JPH0678584B2 - 汚染防止ウェハ回転具 - Google Patents
汚染防止ウェハ回転具Info
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- JPH0678584B2 JPH0678584B2 JP2144008A JP14400890A JPH0678584B2 JP H0678584 B2 JPH0678584 B2 JP H0678584B2 JP 2144008 A JP2144008 A JP 2144008A JP 14400890 A JP14400890 A JP 14400890A JP H0678584 B2 JPH0678584 B2 JP H0678584B2
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Links
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、半導体製造分野、特にウェハに特定のイオ
ンビームを照射する際のウェハ回転具に関する。
ンビームを照射する際のウェハ回転具に関する。
イオン注入法によりウェハに不純物をドーピングする場
合、ウェハＷは第６図に示すように回転具（ディスク）
上に円形に並べられ、回転装置により回転されながらイ
オンビームを照射される。この場合イオンビームがウェ
ハＷの設置されている近傍の回転具材に当たるとその材
料の元素がスパッタリングを受けて飛び散りその元素が
ウェハを汚染するという問題がある。このため従来のイ
オン注入装置のウェハ回転具は第６図のＣ−Ｃ矢視断面
図である第７図に示すように、ウェハ回転具材料のイオ
ンビームによるスパッタリング防止（ウェハへのコンタ
ミネーション防止）をするためウェハを設置する位置を
高くした構造とするか、或いはウェハ回転具のイオンビ
ームの当たる部分をウェハ元素を主成分とした膜でコー
ティング処理した構造（例えば、シリコン（Si）ウェハ
の場合はSi、SiN、SiCの膜）となっていた。
合、ウェハＷは第６図に示すように回転具（ディスク）
上に円形に並べられ、回転装置により回転されながらイ
オンビームを照射される。この場合イオンビームがウェ
ハＷの設置されている近傍の回転具材に当たるとその材
料の元素がスパッタリングを受けて飛び散りその元素が
ウェハを汚染するという問題がある。このため従来のイ
オン注入装置のウェハ回転具は第６図のＣ−Ｃ矢視断面
図である第７図に示すように、ウェハ回転具材料のイオ
ンビームによるスパッタリング防止（ウェハへのコンタ
ミネーション防止）をするためウェハを設置する位置を
高くした構造とするか、或いはウェハ回転具のイオンビ
ームの当たる部分をウェハ元素を主成分とした膜でコー
ティング処理した構造（例えば、シリコン（Si）ウェハ
の場合はSi、SiN、SiCの膜）となっていた。
上記する従来例で、ウェハ回転具のウェハ設置位置を高
くした構造のものは加工が複雑となり、またウェハ回転
具材料のコンタミネーションを完全には防止出来ない。
また、ウェハ回転具のイオンビームの当たる部分をウェ
ハ元素を主成分とした膜でコーティング処理した構造の
ものはコーティング処理が大掛かりになるといった問題
もある。更に、例えばシリコンウェハに主としてボロン
（Ｂ）を注入している装置で、リン（Ｐ）を注入する場
合先に注入されていたドーパントが後から注入されるド
ーパントによってシリコンウェハ中にコンタミネーショ
ンとして入ってしまうという問題がある。従来はこのよ
うな場合ウェハ回転具そのものを交換しなければならな
かった。
くした構造のものは加工が複雑となり、またウェハ回転
具材料のコンタミネーションを完全には防止出来ない。
また、ウェハ回転具のイオンビームの当たる部分をウェ
ハ元素を主成分とした膜でコーティング処理した構造の
ものはコーティング処理が大掛かりになるといった問題
もある。更に、例えばシリコンウェハに主としてボロン
（Ｂ）を注入している装置で、リン（Ｐ）を注入する場
合先に注入されていたドーパントが後から注入されるド
ーパントによってシリコンウェハ中にコンタミネーショ
ンとして入ってしまうという問題がある。従来はこのよ
うな場合ウェハ回転具そのものを交換しなければならな
かった。
この発明はこのようなコンタミネーションの問題を解決
するためになされたものである。
するためになされたものである。
即ち、この発明は上記する課題を解決するために汚染防
止ウェハ回転具を構成する手段が、回転可能としたディ
スク上に、複数のウェハを載置するプレート或いは複数
のウェハを嵌め込む穴を穿設したプレートであって該ウ
ェハと同材質の成分元素を主成分とするプレートを固定
具により着脱自在に分割設置したことを特徴とする。
止ウェハ回転具を構成する手段が、回転可能としたディ
スク上に、複数のウェハを載置するプレート或いは複数
のウェハを嵌め込む穴を穿設したプレートであって該ウ
ェハと同材質の成分元素を主成分とするプレートを固定
具により着脱自在に分割設置したことを特徴とする。
汚染防止ウェハ回転具を上記手段とすると、プレート成
分がイオンビームによりスパッタリングされてもウェハ
を汚染することにはならない。また、ウェハ毎に固定具
で着脱可能に固定するようにすれば異種のイオンを注入
する時ディスク交換せずプレート交換のみで良いため作
業が簡便となる。
分がイオンビームによりスパッタリングされてもウェハ
