JPS6113542A - イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法 - Google Patents
イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体ウェファ内にイオンを11゛人すると
きに用いるイオン注入用マスク装置、及びそれを用いて
1′)9体ウェファ内にイオンを注入するイオン11人
v1に関する,。
きに用いるイオン注入用マスク装置、及びそれを用いて
1′)9体ウェファ内にイオンを注入するイオン11人
v1に関する,。
従来の技術
半導体ウェファ内1,ーイAンを11人りるイオン)1
人法として、従来、第1図及び第2図をどI’l’ <
i−。
人法として、従来、第1図及び第2図をどI’l’ <
i−。
って次に述べる方法が提案されている。
すなわち、イオン注入用室(図示1!ず)において、例
えば円板状の半導体ウェファ1の複数を、回転軸1を右
1J’るアルミニウムイ1どの耐熱性を有し、■つ機械
的に高い強度の得られる材料で製造された回転円板3で
なるウェファ載置− 7 一 体2上に、その同心的な円線上において、適当な固定具
(図示せず)を用いて、順次載置配列した状態で、ウェ
ファ載置体2側とは反対側に配されたイオンビーム源(
図示せず)からの半導体ウェファに比し十分小なるビー
ム直径を有Jる例えば不純物イオンによるイオンビーム
6を、半導体ウェファ1が回転円板3上に載置していな
いどした場合でみて、イオンビーム6が回転円板3の半
導体ウェファ1の配列している内線.1−に到達覆るよ
うに、照射させる。
えば円板状の半導体ウェファ1の複数を、回転軸1を右
1J’るアルミニウムイ1どの耐熱性を有し、■つ機械
的に高い強度の得られる材料で製造された回転円板3で
なるウェファ載置− 7 一 体2上に、その同心的な円線上において、適当な固定具
(図示せず)を用いて、順次載置配列した状態で、ウェ
ファ載置体2側とは反対側に配されたイオンビーム源(
図示せず)からの半導体ウェファに比し十分小なるビー
ム直径を有Jる例えば不純物イオンによるイオンビーム
6を、半導体ウェファ1が回転円板3上に載置していな
いどした場合でみて、イオンビーム6が回転円板3の半
導体ウェファ1の配列している内線.1−に到達覆るよ
うに、照射させる。
この場合、ウェファ載体休2、従って回転円板3を、そ
の回転軸4を用いて、適当な駆動装置?Y(図示せず)
によって回転させながら、上方からみて回転軸4と、半
導体ウェファ1が回転円板3上に載置していないとした
場合でみたときのイオンビーム6が回転円板3を照射し
ている位置とを結ぶ方向(第1図でみて左右方向)に半
導体ウエファ1の直径よりも大なる振幅を以て振動させ
る。
の回転軸4を用いて、適当な駆動装置?Y(図示せず)
によって回転させながら、上方からみて回転軸4と、半
導体ウェファ1が回転円板3上に載置していないとした
場合でみたときのイオンビーム6が回転円板3を照射し
ている位置とを結ぶ方向(第1図でみて左右方向)に半
導体ウエファ1の直径よりも大なる振幅を以て振動させ
る。
しかるときは、イオンビーム6が、回転円板3を、半導
体ウェファ1の全てが載置される領域を全て含んでいる
回転円板3と同心的な円環状の領域7において、走査照
射する。
体ウェファ1の全てが載置される領域を全て含んでいる
回転円板3と同心的な円環状の領域7において、走査照
射する。
よって、回転円板3上の半導体ウェファ1の全てが、イ
オンビーム6にJ:って走査照射され、それら半導体ウ
ェファ1の全てにイオン/]<)1人される。
オンビーム6にJ:って走査照射され、それら半導体ウ
ェファ1の全てにイオン/]<)1人される。
以上が、従来の一イオン注入法である。
発明が解決↓J虻Yリ」ト!?!! M e−7このよ
うなイオン11人法によれば、イオンビーム6が、’)
、T / −、ノ’ ikli +T’l K 2、
(11 −) 7 回転円IM3をも走査照a1するl
こめ、回転内機3から、ぞの材料が外部にスパッタリ−
る。イ【ノて、そのスパッタした材料の大半は、イオン
打込用室の内壁に被着するが、一部が、イの内壁で反ロ
4し、半導体ウェファ1に向い、その半導体ウ■フj′
1内に、第3図に示すにうな半導体ウェファ1の厚さ方
向の深さDに対する濃度Nの分布を以て侵入し、半導体
ウェファ1が汚染する。なお、第3図は、半導体ウェフ
