JPS61151096A - ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法 - Google Patents
ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法Info
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- JPS61151096A JPS61151096A JP27172784A JP27172784A JPS61151096A JP S61151096 A JPS61151096 A JP S61151096A JP 27172784 A JP27172784 A JP 27172784A JP 27172784 A JP27172784 A JP 27172784A JP S61151096 A JPS61151096 A JP S61151096A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は各種基体の表面にダイヤモンド膜又はダイヤモ
ンド状炭素膜を形成する方法に関し、更に詳しくは、非
常に簡単な方法で天然ダイヤモンドとその特性が近似す
る人造のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形
成する方法に関する。
ンド状炭素膜を形成する方法に関し、更に詳しくは、非
常に簡単な方法で天然ダイヤモンドとその特性が近似す
る人造のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形
成する方法に関する。
ダイヤモンドは、現在知られている物質の中では、硬度
、熱伝導率が最も大きく、また、極めて高い弾性率、圧
縮強さ、電気絶縁性を備え、かつ透明で化学的にも安定
な物質である。したがってその優れた特性を生かすべく
、治工具への耐摩耗コーティング、太陽電池の保護膜、
光学レンズ又は半導体の放熱板などへの用途開発が研究
されている。しかしながら、天然のダイヤモンドは産出
量も少なく極めて高価であるため到底工業用素材として
利用するわけにはいかない。
、熱伝導率が最も大きく、また、極めて高い弾性率、圧
縮強さ、電気絶縁性を備え、かつ透明で化学的にも安定
な物質である。したがってその優れた特性を生かすべく
、治工具への耐摩耗コーティング、太陽電池の保護膜、
光学レンズ又は半導体の放熱板などへの用途開発が研究
されている。しかしながら、天然のダイヤモンドは産出
量も少なく極めて高価であるため到底工業用素材として
利用するわけにはいかない。
そのため、人造ダイヤモンドの製造研究が盛んζこ行な
われているが、従来知られている高温・高圧下にあける
方法で製造された人造ダイヤモンドも高価であって、工
業用素材としての有用性には乏しい。しかも、これら天
然ダイヤモンド、人造ダイヤモンドはいずれもその形状
が一般に塊状若しくは粒状であって膜の製造は困難であ
るため、ダイヤモンドが備える有用な特性を充分活用し
得ていない。
われているが、従来知られている高温・高圧下にあける
方法で製造された人造ダイヤモンドも高価であって、工
業用素材としての有用性には乏しい。しかも、これら天
然ダイヤモンド、人造ダイヤモンドはいずれもその形状
が一般に塊状若しくは粒状であって膜の製造は困難であ
るため、ダイヤモンドが備える有用な特性を充分活用し
得ていない。
このようなことから最近では、低温・低圧下にあっても
ダイヤモンドを製造する、しかもダイヤモンド膜を製造
する研究が活発に進められている。
ダイヤモンドを製造する、しかもダイヤモンド膜を製造
する研究が活発に進められている。
その主要な方法は以下の４つである。すなわち、第１は
、真空中でダイヤモンド粉末にレーザ光又は電子線を照
射してそれを加熱蒸発せしめ、その蒸気を基体表面に被
着せしめてダイヤモンド状炭素膜を形成する真空蒸着法
、第２は、加熱した基体の表面にメタン、エチレン、ア
セチレンのような炭化水素を導入し、基体に近設した熱
フィラメントの熱エネルギーで該炭化水素を熱分解して
活性種を生成せしめ、もって基体表面にダイヤモンドを
析出させるという化学気相成長法、第３は、プラズマの
中で炭化水素を分解して活性種を生成せしめ、もって基
体表面にダイヤモンドを析出させるというプラズマ化学
気相成長法、第４は、炭化水素若しくは黒鉛から炭素を
含む正イオンを生成せしめ、これら正イオンを集束して
基体表面に射突せしめ、もって基体表面にダイヤモンド
