JPS61131512A - 可変式電子部品 - Google Patents
可変式電子部品Info
- Publication number
- JPS61131512A JPS61131512A JP25314884A JP25314884A JPS61131512A JP S61131512 A JPS61131512 A JP S61131512A JP 25314884 A JP25314884 A JP 25314884A JP 25314884 A JP25314884 A JP 25314884A JP S61131512 A JPS61131512 A JP S61131512A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shaft
- center plate
- hole
- substrate
- electronic component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Rotary Switch, Piano Key Switch, And Lever Switch (AREA)
- Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半田付けや洗浄への対応について考慮された可
変式電子部品に関するものである。
変式電子部品に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、可変式電子部品は回路基板への実装工程における
半田付けや洗浄に対応可能であり、信頼性の高い経済的
なものが要望されている。
半田付けや洗浄に対応可能であり、信頼性の高い経済的
なものが要望されている。
以下5図面を参照しながら、従来の可変式電子部品につ
いて説明する。
いて説明する。
第1図、第2図はそれぞれ従来の可変式電子部品につい
て可変抵抗器を例に示す上面図と縦断面図である。第3
図は基板の上面図である。第4図a、第4図すはそれぞ
れ摺動子の上面図と正面図である。これらの図において
、1は絶縁材料からなる基板で、第3図に示すように中
央に貫通孔1aが設けられ、その貫通孔14の周囲に両
端がそれぞれ電極3に接続された馬蹄形の抵抗体皮膜2
が形成され、電極3にはそれぞれ端子7か接続されてい
る。4は導電性の中央板で、絞り部4bが周状に突出し
て形成されており、前記絞り部4bの底部4Cの中央に
貫通孔4!Lが設けられていると共に前記基板1を固定
用爪4d、4eで固定している。6は導電性の摺動子で
、第4図に示すように中心に貫通孔5aが設けられた取
付部5bが中央に位置し、バネ性を有し、その先端に前
記基板1の前記抵抗体皮膜2に圧接する接点scl設け
た圧接腕6dが前記取付部6bを取り巻くように設けら
れ、また前記取付部6bの前記貫通孔5aの周囲に沿っ
て4箇所に中心に向って突出した爪部SOが設けられて
いる。eは絶縁材料からなる軸で、前記中央板4の前記
絞り部4bが前記基板1の貫通孔に挿入され、前記中央
板41 の絞り部4bの底部4C上に前記
摺動子6を、前記中央板40貫通孔4aと前記摺動子6
の貫通孔52Lとが同軸上になるように載置した後、前
記中央板4の貫通孔4&と前記摺動子6の貫通孔6aと
全前記軸6が貫通して、前記中央板4に嵌合するように
樹脂等により一体成形され、前記中央板4に対して回転
自在となるように設けられている。
て可変抵抗器を例に示す上面図と縦断面図である。第3
図は基板の上面図である。第4図a、第4図すはそれぞ
れ摺動子の上面図と正面図である。これらの図において
、1は絶縁材料からなる基板で、第3図に示すように中
央に貫通孔1aが設けられ、その貫通孔14の周囲に両
端がそれぞれ電極3に接続された馬蹄形の抵抗体皮膜2
が形成され、電極3にはそれぞれ端子7か接続されてい
る。4は導電性の中央板で、絞り部4bが周状に突出し
て形成されており、前記絞り部4bの底部4Cの中央に
貫通孔4!Lが設けられていると共に前記基板1を固定
用爪4d、4eで固定している。6は導電性の摺動子で
、第4図に示すように中心に貫通孔5aが設けられた取
付部5bが中央に位置し、バネ性を有し、その先端に前
記基板1の前記抵抗体皮膜2に圧接する接点scl設け
た圧接腕6dが前記取付部6bを取り巻くように設けら
れ、また前記取付部6bの前記貫通孔5aの周囲に沿っ
て4箇所に中心に向って突出した爪部SOが設けられて
いる。eは絶縁材料からなる軸で、前記中央板4の前記
絞り部4bが前記基板1の貫通孔に挿入され、前記中央
板41 の絞り部4bの底部4C上に前記
摺動子6を、前記中央板40貫通孔4aと前記摺動子6
の貫通孔52Lとが同軸上になるように載置した後、前
