JPS61128416A - Formation of transparent electrode pattern on substrate - Google Patents
Formation of transparent electrode pattern on substrateInfo
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- JPS61128416A JPS61128416A JP25088584A JP25088584A JPS61128416A JP S61128416 A JPS61128416 A JP S61128416A JP 25088584 A JP25088584 A JP 25088584A JP 25088584 A JP25088584 A JP 25088584A JP S61128416 A JPS61128416 A JP S61128416A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は基板への透明電極パターンの形成方法に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a method of forming a transparent electrode pattern on a substrate.
例えば液晶、化学発光、エレクトロクロミック、電場発
光等の表示装置では、透明基板に透明電極パターンを形
成したものが用いられている。For example, in liquid crystal, chemiluminescent, electrochromic, electroluminescent, and other display devices, a transparent substrate on which a transparent electrode pattern is formed is used.
従来、透明基板への透明電極パターンの形成は、透明基
板の両面にインクを塗布した後、エツチングにより透明
電極パターンを形成し、この後インクを除去することに
より行われている。Conventionally, a transparent electrode pattern is formed on a transparent substrate by applying ink to both sides of the transparent substrate, forming a transparent electrode pattern by etching, and then removing the ink.
また、特開昭５６−１６８６２９号のように、いわゆる
フォトプロセスにより透明電極パターンを形成すること
も行われているが、この場合には、第４図に示すように
透明基板１の両面に形成される透明Ｎｍパターン２，３
のうち片面２のみがフォトマスク４を用いたフォトプロ
セスにより形成され、他面３は前述したインクを用いた
印刷法により形成される。Furthermore, as in JP-A-56-168629, transparent electrode patterns are also formed by a so-called photo process, but in this case, the patterns are formed on both sides of the transparent substrate 1 as shown in FIG. Transparent Nm patterns 2 and 3
Of these, only one side 2 is formed by a photo process using a photomask 4, and the other side 3 is formed by the printing method using the ink described above.
［背景技術の問題点コ
しかしながら、このような印刷法により透明電極パター
ンを形成するときには、印刷版やレジン厚とスクリーン
メツシュとの関係で透明電極パターンの直線性が失われ
、微細パターン化が困難であるという問題がある。[Problems in the background art] However, when forming transparent electrode patterns using such printing methods, the linearity of the transparent electrode patterns is lost due to the relationship between the printing plate, the resin thickness, and the screen mesh, resulting in fine patterning. The problem is that it is difficult.
また、この印刷法では、透明基板１の両面に形成される
透明電極パターン２，３を片面ずつ加工処理するため、
透明基板１の両面に形成される透明電極パターン２．３
の形状および位置を同一にし、いわゆるパターンずれを
解消することが困難であるという問題がある。Moreover, in this printing method, since the transparent electrode patterns 2 and 3 formed on both sides of the transparent substrate 1 are processed one side at a time,
Transparent electrode patterns 2.3 formed on both sides of the transparent substrate 1
There is a problem in that it is difficult to make the shapes and positions of the patterns the same and eliminate so-called pattern misalignment.
ざらに印刷法では、耐薬性のインクを用いるため、ピン
ホールやインク残留によるいわゆるパターン残りが発生
し、この処理に多大な工数がかかるという問題がある。Since the rough printing method uses chemical-resistant ink, so-called pattern residues occur due to pinholes and residual ink, and this process requires a large amount of man-hours.
［発明の目的］
本発明はかかる従来の事情に対処してなされたもので、
単数または複数の透明基板の複数面に形成される透明電
極パターンのパターンずれを解消することができるとと
もに、透明基板への透明電極パターンの形成に費される
工数を従来より大幅に低減することのできる基板への′
透明電極パターンの形成方法を提供しようとするもので
ある。[Object of the invention] The present invention has been made in response to such conventional circumstances,
It is possible to eliminate pattern misalignment of transparent electrode patterns formed on multiple surfaces of one or more transparent substrates, and to significantly reduce the number of man-hours required to form transparent electrode patterns on transparent substrates compared to conventional methods. To the board that can be
The present invention aims to provide a method for forming a transparent electrode pattern.
