹脂を硬化さ
せることを特徴とする固定化酵素薄膜の形成法である。
この発明におけるアミノ基を持つシランカップリング剤
による表面処理は、固定化酵素薄膜と半導体イオン感応
素子表面との接着性を良くし、また、水溶性感光樹脂は
、酵素薄膜を再現性よく均一に形成できる。さらに、フ
ォトリソグラフィー技術を用いることにより、必要な部
分(例えば半導体イオン感応素子上のイオン感応膜の所
定部分)にだけ膜を形成することを可能とする。
による表面処理は、固定化酵素薄膜と半導体イオン感応
素子表面との接着性を良くし、また、水溶性感光樹脂は
、酵素薄膜を再現性よく均一に形成できる。さらに、フ
ォトリソグラフィー技術を用いることにより、必要な部
分(例えば半導体イオン感応素子上のイオン感応膜の所
定部分)にだけ膜を形成することを可能とする。
以下、この発明の一実施態様を図について説明する。第
1a図ないし第te図において、(9)はアミノ基を有
するシランカップリング剤で表面にアミン基が導入され
たイオン感応膜、(10)は酵素(例えばグリコースオ
キシダーゼ)と水溶性感光樹脂とから成る層、(11)
は光によって硬化したグルコースオキシダーゼ固定化薄
膜であり、(/り(@バターニングされたグルコースオ
キシダーゼ固定化薄膜である。第1a図はアミノ基を表
面に有するイオン感応膜を持った半導体イオン感応素子
の断面図、第1b図は酵素及び水溶性感光樹脂とから成
る酵素溶液を塗布した素子の断面図、第1C図は素子全
表面にわたり紫外線露光し固定化酵素薄膜?形成した時
の素子の断面図、第1d図は素子の一部にだけ紫外線が
当るようにマスクを介して露光した時の素子の断面図、
第1e図は露光後に現像した時の素子の断W1@を示す
。
1a図ないし第te図において、(9)はアミノ基を有
するシランカップリング剤で表面にアミン基が導入され
たイオン感応膜、(10)は酵素(例えばグリコースオ
キシダーゼ)と水溶性感光樹脂とから成る層、(11)
は光によって硬化したグルコースオキシダーゼ固定化薄
膜であり、(/り(@バターニングされたグルコースオ
キシダーゼ固定化薄膜である。第1a図はアミノ基を表
面に有するイオン感応膜を持った半導体イオン感応素子
の断面図、第1b図は酵素及び水溶性感光樹脂とから成
る酵素溶液を塗布した素子の断面図、第1C図は素子全
表面にわたり紫外線露光し固定化酵素薄膜?形成した時
の素子の断面図、第1d図は素子の一部にだけ紫外線が
当るようにマスクを介して露光した時の素子の断面図、
第1e図は露光後に現像した時の素子の断W1@を示す
。
第2図において、(/j)、(tz)はソース、(ハリ
、(/l)はドレイン、(17)は擬似参照電極用の金
の蒸着膜、(lt)はリード線、(19)はウレアーゼ
固定化薄膜、(λQ)は集積化したpH−l5FET素
子である。
、(/l)はドレイン、(17)は擬似参照電極用の金
の蒸着膜、(lt)はリード線、(19)はウレアーゼ
固定化薄膜、(λQ)は集積化したpH−l5FET素
子である。
以下、この発明を実施例に基づき説明する。
実施例 l
イオン感応膜として窒素シリコン膜を有する水素イオン
感応性電界効果臘トランジスタ(以下、pH−l8FE
T と略す)を、5重量パーセントのγ−アミノプロ
ビルトリエトキシシ2ンを含むトルエン溶液中に浸漬し
、窒素雰囲気中で煮沸還流しながら3時間反応させた。
感応性電界効果臘トランジスタ(以下、pH−l8FE
T と略す)を、5重量パーセントのγ−アミノプロ
ビルトリエトキシシ2ンを含むトルエン溶液中に浸漬し
、窒素雰囲気中で煮沸還流しながら3時間反応させた。
次に、メタ/−ル、エタノール、アセトンでpH−l5
FETを洗浄してから、室′温で窒X雰囲気中で乾燥し
た。このpH−l8FETをコS%グルタルアルデヒド
水溶液中に室温で10分間浸漬した。
FETを洗浄してから、室′温で窒X雰囲気中で乾燥し
た。このpH−l8FETをコS%グルタルアルデヒド
水溶液中に室温で10分間浸漬した。
このpH−l5F]3:T素子上に、ポリビニルアルコ
ールの水酸基にN−メチル−p−ホルミルスチリルビリ
ジニクムメトサルフエートを付加した(付加率はポリビ
ニルアルコールの水酸基に対して0.1モル%)水溶性
感光樹脂(市村1%開昭!&−!74/号に記載)の!
