JPS61165656A - 固定化酵素薄膜の形成法 - Google Patents
固定化酵素薄膜の形成法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体イオン感応素子表面に固定化酵素薄
板を形成する方法に関するものである。
板を形成する方法に関するものである。
各種有機物の迅速測定を目的として、これまでれつつあ
る。酵素センナは、各種の電気化学的トランスジエーサ
ー、例えば過酸化水素電極、酸素電極、イ、オン電極、
炭素電極、金属線電極、半導体イオン感応素子等を下地
電極として、その感応面に酵素を固定化した膜を装着し
たものである。
る。酵素センナは、各種の電気化学的トランスジエーサ
ー、例えば過酸化水素電極、酸素電極、イ、オン電極、
炭素電極、金属線電極、半導体イオン感応素子等を下地
電極として、その感応面に酵素を固定化した膜を装着し
たものである。
特に半導体イオン感応素子は超小型化が容易なこと、大
量生産にて安価なものが供給できること、多量化に適し
ているなどの特徴を有することから特に注目を集めてい
る。しかし、微小な部分に酵素を固定化するため、また
応答速度を速くするために膜の薄膜化が必要とされてい
る。
量生産にて安価なものが供給できること、多量化に適し
ているなどの特徴を有することから特に注目を集めてい
る。しかし、微小な部分に酵素を固定化するため、また
応答速度を速くするために膜の薄膜化が必要とされてい
る。
第３図は、半導体イオン感応素子を下地電極とする従来
の酵素センナを示す断面図であり、図において、（１）
は半導体イオン感応素子、（２）はｐ″″のシリコン基
板、（Ｊ）はソース（領域）、（ダ）はドレイン（領域
）、（５）は熱酸化シリコン膜、（６）はイオン感応膜
、（り）は固定化酵素膜、（ｔ）は膜中に固定化された
酵素を示している。
の酵素センナを示す断面図であり、図において、（１）
は半導体イオン感応素子、（２）はｐ″″のシリコン基
板、（Ｊ）はソース（領域）、（ダ）はドレイン（領域
）、（５）は熱酸化シリコン膜、（６）はイオン感応膜
、（り）は固定化酵素膜、（ｔ）は膜中に固定化された
酵素を示している。
半導体イオン感応素子（、／）上に固定化酵素膜（７）
を形成するには、一般に、酵素と牛血清アルブミンを溶
液中に溶°かし、この溶液とグルタルアルデヒドとの混
合液を半導体イオン感応素子（１）の感応面上に塗布し
、たん白質とグルタルアルデヒドとの架橋反志により膜
を形成していた。しかし、このような従来の製膜法では
、架橋反応をさせながら半導体イオン素子上に酵素を含
む溶液が塗布されるため、製膜が塗布操作に犬ぎり′＃
響され、均一な厚みを持つ層膜が困難であったり、薄膜
化することが離しい。また、一つの小さな素子上に異っ
た種類の酵素膜を形成するのは困難であるなどの問題点
があった。さらに、下地のイオン感応膜との関に化学的
な結合がないため、酵素膜と半導体イオン素子との接着
性が悪いという問題点があった。
を形成するには、一般に、酵素と牛血清アルブミンを溶
液中に溶°かし、この溶液とグルタルアルデヒドとの混
合液を半導体イオン感応素子（１）の感応面上に塗布し
、たん白質とグルタルアルデヒドとの架橋反志により膜
を形成していた。しかし、このような従来の製膜法では
、架橋反応をさせながら半導体イオン素子上に酵素を含
む溶液が塗布されるため、製膜が塗布操作に犬ぎり′＃
響され、均一な厚みを持つ層膜が困難であったり、薄膜
化することが離しい。また、一つの小さな素子上に異っ
た種類の酵素膜を形成するのは困難であるなどの問題点
があった。さらに、下地のイオン感応膜との関に化学的
な結合がないため、酵素膜と半導体イオン素子との接着
性が悪いという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、均一な厚みを持つ薄膜を再現よく形成でき
るとともに、異った種類の薄膜を一つの小さなチップ上
に形成でき、さらに、半導体イオン素子との接着性の良
い固定化酵素薄膜を得ることを目的とする。
れたもので、均一な厚みを持つ薄膜を再現よく形成でき
るとともに、異った種類の薄膜を一つの小さなチップ上
に形成でき、さらに、半導体イオン素子との接着性の良
い固定化酵素薄膜を得ることを目的とする。
