JPS6113623A - Correcting process of photomask defective white spot - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a film with excellent light shielding property very rapidly by a method wherein a defective part of pattern is coated with a solution mainly composed of silver nitrate, Ta compound and solvent to be irradiated with ultraviolet rays. CONSTITUTION:A defective white spot of a photomask pattern is coated with a solution of silver nitrate and a compound represented by Ta(OR1)5-n-mXnYm (R1, X and Y respectively represent alkyl group containing C of 1-18, beta diketone anion and carboxylic acid anion, 1<=n<=4, n+m<=4) added to nitrile and alcohol to be irradiated with ultraviolet rays of wavelength not exceeding 350mum at an exposed dose of 0.5-20J/cm<2>. In such a processing, a film formed by means of separating Ag efficiently may be provided with excellent light shielding property effectively absorbing any focussed light or laser beams with any defective white spot erased off completely.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、フォトマスクの白点欠陥を修正する方法に関
する。特に、密着性、遮光性、耐薬品性に優れる遮光膜
を簡便な方法で形成し得るフォトマスクの白点欠陥修正
方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a method of correcting white spot defects in a photomask. In particular, the present invention relates to a method for repairing white spot defects on photomasks, which allows a simple method to form a light-shielding film with excellent adhesion, light-shielding properties, and chemical resistance.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

従来よりフォトマスクのパターン部の欠落欠陥つまり所
鞘白点欠陥を修正する方法としては例えばＬＳＩのフォ
トマスクの白点欠陥修正として、リフト・オフ法が知ら
れている。このリフト・オフ法は、（１）レジスト塗布
工程、（２）ブリベーク工程、（３）露光工程、（４）
現像工程、（５）ボストペーク工程、（６）蒸着準備工
程＃（））蒸着工程、（８）レジスト剥離工程からなり
、工程数が多く、修正に長時間を要する。また、基板と
の密着性、得られた膜の遮光性や耐薬品性の点で、更に
改良が望まれている。このため、かかる問題を解決する
方法として、次の方法が知られている。すなわち、硝酸
銀、タンタル化合物、溶媒を主成分とする溶液を白点欠
陥を有するフォトマスクに塗布し、ついで集光した光あ
るいはレーザ光を欠陥部分に照射し、これにより銀と酸
化タンタルから成る遮光膜を析出させ、ついで非修正部
分に残っている箪膜を洗浄除去する白点欠陥修正方法が
提案されている（特開昭５１−１２８２６７号）。この
方法で析出させた遮光膜は透光率が４チ以下であって遮
光性に優れ、基板との密着性も良好である。また、酸や
アルカリに対する耐性にも優れ、フォトマスクを使用す
る前の酸やアルカリによる洗浄を行っても遮光膜が溶解
あるいは脱落することがない。Conventionally, a lift-off method has been known as a method for correcting a missing defect in a pattern portion of a photomask, that is, a white dot defect in an LSI photomask, for example. This lift-off method consists of (1) resist coating process, (2) pre-bake process, (3) exposure process, (4)
It consists of a developing process, (5) a post-pake process, (6) a vapor deposition preparation process #()) a vapor deposition process, and (8) a resist stripping process, and the number of processes is large and it takes a long time to make corrections. Furthermore, further improvements are desired in terms of adhesion to the substrate, light-shielding properties and chemical resistance of the obtained film. Therefore, the following method is known as a method for solving this problem. That is, a solution containing silver nitrate, a tantalum compound, and a solvent as the main components is applied to a photomask with white spot defects, and then focused light or laser light is irradiated onto the defective areas, thereby creating a light shielding layer made of silver and tantalum oxide. A method for correcting white spot defects has been proposed in which a film is deposited and then the residual film remaining on uncorrected areas is washed away (Japanese Patent Laid-Open No. 128267/1983). The light-shielding film deposited by this method has a light transmittance of 4 or less, has excellent light-shielding properties, and has good adhesion to the substrate. It also has excellent resistance to acids and alkalis, and the light shielding film will not dissolve or fall off even if the photomask is cleaned with acids or alkalis before use.