ァ1がシリコンでなり、回転円板3、従ってウェファ載
置体2がアルミニウムでなる場合の測定結果である。
うなイオン11人法によれば、イオンビーム6が、’)
、T / −、ノ’ ikli +T’l K 2、
(11 −) 7 回転円IM3をも走査照a1するl
こめ、回転内機3から、ぞの材料が外部にスパッタリ−
る。イ【ノて、そのスパッタした材料の大半は、イオン
打込用室の内壁に被着するが、一部が、イの内壁で反ロ
4し、半導体ウェファ1に向い、その半導体ウ■フj′
1内に、第3図に示すにうな半導体ウェファ1の厚さ方
向の深さDに対する濃度Nの分布を以て侵入し、半導体
ウェファ1が汚染する。なお、第3図は、半導体ウェフ
ァ1がシリコンでなり、回転円板3、従ってウェファ載
置体2がアルミニウムでなる場合の測定結果である。
従って、第1図及び第2図に示す従来のイオン注入法の
場合、半導体ウェファ1をそれへのイオンの注入時にお
いて、ウェファ載置体2の141’lににつで汚染させ
る、という欠点を有してい Iこ 。
場合、半導体ウェファ1をそれへのイオンの注入時にお
いて、ウェファ載置体2の141’lににつで汚染させ
る、という欠点を有してい Iこ 。
」穎、了し[解−決するための手段
よって、本発明は、半導体ウェファにイオンを注入りる
場合に使用l)で、上述した欠点を伴なりl! イtい
、新規イTイオン注入用マスク装置、及びイれを用いた
新規なイオン注入法を提案せ/uどりるものである。
場合に使用l)で、上述した欠点を伴なりl! イtい
、新規イTイオン注入用マスク装置、及びイれを用いた
新規なイオン注入法を提案せ/uどりるものである。
本願第1番目の発明にJ:るイオン注入用マスク装置は
、イオンビーム源からのイオンビームの照0・1を受G
jてイオンが注入される半導体ウェファを配置するつJ
ノア配首部を有するイオン注入用マスク板を有し、該イ
オン注入用マスク板が、少くとも−に配イオンビーム源
に臨む側において、」:2半導体ウェファと同種の材料
、またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有して
いる。
、イオンビーム源からのイオンビームの照0・1を受G
jてイオンが注入される半導体ウェファを配置するつJ
ノア配首部を有するイオン注入用マスク板を有し、該イ
オン注入用マスク板が、少くとも−に配イオンビーム源
に臨む側において、」:2半導体ウェファと同種の材料
、またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有して
いる。
また、本願第2番目の発明によるイオン注入用マスク装
置は、イオンビーム源からのイオンビームの照射を受t
」てイオンが注入される第1の半導体ウェファを配置す
る第1のウェファ配置部を有する第1のイオン注入用マ
スク板と、上記イオンビーム源からのイオンビームの照
射を受けてイオンが注入される上記第1の半導体ウェフ
ァと同種の材料でなる第2の半導体ウェファを配置する
第2のウェファ配置部を有する、上記第1のイオン注入
用マスク板と同一面上に並置して配列される第2のイオ
ン注入用マスク板とを少なくとも右lノ、上記第1のイ
オン注入用マスク板が、少なくとも上記イオンビーム源
に臨む側において、上記第1の半導体ウェファと同種の
材料、またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有
すするとともに、凹凸または傾斜している第1の側面を
有し、上記第2のイオン注入用マスク板が、少イ【りと
もL記イオンビ一ム源に臨む側において、上記第2の半
導体ウェファと同種の材料、またはその酸化物または窒
化物の材料の表面を有するとともに、上記第1のイオン
注入用マスク板の第1の側面の凹凸または傾斜と相補的
に凹凸または傾斜している第2の側面を有している。
置は、イオンビーム源からのイオンビームの照射を受t
」てイオンが注入される第1の半導体ウェファを配置す
る第1のウェファ配置部を有する第1のイオン注入用マ
スク板と、上記イオンビーム源からのイオンビームの照
射を受けてイオンが注入される上記第1の半導体ウェフ
ァと同種の材料でなる第2の半導体ウェファを配置する
第2のウェファ配置部を有する、上記第1のイオン注入
用マスク板と同一面上に並置して配列される第2のイオ
ン注入用マスク板とを少なくとも右lノ、上記第1のイ
オン注入用マスク板が、少なくとも上記イオンビーム源