又はダイヤモンド状炭素を析出させるというイオンビー
ム法、などである。
、真空中でダイヤモンド粉末にレーザ光又は電子線を照
射してそれを加熱蒸発せしめ、その蒸気を基体表面に被
着せしめてダイヤモンド状炭素膜を形成する真空蒸着法
、第２は、加熱した基体の表面にメタン、エチレン、ア
セチレンのような炭化水素を導入し、基体に近設した熱
フィラメントの熱エネルギーで該炭化水素を熱分解して
活性種を生成せしめ、もって基体表面にダイヤモンドを
析出させるという化学気相成長法、第３は、プラズマの
中で炭化水素を分解して活性種を生成せしめ、もって基
体表面にダイヤモンドを析出させるというプラズマ化学
気相成長法、第４は、炭化水素若しくは黒鉛から炭素を
含む正イオンを生成せしめ、これら正イオンを集束して
基体表面に射突せしめ、もって基体表面にダイヤモンド
又はダイヤモンド状炭素を析出させるというイオンビー
ム法、などである。
これらの方法はいずれも低温・低圧下で行なわれるので
工業的には有利であるが、しかし、これらの方法により
基体の表面に形成されたダイヤモンド膜又はダイヤモン
ド状炭素膜はいずれも高品質のものではなく、以下に列
挙するような欠点を少なくとも１つは有している。すな
わち、それら欠点とは、■黒鉛や無定形炭素などの非ダ
イヤモンド炭素が比較的多量に混在する、■比較的硬度
が低い、■電気絶縁性が劣る、■膜厚が均一ではない、
■ダイヤモンドの析出速度、つまり膜の成長速度が小さ
い、■膜面の平滑性が劣る、■基体との密着性が悪く剥
離し易すい、■黒色不透明になり易すい、■熱的に不安
定であって、例えば ７５０℃の温度で黒鉛に転化し
てしまう、［相］とくに第２の方法として示した化学気
相成長法にあっては、炭化水素への熱エネルギーの供給
手段である熱フィラメント（通常、タングステンが使用
される）からその成分が蒸発して基体及び膜を汚染する
危険性が存在する、■また第４の方法として示したイオ
ンビーム法にあっては、収束ビームの衝突によって基体
及び膜の表面が損傷を受けることがある、などの問題で
ある。
工業的には有利であるが、しかし、これらの方法により
基体の表面に形成されたダイヤモンド膜又はダイヤモン
ド状炭素膜はいずれも高品質のものではなく、以下に列
挙するような欠点を少なくとも１つは有している。すな
わち、それら欠点とは、■黒鉛や無定形炭素などの非ダ
イヤモンド炭素が比較的多量に混在する、■比較的硬度
が低い、■電気絶縁性が劣る、■膜厚が均一ではない、
■ダイヤモンドの析出速度、つまり膜の成長速度が小さ
い、■膜面の平滑性が劣る、■基体との密着性が悪く剥
離し易すい、■黒色不透明になり易すい、■熱的に不安
定であって、例えば ７５０℃の温度で黒鉛に転化し
てしまう、［相］とくに第２の方法として示した化学気
相成長法にあっては、炭化水素への熱エネルギーの供給
手段である熱フィラメント（通常、タングステンが使用
される）からその成分が蒸発して基体及び膜を汚染する
危険性が存在する、■また第４の方法として示したイオ
ンビーム法にあっては、収束ビームの衝突によって基体
及び膜の表面が損傷を受けることがある、などの問題で
ある。
このような問題は、例えば超硬合金を基体としその表面
をダイヤモンド膜で被覆して耐摩耗性が一層優れた治工
具を製造する場合や、半導体の放熱用基板を製造する場
合にあっては致命的な弱点を構成してしまう。
をダイヤモンド膜で被覆して耐摩耗性が一層優れた治工
具を製造する場合や、半導体の放熱用基板を製造する場
合にあっては致命的な弱点を構成してしまう。
したがって低温・低圧下にあっても上記した欠点を有し
ない人造のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を
基体の表面に形成する方法が強く要請されている。
ない人造のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を
基体の表面に形成する方法が強く要請されている。
本発明は、上記要請に応えてなされたものであって、天
然ダイヤモンドに近似した良質な特性を備える人造のダ
イヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成する方法
の提供を目的とする。
然ダイヤモンドに近似した良質な特性を備える人造のダ
イヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成する方法
の提供を目的とする。
本発明者らは上記目的を達成すべく鋭意研寄を重ねた結