すなわちこの発明は、アミノ基を有するシランカップリ
ング剤で半導体イオン感応素子の表面を処理して該表面
にアミ７基を導入し、該半導体イオン官能素子を前記ア
ミ７基とシツフ塩基をつくる架橋剤を含む水溶液中に浸
漬し、得られた半導体イオーン官能素子我面に水溶性感
光樹脂溶液中に酵素を溶解した酵素溶液を直接塗布し、
塗布した感光樹脂に紫外線を照射して感光樹脂を硬化さ
せることを特徴とする固定化酵素薄膜の形成法である。
ング剤で半導体イオン感応素子の表面を処理して該表面
にアミ７基を導入し、該半導体イオン官能素子を前記ア
ミ７基とシツフ塩基をつくる架橋剤を含む水溶液中に浸
漬し、得られた半導体イオーン官能素子我面に水溶性感
光樹脂溶液中に酵素を溶解した酵素溶液を直接塗布し、
塗布した感光樹脂に紫外線を照射して感光樹脂を硬化さ
せることを特徴とする固定化酵素薄膜の形成法である。
この発明におけるアミノ基を持つシランカップリング剤
による表面処理は、固定化酵素薄膜と半導体イオン感応
素子表面との接着性を良くし、また、水溶性感光樹脂は
、酵素薄膜を再現性よく均一に形成できる。さらに、フ
ォトリソグラフィー技術を用いることにより、必要な部
分（例えば半導体イオン感応素子上のイオン感応膜の所
定部分）にだけ膜を形成することを可能とする。
による表面処理は、固定化酵素薄膜と半導体イオン感応
素子表面との接着性を良くし、また、水溶性感光樹脂は
、酵素薄膜を再現性よく均一に形成できる。さらに、フ
ォトリソグラフィー技術を用いることにより、必要な部
分（例えば半導体イオン感応素子上のイオン感応膜の所
定部分）にだけ膜を形成することを可能とする。
以下、この発明の一実施態様を図について説明する。第
１ａ図ないし第ｔｅ図において、（９）はアミノ基を有
するシランカップリング剤で表面にアミン基が導入され
たイオン感応膜、（１０）は酵素（例えばグリコースオ
キシダーゼ）と水溶性感光樹脂とから成る層、（１１）
は光によって硬化したグルコースオキシダーゼ固定化薄
膜であり、（／り（＠バターニングされたグルコースオ
キシダーゼ固定化薄膜である。第１ａ図はアミノ基を表
面に有するイオン感応膜を持った半導体イオン感応素子
の断面図、第１ｂ図は酵素及び水溶性感光樹脂とから成
る酵素溶液を塗布した素子の断面図、第１Ｃ図は素子全
表面にわたり紫外線露光し固定化酵素薄膜？形成した時
の素子の断面図、第１ｄ図は素子の一部にだけ紫外線が
当るようにマスクを介して露光した時の素子の断面図、
第１ｅ図は露光後に現像した時の素子の断Ｗ１＠を示す
。
１ａ図ないし第ｔｅ図において、（９）はアミノ基を有
するシランカップリング剤で表面にアミン基が導入され
たイオン感応膜、（１０）は酵素（例えばグリコースオ
キシダーゼ）と水溶性感光樹脂とから成る層、（１１）
は光によって硬化したグルコースオキシダーゼ固定化薄
膜であり、（／り（＠バターニングされたグルコースオ
キシダーゼ固定化薄膜である。第１ａ図はアミノ基を表
面に有するイオン感応膜を持った半導体イオン感応素子
の断面図、第１ｂ図は酵素及び水溶性感光樹脂とから成
る酵素溶液を塗布した素子の断面図、第１Ｃ図は素子全
表面にわたり紫外線露光し固定化酵素薄膜？形成した時
の素子の断面図、第１ｄ図は素子の一部にだけ紫外線が
当るようにマスクを介して露光した時の素子の断面図、
第１ｅ図は露光後に現像した時の素子の断Ｗ１＠を示す
。
第２図において、（／ｊ）、（ｔｚ）はソース、（ハリ
、（／ｌ）はドレイン、（１７）は擬似参照電極用の金
の蒸着膜、（ｌｔ）はリード線、（１９）はウレアーゼ
固定化薄膜、（λＱ）は集積化したｐＨ−ｌ５ＦＥＴ素
子である。
、（／ｌ）はドレイン、（１７）は擬似参照電極用の金
の蒸着膜、（ｌｔ）はリード線、（１９）はウレアーゼ
固定化薄膜、（λＱ）は集積化したｐＨ−ｌ５ＦＥＴ素
子である。
以下、この発明を実施例に基づき説明する。
実施例 ｌ
イオン感応膜として窒素シリコン膜を有する水素イオン
感応性電界効果臘トランジスタ（以下、ｐＨ−ｌ８ＦＥ
Ｔ と略す）を、５重量パーセントのγ−アミノプロ
ビルトリエトキシシ２ンを含むトルエン溶液中に浸漬し
、窒素雰囲気中で煮沸還流しながら３時間反応させた。
感応性電界効果臘トランジスタ（以下、ｐＨ−ｌ８ＦＥ
Ｔ と略す）を、５重量パーセントのγ−アミノプロ