に臨む側において、上記第1の半導体ウェファと同種の
材料、またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有
すするとともに、凹凸または傾斜している第1の側面を
有し、上記第2のイオン注入用マスク板が、少イ【りと
もL記イオンビ一ム源に臨む側において、上記第2の半
導体ウェファと同種の材料、またはその酸化物または窒
化物の材料の表面を有するとともに、上記第1のイオン
注入用マスク板の第1の側面の凹凸または傾斜と相補的
に凹凸または傾斜している第2の側面を有している。
さらに、本願第3番目の発明によるイオン注入法は、第
1図及び第2図で上述したと同様に、ウェファ載置体に
載置された半導体ウェファ内に、ウェファ載置体側とは
反対側に配されたイオンビーム源からのイオンビームの
照射によって、イオンの注入を行う。
1図及び第2図で上述したと同様に、ウェファ載置体に
載置された半導体ウェファ内に、ウェファ載置体側とは
反対側に配されたイオンビーム源からのイオンビームの
照射によって、イオンの注入を行う。
しかしながら、本願第3番目の発明によるイオン注入法
は、このような方法において、本願第1番目の発明にに
るイオン注入用マスク装置を、上記ウェファ載置体上に
、上記イオン注入用マスク板をして、その上記半導体ウ
ェファと同種の月別、またはその酸化物または窒化物の
14 I+の表面を上記イオンビーム源側にし、1つ−
1−配つTノア配置部に−に2半導体ウエフアを配=
12 − 置した状態で、上記半導体ウェファ内へのイオンの注入
を行う。
は、このような方法において、本願第1番目の発明にに
るイオン注入用マスク装置を、上記ウェファ載置体上に
、上記イオン注入用マスク板をして、その上記半導体ウ
ェファと同種の月別、またはその酸化物または窒化物の
14 I+の表面を上記イオンビーム源側にし、1つ−
1−配つTノア配置部に−に2半導体ウエフアを配=
12 − 置した状態で、上記半導体ウェファ内へのイオンの注入
を行う。
また、本願第4番目の発明によるイオン注入法は、第1
図及び第2図で上述したと同様に、ウェファ載置体に数
置された半導体ウエフア内に、ウェファ載置体側とは反
対側に配されたイオンビーム源からのイオンビームの照
射によって、イオンの注入を行う。
図及び第2図で上述したと同様に、ウェファ載置体に数
置された半導体ウエフア内に、ウェファ載置体側とは反
対側に配されたイオンビーム源からのイオンビームの照
射によって、イオンの注入を行う。
しかしながら、本願第4番目の発明によるイオン注入法
は、このような方法において、本願第2番目の発明によ
るイオン注入用マスク装置を、上記ウェファ載置体上に
、−F2第1のイオン注入用マスク板をして、その第1
の半導体ウェファと同種の材料、またはその酸化物また
は窒化物の材料の第1の表面を」ニ肥イオンビーム源側
にし、nつ上記第1のウェファ配置部に上記第1の半導
体ウェファを配した状態で、1つ上記第2のイオン注入
用マスク板をして、上記第2の半導体つ[ノアと同種の
+A別、またはその酸化物または窒化物の材料の第2の
表面を上記イオンビーム源側にし、■つ上記第2のウェ
ファ配置部に上記第2の半導体ウェファを配するととも
に、−1−開用2の側面が上記第1のイオン注入用マス
ク板の第1の側面と市なり合うように上記第1のイオン
注入用マスク板と並置して配列した状態で、上記第1及
び第2の半導体ウェファ内へのイオン注入を行う。
は、このような方法において、本願第2番目の発明によ
るイオン注入用マスク装置を、上記ウェファ載置体上に
、−F2第1のイオン注入用マスク板をして、その第1
の半導体ウェファと同種の材料、またはその酸化物また
は窒化物の材料の第1の表面を」ニ肥イオンビーム源側
にし、nつ上記第1のウェファ配置部に上記第1の半導
体ウェファを配した状態で、1つ上記第2のイオン注入
用マスク板をして、上記第2の半導体つ[ノアと同種の
+A別、またはその酸化物または窒化物の材料の第2の
表面を上記イオンビーム源側にし、■つ上記第2のウェ
ファ配置部に上記第2の半導体ウェファを配するととも
に、−1−開用2の側面が上記第1のイオン注入用マス
ク板の第1の側面と市なり合うように上記第1のイオン
注入用マスク板と並置して配列した状態で、上記第1及
び第2の半導体ウェファ内へのイオン注入を行う。
作用
本願第3番目の発明によるイオン注入法によれば、イオ
ンビームが、半導体ウェファを照射するとぎに、それと