果、基体上に電子線を無放電（気体放電が超らない状態
）下で照射しながらダイヤモンドを生成させたところ該
基体上にダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜が形
成されるという、従来の方法とは全く異なる方法を見い
出し、本発明方法を開発するに到った。
果、基体上に電子線を無放電（気体放電が超らない状態
）下で照射しながらダイヤモンドを生成させたところ該
基体上にダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜が形
成されるという、従来の方法とは全く異なる方法を見い
出し、本発明方法を開発するに到った。
すなわち、本発明のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状
炭素膜の形成方法は、反応容器の中に基体を配置しここ
に少なくとも１種の炭化水素を含有する反応ガスを導入
し該基体上に電子線を気体放電が起こらない状態で照射
して該基体上にダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素
膜を形成することを特徴とする。
炭素膜の形成方法は、反応容器の中に基体を配置しここ
に少なくとも１種の炭化水素を含有する反応ガスを導入
し該基体上に電子線を気体放電が起こらない状態で照射
して該基体上にダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素
膜を形成することを特徴とする。
本発明方法を行なうに当っては、まず通常の気相成長法
で用いられている反応容器の中に基体を配置する。基体
の材料としては、ポリエチレン。
で用いられている反応容器の中に基体を配置する。基体
の材料としては、ポリエチレン。
ポリアセチレン、ポリテトラフルオルエチレンのような
各種の有機物材料：各種の単体金属１合金。
各種の有機物材料：各種の単体金属１合金。
セラミックス、ガラスなどの無機質材料：または複合材
料であってよく格別限定されるものではない。
料であってよく格別限定されるものではない。
ついで反応容器の中に反応ガスを導入する。反応ガスと
しては、ダイヤモンド源として少なくとも１種の炭化水
素を含有していることが必要である。炭化水素としては
、比較的低分子室のものが好適で、具体的にはメタン、
エタン、プロパン。
しては、ダイヤモンド源として少なくとも１種の炭化水
素を含有していることが必要である。炭化水素としては
、比較的低分子室のものが好適で、具体的にはメタン、
エタン、プロパン。
エチレン、アセチレン、ブタジェン、ベンゼンをあげる
ことができる。また、反応ガスの中に水素を所定量混入
させると、ダイヤモンドの析出速度が大きくなりまた形
成されたダイヤモンド膜、又はダイヤモンド状炭素膜の
特性が向上するので有効である。混入させる水素の適量
はその他の反応条件によっても左右され、格別限定され
ぬものではないが、例えば体積比で炭化水素：水素＝１
：０．１〜１：１００を好適なものとしてあげることが
できる。これは、後述の電子線照射によって励起して分
離生成した活性水素が、炭化水素の励起２分解を促進し
たり、または副生する黒鉛、無定形炭素などの非ダイヤ
モンド成分と反応してこれらを除去するためであろうと
推定される。
ことができる。また、反応ガスの中に水素を所定量混入
させると、ダイヤモンドの析出速度が大きくなりまた形
成されたダイヤモンド膜、又はダイヤモンド状炭素膜の
特性が向上するので有効である。混入させる水素の適量
はその他の反応条件によっても左右され、格別限定され
ぬものではないが、例えば体積比で炭化水素：水素＝１
：０．１〜１：１００を好適なものとしてあげることが
できる。これは、後述の電子線照射によって励起して分
離生成した活性水素が、炭化水素の励起２分解を促進し
たり、または副生する黒鉛、無定形炭素などの非ダイヤ
モンド成分と反応してこれらを除去するためであろうと
推定される。
なあ、反応容器内のガス圧は反応ガスの構成Ｉこよって
異なり、格別限定されるものではないが、例えば１０
〜１０ Ｔｏｒｒ を好適なものとしてあげること
ができる。また、基体は加熱してもしなくてもよいが、
加熱するとダイヤモンド膜の成長速度も大きくなり、膜
特性も良質になるので有効である。加熱方法としては、
外部に加熱体を設けてもよいが、後述の電子線そのもの
で加熱してもよく、あるいは両者を併用してもよい。ま
た電子線強度が大きすぎて、基体が不適当に過熱される
場合は、外部に冷却体を設けて該基体を冷却してもよい
