JPS6115967A - 表面処理方法 - Google Patents

表面処理方法

Info

Publication number
JPS6115967A
JPS6115967A JP59136024A JP13602484A JPS6115967A JP S6115967 A JPS6115967 A JP S6115967A JP 59136024 A JP59136024 A JP 59136024A JP 13602484 A JP13602484 A JP 13602484A JP S6115967 A JPS6115967 A JP S6115967A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
surface treatment
ions
implanted
treatment method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP59136024A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH044394B2 (ja
Inventor
Yasuhiro Shimizu
靖弘 清水
Akira Doi
陽 土居
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority to JP59136024A priority Critical patent/JPS6115967A/ja
Priority to DE8585107462T priority patent/DE3573806D1/de
Priority to AT85107462T priority patent/ATE47431T1/de
Priority to EP85107462A priority patent/EP0166349B1/en
Priority to US06/746,388 priority patent/US4634600A/en
Priority to CA000485073A priority patent/CA1240281A/en
Publication of JPS6115967A publication Critical patent/JPS6115967A/ja
Publication of JPH044394B2 publication Critical patent/JPH044394B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/0021—Reactive sputtering or evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （１）産業上の利用分野 この発明は金属基板上に金属あるいは非金属イオンを被
覆形成して該基板上に硬質層を得る表面処理方法に関す
るものである。
（２）従来の技術 従来、基板表面に硬質層を得る方法としては、ＣＶＤ法
、イオンブレーティング法などが実用化されている。
これらは基材の表面に数ミクロンの炭化物、窒化物、酸
化物、硼化物などの硬質層を被覆するものであり、精度
を問題とするような用途には用いることができない。
さらに、ＣＶＤ法では基材と被膜の間に脆化層を生じ、
脆くなるという問題があり、またイオンブレーティング
法では基板と皮膜の密着性が不十分であるという問題が
ある。
また表面硬化法として非金属イオンを基材に注入すると
いう方法も提案されているが、この方法は基材の材質に
よって限定されるという欠点がある。
（３）　　発明が解決しようとする問題点上記した従来
法の欠点を解消するために、本発明者らは先に蒸着とイ
オン注入を組合せた表面処理方法を提案したが、この発
明の方法はこれをさらに発展改良したものである。
（４）　　問題点を解決するための手段即ち、この発明
は金属蒸気の雰囲気下にある基板に金属イオンあるいは
非金属イオンを注入する表面処理方法において、該金属
蒸気をイオン化することを特徴とするものであり、金属
蒸気をイオン化する方法を付加することによって得られ
た基板上の膜の密着状態を制御するものである。
金属蒸気イオン化の形態は、色々あるが、プラズマ（Ｄ
Ｃもしくは高周波）およびアーク放電や熱電子を利用す
るのが好適である。
勿論、これら上記の方法で金属蒸気をイオン化したのち