同時的に、イオン注入用マスク装置のイオン注入用マス
ク板がイオンビームにJ:って照0・1されるが.ウエ
フア載置体を照射さけなくすることができる。
ンビームが、半導体ウェファを照射するとぎに、それと
同時的に、イオン注入用マスク装置のイオン注入用マス
ク板がイオンビームにJ:って照0・1されるが.ウエ
フア載置体を照射さけなくすることができる。
この場合、イオン注入用マスク板から、その材料が外部
にスパッタするが、その材料は、半導体ウエフアど同種
の材料、またはその半導体ウエフアど同種の8判と酸素
または窒素とである。
にスパッタするが、その材料は、半導体ウエフアど同種
の材料、またはその半導体ウエフアど同種の8判と酸素
または窒素とである。
そして、半導体ウェファと同種の材料がスパッタし、そ
の材料が半導体ウェファ内に侵入しても、その半導体ウ
ェファに汚染は生じない。
の材料が半導体ウェファ内に侵入しても、その半導体ウ
ェファに汚染は生じない。
また、半導体ウエフアと同種の材料と酸素または窒素が
スパッタしても、半導体ウェファと同種の材料について
は問題がなく、また酸素または窒素は気体となって半導
体ウェファの表面から遊離する。
スパッタしても、半導体ウェファと同種の材料について
は問題がなく、また酸素または窒素は気体となって半導
体ウェファの表面から遊離する。
また、本願第4番目の発明によるイオン注入法の場合も
、イオンビームが第1及び第2の半導体ウェファを照射
するどきに、それと同時的に、イオン注入用マスク装置
の第1及び第2のイオン注入用マスク板がイオンビーム
によって照射されるが、ウェファ載置体を照射さけなく
することができるので、本願第3番目の発明によるイオ
ン注入法について上述した作用が得られる。
、イオンビームが第1及び第2の半導体ウェファを照射
するどきに、それと同時的に、イオン注入用マスク装置
の第1及び第2のイオン注入用マスク板がイオンビーム
によって照射されるが、ウェファ載置体を照射さけなく
することができるので、本願第3番目の発明によるイオ
ン注入法について上述した作用が得られる。
さらに、本願第1番目の発明にJ:るイオン注入用マス
ク装置によれば、それを本願第3番目の発明によるイオ
ン注入法に用いることによつで、本願第3番目の発明に
よるイオン注入法について上述した作用をさせることが
できる。
ク装置によれば、それを本願第3番目の発明によるイオ
ン注入法に用いることによつで、本願第3番目の発明に
よるイオン注入法について上述した作用をさせることが
できる。
また、本願第2番目の発明によるイオン注入用マスク装
置にJ:つでも、それを本願第4番目の発明ににるイオ
ン注入法に用いることによって、本願第4番目の発明に
よるイオン注入法について述べたと同様の作用をする。
置にJ:つでも、それを本願第4番目の発明ににるイオ
ン注入法に用いることによって、本願第4番目の発明に
よるイオン注入法について述べたと同様の作用をする。
1町Ll−宋
よって、本願第1番目の発明によるイオン注入用マスク
装置によれば、それを用いて、半導体ウェファに、それ
を汚染させることなしに、イオンの打込みを行わUるこ
とができる、という効果を有する。
装置によれば、それを用いて、半導体ウェファに、それ
を汚染させることなしに、イオンの打込みを行わUるこ
とができる、という効果を有する。
また、本願第2番目の発明によるイオン注入用マスク装
置によっても、本願第1番目の発明によるイオン注入用
マスク装置の場合と同様に、少なくとも2つの第1及び
第2の半導体ウェファに、それを汚染さけることなしに
、イオンの打込みを行わt!ることができる、という効
果を右Jる。
置によっても、本願第1番目の発明によるイオン注入用
マスク装置の場合と同様に、少なくとも2つの第1及び
第2の半導体ウェファに、それを汚染さけることなしに
、イオンの打込みを行わt!ることができる、という効
果を右Jる。
さらに、本願第3番目の発明にJこるイオン注入法によ
れば、半導体ウエフアに、それを汚染させることなしに
、イオンの打込みを行うことができる、という効果を有
する。
れば、半導体ウエフアに、それを汚染させることなしに
、イオンの打込みを行うことができる、という効果を有
する。
また、本願第4番目の発明によるイオンi[人法によれ
ば、少なくとも第1及び第2の半導体ウェファに、それ
らを汚染させることなしに、イオンの打込みを行うこと
ができる、という効果を有する。