重量パーセント水溶液、200μノにグルコースオキシ
ダーゼ!ダを溶解した酵素溶液をスピナーで回転塗布(
コoooxva、−分間)し、乾燥した。その後、J4
COn@以下の波長の光をカットしたJ!OWの水銀灯
を用い、1分間感光性樹脂混合物を光照射し、グルコー
スオキシダーゼ固定化薄膜を形成した。
ールの水酸基にN−メチル−p−ホルミルスチリルビリ
ジニクムメトサルフエートを付加した(付加率はポリビ
ニルアルコールの水酸基に対して0.1モル%)水溶性
感光樹脂(市村1%開昭!&−!74/号に記載)の!
重量パーセント水溶液、200μノにグルコースオキシ
ダーゼ!ダを溶解した酵素溶液をスピナーで回転塗布(
コoooxva、−分間)し、乾燥した。その後、J4
COn@以下の波長の光をカットしたJ!OWの水銀灯
を用い、1分間感光性樹脂混合物を光照射し、グルコー
スオキシダーゼ固定化薄膜を形成した。
実施例 コ
実施例1と同様の方法で表面にアミノ基を導入し、グル
タルアルデヒドで処理したpH−工8FET素子上に、
実施例1と同様の水溶性感光樹脂の5重量バーセント水
溶液200μノにグルコースオキシダーゼ!叩及び牛血
清アルブミン109を溶解した酵素溶液をスピナーで回
転塗布(2ooorpl、1分間)し、乾燥した。その
後J4(Onm以下の波長の光をカットした。yrow
の水銀灯を用い、1分間感光性樹脂混合物を光硬化した
。これを、さらにユよ%グルタルアルデヒド溶液にio
分間浸漬し、水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処
理するために15分間0./ Mグリクツ水溶液に浸漬
し、また、水洗することによりグルコースオキシダーゼ
固定化薄膜を形成した。
タルアルデヒドで処理したpH−工8FET素子上に、
実施例1と同様の水溶性感光樹脂の5重量バーセント水
溶液200μノにグルコースオキシダーゼ!叩及び牛血
清アルブミン109を溶解した酵素溶液をスピナーで回
転塗布(2ooorpl、1分間)し、乾燥した。その
後J4(Onm以下の波長の光をカットした。yrow
の水銀灯を用い、1分間感光性樹脂混合物を光硬化した
。これを、さらにユよ%グルタルアルデヒド溶液にio
分間浸漬し、水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処
理するために15分間0./ Mグリクツ水溶液に浸漬
し、また、水洗することによりグルコースオキシダーゼ
固定化薄膜を形成した。
実施例 3
実施例1と同様にして、酵素溶液をスピナーで固転塗布
したあと、第1図の(l2)に示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像するこ
とにより、部分的にグルコースオキシダーゼ固1定化薄
膜を形成した。光硬化は実施例1で述べたものと同一の
装置及び条件で行なった。
したあと、第1図の(l2)に示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像するこ
とにより、部分的にグルコースオキシダーゼ固1定化薄
膜を形成した。光硬化は実施例1で述べたものと同一の
装置及び条件で行なった。
実施例 ψ
実施例コと同様にして、酵素溶液をスピナーで回転塗布
したあと、第1図の(/=)で示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した後
、2j%グルタルアルデヒド水溶液に10分間浸漬し、
水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処理するために
73分間0゜7Mグリシ/溶液に浸漬し、また、水洗す
ることによりグルコースオキシダーゼ固定化薄膜を形成
した。
したあと、第1図の(/=)で示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した後
、2j%グルタルアルデヒド水溶液に10分間浸漬し、
水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処理するために
73分間0゜7Mグリシ/溶液に浸漬し、また、水洗す
ることによりグルコースオキシダーゼ固定化薄膜を形成
した。
実施例 !