ビルトリエトキシシ２ンを含むトルエン溶液中に浸漬し
、窒素雰囲気中で煮沸還流しながら３時間反応させた。
次に、メタ／−ル、エタノール、アセトンでｐＨ−ｌ５
ＦＥＴを洗浄してから、室′温で窒Ｘ雰囲気中で乾燥し
た。このｐＨ−ｌ８ＦＥＴをコＳ％グルタルアルデヒド
水溶液中に室温で１０分間浸漬した。
ＦＥＴを洗浄してから、室′温で窒Ｘ雰囲気中で乾燥し
た。このｐＨ−ｌ８ＦＥＴをコＳ％グルタルアルデヒド
水溶液中に室温で１０分間浸漬した。
このｐＨ−ｌ５Ｆ］３：Ｔ素子上に、ポリビニルアルコ
ールの水酸基にＮ−メチル−ｐ−ホルミルスチリルビリ
ジニクムメトサルフエートを付加した（付加率はポリビ
ニルアルコールの水酸基に対して０．１モル％）水溶性
感光樹脂（市村１％開昭！＆−！７４／号に記載）の！
重量パーセント水溶液、２００μノにグルコースオキシ
ダーゼ！ダを溶解した酵素溶液をスピナーで回転塗布（
コｏｏｏｘｖａ、−分間）し、乾燥した。その後、Ｊ４
ＣＯｎ＠以下の波長の光をカットしたＪ！ＯＷの水銀灯
を用い、１分間感光性樹脂混合物を光照射し、グルコー
スオキシダーゼ固定化薄膜を形成した。
ールの水酸基にＮ−メチル−ｐ−ホルミルスチリルビリ
ジニクムメトサルフエートを付加した（付加率はポリビ
ニルアルコールの水酸基に対して０．１モル％）水溶性
感光樹脂（市村１％開昭！＆−！７４／号に記載）の！
重量パーセント水溶液、２００μノにグルコースオキシ
ダーゼ！ダを溶解した酵素溶液をスピナーで回転塗布（
コｏｏｏｘｖａ、−分間）し、乾燥した。その後、Ｊ４
ＣＯｎ＠以下の波長の光をカットしたＪ！ＯＷの水銀灯
を用い、１分間感光性樹脂混合物を光照射し、グルコー
スオキシダーゼ固定化薄膜を形成した。
実施例 コ
実施例１と同様の方法で表面にアミノ基を導入し、グル
タルアルデヒドで処理したｐＨ−工８ＦＥＴ素子上に、
実施例１と同様の水溶性感光樹脂の５重量バーセント水
溶液２００μノにグルコースオキシダーゼ！叩及び牛血
清アルブミン１０９を溶解した酵素溶液をスピナーで回
転塗布（２ｏｏｏｒｐｌ、１分間）し、乾燥した。その
後Ｊ４（Ｏｎｍ以下の波長の光をカットした。ｙｒｏｗ
の水銀灯を用い、１分間感光性樹脂混合物を光硬化した
。これを、さらにユよ％グルタルアルデヒド溶液にｉｏ
分間浸漬し、水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処
理するために１５分間０．／ Ｍグリクツ水溶液に浸漬
し、また、水洗することによりグルコースオキシダーゼ
固定化薄膜を形成した。
タルアルデヒドで処理したｐＨ−工８ＦＥＴ素子上に、
実施例１と同様の水溶性感光樹脂の５重量バーセント水
溶液２００μノにグルコースオキシダーゼ！叩及び牛血
清アルブミン１０９を溶解した酵素溶液をスピナーで回
転塗布（２ｏｏｏｒｐｌ、１分間）し、乾燥した。その
後Ｊ４（Ｏｎｍ以下の波長の光をカットした。ｙｒｏｗ
の水銀灯を用い、１分間感光性樹脂混合物を光硬化した
。これを、さらにユよ％グルタルアルデヒド溶液にｉｏ
分間浸漬し、水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処
理するために１５分間０．／ Ｍグリクツ水溶液に浸漬
し、また、水洗することによりグルコースオキシダーゼ
固定化薄膜を形成した。
実施例 ３
実施例１と同様にして、酵素溶液をスピナーで固転塗布
したあと、第１図の（ｌ２）に示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像するこ
とにより、部分的にグルコースオキシダーゼ固１定化薄
膜を形成した。光硬化は実施例１で述べたものと同一の
装置及び条件で行なった。
したあと、第１図の（ｌ２）に示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像するこ
とにより、部分的にグルコースオキシダーゼ固１定化薄
膜を形成した。光硬化は実施例１で述べたものと同一の
装置及び条件で行なった。
実施例 ψ
実施例コと同様にして、酵素溶液をスピナーで回転塗布
したあと、第１図の（／＝）で示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した後