を汚染することにはならない。また、ウェハ毎に固定具
で着脱可能に固定するようにすれば異種のイオンを注入
する時ディスク交換せずプレート交換のみで良いため作
業が簡便となる。
以下、この発明の具体的実施例について図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図はこの発明にかかる汚染防止ウェハ回転具の平面
図である。この図で、１はディスクであって回転駆動装
置（図示せず）によって回転させる。２はウェハであり
前記ディスク１上に並べられる。３はプレートであって
材質はイオンビームを照射する際スパッタリングされ飛
び出した元素で前記ウェハ２を汚染しても問題とならな
い材質とする。例えば、ウェハ２がシリコンウェハの場
合、シリコン或いはIV属元素を主成分としたプレート
（SiC、SiN等）とする。また、シリコンウェハ以外の場
合でもスパッタリングによってそのウェハに飛び込む元
素が問題にならない材料を選択する。例えばウェハがゲ
ルマニゥムの場合ゲルマニゥム若しくはゲルマニゥムを
主成分とするプレートを選択し、ウェハ２がガリウムヒ
素の場合はガリウムヒ素或いはこれを主成分とするプレ
ートを選択する。
図である。この図で、１はディスクであって回転駆動装
置（図示せず）によって回転させる。２はウェハであり
前記ディスク１上に並べられる。３はプレートであって
材質はイオンビームを照射する際スパッタリングされ飛
び出した元素で前記ウェハ２を汚染しても問題とならな
い材質とする。例えば、ウェハ２がシリコンウェハの場
合、シリコン或いはIV属元素を主成分としたプレート
（SiC、SiN等）とする。また、シリコンウェハ以外の場
合でもスパッタリングによってそのウェハに飛び込む元
素が問題にならない材料を選択する。例えばウェハがゲ
ルマニゥムの場合ゲルマニゥム若しくはゲルマニゥムを
主成分とするプレートを選択し、ウェハ２がガリウムヒ
素の場合はガリウムヒ素或いはこれを主成分とするプレ
ートを選択する。
第２図は第１図の一部平面図、第３図は第２図のＡ−Ａ
矢視断面図である。
矢視断面図である。
前記プレート３には穴3aが穿設されるが、該穴3aの大き
さは前記ウェハ２のサイズに合致する大きさとする。ま
た該プレート３は前記ディスク１上に多数敷き詰めるこ
とが出来るよう分割した形状とし、隅を固定具例えばネ
ジ４で着脱自在に固定するようにする。このように該プ
レート３を分割形とするとウェハ２に異種のイオンを注
入する場合予めコンタミネーションとならないようなプ
レート３に交換することが出来るので便利である。例え
ば、シリコンウェハにボロン（Ｂ）を多量に打ち込んだ
場合この状態で次のリン（Ｐ）を打ち込むとボロンがス
パッタリングされて汚染源となり汚染されるが、ボロン
を打ち終えた時点でプレート３も交換すればこのような
事態を防止することが出来る。また、多量のウェハ２に
同種のイオンを同時に注入処理する場合は円形状プレー
ト３としウェハサイズに合致する穴3aを穿設しても良
い。
さは前記ウェハ２のサイズに合致する大きさとする。ま
た該プレート３は前記ディスク１上に多数敷き詰めるこ
とが出来るよう分割した形状とし、隅を固定具例えばネ
ジ４で着脱自在に固定するようにする。このように該プ
レート３を分割形とするとウェハ２に異種のイオンを注
入する場合予めコンタミネーションとならないようなプ
レート３に交換することが出来るので便利である。例え
ば、シリコンウェハにボロン（Ｂ）を多量に打ち込んだ
場合この状態で次のリン（Ｐ）を打ち込むとボロンがス
パッタリングされて汚染源となり汚染されるが、ボロン
を打ち終えた時点でプレート３も交換すればこのような
事態を防止することが出来る。また、多量のウェハ２に
同種のイオンを同時に注入処理する場合は円形状プレー
ト３としウェハサイズに合致する穴3aを穿設しても良
い。
この発明にかかる汚染防止ウェハ回転具を以上のように
構成すると、イオンビームにより該プレートの元素がス
パッタリングされてもウェハを汚染することにはならな
い。また、ウェハ毎にネジで着脱可能に固定するように
すれば異種のイオンを注入する時プレート交換が極めて
簡単となる。
構成すると、イオンビームにより該プレートの元素がス
パッタリングされてもウェハを汚染することにはならな
い。また、ウェハ毎にネジで着脱可能に固定するように
すれば異種のイオンを注入する時プレート交換が極めて
簡単となる。
この発明にかかる汚染防止ウェハ回転具は以上のようで
あるが、変形例としてAl板やその他の金属板に１μｍ程
度のウェハと同一の元素を主成分とするコーティング処
理のプレートを取付けても同様な結果が得られる。これ
はスパッタリングされる元素が表面付近に限定されるた
めである。更にプレートの形状としては第４図に示すよ
うにリング状としても良いし、第５図の断面図で示すよ
うにウェハ２の下に敷き詰める形状としても良い。
あるが、変形例としてAl板やその他の金属板に１μｍ程
度のウェハと同一の元素を主成分とするコーティング処
理のプレートを取付けても同様な結果が得られる。これ
はスパッタリングされる元素が表面付近に限定されるた
めである。更にプレートの形状としては第４図に示すよ
うにリング状としても良いし、第５図の断面図で示すよ
うにウェハ２の下に敷き詰める形状としても良い。
この発明にかかる汚染防止ウェハ回転具は以上詳述した
ような構成としたので、汚染防止用のウェハ回転具とし
て従来より簡単な構造とすることが出来、大掛かりなコ