、電界により加速することも効果はあるが、一般に大面
積にわたりこれを実施することは設備費用が高くついて
現実的ではない。
（５）　　　作　　　用 この発明において、イオン化された金属粒子はより高い
エネルギーをもって基板に到達し、該基板により強く密
着すると同時に注入されたイオンとの反応も促進される
ことになる。
非金属粒子はイオン源により加速されて基板表面に至り
、この加速されたイオンが基材表面を活性化することに
より、被膜の密着性はさらに強固となるのである。
この発明の目的に対しては、特に必要ではないが引出し
加速されたイオンを質量分析し、特定のイオン種のみ取
出して蒸着室に導入してもよい。
さらにこの発明は炭化物、窒化物、酸化物、硼化物など
の耐摩耗、耐食性を有する被覆に特に効果を示し、なか
んずく切削工具のような被膜の密着性を要求する用途に
おいてはその効果は顕著である。
（６）　　　実　　施　　例 以下、この発明の実施例について夫々に用いる装置を参
照しつつ詳細に説明する。
実施例１ 第１図に示す表面処理装置を用いるが、同図において、
１は図示省略した排気装置により排気された真空蒸着室
、２は基板材料、３は基板加速用電源、４は溶融金属、
５は電子ビーム、６はイオン化電極、７はイオン化電源
、８は注入されるイオンを生成し、加速引出しを行なう
イオン源、９はイオン化された蒸発金属ビーム、１ｏは
イオンビームである。
上記のような構造の表面処理装置において、基板２とし
てプリント基板加工用極小径ドリル（φ０．９０　ｍｍ
　）　、蒸発金属としてＴｃ、注入用イオンとしてＮ２
を用いてサンプルＡ−１を試作した。
比較材としてイオン化せずにＴｉを蒸発させながらＣイ
オン注入を行なって得たサンプルＢ−１、Ｎ；イオン注
入のみを行なったサンプルＣ−１、ＣＶＤ法にてＴ’Ｌ
　Ｎを被覆したサンプルＤ−１、イオンブレーティング
法によりＴｉ　Ｎを被覆したサンプルＥ−１、無処理品
をＦ−１としてこれらサンプルを基　板　Ｇ１０．３枚
重ね 回転数　Ｎ　＝　８０．０００ｒｐ１ 送　　　リ　　　ｒ　　＝　　　０．０５　　ｍ　　／
　ｒｅＶの条件にて切削テストしたところ、夫々の寿命
までのヒツト数は第１表の通りであった。
第　　１　　表 実施例２ 第２図に示す装置を用いて表面処理を行なった。
同図において番号１〜５．８〜１０は実施例１における
と同じものを示しているのでそれらの説明は省略する。
次に６ａはイオン他用ＲＦ電極、７ａは高周波電源、１
１は整合装置である。
このような装置にて、基板としてＭＩＯ超硬合金（ＳＮ
Ｇ　４３２）　、蒸発金属としてＮ１注入用イオンとし
て０２を用いてサンプルＡ−２を試作した。
比較材としては、イオン化せずにＮを蒸発させながら０
２イオン注入を行なって得たサンプルＢ−２、ｄイオン
注入のみのサンプルＣ−２、ＣＶＤ法およびイオンブレ
ーティング法にてＭ、０８を被覆して作成したサンプル
Ｄ−２、Ｅ−２および無処理品Ｆ−２を作った。　そし
てこれらのサンプルを用いて被削材　　ＳＣＭ　４３５
（Ｈ） 速　　度　　　　１５０ｍ　／　ＩＩＩ！ｎ送　　　リ
　　　　　　０．３６　　ｍｍ／　ｒｅＶ切込み　　１
．５ｍｍ の条件で切削テストを行ない、寿命（Ｖａ　＝　０．２
０ｍｍ　）に至るまでの切削時間を調査したところ、第
２表の結果を得、この発明の表面処理方法によるものが
一段とすぐれていることが認められた。
第　　２　　表 実施例３ 第３図に示す装置にてサンプルを試作した。
同図において６ｂは熱電子放射用フィラメント、７ｂは
フィラメント用電源を示し、他は第１図と同様である。
この装置にて基板２として高速度鋼、蒸発金属としてＴ
い注入イオンとしてＣを用いてサンプルＡ−３を試作し
た。
比較材としてイオン化せずにＴ、を蒸発させながらＣ＋
イオン注入を行なったサンプルＢ−３、Ｃ＋イオン注入
のみを行なったサンプルＣ−３を作り、このほかＣＶＤ
法にてＴＬＣを被覆したサンプル［）−３、イオンブレ
ーティング法にてＴＬ　Ｃを被覆したサンプルＥ−３お
よび無処理品Ｆ−３を試作し、夫々被削材　　１８−８
ステンレス鋼 速　　度　　　４０ｍ／１ａｉｎ 送　　　リ　　　　　　０．１ｍｍ　／　ｒｅＶ切込み
　　１．０　ｍｍ の条件にて切削テストを行なって寿命に至るまでの切削
時間を調べたところ第３表の結果を得た。
第　　３　　表 実施例４ 第４図に示す装置にてサンプルを試作した。
同図において、６ｃＧ、ｔＨＣＤガン゛、７ＣはＨＣＤ