第二図の(コO)に示した集積化したpI(−113F
ETを実施例3と同様の方法で、第2図の(/2)に示
した部分に固定化グルコースオキシダーゼ固定化膜を形
成したのち、実施例1と同様の水溶性感光樹脂コ00μ
ノに、クレアーゼlOダを溶解した酵素溶液をスピナー
で回転塗布(コooorp*、λ分間)し、乾燥した。
ETを実施例3と同様の方法で、第2図の(/2)に示
した部分に固定化グルコースオキシダーゼ固定化膜を形
成したのち、実施例1と同様の水溶性感光樹脂コ00μ
ノに、クレアーゼlOダを溶解した酵素溶液をスピナー
で回転塗布(コooorp*、λ分間)し、乾燥した。
次に第2図の(/テ)に示した部分にのみ光を照射でき
るマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺のみ
光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像することにより、
微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を形成した。光
硬化は、実施例1で述べたものと同一の装置及び条件で
行なった。
るマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺のみ
光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像することにより、
微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を形成した。光
硬化は、実施例1で述べたものと同一の装置及び条件で
行なった。
実施例 6
第一図の(−Q)に示した業績化したpH−l5FET
を実施例ダと同様の方法で、第一図の(lλ)に示す部
分だけ光硬化し現像して形成したのち、実施例1と同様
の水溶性感光樹脂コ00μノにウレアーゼ/ 0111
、牛血清アルブミンioqを溶解した酵素溶液をスピナ
ーで回転塗布(コooorpl、コ分間)し、乾燥した
。次に第一図の(/?)に示した部分にのみ元を照射で
きるマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺の
み光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した。次に、固
定化グルコースオキシダーゼ薄膜、!(/ 2 )と固
定化ウレアーゼ薄膜(19)を同時に25%グルタルア
ルデヒド溶液に10分間浸漬し、水洗後未反応のグルタ
ルアルデヒドを処理するために73分間0./ Mグリ
シン溶液に浸漬し、また、水あるいは緩衝液で洗浄する
ことにより、微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を
形成した。
を実施例ダと同様の方法で、第一図の(lλ)に示す部
分だけ光硬化し現像して形成したのち、実施例1と同様
の水溶性感光樹脂コ00μノにウレアーゼ/ 0111
、牛血清アルブミンioqを溶解した酵素溶液をスピナ
ーで回転塗布(コooorpl、コ分間)し、乾燥した
。次に第一図の(/?)に示した部分にのみ元を照射で
きるマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺の
み光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した。次に、固
定化グルコースオキシダーゼ薄膜、!(/ 2 )と固
定化ウレアーゼ薄膜(19)を同時に25%グルタルア
ルデヒド溶液に10分間浸漬し、水洗後未反応のグルタ
ルアルデヒドを処理するために73分間0./ Mグリ
シン溶液に浸漬し、また、水あるいは緩衝液で洗浄する
ことにより、微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を
形成した。
光硬化は、実施例1で述べたものと同一の装置及び条件
で行なった。
で行なった。
なお上記実施例では、感光性樹脂としてN−メチル−p
−ホルミルスチリルピリジニクムメトサル7エートをペ
ンダントに有するポリビニルアルコールヲ用いたが、/
O重量/<−セントのPVP(分子量ダ万)溶液と1
重量パーセントの弘、弘′−ジアジドステルペンーー、
−′−ジスルホン酸ナトリクムを含む感光性樹脂等であ
っても、実施例に示す量でそのまま使用でき、同様の効
果を奏する。
−ホルミルスチリルピリジニクムメトサル7エートをペ
ンダントに有するポリビニルアルコールヲ用いたが、/
O重量/<−セントのPVP(分子量ダ万)溶液と1
重量パーセントの弘、弘′−ジアジドステルペンーー、
−′−ジスルホン酸ナトリクムを含む感光性樹脂等であ
っても、実施例に示す量でそのまま使用でき、同様の効
果を奏する。
また、固定化した酵素もグルコースオキシダーゼ、ウレ
アーゼに限らず、酵素との反応により、水素イオン濃度
の変化をもたらし、安定に使用できるものであればどの
ような酵素でも使用できる。
アーゼに限らず、酵素との反応により、水素イオン濃度
の変化をもたらし、安定に使用できるものであればどの
ような酵素でも使用できる。
例えばウリカーゼやリパーゼなどを用いても同様の効果
を奏する。
を奏する。
また、アミン基を導入するのにr−アミノプロピルトリ
エトキシ7ランを用いたが、他のアミン基な有するシラ
/カップリング剤(例えばr−アミノプロピルトリメト
キシシランやN−J−アミノエチル−3−アミノプロピ
ルトリエトキシシランなど)であれば同様の効果を奏す
る。
エトキシ7ランを用いたが、他のアミン基な有するシラ
/カップリング剤(例えばr−アミノプロピルトリメト
キシシランやN−J−アミノエチル−3−アミノプロピ
ルトリエトキシシランなど)であれば同様の効果を奏す
る。
以上のようにこの発明によれば、固定化酵素膜を感光性
樹脂を用いて形成したので、半導体製造技術を利用して
均一な厚みの薄膜を再現よく形成できるとともに、違っ
た種類の酵素薄膜を一つのチップ上に形成することがで
き、さらに、化学結合により半導体イオン素子との接着
性の良い酵素薄膜を得られる効果がある。
樹脂を用いて形成したので、半導体製造技術を利用して
均一な厚みの薄膜を再現よく形成できるとともに、違っ
た種類の酵素薄膜を一つのチップ上に形成することがで
き、さらに、化学結合により半導体イオン素子との接着
性の良い酵素薄膜を得られる効果がある。
第1a図ないし第1e図はこの発明の一実施例による固