、２ｊ％グルタルアルデヒド水溶液に１０分間浸漬し、
水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処理するために
７３分間０゜７Ｍグリシ／溶液に浸漬し、また、水洗す
ることによりグルコースオキシダーゼ固定化薄膜を形成
した。
したあと、第１図の（／＝）で示した部分にのみ光を照
射できるマスクを用いて、素子のチャンネル上及びその
周辺のみを光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した後
、２ｊ％グルタルアルデヒド水溶液に１０分間浸漬し、
水洗後、未反応のグルタルアルデヒドを処理するために
７３分間０゜７Ｍグリシ／溶液に浸漬し、また、水洗す
ることによりグルコースオキシダーゼ固定化薄膜を形成
した。
実施例 ！
第二図の（コＯ）に示した集積化したｐＩ（−１１３Ｆ
ＥＴを実施例３と同様の方法で、第２図の（／２）に示
した部分に固定化グルコースオキシダーゼ固定化膜を形
成したのち、実施例１と同様の水溶性感光樹脂コ００μ
ノに、クレアーゼｌＯダを溶解した酵素溶液をスピナー
で回転塗布（コｏｏｏｒｐ＊、λ分間）し、乾燥した。
ＥＴを実施例３と同様の方法で、第２図の（／２）に示
した部分に固定化グルコースオキシダーゼ固定化膜を形
成したのち、実施例１と同様の水溶性感光樹脂コ００μ
ノに、クレアーゼｌＯダを溶解した酵素溶液をスピナー
で回転塗布（コｏｏｏｒｐ＊、λ分間）し、乾燥した。
次に第２図の（／テ）に示した部分にのみ光を照射でき
るマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺のみ
光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像することにより、
微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を形成した。光
硬化は、実施例１で述べたものと同一の装置及び条件で
行なった。
るマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺のみ
光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像することにより、
微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を形成した。光
硬化は、実施例１で述べたものと同一の装置及び条件で
行なった。
実施例 ６
第一図の（−Ｑ）に示した業績化したｐＨ−ｌ５ＦＥＴ
を実施例ダと同様の方法で、第一図の（ｌλ）に示す部
分だけ光硬化し現像して形成したのち、実施例１と同様
の水溶性感光樹脂コ００μノにウレアーゼ／ ０１１１
、牛血清アルブミンｉｏｑを溶解した酵素溶液をスピナ
ーで回転塗布（コｏｏｏｒｐｌ、コ分間）し、乾燥した
。次に第一図の（／？）に示した部分にのみ元を照射で
きるマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺の
み光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した。次に、固
定化グルコースオキシダーゼ薄膜、！（／ ２ ）と固
定化ウレアーゼ薄膜（１９）を同時に２５％グルタルア
ルデヒド溶液に１０分間浸漬し、水洗後未反応のグルタ
ルアルデヒドを処理するために７３分間０．／ Ｍグリ
シン溶液に浸漬し、また、水あるいは緩衝液で洗浄する
ことにより、微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を
形成した。
を実施例ダと同様の方法で、第一図の（ｌλ）に示す部
分だけ光硬化し現像して形成したのち、実施例１と同様
の水溶性感光樹脂コ００μノにウレアーゼ／ ０１１１
、牛血清アルブミンｉｏｑを溶解した酵素溶液をスピナ
ーで回転塗布（コｏｏｏｒｐｌ、コ分間）し、乾燥した
。次に第一図の（／？）に示した部分にのみ元を照射で
きるマスクを用いて素子のチャンネル上及びその周辺の
み光硬化させ、水あるいは緩衝液で現像した。次に、固
定化グルコースオキシダーゼ薄膜、！（／ ２ ）と固
定化ウレアーゼ薄膜（１９）を同時に２５％グルタルア