ガン用電源を示し、他は第１図と同様である。
この装置にて基板２として超硬合金ＫＩＯ１蒸発金属と
してＢ１注入イオンとしてＮ２を用いてサンプルを試作
した。
比較材としてイオン化せずＢを蒸発させながらＮ：イオ
ンを注入したサンプルＢ−４、Ｎγイオン注入のみを行
なったサンプルＣ−４、ＣＶＤ法でＢＮを被覆したサン
プルＤ−４、イオンブレーティングでＢＮを被覆したサ
ンプルＥ−４、無処理品Ｆ−４を用い、夫々 被削材　ＦＣＤ４５ 速　　度　　　３００ｍ／１ｌｌｉｎ 送　　　リ　　　　０．１ｍｍ／ｒｅＶ切込み　０．４
ｍｍ の条件にて切削テストを行なって、寿命に至るまでの切
削時間を調べ、その結果を第４表に示した。
第　　４　　表 （７）　　　効　　　果 以上の実施例から明らかなように、蒸発金属をイオン化
し、イオン注入とイオンブレーティングを組合せたこの
発明の方法により、従来以上に硬質で密着力にすぐれた
表面被膜の得られることが認められた。
なお、この発明の表面処理方法ではイオン化の手段とし
てＲＦ放電、ＤＣアーク放電、熱電子放散、ＨＯＤガン
などが有効であることが認められたが、原理的には他の
イオン化の手法を用いてもこの発明の効果には何ら変り
ないことは勿論である。
また、これらイオン化の手法を重ねることは、より一層
の効果の向上が期待されるものである。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は何れもこの発明の方法にて使用する
装置の説明図である。 １・・・真空蒸着室　　２・・・基板 ３・・・加速用電源　　４・・・溶融金属５・・・電子
ビーム　　６・・・イオン化電源６ａ・・・高周波コイ
ル ６ｂ・・・電子ビーム発生フィラメント６ｃ・ＨＣＤ電
子銃　　７．７ａ、７ｂ、７ｃｍ・・電源８・・・イオ
ン源 ９・・・イオン化された蒸発金属ビーム１０・・・イオ
ンビーム

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）金属蒸気の雰囲気下にある基板に、金属イオンあ
    るいは非金属イオンを注入する表面処理方法において、
    該金属蒸気をイオン化することを特徴とする表面処理方
    法。
  2. （２）金属蒸気のイオン化を高周波放電にて行なうこと
    を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面処理方法
    。
  3. （３）金属蒸気のイオン化をＤＣアーク放電にて行なう
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面処理
    方法。
  4. （４）金属蒸気のイオン化を熱電子にて行なうことを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面処理方法。
  5. （５）金属蒸気をＨＣＤガンを用いて得るとともに該Ｈ
    ＣＤガンの電子を該金属蒸気のイオン化にも使用するこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表面処理方
    法。
  6. （６）基板に加速電圧を印加することを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の表面処理方法。
  7. （７）蒸発金属と注入イオンの化合物を基板上に被覆形
    成することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表
    面処理方法。
JP59136024A 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法 Granted JPS6115967A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59136024A JPS6115967A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法
DE8585107462T DE3573806D1 (en) 1984-06-29 1985-06-14 Surface treatment process
AT85107462T ATE47431T1 (de) 1984-06-29 1985-06-14 Verfahren zur oberflaechenbehandlung.