記中央板4の貫通孔4&と前記摺動子6の貫通孔6aと
全前記軸6が貫通して、前記中央板4に嵌合するように
樹脂等により一体成形され、前記中央板4に対して回転
自在となるように設けられている。
この時、前記摺動子6の取付部5bの爪部6eが前記軸
6内に埋設され、前記摺動子6は前記軸6と共回りする
ようになっている。また、前記軸6の両端にそれぞれ操
作用溝6aおよび6bが形成されている。
6内に埋設され、前記摺動子6は前記軸6と共回りする
ようになっている。また、前記軸6の両端にそれぞれ操
作用溝6aおよび6bが形成されている。
以上のように構成された可変抵抗器について、以下その
動作を説明する。
動作を説明する。
まず、ドライバー等の治具を軸6の操作用溝e&か6b
に嵌合させて前記軸6を回動させることにより、前記軸
6と共回りする摺動子6が回動して中央板4と端子7間
で所望の抵抗値が得られる。
に嵌合させて前記軸6を回動させることにより、前記軸
6と共回りする摺動子6が回動して中央板4と端子7間
で所望の抵抗値が得られる。
しかしながら、前記のような構成では、防塵構造でない
ことは言うまでもなく、回路基板への実装工程の半田付
けの際に使用するフラックス等の影響を受は易いという
欠点上布していた。
ことは言うまでもなく、回路基板への実装工程の半田付
けの際に使用するフラックス等の影響を受は易いという
欠点上布していた。
発明の目的
本発明は前記欠点に鑑み、防塵構造であることは言うま
でもなく、半田付けや洗浄について考慮された略密封構
造の可変式電子部品を提供するものである。
でもなく、半田付けや洗浄について考慮された略密封構
造の可変式電子部品を提供するものである。
発明の構成
この目的を達成するために本発明の可変式電子部品は、
貫通孔を有する基板と、突出して周状に形成された絞り
部の底部の中央に貫通孔が設けられ、前記絞り部が前記
基板の貫通孔に挿入され前記基板を固定した中央板と、
前記中央板の絞り部の底部の貫通孔を貫通して前記中央
板に対して脱落不能且つ可動可能に設けられている軸と
、前記中央板の絞り部と前記軸とに周接密着して配設さ
れているリング状のリング体と、一方に開口部が形成さ
れているケースとからなり、前記軸と前記リング体と前
記中央板と組合わされた前記基板が、前記ケースの開口
部を封止するように配設されていることから構成してお
り、この構成たよって可変式電子部品内部を略密封状態
に保持することができることとなる。
貫通孔を有する基板と、突出して周状に形成された絞り
部の底部の中央に貫通孔が設けられ、前記絞り部が前記
基板の貫通孔に挿入され前記基板を固定した中央板と、
前記中央板の絞り部の底部の貫通孔を貫通して前記中央
板に対して脱落不能且つ可動可能に設けられている軸と
、前記中央板の絞り部と前記軸とに周接密着して配設さ
れているリング状のリング体と、一方に開口部が形成さ
れているケースとからなり、前記軸と前記リング体と前
記中央板と組合わされた前記基板が、前記ケースの開口
部を封止するように配設されていることから構成してお
り、この構成たよって可変式電子部品内部を略密封状態
に保持することができることとなる。
実施例の説明
以下、本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第6図、第6図はそれぞれ本発明の一実施例における可
変式電子部品を可変抵抗器に採用した例を示す上面図と
縦断面図である。l/!J7図、第8図はそれぞれga
図、1$6図におけるケースと組合わせる前の上面図と
縦断面図である。第9図、第10図はそれぞれ基板と中
央板と端子を組合わせた縦断面図と下面図である。第1
1図は基板の下面図である。第12図はリング体の上面
図である。
変式電子部品を可変抵抗器に採用した例を示す上面図と
縦断面図である。l/!J7図、第8図はそれぞれga
図、1$6図におけるケースと組合わせる前の上面図と
縦断面図である。第9図、第10図はそれぞれ基板と中
央板と端子を組合わせた縦断面図と下面図である。第1
1図は基板の下面図である。第12図はリング体の上面
図である。
これらの図において、11は絶縁材料からなる基板で、
第11図に示すように中央に貫通孔11&が設けられ、
この貫通孔11aの周囲に両端がそれぞれ電極13に接
続された馬蹄形の抵抗体皮膜12が形成され、第10図
に示すように前記電極13にはそれぞれ半田10により
端子17が接続されている。14は導電性の中央板で、
絞り部14bが周状に突出して形成されており、前記絞
り部14bの底部14Cの中央に貫通孔14Lが設けら
れていると共に前記基板11全固定用爪14d、14e
で固定している。16は導電性の摺動子で、従来例にお
いて第4図で説明゛した摺動子6と同様なもので、16