定化酵素薄膜形成法の工程を示す図、第二図はワンチッ
プに集積化された複合製半導体酵素センナの斜視図、第
3図は従来法によって形成した固定化酵素gXを持つ半
導体酵素センナの概略断面図である。図中、 (1)・・半導体イオン感応素子、(2)・・P″″の
シリコン基板、(J)、(/j)、(/−t)・・ソー
ス、(す。 (/す、(/4)・・ドVイン、(5)・・熱酸化シリ
コン膜、(6)・・イオン感応膜、(7)・・固定化酵
素膜、(ff)・・酵素、(テ)、・・イオン感応膜、
(10)・・酵素と水溶性感光樹脂とから成る層、(l
l)・・光により硬化したグルコースオキシダーゼ固定
化薄膜、(lλ)・・写真製版(バターニング)された
グルコースオキシダーゼ固定化薄FA、(、/7)・・
擬似参照電極用の金配線(金の蒸着膜)、(11)・・
リード線、(ll)・・ウレアーゼ固定化薄膜、(コの
・・集積化したpH−l8FET素子。 手続補正書(自発) 昭和 年 月 日 60.3.27
定化酵素薄膜形成法の工程を示す図、第二図はワンチッ
プに集積化された複合製半導体酵素センナの斜視図、第
3図は従来法によって形成した固定化酵素gXを持つ半
導体酵素センナの概略断面図である。図中、 (1)・・半導体イオン感応素子、(2)・・P″″の
シリコン基板、(J)、(/j)、(/−t)・・ソー
ス、(す。 (/す、(/4)・・ドVイン、(5)・・熱酸化シリ
コン膜、(6)・・イオン感応膜、(7)・・固定化酵
素膜、(ff)・・酵素、(テ)、・・イオン感応膜、
(10)・・酵素と水溶性感光樹脂とから成る層、(l
l)・・光により硬化したグルコースオキシダーゼ固定
化薄膜、(lλ)・・写真製版(バターニング)された
グルコースオキシダーゼ固定化薄FA、(、/7)・・
擬似参照電極用の金配線(金の蒸着膜)、(11)・・
リード線、(ll)・・ウレアーゼ固定化薄膜、(コの
・・集積化したpH−l8FET素子。 手続補正書(自発) 昭和 年 月 日 60.3.27
Claims (2)
- (1)アミノ基を有するシランカップリング剤で半導体
イオン感応素子の表面を処理して該表面にアミノ基を導
入し、該半導体イオン官能素子を前記アミノ基とシツフ
塩基をつくる架橋剤を含む水溶液中に浸漬し、得られた
半導体イオン官能素子表面に水溶性感光樹脂溶液中に酵
素を溶解した酵素溶液を直接塗布し、塗布した感光樹脂
に紫外線を照射して感光樹脂を硬化させることを特徴と
する固定化酵素薄膜の形成法。 - (2)固定化酵素薄膜が、フォトリソグラフィー技術を
用いて、半導体イオン感応素子上のイオン感応面にパタ
ーニングされる特許請求の範囲第1項記載の固定化酵素
薄膜の形成法。
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---|---|---|---|
JP60005799A JPS61165656A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 固定化酵素薄膜の形成法 |
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JP60005799A JPS61165656A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 固定化酵素薄膜の形成法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6250656A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイオセンサ−およびその製造方法 |
CN109270143A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-01-25 | 东南大学 | 一种高活性葡萄糖氧化酶的固定方法 |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS635161A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-11 | Mitsubishi Electric Corp | 遊星歯車式減速スタ−タ |
KR910000941Y1 (ko) * | 1986-12-25 | 1991-02-13 | 미쓰비시전기 주식회사 | 유성감속형 시동기 |
US4793196A (en) * | 1987-03-24 | 1988-12-27 | Key Technology, Inc. | Gear coupled, counter-rotating vibratory drive assembly |
JPS63257432A (ja) * | 1987-04-13 | 1988-10-25 | Honda Motor Co Ltd | スタ−タモ−タの外部動力取出し構造 |
US4896551A (en) * | 1987-04-15 | 1990-01-30 | Mitsuba Electric Manufacturing Co., Ltd. | Starter motor and process of forming pinion shaft used in the starter motor |
US4785679A (en) * | 1987-09-03 | 1988-11-22 | The Toro Company | Starter motor pinion assembly |
JPH01117983A (ja) * | 1987-10-30 | 1989-05-10 | Fuji Heavy Ind Ltd | エンジンの始動装置 |
JPH01167460A (ja) * | 1987-12-23 | 1989-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | 始動電動機 |
JP2581119B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1997-02-12 | 三菱電機株式会社 | 同軸形スタータ |
JPH01152068U (ja) * | 1988-04-13 | 1989-10-19 | ||
US5086658A (en) * | 1989-09-26 | 1992-02-11 | Mitsubishi Denki K.K. | Coaxial engine starter |