EP85107462A EP0166349B1 (en) 1984-06-29 1985-06-14 Surface treatment process
US06/746,388 US4634600A (en) 1984-06-29 1985-06-19 Surface treatment process
CA000485073A CA1240281A (en) 1984-06-29 1985-06-25 Surface treatment process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59136024A JPS6115967A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6115967A true JPS6115967A (ja) 1986-01-24
JPH044394B2 JPH044394B2 (ja) 1992-01-28

Family

ID=15165399

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59136024A Granted JPS6115967A (ja) 1984-06-29 1984-06-29 表面処理方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4634600A (ja)
EP (1) EP0166349B1 (ja)
JP (1) JPS6115967A (ja)
AT (1) ATE47431T1 (ja)
CA (1) CA1240281A (ja)
DE (1) DE3573806D1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62199763A (ja) * 1986-02-25 1987-09-03 Matsushita Electric Works Ltd ＴｉＮ膜の形成法
JPS63195265A (ja) * 1987-02-10 1988-08-12 Nippon Steel Corp 高エネルギ−ビ−ムによるロ−ルおよび鋼材表面の加工方法および装置
JPH02149661A (ja) * 1989-09-11 1990-06-08 Matsushita Electric Works Ltd 薄膜形成方法およびその装置

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61209975A (ja) * 1985-03-14 1986-09-18 株式会社豊田中央研究所 炭化珪素セラミツクス体の強化方法
DE3637447A1 (de) * 1985-11-05 1987-05-07 Nippon Telegraph & Telephone Oberflaechenbehandelte(s) magnesium oder magnesiumlegierung und verfahren zur oberflaechenbehandlung von magnesium oder magnesiumlegierung
JPS62116762A (ja) * 1985-11-15 1987-05-28 Citizen Watch Co Ltd 外装部品の製造方法
US4849082A (en) * 1986-02-03 1989-07-18 The Babcock & Wilcox Company Ion implantation of zirconium alloys with hafnium
JPS62182269A (ja) * 1986-02-03 1987-08-10 ザ・バブコツク・アンド・ウイルコツクス・カンパニ− クロムによるジルコニウム合金のイオン打込み
US4888202A (en) * 1986-07-31 1989-12-19 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Method of manufacturing thin compound oxide film and apparatus for manufacturing thin oxide film
JPS6383256A (ja) * 1986-09-26 1988-04-13 Futaba Corp アルミニウム蒸着膜付銅部材
JPS63137158A (ja) * 1986-11-27 1988-06-09 Nissin Electric Co Ltd アルミ薄膜の作製方法
US4851255A (en) * 1986-12-29 1989-07-25 Air Products And Chemicals, Inc. Ion implant using tetrafluoroborate
US4861750A (en) * 1987-04-20 1989-08-29 Nissin Electric Co., Ltd. Process for producing superconducting thin film
DE3886586T2 (de) * 1987-05-26 1994-04-28 Sumitomo Electric Industries Verfahren zur Herstellung einer dünnen Schicht aus supraleitendem Mischoxid.
JPS6473069A (en) * 1987-09-10 1989-03-17 Nissin Electric Co Ltd Production of aluminum nitride film
US5015353A (en) * 1987-09-30 1991-05-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method for producing substoichiometric silicon nitride of preselected proportions
JP2629223B2 (ja) * 1988-01-07 1997-07-09 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体の製造方法
US4855026A (en) * 1988-06-02 1989-08-08 Spire Corporation Sputter enhanced ion implantation process
US4925700A (en) * 1988-10-28 1990-05-15 International Business Machines Corporation Process for fabricating high density disc storage device
US4873118A (en) * 1988-11-18 1989-10-10 Atlantic Richfield Company Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell
US5264297A (en) * 1990-03-09 1993-11-23 Kennametal Inc. Physical vapor deposition of titanium nitride on a nonconductive substrate