しかし、この方法にも、塗膜が無色透明であるため照射
光を吸収し難いという点及び析出までの時間が数十秒要
すという点に、問題が残されている。However, this method also has problems in that the coating film is colorless and transparent, making it difficult to absorb irradiated light, and that it takes several tens of seconds to deposit.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記問題を解決して、遮光膜を速やか
に析出でき、かつ従来よりも遮光性の高い膜を得られる
方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide a method that can solve the above problems, quickly deposit a light-shielding film, and obtain a film with higher light-shielding properties than conventional methods.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的は次の方法で解決できる。−ｊ７にわち硝酸銀
、タンタル化合物、溶媒を主成分とする溶液を白点欠陥
に塗布し、これに紫外線を照射する方法を用いる。この
方法を採用すると、紫外線照射によってあらかじめ銀を
析出させることができ、よって形成された膜は集光した
光あるいはレーザ光を効率的に吸収できるようになり、
遮光性のすぐれた膜として得ることができる。かつ、こ
れによる遮光膜の形成はきわめて速やかであり、１秒以
内に膜を析出させることも可能である。The above purpose can be solved by the following method. -j7, a method is used in which a solution containing silver nitrate, a tantalum compound, and a solvent as main components is applied to the white spot defect, and the solution is irradiated with ultraviolet rays. When this method is adopted, silver can be precipitated by ultraviolet irradiation, so that the formed film can efficiently absorb concentrated light or laser light.
It can be obtained as a film with excellent light-shielding properties. Moreover, the formation of a light-shielding film using this method is extremely rapid, and it is possible to deposit the film within one second.

本発明で、遮光性膜の形成に用いる溶液は硝酸銀、タン
タル化合物、溶媒を主成分とするものである。本発明の
実施に当っては、タンタル化合物として、例えば Ｔａ　（ＱＣ，１１，）ｔ　（ＣＨ，ＣＯＣｌ１ＣＯＣ
Ｈｓ）ｓ　。In the present invention, the solution used to form the light-shielding film contains silver nitrate, a tantalum compound, and a solvent as main components. In carrying out the present invention, for example, Ta (QC,11,)t (CH, COCl1COC
Hs)s.

Ｔａ（ＱＣ，Ｅｌｌ）　（ＣＨ，０ＣＯＣＨＣＯＣＨ１
）４゜Ｔａ（ＯＣ＊Ｒ＊　）ｓ　（０ＣＯＣ？Ｈ１ｌ　
）ｔ　−Ｔａ（ＱＣ，Ｈ，）　（ＣＤ、　Ｃ０ＣＨＣＯ
ＣＥ、）ｔ　（０ＣＯＣ，Ｉｆ、、）ｔ　。Ta(QC,Ell) (CH,0COCHCOCH1
)4゜Ta(OC*R*)s (0COC?H1l
)t -Ta(QC,H,) (CD, C0CHCO
CE,)t (0COC,If,,)t.

Ｔａ（０ＣＩＩ、　）　（Ｃ４Ｈ，０ＣＯＣＨＣＯＯＣ
Ｅ、　）　（ＯＣＯＣ，Ｈｌ）ｓ　。Ta(0CII, ) (C4H,0COCHCOOC
E, ) (OCOC, Hl)s.

など一般式が Ｔａ（ＯＲＩ）　　　　（Ｘ）　　（）’）トルーｒＩ
Ｌ　　ル　簿 （Ｒｔは炭素数が１〜１８のアルキル基、Ｘはβ−ジケ
トン陰イオン、Ｙはカルボン酸隘イオン。The general formula is Ta(ORI) (X) ()') true rI
L (Rt is an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, X is a β-diketone anion, and Y is a carboxylic acid ion.

ル ル、ｍは１≦路９ｍ≦１１．ｎ＋落≦４の整数）で表わ
される化合物が好適である。このほかタンタル化合物と
しては、Ｔａ（ＯＲ１）Ｉで表わされる化合物も使用で
きる。ただこの場合にはカルボン酸を少量添加した方が
良好な結果が得られる。Lulu, m is 1≦road9m≦11. Compounds represented by n+an integer of ≦4 are suitable. In addition, as the tantalum compound, a compound represented by Ta(OR1)I can also be used. However, in this case, better results can be obtained by adding a small amount of carboxylic acid.