ルデヒド溶液に１０分間浸漬し、水洗後未反応のグルタ
ルアルデヒドを処理するために７３分間０．／ Ｍグリ
シン溶液に浸漬し、また、水あるいは緩衝液で洗浄する
ことにより、微小なチップ上に異なる固定化酵素薄膜を
形成した。
光硬化は、実施例１で述べたものと同一の装置及び条件
で行なった。
で行なった。
なお上記実施例では、感光性樹脂としてＮ−メチル−ｐ
−ホルミルスチリルピリジニクムメトサル７エートをペ
ンダントに有するポリビニルアルコールヲ用いたが、／
Ｏ重量／＜−セントのＰＶＰ（分子量ダ万）溶液と１
重量パーセントの弘、弘′−ジアジドステルペンーー、
−′−ジスルホン酸ナトリクムを含む感光性樹脂等であ
っても、実施例に示す量でそのまま使用でき、同様の効
果を奏する。
−ホルミルスチリルピリジニクムメトサル７エートをペ
ンダントに有するポリビニルアルコールヲ用いたが、／
Ｏ重量／＜−セントのＰＶＰ（分子量ダ万）溶液と１
重量パーセントの弘、弘′−ジアジドステルペンーー、
−′−ジスルホン酸ナトリクムを含む感光性樹脂等であ
っても、実施例に示す量でそのまま使用でき、同様の効
果を奏する。
また、固定化した酵素もグルコースオキシダーゼ、ウレ
アーゼに限らず、酵素との反応により、水素イオン濃度
の変化をもたらし、安定に使用できるものであればどの
ような酵素でも使用できる。
アーゼに限らず、酵素との反応により、水素イオン濃度
の変化をもたらし、安定に使用できるものであればどの
ような酵素でも使用できる。
例えばウリカーゼやリパーゼなどを用いても同様の効果
を奏する。
を奏する。
また、アミン基を導入するのにｒ−アミノプロピルトリ
エトキシ７ランを用いたが、他のアミン基な有するシラ
／カップリング剤（例えばｒ−アミノプロピルトリメト
キシシランやＮ−Ｊ−アミノエチル−３−アミノプロピ
ルトリエトキシシランなど）であれば同様の効果を奏す
る。
エトキシ７ランを用いたが、他のアミン基な有するシラ
／カップリング剤（例えばｒ−アミノプロピルトリメト
キシシランやＮ−Ｊ−アミノエチル−３−アミノプロピ
ルトリエトキシシランなど）であれば同様の効果を奏す
る。
以上のようにこの発明によれば、固定化酵素膜を感光性
樹脂を用いて形成したので、半導体製造技術を利用して
均一な厚みの薄膜を再現よく形成できるとともに、違っ
た種類の酵素薄膜を一つのチップ上に形成することがで
き、さらに、化学結合により半導体イオン素子との接着
性の良い酵素薄膜を得られる効果がある。
樹脂を用いて形成したので、半導体製造技術を利用して
均一な厚みの薄膜を再現よく形成できるとともに、違っ
た種類の酵素薄膜を一つのチップ上に形成することがで
き、さらに、化学結合により半導体イオン素子との接着
性の良い酵素薄膜を得られる効果がある。
第１ａ図ないし第１ｅ図はこの発明の一実施例による固
定化酵素薄膜形成法の工程を示す図、第二図はワンチッ
プに集積化された複合製半導体酵素センナの斜視図、第
３図は従来法によって形成した固定化酵素ｇＸを持つ半
導体酵素センナの概略断面図である。図中、 （１）・・半導体イオン感応素子、（２）・・Ｐ″″の
シリコン基板、（Ｊ）、（／ｊ）、（／−ｔ）・・ソー
ス、（す。 （／す、（／４）・・ドＶイン、（５）・・熱酸化シリ
コン膜、（６）・・イオン感応膜、（７）・・固定化酵
素膜、（ｆｆ）・・酵素、（テ）、・・イオン感応膜、
（１０）・・酵素と水溶性感光樹脂とから成る層、（ｌ
ｌ）・・光により硬化したグルコースオキシダーゼ固定
化薄膜、（ｌλ）・・写真製版（バターニング）された
グルコースオキシダーゼ固定化薄ＦＡ、（、／７）・・
擬似参照電極用の金配線（金の蒸着膜）、（１１）・・
リード線、（ｌｌ）・・ウレアーゼ固定化薄膜、（コの
・・集積化したｐＨ−ｌ８ＦＥＴ素子。 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 ６０．３．２７
定化酵素薄膜形成法の工程を示す図、第二図はワンチッ
プに集積化された複合製半導体酵素センナの斜視図、第
３図は従来法によって形成した固定化酵素ｇＸを持つ半
導体酵素センナの概略断面図である。図中、 （１）・・半導体イオン感応素子、（２）・・Ｐ″″の
シリコン基板、（Ｊ）、（／ｊ）、（／−ｔ）・・ソー