JPH0462716A (ja) * 1990-06-29 1992-02-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 結晶性炭素系薄膜およびその堆積方法
US5128173A (en) * 1990-09-12 1992-07-07 Micron Technology, Inc. Process for deposition of inorganic materials
GB2251631B (en) * 1990-12-19 1994-10-12 Mitsubishi Electric Corp Thin-film forming apparatus
US5234724A (en) * 1991-08-08 1993-08-10 Schmidt Instruments, Inc. Low energy ion doping of growing diamond by cvd
DE4128547A1 (de) * 1991-08-28 1993-03-04 Leybold Ag Verfahren und vorrichtung fuer die herstellung einer entspiegelungsschicht auf linsen
US5209916A (en) * 1991-11-25 1993-05-11 Gruen Dieter M Conversion of fullerenes to diamond
US5620512A (en) * 1993-10-27 1997-04-15 University Of Chicago Diamond film growth from fullerene precursors
US5370855A (en) * 1991-11-25 1994-12-06 Gruen; Dieter M. Conversion of fullerenes to diamond
US5849079A (en) * 1991-11-25 1998-12-15 The University Of Chicago Diamond film growth argon-carbon plasmas
US5772760A (en) * 1991-11-25 1998-06-30 The University Of Chicago Method for the preparation of nanocrystalline diamond thin films
US5989511A (en) * 1991-11-25 1999-11-23 The University Of Chicago Smooth diamond films as low friction, long wear surfaces
US5342681A (en) * 1992-08-28 1994-08-30 Texas Instruments Incorporated Absorbing, low reflecting coating for visible and infrared light
JP2892231B2 (ja) * 1992-09-16 1999-05-17 健 増本 Ｔｉ−Ｓｉ−Ｎ系複合硬質膜及びその製造方法
GB9302384D0 (en) * 1993-02-06 1993-03-24 Mcphersons Ltd Coatings
GB2290554B (en) * 1993-02-06 1996-07-24 Mcphersons Ltd Coatings
FR2708626B1 (fr) * 1993-08-02 1998-06-05 Director General Agency Ind Film ultramince transparent et conducteur et procédé pour sa fabrication.
SE501888C2 (sv) * 1993-10-18 1995-06-12 Ladislav Bardos En metod och en apparat för generering av en urladdning i egna ångor från en radiofrekvenselektrod för kontinuerlig självförstoftning av elektroden
DE4343354C2 (de) * 1993-12-18 2002-11-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung einer Hartstoffschicht
US5391407A (en) * 1994-03-18 1995-02-21 Southwest Research Institute Process for forming protective diamond-like carbon coatings on metallic surfaces
US5984905A (en) * 1994-07-11 1999-11-16 Southwest Research Institute Non-irritating antimicrobial coating for medical implants and a process for preparing same
US6335062B1 (en) * 1994-09-13 2002-01-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Reactive oxygen-assisted ion implantation into metals and products made therefrom
AU3836895A (en) * 1994-11-09 1996-06-06 Cametoid Advanced Technologies Inc. Method of producing reactive element modified-aluminide diffusion coatings
SE515213C2 (sv) * 1995-02-08 2001-07-02 Sandvik Ab Belagd titanbaserad karbonitrid
AU5483196A (en) * 1995-04-14 1996-10-30 Spectra-Physics Lasers, Inc. Method for producing dielectric coatings
JPH08296042A (ja) * 1995-04-17 1996-11-12 Read Rite Corp 複数イオンビームによる絶縁薄膜の形成方法
EP0784102B1 (de) * 1996-01-10 2001-12-12 Alcan Technology & Management AG Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten einer Substratfläche
US5980974A (en) * 1996-01-19 1999-11-09 Implant Sciences Corporation Coated orthopaedic implant components
US6209481B1 (en) 1996-08-30 2001-04-03 University Of Maryland Baltimore County Sequential ion implantation and deposition (SIID) system