。 □ その後、基体Ｊζ所定加速電圧および所定電流密度の電
子線を無放電下で照射して反応ガス中の炭化水素を励起
及び分解せしめる。この電子線照射の手段は特番こ限定
されないが例えば、通常の電子銃を好適なものとして挙
げることができる。また電子線の照射条件は気体放電が
起こらない条件であれば適宜選択できるが、実用上、加
速電圧を１００〜１００ＯＶ 、電流密度を２０〜５０
０ ｍ１Ｖｃｄとする事が好ましい。
異なり、格別限定されるものではないが、例えば１０
〜１０ Ｔｏｒｒ を好適なものとしてあげること
ができる。また、基体は加熱してもしなくてもよいが、
加熱するとダイヤモンド膜の成長速度も大きくなり、膜
特性も良質になるので有効である。加熱方法としては、
外部に加熱体を設けてもよいが、後述の電子線そのもの
で加熱してもよく、あるいは両者を併用してもよい。ま
た電子線強度が大きすぎて、基体が不適当に過熱される
場合は、外部に冷却体を設けて該基体を冷却してもよい
。 □ その後、基体Ｊζ所定加速電圧および所定電流密度の電
子線を無放電下で照射して反応ガス中の炭化水素を励起
及び分解せしめる。この電子線照射の手段は特番こ限定
されないが例えば、通常の電子銃を好適なものとして挙
げることができる。また電子線の照射条件は気体放電が
起こらない条件であれば適宜選択できるが、実用上、加
速電圧を１００〜１００ＯＶ 、電流密度を２０〜５０
０ ｍ１Ｖｃｄとする事が好ましい。
なお、反応ガス導入開始と電子線照射開始の順序は上述
のものとは逆でもよく、また同時でも良い。さらに、形
成操作を終了する際番こは反応ガス導入を先にやめても
よく、逆に電子線照射を先にやめてもよい。また同時に
やめてもよい。
のものとは逆でもよく、また同時でも良い。さらに、形
成操作を終了する際番こは反応ガス導入を先にやめても
よく、逆に電子線照射を先にやめてもよい。また同時に
やめてもよい。
かくして反応ガス中の炭化水素は励起及び分解して活性
な化学種となり、それが基体表面に順次沈着してダイヤ
モンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成することにな
る。また、基体が比較的大きな面積を有する場合であっ
ても、この電子線の走査照射等によって表面活性を高め
ると、その広面積にも比較的容易にダイヤモンド膜又は
ダイヤモンド状炭素膜を形成することができる。
な化学種となり、それが基体表面に順次沈着してダイヤ
モンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成することにな
る。また、基体が比較的大きな面積を有する場合であっ
ても、この電子線の走査照射等によって表面活性を高め
ると、その広面積にも比較的容易にダイヤモンド膜又は
ダイヤモンド状炭素膜を形成することができる。
なお、本発明方法において“ダイヤモンド状炭素膜”と
は、裏全体がダイヤモンドで構成されているのではなく
、ダイヤモンドとともに黒鉛又は無定形炭素等の非ダイ
ヤモンド成分が多少混在する膜を指す。
は、裏全体がダイヤモンドで構成されているのではなく
、ダイヤモンドとともに黒鉛又は無定形炭素等の非ダイ
ヤモンド成分が多少混在する膜を指す。
第１図に示す如く基体ホルダー８に保持されたシリコン
ウェハーを基体１とし、これを反応容器２の中に配置し
て室温に保持した。ついで電子銃室５に設けられた電子
銃３を用いて電子線４を基体表面に照射した。この時の
電子線の加速電圧は８００ｖであり、電流密度は２００
ｍＡ／ｄ に設定した。この電子線照射により、基体温
度は約６００ＣＪこ上昇した。な勿７は排気口を示す。
ウェハーを基体１とし、これを反応容器２の中に配置し
て室温に保持した。ついで電子銃室５に設けられた電子
銃３を用いて電子線４を基体表面に照射した。この時の
電子線の加速電圧は８００ｖであり、電流密度は２００
ｍＡ／ｄ に設定した。この電子線照射により、基体温
度は約６００ＣＪこ上昇した。な勿７は排気口を示す。
ついで、反応容器２内にメタンと水素の混合ガス体積比
１：１０）を２０ｍＬ／ｍｉｎの流量でガス人口９から
ガス出口１０へ流入し続け、容器内を１０−”Ｔｏｒｒ
に維持した。この状態で１時間保持した所、基体１の表
面には平均厚み５μｍのダイヤモンド膜が形成された。
１：１０）を２０ｍＬ／ｍｉｎの流量でガス人口９から
ガス出口１０へ流入し続け、容器内を１０−”Ｔｏｒｒ
に維持した。この状態で１時間保持した所、基体１の表
面には平均厚み５μｍのダイヤモンド膜が形成された。
なお１１は必要に応じ使用する加熱体を示す。得られた