ス、（す。 （／す、（／４）・・ドＶイン、（５）・・熱酸化シリ
コン膜、（６）・・イオン感応膜、（７）・・固定化酵
素膜、（ｆｆ）・・酵素、（テ）、・・イオン感応膜、
（１０）・・酵素と水溶性感光樹脂とから成る層、（ｌ
ｌ）・・光により硬化したグルコースオキシダーゼ固定
化薄膜、（ｌλ）・・写真製版（バターニング）された
グルコースオキシダーゼ固定化薄ＦＡ、（、／７）・・
擬似参照電極用の金配線（金の蒸着膜）、（１１）・・
リード線、（ｌｌ）・・ウレアーゼ固定化薄膜、（コの
・・集積化したｐＨ−ｌ８ＦＥＴ素子。 手続補正書（自発） 昭和 年 月 日 ６０．３．２７
Claims (2)
- （１）アミノ基を有するシランカップリング剤で半導体
イオン感応素子の表面を処理して該表面にアミノ基を導
入し、該半導体イオン官能素子を前記アミノ基とシツフ
塩基をつくる架橋剤を含む水溶液中に浸漬し、得られた
半導体イオン官能素子表面に水溶性感光樹脂溶液中に酵
素を溶解した酵素溶液を直接塗布し、塗布した感光樹脂
に紫外線を照射して感光樹脂を硬化させることを特徴と
する固定化酵素薄膜の形成法。 - （２）固定化酵素薄膜が、フォトリソグラフィー技術を
用いて、半導体イオン感応素子上のイオン感応面にパタ
ーニングされる特許請求の範囲第１項記載の固定化酵素
薄膜の形成法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005799A JPS61165656A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 固定化酵素薄膜の形成法 |
| US06/818,633 US4712451A (en) | 1985-01-18 | 1986-01-14 | Starter with a gear reduction mechanism |
| DE19863601306 DE3601306A1 (de) | 1985-01-18 | 1986-01-17 | Anlasser mit einem untersetzungsmechanismus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60005799A JPS61165656A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 固定化酵素薄膜の形成法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61165656A true JPS61165656A (ja) | 1986-07-26 |
Family
ID=11621125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60005799A Pending JPS61165656A (ja) | 1985-01-18 | 1985-01-18 | 固定化酵素薄膜の形成法 |
Country Status (3)
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|---|---|
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| JP (1) | JPS61165656A (ja) |
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-
1985
- 1985-01-18 JP JP60005799A patent/JPS61165656A/ja active Pending
-
1986
- 1986-01-14 US US06/818,633 patent/US4712451A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-01-17 DE DE19863601306 patent/DE3601306A1/de not_active Ceased
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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