US5855950A (en) * 1996-12-30 1999-01-05 Implant Sciences Corporation Method for growing an alumina surface on orthopaedic implant components
US5885665A (en) * 1997-05-09 1999-03-23 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy VO2 precipitates for self-protected optical surfaces
FR2764309B1 (fr) * 1997-06-06 1999-08-27 Corning Inc Procede de creation d'une couche de silicium sur une surface
US5976636A (en) * 1998-03-19 1999-11-02 Industrial Technology Research Institute Magnetic apparatus for arc ion plating
US6111314A (en) 1998-08-26 2000-08-29 International Business Machines Corporation Thermal cap with embedded particles
DE69925753T2 (de) * 1998-10-23 2006-03-16 Ebara Corp. Gleitkörper und verfahren zu seiner herstellung
US6338879B1 (en) * 1998-12-09 2002-01-15 Nachi-Fujikoshi Corp. Solid lubricant film for coated cutting tool and method for manufacturing same
RU2161661C1 (ru) * 1999-08-16 2001-01-10 Падеров Анатолий Николаевич Способ нанесения износостойких покрытий и повышения долговечности деталей
US6596399B2 (en) 2000-12-04 2003-07-22 Guardian Industries Corp. UV absorbing/reflecting silver oxide layer, and method of making same
US20050100673A1 (en) * 2002-05-22 2005-05-12 Ulrich Schoof Method for the surface treatment of a doctor element
US7998174B2 (en) * 2005-02-17 2011-08-16 Kyphon Sarl Percutaneous spinal implants and methods
US20110005564A1 (en) * 2005-10-11 2011-01-13 Dimerond Technologies, Inc. Method and Apparatus Pertaining to Nanoensembles Having Integral Variable Potential Junctions
US20130129937A1 (en) * 2011-11-23 2013-05-23 United Technologies Corporation Vapor Deposition of Ceramic Coatings
US8586999B1 (en) 2012-08-10 2013-11-19 Dimerond Technologies, Llc Apparatus pertaining to a core of wide band-gap material having a graphene shell
US9040395B2 (en) 2012-08-10 2015-05-26 Dimerond Technologies, Llc Apparatus pertaining to solar cells having nanowire titanium oxide cores and graphene exteriors and the co-generation conversion of light into electricity using such solar cells
US8829331B2 (en) 2012-08-10 2014-09-09 Dimerond Technologies Llc Apparatus pertaining to the co-generation conversion of light into electricity
EP3977521A4 (en) 2019-06-03 2023-05-10 Dimerond Technologies, LLC HIGH EFFICIENCY BROADBAND GAP/GRAPHENE SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTION SOLAR CELLS

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53125277A (en) * 1977-04-07 1978-11-01 Pilot Pen Co Ltd Ion plating apparatus and method
JPS5881967A (ja) * 1981-11-09 1983-05-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物薄膜の製造方法および装置
JPS60255975A (ja) * 1984-05-31 1985-12-17 Mitsubishi Electric Corp イオン注入装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CH565869A5 (ja) * 1972-03-06 1975-08-29 Balzers Patent Beteilig Ag
US3915757A (en) * 1972-08-09 1975-10-28 Niels N Engel Ion plating method and product therefrom
GB1490063A (en) * 1974-11-05 1977-10-26 Atomic Energy Authority Uk Surface wear characteristics of materials by ion implantation
DE2624005C2 (de) * 1976-05-28 1982-04-08 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen von dünnen Schichten auf ein Substrat nach dem "Ion-plating"-Verfahren.