aは貫通孔で、15bは取付部で、15Cは接点で、圧
接腕、爪部が設けられている。18はゴムにより形成さ
れているリング状のり/グ体で、前記中央板14の前記
絞り部14bに挿入されている。16は絶縁材料からな
り、一端に操作用溝16aが形成されている軸で、前記
中央板14の前記絞り部14bが前記基板11の貫通孔
11&に挿入され、前記中央板14の絞り部14bの底
部140と接触するように前記摺動子15を、前記中央
板14の貫通孔14Lと前記摺動子16の貫通孔16&
とが同軸上になるように配設した後、前記中央板140
貫通孔14aと前記摺動子15の貫通孔152Lとを前
記軸16が貫通して、前記中央板14に嵌合するように
樹脂等により一体成形され、前記中央板14に対して脱
落不能且つ回転自在となるように設けられている。この
時、前記摺動子16は前記@16と共回りするようにな
っており、前記中央板14の絞り部14b内に配設され
た前記リング体18は、前記中央板14の絞り部14と
前記軸16とに周接密着するようになりでいる。19は
絶縁材料からなり、一方に開口部19aが形成されてい
るケースで、前記中央板14と前記リング体18と前記
軸16と前記摺動子16と組合わされた前記基板11が
、前記摺動子16を前記ケース19の開口部19&内に
挿入する方向から前記ケース19の開口部19aLt−
封止するように組合わせた鎌、前記ケース19の前記開
口部19乙の一部を前記基板11側へかしめてかしめ部
19b全形成し1前記基板11と前記ケース19とが仮
固定される。さらに、前記軸16を除き前記基板11と
前記ケース19とに接着剤2ot−適宜に配設し、前記
基板11と前記ケース19とを固定し、前記ケース19
の前記開口部19&i密封している。
第11図に示すように中央に貫通孔11&が設けられ、
この貫通孔11aの周囲に両端がそれぞれ電極13に接
続された馬蹄形の抵抗体皮膜12が形成され、第10図
に示すように前記電極13にはそれぞれ半田10により
端子17が接続されている。14は導電性の中央板で、
絞り部14bが周状に突出して形成されており、前記絞
り部14bの底部14Cの中央に貫通孔14Lが設けら
れていると共に前記基板11全固定用爪14d、14e
で固定している。16は導電性の摺動子で、従来例にお
いて第4図で説明゛した摺動子6と同様なもので、16
aは貫通孔で、15bは取付部で、15Cは接点で、圧
接腕、爪部が設けられている。18はゴムにより形成さ
れているリング状のり/グ体で、前記中央板14の前記
絞り部14bに挿入されている。16は絶縁材料からな
り、一端に操作用溝16aが形成されている軸で、前記
中央板14の前記絞り部14bが前記基板11の貫通孔
11&に挿入され、前記中央板14の絞り部14bの底
部140と接触するように前記摺動子15を、前記中央
板14の貫通孔14Lと前記摺動子16の貫通孔16&
とが同軸上になるように配設した後、前記中央板140
貫通孔14aと前記摺動子15の貫通孔152Lとを前
記軸16が貫通して、前記中央板14に嵌合するように
樹脂等により一体成形され、前記中央板14に対して脱
落不能且つ回転自在となるように設けられている。この
時、前記摺動子16は前記@16と共回りするようにな
っており、前記中央板14の絞り部14b内に配設され
た前記リング体18は、前記中央板14の絞り部14と
前記軸16とに周接密着するようになりでいる。19は
絶縁材料からなり、一方に開口部19aが形成されてい
るケースで、前記中央板14と前記リング体18と前記
軸16と前記摺動子16と組合わされた前記基板11が
、前記摺動子16を前記ケース19の開口部19&内に
挿入する方向から前記ケース19の開口部19aLt−
封止するように組合わせた鎌、前記ケース19の前記開
口部19乙の一部を前記基板11側へかしめてかしめ部
19b全形成し1前記基板11と前記ケース19とが仮
固定される。さらに、前記軸16を除き前記基板11と
前記ケース19とに接着剤2ot−適宜に配設し、前記
基板11と前記ケース19とを固定し、前記ケース19
の前記開口部19&i密封している。
以上のように構成された可変抵抗器について、以下その
動作を説明する。
動作を説明する。
まず、ドライバー等の治具を軸16の操作用溝16&に
嵌合させて前記軸16全回動させることによバ前記軸1
6と共回りする摺動子16が回動して中央板14と端子
17間で・所望の抵抗値が得られる。
嵌合させて前記軸16全回動させることによバ前記軸1
6と共回りする摺動子16が回動して中央板14と端子
17間で・所望の抵抗値が得られる。
以上のように本芙施例によれば、基板11と固定された
中央板14の絞り部14b内に挿入されたリング体18