ば、少なくとも第1及び第2の半導体ウェファに、それ
らを汚染させることなしに、イオンの打込みを行うこと
ができる、という効果を有する。
実施例
次に、本願用4−目の発明によるイオン注入法の実施例
によって、本願第1番目の発明及び本願第2番目の発明
によるイオン注入用マスク装置、及び本願第3番目の発
明によるイオン注入法の実施例を述べ十う。
によって、本願第1番目の発明及び本願第2番目の発明
によるイオン注入用マスク装置、及び本願第3番目の発
明によるイオン注入法の実施例を述べ十う。
第4図及び第5図において、第1図及び第2図との対応
部分には同一符号を付して詳細説明を省略する。
部分には同一符号を付して詳細説明を省略する。
第4図及び第5図に示す本願第4番目の発明によるイオ
ン注入法は、第1図及び第2図で上述したと同様に、回
転軸4を有する回転円板3でなるつJノア載直体2上に
半導体ウエフア1の複数を順次載置配列した状態で、イ
オンビーム源からのイオンビーム6を、照射させる。
ン注入法は、第1図及び第2図で上述したと同様に、回
転軸4を有する回転円板3でなるつJノア載直体2上に
半導体ウエフア1の複数を順次載置配列した状態で、イ
オンビーム源からのイオンビーム6を、照射させる。
ね この場合、第1図及び第2図で一ト述したと同様に
、回転円板3を回転させながら、振動させ、イオンビー
ム6を領域7において、走査照射させる。
、回転円板3を回転させながら、振動させ、イオンビー
ム6を領域7において、走査照射させる。
しかしながら、本願第4番目の発明によるイオン注入法
の実施例においては、半導体ウェファ1を配置するウェ
ファ配置部15を形成しているイオン11人用マスク板
12を複数有し、そしてその各イオン注入用マスク板1
2がイオンビーム源に臨む側において、半導体ウェファ
1ど同種の11(半導体ウェファ1が3iでなる場合S
:)、またはその酸化物(半導体ウェファ1が81でな
る場合、5in2,5in)または窒化物(半導体ウェ
ファ1が3iでなる場合SiN 4)の14 FIの表
面16を有しているとともに、凹凸または傾斜している
側面17を有しているイオン11人用マスクgti’1
11を用いる。
の実施例においては、半導体ウェファ1を配置するウェ
ファ配置部15を形成しているイオン11人用マスク板
12を複数有し、そしてその各イオン注入用マスク板1
2がイオンビーム源に臨む側において、半導体ウェファ
1ど同種の11(半導体ウェファ1が3iでなる場合S
:)、またはその酸化物(半導体ウェファ1が81でな
る場合、5in2,5in)または窒化物(半導体ウェ
ファ1が3iでなる場合SiN 4)の14 FIの表
面16を有しているとともに、凹凸または傾斜している
側面17を有しているイオン11人用マスクgti’1
11を用いる。
この場合、イの一イオンtt入用マスク装置i’f i
’1のイオン注入用マスク板12 にl、例λばJ9
ンでなる板体14と、−その表面に形成されl薔1述し
た表面16を113成(する+A I+の股13とから
なる。
’1のイオン注入用マスク板12 にl、例λばJ9
ンでなる板体14と、−その表面に形成されl薔1述し
た表面16を113成(する+A I+の股13とから
なる。
また、各イオン注入用マスク板12のウエフア配置部1
5は、図示のような段部を右Jる穴でなる。
5は、図示のような段部を右Jる穴でなる。
さらに、相隣るイオン注入用マスク板12の一方の側面
17と、それと対向している他方のイオン注入用マスク
板12の側面17とは、図示のように相補関係を有する
。但し、図においては、側面17が凹凸である場合を示
している。
17と、それと対向している他方のイオン注入用マスク
板12の側面17とは、図示のように相補関係を有する
。但し、図においては、側面17が凹凸である場合を示
している。
しかして、上述したイオン注入用マスク装置11の複数
のイオン注入用マスク板12を、回転円板3上に、それ
らのウェファ配置部内にそれぞれ半導体ウェファ1を配
した状態で配置する。この場合、相隣るイオン注入用マ
スク板12の相対向する側面17が互に重なり合うよう
に−りる。
のイオン注入用マスク板12を、回転円板3上に、それ
らのウェファ配置部内にそれぞれ半導体ウェファ1を配
した状態で配置する。この場合、相隣るイオン注入用マ
スク板12の相対向する側面17が互に重なり合うよう
に−りる。
しかるときは、「作用−1の項で述べたど同様の作用が