US4108751A (en) * 1977-06-06 1978-08-22 King William J Ion beam implantation-sputtering
US4181590A (en) * 1977-08-16 1980-01-01 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of ion plating titanium and titanium alloys with noble metals and their alloys
US4137370A (en) * 1977-08-16 1979-01-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Titanium and titanium alloys ion plated with noble metals and their alloys
DE2842407C2 (de) * 1978-09-29 1984-01-12 Norbert 7122 Besigheim Stauder Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Werkstücken durch Entladung ionisierter Gase und Verfahren zum Betrieb der Vorrichtung
EP0029747A1 (en) * 1979-11-27 1981-06-03 Konica Corporation An apparatus for vacuum deposition and a method for forming a thin film by the use thereof
GB2075069B (en) * 1979-12-03 1984-09-12 Atomic Energy Authority Uk Wear resistance of metals
DE3003285A1 (de) * 1980-01-30 1981-08-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen niederohmiger, einkristalliner metall- oder legierungsschichten auf substraten
GB2073254B (en) * 1980-04-09 1984-05-23 Atomic Energy Authority Uk Ion implanting metal coated ferrous surfaces
EP0095384A3 (en) * 1982-05-26 1984-12-27 Konica Corporation Vacuum deposition apparatus
US4407712A (en) * 1982-06-01 1983-10-04 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Hollow cathode discharge source of metal vapor
JPS58221271A (ja) * 1982-06-18 1983-12-22 Citizen Watch Co Ltd イオンプレ−テイング法による被膜形成方法
US4520268A (en) * 1983-05-26 1985-05-28 Pauline Y. Lau Method and apparatus for introducing normally solid materials into substrate surfaces
US4520040A (en) * 1983-12-15 1985-05-28 Varian Associates, Inc. Ferromagnetic films for high density recording and methods of production
JPS64507A (en) * 1987-03-28 1989-01-05 Furukawa Electric Co Ltd:The Method for inserting optical parts into optical line and method for contrasting optical fiber of optical line

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53125277A (en) * 1977-04-07 1978-11-01 Pilot Pen Co Ltd Ion plating apparatus and method
JPS5881967A (ja) * 1981-11-09 1983-05-17 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 化合物薄膜の製造方法および装置
JPS60255975A (ja) * 1984-05-31 1985-12-17 Mitsubishi Electric Corp イオン注入装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62199763A (ja) * 1986-02-25 1987-09-03 Matsushita Electric Works Ltd ＴｉＮ膜の形成法
JPH0551661B2 (ja) * 1986-02-25 1993-08-03 Matsushita Electric Works Ltd
JPS63195265A (ja) * 1987-02-10 1988-08-12 Nippon Steel Corp 高エネルギ−ビ−ムによるロ−ルおよび鋼材表面の加工方法および装置
JPH02149661A (ja) * 1989-09-11 1990-06-08 Matsushita Electric Works Ltd 薄膜形成方法およびその装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP0166349A1 (en) 1986-01-02
ATE47431T1 (de) 1989-11-15
US4634600A (en) 1987-01-06
JPH044394B2 (ja) 1992-01-28
DE3573806D1 (en) 1989-11-23
CA1240281A (en) 1988-08-09
EP0166349B1 (en) 1989-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6115967A (ja) 表面処理方法
US4622919A (en) Film forming apparatus
US5294322A (en) Electric arc coating device having an additional ionization anode
US4657774A (en) Method for thin film formation
US5306408A (en) Method and apparatus for direct ARC plasma deposition of ceramic coatings
EP1746178B1 (en) Device for improving plasma activity in PVD-reactors
JPS61201769A (ja) 酸化物、窒化物、酸化窒化物および炭化物からなる層の反応的蒸着法
US20090314633A1 (en) Electron beam enhanced large area deposition system
JPH0357191B2 (ja)
JP2875892B2 (ja) 立方晶窒化ほう素膜の形成方法
JP3025743B2 (ja) 硬質炭素被膜形成装置
JP3758248B2 (ja) 化合物薄膜の形成方法
JP2857743B2 (ja) 薄膜形成装置および薄膜形成方法
JPH03104881A (ja) 鉄‐窒化鉄薄膜形成方法
GB2227755A (en) Improving the wear resistance of metallic components by coating and diffusion treatment
JPS59226176A (ja) イオンプレ−テイング装置
JPS61227163A (ja) 高硬度窒化ホウ素膜の製法
JP3260905B2 (ja) 皮膜形成装置
JP2600092B2 (ja) 金属系材料の表面改質方法
JPH0428861A (ja) ホロカソード電子銃を用いた成膜装置
JP2812517B2 (ja) イオンプレーティング方法および装置
JPS595732Y2 (ja) イオンプレ−ティング装置
JPH0860348A (ja) 工具への被覆層形成方法
KR100188270B1 (ko) 이온 플레이팅용 이온 혼합 쏘스 장치
JPH06246521A (ja) 立方晶窒化ほう素膜を被覆した加工工具