が、軸16と前記中央板14の絞り部14bとに周接密
着して配設されており、さらに前記中央板14と固定さ
れた前記基板11がケース19の開口部19aLfr、
封止するように配設されてνす、かつ前記リング体18
と前記中央板14との密着と、前記リング体18と前記
軸16との密着と、前記基板11と前記ケース19との
密封関係により、可変抵抗器内部を略密封状態に保持す
ることができる。
中央板14の絞り部14b内に挿入されたリング体18
が、軸16と前記中央板14の絞り部14bとに周接密
着して配設されており、さらに前記中央板14と固定さ
れた前記基板11がケース19の開口部19aLfr、
封止するように配設されてνす、かつ前記リング体18
と前記中央板14との密着と、前記リング体18と前記
軸16との密着と、前記基板11と前記ケース19との
密封関係により、可変抵抗器内部を略密封状態に保持す
ることができる。
なお、実施例においてはゴムにより形成されているリン
グ状のリング体18としたが、合成樹脂材料、導電性高
分子材料、または金属材料で形成されていてもよく、ま
た樹脂等により一体成形されている軸16としたが、金
属材料や導電性高分子材料で形成されていてもよい。
グ状のリング体18としたが、合成樹脂材料、導電性高
分子材料、または金属材料で形成されていてもよく、ま
た樹脂等により一体成形されている軸16としたが、金
属材料や導電性高分子材料で形成されていてもよい。
また、実施例においては可変抵抗器を例に示したが、本
発明は可変コンデンサやスイッチ等であっても同様に適
用できるものであることは言うまでもない。
発明は可変コンデンサやスイッチ等であっても同様に適
用できるものであることは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は中央板に脱落不能且つ可動可能に
設けられている軸と、前記中央板の絞り部とにリング体
が周接密着するように配設され、前記中央板と固定され
ている基板がケースを密封する構成により、防塵構造で
あることは言うまでもなく、半田付けや洗浄について考
慮された略密封型の可変式電子部品全提供することがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
設けられている軸と、前記中央板の絞り部とにリング体
が周接密着するように配設され、前記中央板と固定され
ている基板がケースを密封する構成により、防塵構造で
あることは言うまでもなく、半田付けや洗浄について考
慮された略密封型の可変式電子部品全提供することがで
き、その実用的効果は大なるものがある。
第1図、第2図はそれぞれ従来の可変式電子部品につい
て可変抵抗器七個に示す上面図と縦断面図、第3図は基
板の上面図、第4図a、1)はそれぞれ摺動子の上面図
と正面図、第5図、第6図はそれぞれ本発明の一実施例
における可変式電子部品全可変抵抗器に採用した例を示
す上面図と縦断面図、第7図、第8図はそれぞれ第5図
、Ne図におけるケースと組合わせる前記の上面図と縦
断面図、第9図、第10図はそれぞれ基板と中央板と端
子を組合わせた縦断面図と下面図、第11図は基板の下
面図、第12図はリング体の上面図である。 11・・・・・・基板、11&・・・・・・基板11の
貫通孔、12・・・・・・抵抗体皮膜、14・・・・・
・中央板、141L・・・・・・中央板14の貫通孔、
14b・・・・・・中央板14の絞り部、14o・・・
・・・絞り部14bの底部、16・・・・・・摺動子、
16a・・・・・・摺動子16の貫通孔、16C・・・
・・・摺動子16の接点、16・−・・・・軸、18・
・・・・・す/グ体、19・・・・・・ケース、19&
・・・・・・ケース19の開口部。 1 代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか1基壁 第1図 第51!1 第 7 図 第9図
て可変抵抗器七個に示す上面図と縦断面図、第3図は基
板の上面図、第4図a、1)はそれぞれ摺動子の上面図
と正面図、第5図、第6図はそれぞれ本発明の一実施例
における可変式電子部品全可変抵抗器に採用した例を示
す上面図と縦断面図、第7図、第8図はそれぞれ第5図
、Ne図におけるケースと組合わせる前記の上面図と縦
断面図、第9図、第10図はそれぞれ基板と中央板と端
子を組合わせた縦断面図と下面図、第11図は基板の下
面図、第12図はリング体の上面図である。 11・・・・・・基板、11&・・・・・・基板11の
貫通孔、12・・・・・・抵抗体皮膜、14・・・・・
・中央板、141L・・・・・・中央板14の貫通孔、
14b・・・・・・中央板14の絞り部、14o・・・
・・・絞り部14bの底部、16・・・・・・摺動子、