［発明の概要］
すなわち本発明は、単数または複数の透明基板の複数面
にレジスト膜を形成し前記複数面を間隔をおいて対向配
置する工程と、前記レジスト膜の形成された複数面のう
ち最前部に位置する面の前方に露光マスクを配置する工
程と、前記露光マスク前方から露光光を照射することに
より前記複数面に形成されるレジスト膜を同時に露光す
る工程と、前記露光されたレジスト膜を現像することに
より前記複数面上にほぼ同一形状の透明電極パターンを
形成する工程とからなることを特徴とする基板への透明
電極パターンの形成方法である。[Summary of the Invention] That is, the present invention includes a step of forming a resist film on a plurality of surfaces of a single or plural transparent substrates and arranging the plurality of surfaces facing each other at intervals; a step of arranging an exposure mask in front of a surface located at the forefront; a step of simultaneously exposing resist films formed on the plurality of surfaces by irradiating exposure light from the front of the exposure mask; and a step of simultaneously exposing the resist film formed on the plurality of surfaces. A method for forming a transparent electrode pattern on a substrate, comprising the step of forming transparent electrode patterns having substantially the same shape on the plurality of surfaces by developing the film.
［発明の実施例］ 以下本発明方法の詳細を図面を用いて説明する。[Embodiments of the invention] The details of the method of the present invention will be explained below with reference to the drawings.
実施例１
この実施例では、まず第１図に示すように、透明基板１
の能面および後面に前面レジストｌｌ１５および後面レ
ジスト膜６が形成される。ｎａ面レしス ゛ト膜５およ
び後面レジスト１１６は、例えばポジ型フォトレジスト
をスピンコード、ローラコート、ディップコート等によ
り約２μｌの厚さに塗布し、乾燥することにより形成さ
れる。この後、前面レジスト膜５の前方に密着あるいは
近接して配置される露光マスク７前方から露光光８を照
射することにより前面レジスト膜５および後面レジスト
膜６の露光が同時に行なわれる。Example 1 In this example, first, as shown in FIG.
A front resist 115 and a rear resist film 6 are formed on the Noh side and the rear side. The na-side resist film 5 and the back-side resist 116 are formed, for example, by applying a positive photoresist to a thickness of about 2 μl by spin cord, roller coating, dip coating, etc., and drying it. Thereafter, the front resist film 5 and the rear resist film 6 are simultaneously exposed by irradiating exposure light 8 from the front of an exposure mask 7 which is placed in close contact with or close to the front of the front resist film 5.
ここで透明電極パターン２．３のパターン寸法が設計さ
れた寸法になる露光量（適正露光口という）を、例えば
１００秒・ｍｗ／ｃｊとし、透明電極パターンのパター
ン寸法が許容される寸法ばらつき内になる露光量（以下
許容露光量という）の範囲を一３０％〜＋１５０％とし
、また入射光が前面レジスト膜５あるいは透明基板１で
反射吸収され後面レジスト膜６まで透過する率を８０％
とすると、前面レジスト１１５側より適正露光量で露光
すると後面レジスト膜６の露光量は許容露光量範囲の一
２０％となり、適正露光量により前面レジスト膜５およ
び後面レジスト膜６を露光することができる。Here, the exposure amount at which the pattern dimensions of the transparent electrode pattern 2.3 become the designed dimensions (referred to as the appropriate exposure aperture) is, for example, 100 seconds mw/cj, and the pattern dimension of the transparent electrode pattern is within the allowable dimensional variation. The range of the exposure amount (hereinafter referred to as allowable exposure amount) is set to -30% to +150%, and the rate at which the incident light is reflected and absorbed by the front resist film 5 or the transparent substrate 1 and transmitted to the rear resist film 6 is set to 80%.
Then, when the front resist film 115 side is exposed with an appropriate exposure amount, the exposure amount of the rear resist film 6 becomes 120% of the allowable exposure amount range, and the front resist film 5 and the rear resist film 6 can be exposed with the appropriate exposure amount. can.
また、透過率を５０％とすると、後面レジスト１１６の
露光量は許容露光量を外れ、約２倍の露光量が必要とな
るが、このときには前面レジスト膜５をその許容露光量
である２００秒・ＩＩＷ／ ｃぜで露光することにより
後面レジスト膜６の露光量は１００秒・ＩＩＷ／ ｄと
なり、許容露光量範囲となる。Further, when the transmittance is 50%, the exposure amount of the rear resist film 116 is outside the allowable exposure amount and approximately twice the exposure amount is required. - By exposing at IIW/c, the exposure amount of the rear resist film 6 becomes 100 seconds/IIW/d, which is within the allowable exposure amount range.
