JPS61159787A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61159787A JPS61159787A JP127185A JP127185A JPS61159787A JP S61159787 A JPS61159787 A JP S61159787A JP 127185 A JP127185 A JP 127185A JP 127185 A JP127185 A JP 127185A JP S61159787 A JPS61159787 A JP S61159787A
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- semiconductor laser
- laser element
- heat sink
- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の目的
産業上の利用分野
本発明は光通信・光情報処理機器に用いることができる
半導体レーザ装置に関するものである。
半導体レーザ装置に関するものである。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置は光通信や光情報処理機器用光
源として実用化され、特にＤＡＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ａ
ｕｄｉｏ Ｄｉｓｋ）用の光源として大量生産されるに
至っている。またＤＡＤ以外にも、光デイスクファイル
やレーザプリンターの光源として注目されており、これ
らの装置の要望に応じた発振特性を有する半導体レーザ
装置が研究開発されている。
源として実用化され、特にＤＡＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ａ
ｕｄｉｏ Ｄｉｓｋ）用の光源として大量生産されるに
至っている。またＤＡＤ以外にも、光デイスクファイル
やレーザプリンターの光源として注目されており、これ
らの装置の要望に応じた発振特性を有する半導体レーザ
装置が研究開発されている。
以下、第３図に示したパッケージ内の構造を参照しなが
ら、上述したような従来の半導体レーザ装置について説
明する。
ら、上述したような従来の半導体レーザ装置について説
明する。
１０はレーザ光を放出するダイオードレーザ素子、１１
はヒートシンクで、前記レーザ素子１を保持している。
はヒートシンクで、前記レーザ素子１を保持している。
１２は受光素子で、レーザ光の一方を検出する。１３
は金属細線で、レーザ素子に電流を流すためのものであ
る。 １４はリード線で、パッケージから端子を取り出
すために設けられ、１５は同じくリード線で、受光素子
３の出力を取り出すためのものである。
は金属細線で、レーザ素子に電流を流すためのものであ
る。 １４はリード線で、パッケージから端子を取り出
すために設けられ、１５は同じくリード線で、受光素子
３の出力を取り出すためのものである。
まず、半導体レーザ素子１０の後方端面から放出される
レーザ光は、受光素子１２で光電変換し、光電流をリー
ド線１５を通じて取り出すことにより。
レーザ光は、受光素子１２で光電変換し、光電流をリー
ド線１５を通じて取り出すことにより。
レーザ光の出力をモニタしている。
発明が解決しようとする問題点
上記のような構成では、受光素子１２でレーザ光が反射
され、前方に出るのを防ぐために、受光素子１２を傾け
る等の配慮が必要となる。また、レーザ素子１０と受光
素子１２の距離が数ｌ■あるので、レーザ素子の後方端
面の反射率を高くし、この端面の放出光を前方端面から
の放出光より小さくした場合、モニタ電流が小さくなっ
て、レーザ光の光出力を正確にモニタできないという欠
点を有していた。
され、前方に出るのを防ぐために、受光素子１２を傾け
る等の配慮が必要となる。また、レーザ素子１０と受光
素子１２の距離が数ｌ■あるので、レーザ素子の後方端
面の反射率を高くし、この端面の放出光を前方端面から
の放出光より小さくした場合、モニタ電流が小さくなっ
て、レーザ光の光出力を正確にモニタできないという欠
点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み、レーザ素子の後方端面からの
放出光が小さくても、十分なモニタ電流が得られ１反射
光が前方へ出てゴーストを起こすことのない半導体レー
ザ装置を提供することを目的とする。
放出光が小さくても、十分なモニタ電流が得られ１反射
光が前方へ出てゴーストを起こすことのない半導体レー
ザ装置を提供することを目的とする。
（２）発明の構成
問題点を解決するための手段
上記目的を達成するために、本発明の半導体レーザ装置
は、一導電型の半導体からなるヒートシンク上に半導体
レーザ素子を保持するとともに、前記ヒートシンク上で
前記半導体レーザの直後に光出力のモニタ電流を得るシ
ョットキーバリア光検出素子を一体的に集積したもので
ある。
は、一導電型の半導体からなるヒートシンク上に半導体
レーザ素子を保持するとともに、前記ヒートシンク上で
前記半導体レーザの直後に光出力のモニタ電流を得るシ
ョットキーバリア光検出素子を一体的に集積したもので
ある。
作 用
本発明は上記の構成をとったので、レーザ素子の後方端
面からのレーザ光は直接ショットキーバリア光検出素子
で受光され、これによってモニタ電流が確実に得られる
ようになった。
面からのレーザ光は直接ショットキーバリア光検出素子
で受光され、これによってモニタ電流が確実に得られる
ようになった。
実施例
以下、本発明の一実施例を示した図面につき説明する。
第１図は本発明半導体レーザ装置のヒートシンクの構造
を示すものである。１は半導体レーザ素子、２は一導電
型の半導体としてｎ型ＧａＡｇ基板を用いたヒートシン
クである。ヒートシンク２の底面はＡｕ／Ｓｎ電極３を
蒸着又はアロイし、オートミックをとっである。４はＣ
ｒ／Ａｕ電極で、半導体レーザ素子ｌを保持している。
を示すものである。１は半導体レーザ素子、２は一導電
型の半導体としてｎ型ＧａＡｇ基板を用いたヒートシン
クである。ヒートシンク２の底面はＡｕ／Ｓｎ電極３を
蒸着又はアロイし、オートミックをとっである。４はＣ
ｒ／Ａｕ電極で、半導体レーザ素子ｌを保持している。
この部分はエツチングしていない、５は光検出素子とし
てのショットキーバリア光検出素子で、半導体レーザ素
子の後方端面に近接しヒートシンク上で一体的に（腸０