JP2542093B2 (ja) * | 1989-11-21 | 1996-10-09 | 三菱電機株式会社 | 遊星歯車式減速スタ―タ装置 |
JP2789915B2 (ja) * | 1992-03-19 | 1998-08-27 | 株式会社日立製作所 | 遊星歯車減速装置とその減速装置を用いた同軸スタータ |
US5307702A (en) * | 1993-02-08 | 1994-05-03 | General Motors Corporation | Engine starter having an internal shield |
US5345793A (en) * | 1993-06-21 | 1994-09-13 | Whirlpool Corporation | Drive system for an automatic washer |
JPH08291783A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-05 | Mitsubishi Electric Corp | 遊星歯車減速スタータ装置 |
JP3789641B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2006-06-28 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関の絞弁制御装置 |
JP3727483B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2005-12-14 | 三菱電機株式会社 | 内燃機関の絞弁制御装置 |
DE10003452A1 (de) * | 2000-01-27 | 2001-08-09 | Sig Positec Bergerlahr Gmbh & | Elektromotor mit Umlaufgetriebe |
EP1255059A3 (en) * | 2001-04-26 | 2009-04-15 | Fuji Jukogyo Kabushiki Kaisha | Center differential unit and planetary gear |
DE102009028926A1 (de) * | 2009-08-27 | 2011-03-03 | Robert Bosch Gmbh | Zwischenlagereinrichtung mit Verzahnungsverstärkung für Starter |
CA2915602C (en) * | 2013-06-28 | 2018-04-17 | General Electric Company | Lightweight gear assembly for epicyclic gearbox |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2932992A (en) * | 1956-10-08 | 1960-04-19 | Everett P Larsh | Geared power transmission and method of increasing the load carrying capacity of gears |
US3076352A (en) * | 1958-10-13 | 1963-02-05 | Everett P Larsh | Gear members and method of producing same |
US3169408A (en) * | 1963-02-07 | 1965-02-16 | William S Rouverol | Nonlubricated formed gearing |
JPS5520931A (en) * | 1978-08-01 | 1980-02-14 | Nissan Motor Co Ltd | Synchronizer ring for device for sunchronously engaging in transmission |
JPS57154494U (ja) * | 1981-03-24 | 1982-09-28 | ||
DE3362485D1 (en) * | 1982-01-29 | 1986-04-17 | Mallinckrodt Inc | Process for preparing p-aminophenol and alkyl substituted p-aminophenol |
FR2527271B1 (fr) * | 1982-05-18 | 1986-12-05 | Paris & Du Rhone | Demarreur pour moteur thermique comportant un renfort de son support |
-
1985
- 1985-01-18 JP JP60005799A patent/JPS61165656A/ja active Pending
-
1986
- 1986-01-14 US US06/818,633 patent/US4712451A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-17 DE DE19863601306 patent/DE3601306A1/de not_active Ceased
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6250656A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バイオセンサ−およびその製造方法 |
CN109270143A (zh) * | 2018-10-10 | 2019-01-25 | 东南大学 | 一种高活性葡萄糖氧化酶的固定方法 |
CN109270143B (zh) * | 2018-10-10 | 2020-12-25 | 东南大学 | 一种高活性葡萄糖氧化酶的固定方法 |
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Publication number | Publication date |
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US4712451A (en) | 1987-12-15 |
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