I+7られて、[−発明の効果]の項で述べた効果が得
られることは明らかである。
I+7られて、[−発明の効果]の項で述べた効果が得
られることは明らかである。
以上で、本願第4番[1の発明によるイオン注入法の実
施例が明らかどなったが、それから、本願第2番目の発
明によるイオン注入用マスク装四11、本願用1M口の
発明によるイオン注入用マスク装置、本願第3番目の発
明によるイオン注入法の実施例が明らかであろう。
施例が明らかどなったが、それから、本願第2番目の発
明によるイオン注入用マスク装四11、本願用1M口の
発明によるイオン注入用マスク装置、本願第3番目の発
明によるイオン注入法の実施例が明らかであろう。
なお、上述においては、本発明の僅かな例を示したに止
まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型変
更をなし得るであろう。
まり、本発明の精神を脱することなしに、種々の変型変
更をなし得るであろう。
第1図及び第2図は、従来のイオン注入法によって半導
体ウェファにイオン打込を行っている状態の路線的平面
図及びそのIF−ff線上の断面図である。 第3図は、ぞの説明に供する曲線図である。 第4図、第5図及び第6図は、本願第4番目の発明によ
るイオン注入法の実施例によって半導体ウエフアにイオ
ン打込を行っている状態の路線的平面図、そのv−v線
」−の断面図及び半導体ウエフアの配列方法にとった断
面図である。
体ウェファにイオン打込を行っている状態の路線的平面
図及びそのIF−ff線上の断面図である。 第3図は、ぞの説明に供する曲線図である。 第4図、第5図及び第6図は、本願第4番目の発明によ
るイオン注入法の実施例によって半導体ウエフアにイオ
ン打込を行っている状態の路線的平面図、そのv−v線
」−の断面図及び半導体ウエフアの配列方法にとった断
面図である。
Claims (8)
- 1.イオンビーム源からのイオンビームの照射を受けて
イオンが注入される半導体ウエフアを配置するウエフア
配置部を有するイオン注入用マスク板を有し、該イオン
注入用マスク板が、少くとも上記イオンビーム源に臨む
側において、上記半導体ウエフアと同種の材料、または
その酸化物または窒化物の材料の表面を有していること
を特徴とするイオン注入用マスク装置。 - 2.特許請求の範囲第1項記載のイオン注入用マスク装
置において、上記第1のイオン注入用マスク板が、第1
の板体と、該第1の板体の少くとも上記イオンビーム源
に臨む側の面上に形成された上記第1の半導体ウエフア
と同種の材料、またはその酸化物または窒化物の材料で
なる第1のマスク装置。 - 3.イオンビーム源からのイオンビームの照射を受けて
イオンが注入される第1の半導体ウエフアを配置する第
1のウエフア配置部を有する第1のイオン注入用マスク
板と、上記イオンビーム源からのイオンビームの照射を
受けてイオンが注入される上記第1の半導体ウエフアと
同種の材料でなる第2の半導体ウエフアを配置する第2
のウエフア配置部を有する、上記第1のイオン注入用マ
スク板と同一面上に並置して配列される第2のイオン注
入用マスク板とを少なくとも有し、上記第1のイオン注
入用マスク板が、少なくとも上記イオンビーム源に臨む
側において、上記第1の半導体ウエフアと同種の材料、
またはその酸化物または窒化物の材料の表面を有すると
ともに、凹凸または傾斜している第1の側面を有し、上
記第2のイオン注入用マスク板が、少なくとも上記イオ
ンビーム源に臨む側において、上記第2の半導体ウエフ
アと同種の材料、またはその酸化物または窒化物の材料
の表面を有するとともに、上記第1のイオン注入用マス
ク板の第1の側面の凹凸または傾斜と相補的に凹凸また
は傾斜している第2の側面を有していることを特徴とす
るイオン注入用マスク装置。 - 4.特許請求の範囲第3項記載のイオン注入用マスク装
置において、上記第1のイオン注入用マスク板が、第1
の板体と、該第1の板体の少なくとも上記イオンビーム
源に臨む側の面上に形成された上記第1の半導体にウエ
フアと同種の材料、またはその酸化物または窒化物の材
料でなる第1の膜とを有し、上記第2のイオン注入用マ
スク板が、第2の板体と、該第2の板体の少なくとも上
記イオンビーム源に臨む側の面上に形成された上記第2
の半導体ウエフアと同種の材料、またはその酸化物また
は窒化物の材料でなる第2の膜とを有することを特徴と
するイオン注入用マスク装置。 - 5.ウエフア載置体上に載置された半導体ウエフア内に