16a・・・・・・摺動子16の貫通孔、16C・・・
・・・摺動子16の接点、16・−・・・・軸、18・
・・・・・す/グ体、19・・・・・・ケース、19&
・・・・・・ケース19の開口部。 1 代理人の氏名 弁理士 中 尾
敏 男 ほか1基壁 第1図 第51!1 第 7 図 第9図
Claims (2)
- (1)貫通孔を有する基板と、突出して周状に形成され
た絞り部の底部の中央に貫通孔が設けられ、前記絞り部
が前記基板の貫通孔に挿入され前記基板を固定した中央
板と、前記中央板の絞り部の底部の貫通孔を貫通して前
記中央板に対して脱落不能且つ可動可能に設けられてい
る軸と、前記中央板の絞り部と前記軸とに周接密着して
配設されているリング状のリング体と、一方に開口部が
形成されているケースとからなり、前記軸と前記リング
体と前記中央板と組合わされた前記基板が、前記ケース
の開口部を封止するように配設されていることを特徴と
する可変式電子部品。 - (2)導電性の中央板の絞り部と接触し、軸と共回りす
るように配設されたバネ性を有する導電性の摺動子が、
絶縁材料よりなる基板の貫通孔の周囲に形成された抵抗
体皮膜上を摺動することを特徴とする特許請求の範囲第
(1)項記載の可変式電子部品。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25314884A JPS61131512A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 可変式電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25314884A JPS61131512A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 可変式電子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61131512A true JPS61131512A (ja) | 1986-06-19 |
Family
ID=17247186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25314884A Pending JPS61131512A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 可変式電子部品 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61131512A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6382903U (ja) * | 1986-11-19 | 1988-05-31 | ||
JPS6382902U (ja) * | 1986-11-19 | 1988-05-31 | ||
US5214002A (en) * | 1989-10-25 | 1993-05-25 | Agency Of Industrial Science And Technology | Process for depositing a thermal CVD film of Si or Ge using a hydrogen post-treatment step and an optional hydrogen pre-treatment step |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25314884A patent/JPS61131512A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6382903U (ja) * | 1986-11-19 | 1988-05-31 | ||
JPS6382902U (ja) * | 1986-11-19 | 1988-05-31 | ||
JPH0445207Y2 (ja) * | 1986-11-19 | 1992-10-23 | ||
US5214002A (en) * | 1989-10-25 | 1993-05-25 | Agency Of Industrial Science And Technology | Process for depositing a thermal CVD film of Si or Ge using a hydrogen post-treatment step and an optional hydrogen pre-treatment step |
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