使用する＃！媒としては、ニトリル類とアルコールｇ１
６いはエチレングリコールモノエーテル類との混合溶媒
が好適である。その他タンタル化合物、溶媒として、適
宜のものを使用できる。use#! As a medium, nitriles and alcohol g1
6 or a mixed solvent with ethylene glycol monoethers is suitable. Other appropriate tantalum compounds and solvents can be used.

塗膜に照射する紫外線としては、キセノン−水銀ランプ
、メタルハライドランプ等を光源としたものを使用する
ことができる。紫外線の波長としては、銀をより効率良
（析出させるためには、なるべく短波長、特に３５０Ｂ
ｍ以下の波長を用いることが好ましい。紫外線の照射量
はａ、ｓＪ／、ｉ〜２０Ｊ／ｃｄ　　が望ましい。照射
蓋が少ない場合には、銀の析出が不十分であり、照射量
がこれより多い場合には、銀が過度に析出するため塗膜
の透光率が低くなり過ぎ、集光した光あるいはレーザ光
を白点欠陥部に照射する作業において、フォトマスクパ
ターンの識別が難しくなり、照射すべき位置が不明とな
ることがあるからである。As the ultraviolet light irradiated onto the coating film, a light source such as a xenon-mercury lamp or a metal halide lamp can be used. The wavelength of ultraviolet rays should be as short as possible, especially 350B, in order to more efficiently deposit silver.
It is preferable to use a wavelength of m or less. The amount of ultraviolet ray irradiation is preferably a, sJ/, i to 20 J/cd. If the amount of irradiation is too small, the precipitation of silver is insufficient, and if the amount of irradiation is greater than this, silver will be deposited excessively and the light transmittance of the coating will become too low, causing the concentrated light or This is because in the work of irradiating a white spot defect with laser light, it becomes difficult to identify the photomask pattern, and the position to be irradiated may become unclear.

本発明により、集光した光あるいはレーザを照射して速
やかに遮光膜を析出させることができる。例えば照射し
てから１秒以内に遮光膜を析出させ得る。さらに析出し
た遮光膜の透光率を低くできるという効果もある。According to the present invention, a light-shielding film can be rapidly deposited by irradiation with focused light or laser. For example, a light-shielding film can be deposited within one second after irradiation. Furthermore, there is also the effect that the light transmittance of the deposited light-shielding film can be lowered.

〔発明の実施例〕 次に本発明の実施例の内、着千例を詳述することにより
、本発明を更に説明する。[Embodiments of the Invention] Next, the present invention will be further explained by describing in detail some of the embodiments of the present invention.

実施例１ 表ンに示す硝酸銀、タンタル化合物、溶媒を主成分とす
る溶′ｗｉ、Ａ１〜４１０を調合した。次にこの溶液を
白点欠陥を有するフすトマスク上に３００Ｏｒｐｍの回
転数で３０秒間でスピンナ塗布した。この塗膜にキセノ
ン−水銀ランプを用い２５４　ｎｍで５ｏＷＬｒ／ｃｄ
の紫外線を２分間照射した。Example 1 Solutions A1-410 containing silver nitrate, a tantalum compound, and a solvent as main components shown in Table 1 were prepared. Next, this solution was applied onto a foot mask having white spot defects using a spinner at a rotation speed of 300 rpm for 30 seconds. This coating film was coated with 5oWLr/cd at 254 nm using a xenon-mercury lamp.
was irradiated with ultraviolet rays for 2 minutes.

次にアルゴンレーザな白点欠陥部分に１０μｍ０で２．
５ＸＦ／ｅｄのパワー密度で照射した。析出した遮光膜
の透光率、およびレーザ照射開始から遮光膜の析出まで
に要する時間も同じく表１に示す。比較のため、紫外線
を塗膜にあらかじめ照射しない場合の値も示す。表から
れかるように、紫外線を照射しない場合には、レーザ照
射開始から遮光膜の析出までに要する時間が２５秒から
８０秒かかるのに比べ、本発明のこの実施例では、１秒
以内に析出が起こる。Next, the argon laser was used to apply 10 μm to the white spot defect.
Irradiation was performed at a power density of 5XF/ed. Table 1 also shows the light transmittance of the deposited light shielding film and the time required from the start of laser irradiation to the deposition of the light shielding film. For comparison, the values obtained when the coating film was not irradiated with ultraviolet light in advance are also shown. As can be seen from the table, when no ultraviolet rays are irradiated, it takes 25 to 80 seconds from the start of laser irradiation to the deposition of the light-shielding film, but in this example of the present invention, within 1 second. Precipitation occurs.