膜につきＸ線回折。
膜につきＸ線回折。
電子線回折、ラマンスペクトル、赤外線吸収スペクトル
、エネルギ損失スペクトルを測定してその結晶形を判定
し、あわせて電気抵抗、熱伝導度。
、エネルギ損失スペクトルを測定してその結晶形を判定
し、あわせて電気抵抗、熱伝導度。
ヴイッカース硬度、黒鉛化温度、膜表面の平滑性。
基体への密着性を測定・評価した。
な詔、膜表面の平滑性は、ＪＩＳＢＯ６０１に規定する
方法で最大高さくＲｍａｘ）を測定し、Ｒｍａ 幼１１
、０ ａ ｍ未満の場合を良、Ｒｍａｘが１．０４ｍ以
上３．０μｍ未満の場合を普通、几ｍａｘが３．０μｍ
以上の場合を不良として判定した。また、密着性に関し
ては、基体を厚み方向に切断してその切断面を研磨し、
膜と基体との間に露出した隙間の存在割合をもって評価
し、隙間の存在割合が１０％未満の場合を良、ｉｏ＊以
上５０チ未満の場合を普通、５０％以上の場合を不良と
判定した。
方法で最大高さくＲｍａｘ）を測定し、Ｒｍａ 幼１１
、０ ａ ｍ未満の場合を良、Ｒｍａｘが１．０４ｍ以
上３．０μｍ未満の場合を普通、几ｍａｘが３．０μｍ
以上の場合を不良として判定した。また、密着性に関し
ては、基体を厚み方向に切断してその切断面を研磨し、
膜と基体との間に露出した隙間の存在割合をもって評価
し、隙間の存在割合が１０％未満の場合を良、ｉｏ＊以
上５０チ未満の場合を普通、５０％以上の場合を不良と
判定した。
以上の結果を一括して第１表に示した。なお、表には膜
の析出成長速度も記した。また、参考のために天然ダイ
ヤモンドの各特性も併記した。
の析出成長速度も記した。また、参考のために天然ダイ
ヤモンドの各特性も併記した。
以下余白
第 １ 表
〔発明の効果〕
以上の説明で明らかなように、本発明方法は基体の表面
番と天然ダイヤモンドの特性に近似した良質な特性を備
えた人造のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を
高い生産性で容易に形成することができる。
番と天然ダイヤモンドの特性に近似した良質な特性を備
えた人造のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を
高い生産性で容易に形成することができる。
本発明方法は、ダイヤモンド源たる炭化水素を電子線で
無放電状態で励起及び分解させるので、■単一エネルギ
ー照射がほぼ可能なためタイヤモンドへの未反応は単純
で反応のブランチングは少ない、■反応は、主要には電
子線の加速電圧と電流密度で制御できる、■生成膜への
衝撃による損傷は通常ない、■反応選択性が良好である
、■また、加熱するとしても比較的低温なので加熱手段
からの膜への汚染は抑止される、などの利点を備えてお
り、その工業的な価値は極めて大きい。
無放電状態で励起及び分解させるので、■単一エネルギ
ー照射がほぼ可能なためタイヤモンドへの未反応は単純
で反応のブランチングは少ない、■反応は、主要には電
子線の加速電圧と電流密度で制御できる、■生成膜への
衝撃による損傷は通常ない、■反応選択性が良好である
、■また、加熱するとしても比較的低温なので加熱手段
からの膜への汚染は抑止される、などの利点を備えてお
り、その工業的な価値は極めて大きい。
第１図は本発明に係るダイヤモンド膜またはダイヤモン
ド状炭素膜を製造する方法の一例を示す概略図である。 １・・・・・・基体 ２・・・・・・反応容器 ３・・・・・・電子銃 ４・・・・・・電子線 ５・・・・・・電子銃室 ６・・・・・・電子線出口 ア・・・・・・排気口 ８・・・・・・基体ホルダー ９・・・・・・ガス入口 １０・・・・・・ガス出口 １１・・・・・・加熱体 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（他１名）第 １
図
ド状炭素膜を製造する方法の一例を示す概略図である。 １・・・・・・基体 ２・・・・・・反応容器 ３・・・・・・電子銃 ４・・・・・・電子線 ５・・・・・・電子銃室 ６・・・・・・電子線出口 ア・・・・・・排気口 ８・・・・・・基体ホルダー ９・・・・・・ガス入口 １０・・・・・・ガス出口 １１・・・・・・加熱体 代理人 弁理士 則 近 憲 佑（他１名）第 １
図
Claims (3)
- （１）反応容器の中に基体を配置し、ここに少なくとも
１種の炭化水素を含有する反応ガスを導入し該基体上に
電子線を気体放電が起こらない状態で照射して該基体上
にダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜を形成する