すなわち、普通に用いられる約１〜５μ県の厚さのレジ
スト膜では、９％〜８０％前後の光が透過するため、そ
の透過光を有効に利用することにより、前面レジスト膜
５および後面レジスト膜６を同時に露光することができ
る。In other words, a commonly used resist film with a thickness of about 1 to 5 μm transmits about 9% to 80% of the light, so by effectively utilizing the transmitted light, the front resist film 5 and the back resist film 5 can be The membrane 6 can be exposed at the same time.
このような露光工程の後、レジスト膜の現像、エツチン
グ、レジスト除去等が行なわれる。これらの作業では前
面レジスト膜５および後面レジスト膜６の処理を同時に
行なうことができる。After such an exposure step, development of the resist film, etching, resist removal, etc. are performed. In these operations, the front resist film 5 and the rear resist film 6 can be processed simultaneously.
実施例２
この実施例は前面レジスト膜５および後面レジスト膜６
のレジスト膜の種類、レジスト膜厚が同一では前述した
許容露光量範囲に入らないときに後面レジスト膜６を薄
くし、後面レジスト膜６の許容露光ｆｆｉ［囲を変える
ことにより透明電極パターン２．３の寸法を許容される
寸法範囲内にすることを特徴としている。Example 2 This example uses a front resist film 5 and a rear resist film 6.
If the resist film type and resist film thickness are the same and the exposure dose range is not within the above-mentioned allowable exposure range, the rear resist film 6 is made thinner and the transparent electrode pattern 2. The feature is that the dimension No. 3 is within the permissible dimension range.
すなわち、例えば適正露光量を１００秒・ｍｗ／ｃｉと
し、許容露光量範囲を一２０％〜＋５０％とし、透過率
を５０％とすると、前面レジスト膜５の露光量を１５０
秒・ＩＩＷ／ ｄとしても後面レジスト膜６の露光量は
７５秒・１１９１／ｃｉとなり、許容露光量範囲を−５
％越えることとなる。That is, for example, if the appropriate exposure amount is 100 seconds mw/ci, the allowable exposure amount range is -20% to +50%, and the transmittance is 50%, then the exposure amount of the front resist film 5 is 150%.
The exposure amount of the rear resist film 6 is 75 seconds/1191/ci even if it is seconds・IIW/d, and the allowable exposure amount range is -5
%.
このようなときには、後面レジスト膜６の厚みを例えば
約１／２の１μｍにすると、後面レジスト膜６の適正露
光量が１／２となり、前面レジスト膜５を適正露光ｍ１
ｏｏ秒・ｔａｗ／ｃｉで露光しても後面レジスト膜６を
適正露光ｍの５０秒・ｍｗ／ｃ７で露光することができ
る。なお、ここでレジスト膜の種類が同一の場合には、
前面レジストＩＩ ５の厚みと後面レジスト膜６の厚み
との比は、はぼ前面レジスト膜５の適正露光量と後面レ
ジスト膜６の適正露光量との比に等しくなる。In such a case, if the thickness of the rear resist film 6 is reduced to approximately 1/2, for example, 1 μm, the appropriate exposure amount of the rear resist film 6 will be reduced to 1/2, and the proper exposure amount of the front resist film 5 will be reduced to m1.
Even when exposed at 00 seconds.taw/ci, the rear resist film 6 can be exposed at a proper exposure time of 50 seconds.mw/c7. Note that if the types of resist films are the same,
The ratio between the thickness of the front resist film 5 and the thickness of the rear resist film 6 is approximately equal to the ratio between the appropriate exposure amount of the front resist film 5 and the appropriate exposure amount of the rear resist film 6.
実施例３
この実施例は、前面レジスト膜５および後面レジストＰ
Ａ６の種類、膜厚が同一では、許容露光量範囲に入らな
いときに後面レジストＩ！！６に感度の高いものを用い
、後面レジスト膜６の許容露光量範囲を変えることによ
り、透明電極パターン２゜３の寸法を許容された範囲内
とすることを特徴としている。Example 3 In this example, the front resist film 5 and the rear resist film P
If the A6 type and film thickness are the same, the back resist I! ! By using a highly sensitive resist film 6 and changing the allowable exposure range of the rear resist film 6, the dimensions of the transparent electrode pattern 2.3 can be made within the permissible range.
適正露光量、許容露光量範囲および透過率を実施例２と
同様とし、後面レジストＩｌ！６にレジスト感度の約２
倍のものを用いると、後面レジスト膜６の適正露光量が
１／２となり、後面レジスト膜６を適正露光量の１００
秒・ｍｗ／ ｄで露光することにより前面レジスト１１
５を適正露光量の５０秒・ｍｖ／ｃｄで露光することが
できる。The appropriate exposure amount, allowable exposure amount range, and transmittance were the same as in Example 2, and the rear resist Il! 6 to about 2 of resist sensitivity
If twice the amount of light is used, the appropriate exposure amount of the rear resist film 6 will be 1/2, and the rear resist film 6 will be exposed to 100% of the appropriate exposure amount.