、上記ウエフア載置体側とは反対側に配されたイオンビ
ーム源からのイオンビームの照射によつてイオンの注入
を行うイオン注入法において、上記半導体ウエフアを配
置するウエフア配置部を有するイオン注入用マスク板を
有し、該イオン注入用マスク板が、少なくとも上記イオ
ンビーム源に臨む側において、上記半導体ウエフアと同
種の材料、またはその酸化物または窒化物の材料の表面
を有しているイオン注入用マスク装置を、上記ウエフア
載置体上に、上記イオン注入用マスク板をして、その上
記半導体ウエフアと同種の材料、またはその酸化物また
は窒化物の材料の表面を上記イオンビーム源側にし、且
つ上記ウエフア配置部に上記半導体ウエフアを配置した
状態で、上記半導体ウエフア内へのイオンの注入を行う
ことを特徴とするイオン注入法。 - 6.特許請求の範囲第5項記載のイオン注入法において
、上記イオン注入用マスク装置のイオン注入用マスク板
が、板体と、該板体の少なくとも上記イオンビーム源に
臨む側の面上に形成された上記半導体ウエフアと同種の
材料、またはその酸化物または窒化物の材料でなる膜と
を有することを特徴とするイオン注入法。 - 7.ウエフア載置体上に載置された互に同種の材料でな
る少なくとも2つの第1及び第2の半導体ウエフア内に
、上記ウエフア載置体側とは反対側に配されたイオンビ
ーム源からのイオンビームの照射によって、同時的に、
イオン注入を行うイオン注入法において、上記第1の半
導体ウエフアを配置する第1のウエフア配置部を有すす
る第1のイオン注入用マスク板と、上記第2の半導体ウ
エフアを配置する第2のウエフア配置部を有する第2の
イオン注入用マスク板とを有し、上記第1のイオン注入
用マスク板が、少なくとも上記イオンビーム源に臨む側
において、上記第1の半導体ウエフアと同種の材料、ま
たはその酸化物または窒化物の材料の第1の側面を有す
るとともに、凹凸または傾斜している第1の側面を有し
、上記第1のイオン注入用マスク板が、少なくとも上記
イオンビーム源に臨む側において、上記第2の半導体ウ
エフアと同種の材料、またはその酸化物または窒化物の
材料の第2の側面を有するとともに、上記第1のイオン
注入用マスク板の第1の側面の凹凸または傾斜を相補的
に凹凸または傾斜している第2の側面を有するイオン注
入用マスク装置を、上記ウエフア載置体上に、 上記第1のイオン注入用マスク板をして、その第1の半
導体ウエフアと同種の材料、またはその酸化物または窒
化物の材料の第1の表面を上記イオンビーム源側にし、
且つ上記第1のウエフア配置部に上記第1の半導体ウエ
フアを配した状態で、且つ上記第2のイオン注入用マス
ク板をして、上記第2の半導体ウエフアと同種の材料、
またはその酸化物または窒化物の材料の第2の表面を上
記イオンビーム源側にし、且つ上記第2のウエフア配置
部に上記第2の半導体ウエフアを配するとともに、上記
第2の側面が上記第1のイオン注入用マスク板の第1の
側面と重なり合うように上記第1のイオン注入用マスク
板と並置して配列した状態で、上記第1及び第2の半導
体ウエフア内へのイオン注入を行うことを特徴とするイ
オン注入法。 - 8.特許請求の範囲第7項記載のイオン注入法において
、上記イオン注入用マスク装置の第1のイオン注入用マ
スク板が、第1の板体と、該第1の板体の少なくとも上
記イオンビーム源に臨む側の面上に形成された上記半導
体ウエフアと同種の材料またはその酸化物または窒化物
でなる第1の膜とを有し、上記第2のイオン注入用マス
ク板が、第2の板体と、該第2の板体の少なくとも上記
イオンビーム源に臨む側の面上に形成された上記半導体
ウエフアと同種の材料またはその酸化物または窒化物で
なる第2の膜とを有することを特徴とするイオン注入法
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13385484A JPS6113542A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13385484A JPS6113542A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6113542A true JPS6113542A (ja) | 1986-01-21 |
Family