実施例２ 表ｙのム１に示す溶液を白点欠陥を有するフォトマスク
上に３００Ｏｒｐｍの回転数で３０秒間でスピンナ塗布
した。この塗膜に、メタルハライドランプを用い２５４
　ｎｍで１８０７１１Ｆ／−の紫外線を２０秒間照射し
た。次にアルゴンレーザな白点欠陥部分に３μ扉口で４
　ｆＦ／ｃＩｉ　　のパワー密度で照射した。遮光膜の
析出は１秒以内で起こった。Example 2 The solution shown in column 1 of Table y was applied onto a photomask having white spot defects using a spinner at a rotation speed of 300 rpm for 30 seconds. This coating was coated with a metal halide lamp at 254
Ultraviolet light of 180711F/- nm was irradiated for 20 seconds. Next, use the argon laser to apply a 3μ door to the white spot defect area.
Irradiation was performed at a power density of fF/cIi. Deposition of the light-shielding film occurred within 1 second.

遮光膜の析出後さらに２０秒間アルゴンレーザを照射し
た。次に、フォトマスクをエチレングリコール七ノエチ
ルエーテルに１５分間浸漬し、非修正部分の塗膜を洗浄
除去した。析出した遮光膜の透光率は１．６％であった
。塗膜にあらかじめ紫外線を照射しない場合には、レー
ザ照射開始から遮光膜の析出までに要する時間が７３秒
であった。また、析出した遮光膜の透光率は五２％であ
った。結局結果として、実施例１の方法でム１の溶液を
用いて行ったのと同様なデータが得られた。After the deposition of the light-shielding film, argon laser irradiation was performed for another 20 seconds. Next, the photomask was immersed in ethylene glycol 7-ethyl ether for 15 minutes, and the coating film on the unmodified portions was washed and removed. The light transmittance of the deposited light shielding film was 1.6%. When the coating film was not irradiated with ultraviolet rays in advance, the time required from the start of laser irradiation to the precipitation of the light-shielding film was 73 seconds. Further, the light transmittance of the deposited light shielding film was 52%. As a result, data similar to that obtained using the method of Example 1 using the solution of Mu1 was obtained.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、遮光膜の析出に要する時間を従来に比
べ非常に短くでき、１／１００程度にも低減することが
可能である。しかも析出した遮光膜の遮光性を一層高め
ることができ、約２倍向上させることができる。これら
のことから、フォトマスク製造の生産性向上および品質
向上に寄与するところが大きい。According to the present invention, the time required for depositing a light shielding film can be significantly shortened compared to the conventional method, and can be reduced to about 1/100. Moreover, the light-shielding properties of the deposited light-shielding film can be further improved, and the light-shielding properties can be improved approximately twice. For these reasons, it greatly contributes to improving the productivity and quality of photomask manufacturing.

尚当然のことではあるが、本発明は上述した実施例にの
み限定されるものではない。It goes without saying that the present invention is not limited to the embodiments described above.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] １．フォトマスクのパターン部の白点欠陥を、硝酸銀、
タンタル化合物、溶媒を主成分とする溶液を塗布し、つ
いで、白点欠陥部分のみに光を選択的に照射し、白点欠
陥部分に遮光性の膜を析出させることにより白点欠陥を
修正する方法において、上記溶液をフォトマスクに塗布
した後、紫外線を照射することを特徴とするフォトマス
クの白点欠陥修正方法。1. Remove white spot defects in the pattern area of the photomask using silver nitrate,
A solution containing a tantalum compound and a solvent as the main components is applied, and then light is selectively irradiated only to the white spot defect to deposit a light-shielding film on the white spot defect to correct the white spot defect. A method for correcting white spot defects on a photomask, the method comprising: applying the solution on the photomask and then irradiating it with ultraviolet rays. ２．上記紫外線が波長３５０ｎｍ以下の光であることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載のフォトマスク
の白点欠陥修正方法。2. 2. The method for correcting white spot defects on a photomask according to claim 1, wherein the ultraviolet rays are light having a wavelength of 350 nm or less.