ことを特徴とするダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭
素膜の形成方法。 - （２）該反応ガスには水素が含有されている特許請求の
範囲第１項記載のダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭
素膜の形成方法。 - （３）電子銃を用いて電子線を照射することを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載のダイヤモンド膜又はダイ
ヤモンド状炭素膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27172784A JPS61151096A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27172784A JPS61151096A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61151096A true JPS61151096A (ja) | 1986-07-09 |
Family
ID=17503997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27172784A Pending JPS61151096A (ja) | 1984-12-25 | 1984-12-25 | ダイヤモンド膜又はダイヤモンド状炭素膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61151096A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4816286A (en) * | 1985-11-25 | 1989-03-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Process for synthesis of diamond by CVD |
| US5192523A (en) * | 1989-06-07 | 1993-03-09 | Universal Energy Systems, Inc. | Method for forming diamondlike carbon coating |
| US5252174A (en) * | 1989-06-19 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing substrates for depositing diamond thin films |
| US5662877A (en) * | 1989-08-23 | 1997-09-02 | Tdk Corporation | Process for forming diamond-like thin film |
-
1984
- 1984-12-25 JP JP27172784A patent/JPS61151096A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4816286A (en) * | 1985-11-25 | 1989-03-28 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Process for synthesis of diamond by CVD |
| US5192523A (en) * | 1989-06-07 | 1993-03-09 | Universal Energy Systems, Inc. | Method for forming diamondlike carbon coating |
| US5252174A (en) * | 1989-06-19 | 1993-10-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing substrates for depositing diamond thin films |
| US5662877A (en) * | 1989-08-23 | 1997-09-02 | Tdk Corporation | Process for forming diamond-like thin film |
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