ーティング処理が不要となる。また、多量にイオン注入
を行ってもプレート交換にて対処すれば汚染防止可能と
なる。更に、Si半導体、III−Ｖ属化合物半導体それぞ
れの場合に応じてプレート材質を変えることによりコン
タミネーション防止対策が可能となる。
ような構成としたので、汚染防止用のウェハ回転具とし
て従来より簡単な構造とすることが出来、大掛かりなコ
ーティング処理が不要となる。また、多量にイオン注入
を行ってもプレート交換にて対処すれば汚染防止可能と
なる。更に、Si半導体、III−Ｖ属化合物半導体それぞ
れの場合に応じてプレート材質を変えることによりコン
タミネーション防止対策が可能となる。
第１図はこの発明にかかる汚染防止ウェハ回転具の平面
図、第２図は第１図の一部平面図、第３図は第２図のＡ
−Ａ矢視断面図、第４図（ａ）はリング状としたこの発
明にかかるプレートにウェハを嵌めた場合の一部平面
図、同図（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面巣、第５図は
ウェハの下にこの発明にかかるプレートを敷き詰めるよ
うにした場合の変形実施例の断面図、第６図は従来の汚
染防止ウェハ回転具の一部平面図で第７図は第６図のＣ
−Ｃ矢視断面図である。 １……ディスク、２……ウェハ、３……プレート 3a……穴、４……ネジ
図、第２図は第１図の一部平面図、第３図は第２図のＡ
−Ａ矢視断面図、第４図（ａ）はリング状としたこの発
明にかかるプレートにウェハを嵌めた場合の一部平面
図、同図（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ矢視断面巣、第５図は
ウェハの下にこの発明にかかるプレートを敷き詰めるよ
うにした場合の変形実施例の断面図、第６図は従来の汚
染防止ウェハ回転具の一部平面図で第７図は第６図のＣ
−Ｃ矢視断面図である。 １……ディスク、２……ウェハ、３……プレート 3a……穴、４……ネジ
Claims (1)
- 【請求項１】回転可能としたディスク上に、複数のウェ
ハを載置するプレート或いは複数のウェハを嵌め込む穴
を穿設したプレートであって該ウェハと同材質の成分元
素を主成分とするプレートを固定具により着脱自在に分
割設置したことを特徴とする汚染防止ウェハ回転具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144008A JPH0678584B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 汚染防止ウェハ回転具 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2144008A JPH0678584B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 汚染防止ウェハ回転具 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0436467A JPH0436467A (ja) | 1992-02-06 |
| JPH0678584B2 true JPH0678584B2 (ja) | 1994-10-05 |
Family
ID=15352172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2144008A Expired - Lifetime JPH0678584B2 (ja) | 1990-05-31 | 1990-05-31 | 汚染防止ウェハ回転具 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0678584B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2573028Y2 (ja) * | 1991-12-04 | 1998-05-28 | 住友イートンノバ株式会社 | イオン注入装置用ディスク |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126472A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-04 | Sony Corp | |
| JPH01283932A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Seiko Epson Corp | ドライエッチング装置 |
-
1990
- 1990-05-31 JP JP2144008A patent/JPH0678584B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5126472A (ja) * | 1974-08-29 | 1976-03-04 | Sony Corp | |
| JPH01283932A (ja) * | 1988-05-11 | 1989-11-15 | Seiko Epson Corp | ドライエッチング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0436467A (ja) | 1992-02-06 |
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