JPS61155873A - 半導体素子の測定装置 - Google Patents

半導体素子の測定装置

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JPS61155873A
JPS61155873A JP27619084A JP27619084A JPS61155873A JP S61155873 A JPS61155873 A JP S61155873A JP 27619084 A JP27619084 A JP 27619084A JP 27619084 A JP27619084 A JP 27619084A JP S61155873 A JPS61155873 A JP S61155873A
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JP
Japan
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current
values
circuit
detected
base
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Pending
Application number
JP27619084A
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English (en)
Inventor
Hozumi Takayama
高山 穂積
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS61155873A publication Critical patent/JPS61155873A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野] この発明は半導体素子をその特性に応じて自動選別する
ために、その電気的特性を測定し、良否判定を行なう半
導体素子の測定装置に関する。 [発明の技術的背景] 半導体素子、例えばトランジスタのスイッチング時間を
測定する場合、従来では第2図に示すような構成の測定
装置で次のように行なっている。 すなわち、まず測定電圧印加回路11によりnpn型の
被測定トランジスタ12のコレクタに負荷抵抗13を介
して電圧Vccを印加し、次にベースドライブ回路14
から電圧VBを出力し、上記トランジスタ12のベース
にベース抵抗15を介して所定のベース電流■8を印加
し、これによりトランジスタ12をオン状態にしてコレ
クタ電流1cを流し、このときのコレクタ電流波形をコ
レクタ電流波形検出回路16で、ベース電流波形をベー
ス電流波形検出回路17でそれぞれ検出し、これら検出
波形をスイッチング時間検出回路18に供給する。19
は上記測定電圧印加回路11およびベースドライブ回路
14の動作を#御するとともに、上記スイッチング時間
検出回路18で検出されたスイッチング時間に基づいて
上記トランジスタ12のスイッチング時間の良否判定を
行ない、図示しない自動選別装置に対して選別信号を出
力する制御回路である。 第3図は上記装置における各部分の電圧もしくは電流波
形の一例を示すタイミングチャートである。ここでいう
トランジスタのスイッチング時間、例えばオフ時間は、
ベース電流Inの値を正極性から負極性に変化させてト
ランジスタ12をオン状態からオフ状態にスイッチさせ
たときから、その後、コレクタ電流1cの値が最大値の
90%まで低下するまでの時間t(stg)で与えられ
る。 測定装置ではこのようなスイッチング時間をそれぞれの
トランジスタについて測定し、その値が所定範囲内のも
のについては良品、所定範囲外のものについては不良で
あるとして、図示しない自動選別装置に対して良、不良
選別用の選別信号を出力するものである。
【背景技術の問題点】
ところで、従来装置のように、被測定素子であるトラン
ジスタにコレクタ電圧およびベース電流を印加したのみ
で測定を行なうと、被測定素子との接触部分であるソケ
ット等の接触抵抗の存在等により、被測定素子に規定の
値の電流が流れなくなることがある。この場合には測定
誤差が発生し、図示しない自動選別装置では不良のもの
を良品として、もしくはこの反対に良品のものを不良と
して選別してしまう恐れがある。このような誤選別が発
生すると不良品が良品の中に混入してしまうことになる
。 [発明の目的] この発明は上記のような事情を考慮してなされたもので
ありその目的は、被測定素子を測定する際に印加される
電流、電圧を検出し、この値が所定範囲内にないときに
はそのときの測定結果を無効にすることにより、不良品
が良品として誤選別されることを防止することができる
半導体素子の測定装置を提供することにある。 [発明の概要] 上記目的を達成するためこの発明の半導体素子の測定装
置にあっては、被測定半導体素子に電流または電圧を印
加してこの被測定半導体素子の特性を測定する際に、上
記被測定半導体素子に印加されている電流または電圧の
値を検出し、この検出値が上記被測定半導体素子に印加
された電流または電圧の値の所定の範囲外にあるときに
、特性測定手段における測定結果を無効にするようにし
ている。 [発明の実施例] 以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。 第1図はこの発明に係る半導体素子の測定装置の構成を
示すブロック図であり、従来と同様にトランジスタのオ
フ時間を測定する装置にこの発明を実施したものである
。この実□施例装置が前記従来装置と異なっているとこ
ろは、前記コレクタ電流波形検出回路16により検出さ
れるコレクタ電流の値および前記ベース電流波形検出回
路17により検出されるベース電流の値が供給される印
加電流検出回路30が新たに設けられている。この印加
電流検出回路30は、前記測定電圧印加回路11iよび
ベースドライブ回路14により前記被測定トランジスタ
12に印加されるコレクタ電流およびベース電流の値を
検出し、それぞれの検出値を制御回路19に供給する。 制御回路19は上記印加電流検出回路−″フコ0で検出