ｎｏｌｉｔｈｉｃ）に集積し、この半導体レーザからの
レーザ光を直接受けるよう配置されている。この光検出
素子はＣｒ／Ａｕ電極６を蒸着し、エツチングにより島
状の素子として、ヒートシンク上に作製されている。尚
、図示したように半導体レーザ素子１からの発光が光検
出素子５に照射できるように、ヒートシンク２に段差が
設けられ、半導体レーザ素子ｌはアップサイドダウンに
マウントされている。７．８．９はそれぞれ金属細線で
、半導体レーザ素子ｌ、電極４及び電極６上にボンディ
ングされ、レーザ駆動電流を流し、またモニタ電流を取
り出すようになっている。
てのショットキーバリア光検出素子で、半導体レーザ素
子の後方端面に近接しヒートシンク上で一体的に（腸０
ｎｏｌｉｔｈｉｃ）に集積し、この半導体レーザからの
レーザ光を直接受けるよう配置されている。この光検出
素子はＣｒ／Ａｕ電極６を蒸着し、エツチングにより島
状の素子として、ヒートシンク上に作製されている。尚
、図示したように半導体レーザ素子１からの発光が光検
出素子５に照射できるように、ヒートシンク２に段差が
設けられ、半導体レーザ素子ｌはアップサイドダウンに
マウントされている。７．８．９はそれぞれ金属細線で
、半導体レーザ素子ｌ、電極４及び電極６上にボンディ
ングされ、レーザ駆動電流を流し、またモニタ電流を取
り出すようになっている。
半導体レーザ素子ｌの後方端面から放出するレーザ光は
ｎ型ＧａＡｇ基板を用いたヒートシンク２上に作製され
た。ショットキーバリア光検出素子５に入射し、光電流
を発生する。
ｎ型ＧａＡｇ基板を用いたヒートシンク２上に作製され
た。ショットキーバリア光検出素子５に入射し、光電流
を発生する。
第２図に、半導体レーザ素子１の前方への放出光の光出
力−電流特性（イ）と、後方出力のモニタ電流−レーザ
駆動電流特性（ロ）を示す、前方光出力に対応してモニ
タ電流出力が得られているのがわかる。
力−電流特性（イ）と、後方出力のモニタ電流−レーザ
駆動電流特性（ロ）を示す、前方光出力に対応してモニ
タ電流出力が得られているのがわかる。
上記のように本実施例によれば、半導体レーザ素子の後
方出力を検出するショットキーバリア光検出素子を、レ
ーザ素子を保持するヒートシンク上に一体的に作製する
ことにより、レーザ出力のモニタ用の出力を容易且つ確
実に得ることができる。
方出力を検出するショットキーバリア光検出素子を、レ
ーザ素子を保持するヒートシンク上に一体的に作製する
ことにより、レーザ出力のモニタ用の出力を容易且つ確
実に得ることができる。
さらに、半導体レーザ素子を構成しているＧａＡｇと同
じ材料のヒートシンクを用いることにより熱膨張係数の
違いによるポンディング時の歪の問題も発生しない。
じ材料のヒートシンクを用いることにより熱膨張係数の
違いによるポンディング時の歪の問題も発生しない。
（３）発明の効果
上記のように本発明は、半導体レーザ素子を保持するヒ
ートシンク上に、光出力モニタ電流を得るショットキー
バリア光検出素子を一体的に設けることにより、半導体
レーザ素子の後方出力を直接受光し、モニタ電流を容易
に得ることができ、且つ半導体レーザ素子からの出力光
量が少なくてもよいので、従来例にみられるゴーストが
発生することもなく確実にモニタできる効果がある。
ートシンク上に、光出力モニタ電流を得るショットキー
バリア光検出素子を一体的に設けることにより、半導体
レーザ素子の後方出力を直接受光し、モニタ電流を容易
に得ることができ、且つ半導体レーザ素子からの出力光
量が少なくてもよいので、従来例にみられるゴーストが
発生することもなく確実にモニタできる効果がある。
第１図は、本発明の実施例を示す半導体レーザ素子のヒ
ートシンクの構造図、第２図はモニタ電流特性図、第３
図は従来の半導体レーザ素子の構造図である。
ートシンクの構造図、第２図はモニタ電流特性図、第３
図は従来の半導体レーザ素子の構造図である。
Claims (5)
- （１）一導電型の半導体からなるヒートシンク上に半導
体レーザ素子を保持するとともに、前記ヒートシンク上
で前記半導体レーザの直後に光出力のモニタ電流を得る
ショットキーバリア光検出素子を一体的に集積したこと
を特徴とする半導体レーザ装置。 - （２）一導電型の半導体が、ＧａＡｓである特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - （３）一導電型の半導体が、ＧａＡｓを含む混合結晶で
ある特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - （４）一導電型の半導体が、ＩｎＰである特許請求の範
囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - （５）一導電型の半導体が、ＩｎＰを含む混合結晶であ
る特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP127185A JPS61159787A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP127185A JPS61159787A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61159787A true JPS61159787A (ja) | 1986-07-19 |
Family
ID=11496791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP127185A Pending JPS61159787A (ja) | 1985-01-07 | 1985-01-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61159787A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
-
1985
- 1985-01-07 JP JP127185A patent/JPS61159787A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0607700A3 (en) * | 1992-12-24 | 1994-11-30 | Sharp Kk | Semiconductor laser device. |
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