ID=15114584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13385484A Pending JPS6113542A (ja) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | イオン注入用マスク装置及びそれを用いたイオン注入法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6113542A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0405855A2 (en) * | 1989-06-30 | 1991-01-02 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus and process for fabricating semiconductor integrated circuit device by using the same apparatus |
JPH0346741A (ja) * | 1989-07-10 | 1991-02-28 | Applied Materials Inc | 半導体ウェーハの処理工程中の核種の相互汚染の防止方法と装置 |
JPH03246863A (ja) * | 1990-02-23 | 1991-11-05 | Tel Varian Ltd | イオン注入装置 |
WO1995006953A1 (fr) * | 1993-08-20 | 1995-03-09 | Tadahiro Ohmi | Implanteur d'ions |
US5691618A (en) * | 1992-11-16 | 1997-11-25 | Yupiteru Industries Co., Ltd. | Battery pack charging device |
JP2011249519A (ja) * | 2010-05-26 | 2011-12-08 | Toyota Motor Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2015501525A (ja) * | 2011-11-02 | 2015-01-15 | ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド | 高処理能力のイオン注入装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952626B2 (ja) * | 1977-09-12 | 1984-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 回転子直流励磁型パルスモ−タ |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP13385484A patent/JPS6113542A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5952626B2 (ja) * | 1977-09-12 | 1984-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 回転子直流励磁型パルスモ−タ |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP0405855A3 (en) * | 1989-06-30 | 1991-10-16 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus and process for fabricating semiconductor integrated circuit device by using the same apparatus |
US5134301A (en) * | 1989-06-30 | 1992-07-28 | Hitachi, Ltd. | Ion implanting apparatus, having ion contacting surfaces made of high purity silicon, for fabricating semiconductor integrated circuit devices |
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