された電流値を、前記測定電圧印加回路11およびベー
スドライブ回路14それぞれの出力電圧と前記抵抗13
.15の値に応じて設定されている基準のコレクタ、ベ
ース電流値と比較し、検出値がこの基準値の所定の範囲
内である場合には正常な値のコレクタおよびベース電流
が上記トランジスタ12に印加されているものとしてそ
のときの選別信号が有効なものであることを示す信号を
図示しない選別装置に出力する。他方、検出値が上記基
準値の所定の範囲外である場合、上記トランジスタ12
には正常でない値のコレクタおよびベース電流が上記ト
ランジスタ12に印加されているものとして、制御回路
19はそのときの選別信号が無効なものであることを示
す信号を図示しない選別装置に出力する。 なお、第1図の実施例装置では新たに表示装置31が設
けられており、この表示装置31により、上記コレクタ
電流波形検出回路16で検出されたコレクタ電流値およ
びベース電流波形検出回路11で検出されたベース電流
値がそれぞれ表示されるようになっている。 このように上記実施例によれば、被測定素子、例えばト
ランジスタ12に実際に印加されている電流の値を検出
し、この値が基準の値の所定の範囲内にあるか否かを判
断してそのときの測定結果に基づく選別信号の有効およ
び無効を決定するようにしているので、被測定素子に対
する電流印加不良に基づく誤選別を未然に防止すること
ができる。 なお、上記コレクタ電流波形検出回路16およびベース
電流波形検出回路17における電流の測定には、例えば
従来から良く知られているカレントトランスにより検出
されたアナログ電流の値をディジタル変換することによ
り行われる。 なお、この発明は上記の一実施例に限定されるものでは
なく種々の変形が可能であることはいうまでもない。例
えば、上記実施例ではトランジスタのコレクタおよびベ
ース電流を検出してそのスイッチング時間を測定する測
定装置にこの発明を実施した場合について説明したが、
これは被測定半導体素子の電圧、電流を検出することに
より各種の電気的特性を測定する測定装置全般について
実施可能なことはいうまでもない。 [発明の効果コ 以上説明したようにこの発明によれば、被測定゛素子を
測定する際に印加される電流または電圧を検出し、この
値が所定範囲内にないときにはそのときの測定結果を無
効にすることにより、不良品が良品として誤選別される
ことを防止することができる半導体素子の測定装置を提
供することができる。 タイミングチャート、第Z図はこの発明に係る半導体素
子の測定装置の一実施例の構成を示すブロック図である
。   □ 11・・・測定電圧印加回路、12・・・被測定トラン
ジスタ、14・・・ベースドライブ回路、16・・・コ
レクタ電流波形検出回路、11・・・ベース電流波形検
出回路、18・・・スイッチング時間検出回路、19・
・・制御回路、30・・・印加電流検出回路、31・・
・表示装置。 第2図 19      第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 被測定半導体素子に電流または電圧を印加してこの被測
    定半導体素子の特性を測定する特性測定手段と、上記被
    測定半導体素子に印加されている電流または電圧の値を
    検出する検出手段と、上記検出手段における電流または
    電圧の検出値が上記特性測定手段により印加された電流
    または電圧の値の所定の範囲外にあるときに、上記特性
    測定手段における測定結果を無効にする手段とを具備し
    たことを特徴とする半導体素子の測定装置。
JP27619084A 1984-12-28 1984-12-28 半導体素子の測定装置 Pending JPS61155873A (ja)

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JP27619084A JPS61155873A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 半導体素子の測定装置

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JPS61155873A true JPS61155873A (ja) 1986-07-15

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ID=17565950

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JP27619084A Pending JPS61155873A (ja) 1984-12-28 1984-12-28 半導体素子の測定装置

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JP (1) JPS61155873A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4782290A (en) * 1984-10-04 1988-11-01 Sony/Tektronix, Inc. Apparatus for measuring characteristics or electronic devices
JP2007133462A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Railway Technical Res Inst 車載改札機

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4782290A (en) * 1984-10-04 1988-11-01 Sony/Tektronix, Inc. Apparatus for measuring characteristics or electronic devices
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