The front resist 11 is exposed by exposure at sec.mw/d.
5 can be exposed at an appropriate exposure amount of 50 seconds mv/cd.
なお、ここで前面レジストｌｌ１５のレジスト感度に前
面レジスト族５の適正露光量を乗じた値は、後面レジス
ト膜６のレジスト感度に前面レジスト膜５の適正露光量
を乗じた値にほぼ等しいという関係が成立する。Note that the value obtained by multiplying the resist sensitivity of the front resist film 115 by the appropriate exposure amount of the front resist group 5 is approximately equal to the value obtained by multiplying the resist sensitivity of the rear resist film 6 by the appropriate exposure amount of the front resist film 5. holds true.
なお、以上述べた実施例では、それぞれ透明基板１の両
面に前面レジスト膜５および後面レジストｇ！６を形成
した例について説明したが、本発明はかかる実施例に限
定されるものではなく、例えば第２図に示すように、透
明基板１の片面のみにレジスト膜９を形成された透明基
板１を多段に重ねてそれぞれのレジスト膜９を同時に露
光することも可能である。In the embodiments described above, the front resist film 5 and the rear resist film g! are formed on both sides of the transparent substrate 1, respectively. 6 has been described, the present invention is not limited to such an embodiment. For example, as shown in FIG. It is also possible to stack the resist films 9 in multiple stages and expose each resist film 9 at the same time.
また、第３図に示すように、透明基板１の片面のみにレ
ジスト膜９を形成された透明基板１をレジストＩＩ！
９が対向するように多段に重ね同時に露光することも可
能である。Further, as shown in FIG. 3, a transparent substrate 1 having a resist film 9 formed only on one side of the transparent substrate 1 is used as a resist II!
It is also possible to stack them in multiple stages so that they face each other and expose them simultaneously.
［発明の効果］
以上述べたように本発明の基板への透明電極パターンの
形成方法では、単数または複数の透明基板の複数面に形
成されるレジスト膜を同時に露光するため、透明電極パ
ターンのパターンずれを従来より大幅に低減することが
できる。[Effects of the Invention] As described above, in the method for forming a transparent electrode pattern on a substrate of the present invention, the resist film formed on multiple surfaces of one or more transparent substrates is exposed simultaneously, so that the pattern of the transparent electrode pattern is The deviation can be significantly reduced compared to the conventional method.
また、現像、エツチング、レジスト剥離等を各面周時に
行なうことができるため、従来より大幅に工数を低減す
ることができる。Further, since development, etching, resist peeling, etc. can be performed at the time of each surface circumference, the number of man-hours can be significantly reduced compared to the conventional method.
第１図は本発明の基板への透明電極パターンの形成方法
の一実施例を説明するための縦断面図、第２図および第
３図は本発明の詳細な説明するための縦断面図、第４図
は従来の基板への透明電極パターンの形成方法を説明す
るための縦断面図である。
１・・・・・・・・・・・・透明基板
７・・・・・・・・・・・・露光マスク５・・・・・・
・・・・・・前面レジスト膜６・・・・・・・・・・・
・後面レジスト膜９・・・・・・・・・・・・レジスト
膜第１ 図
第３図
第２図FIG. 1 is a longitudinal cross-sectional view for explaining an embodiment of the method of forming a transparent electrode pattern on a substrate according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are longitudinal cross-sectional views for explaining the present invention in detail, FIG. 4 is a longitudinal sectional view for explaining a conventional method of forming a transparent electrode pattern on a substrate. 1......Transparent substrate 7...Exposure mask 5...
...Front resist film 6...
- Rear resist film 9...Resist film 1 Figure 3 Figure 2
Claims (3)
を形成し前記複数面を間隔をおいて対向配置する工程と
、前記レジスト膜の形成された複数面のうち最前部に位
置する面の前方に露光マスクを配置する工程と、前記露
光マスク前方から露光光を照射することにより前記複数
面に形成されるレジスト膜を同時に露光する工程と、前
記露光されたレジスト膜を現像することにより前記複数
面上にほぼ同一形状の透明電極パターンを形成する工程
とからなることを特徴とする基板への透明電極パターン
の形成方法。(1) A step of forming a resist film on a plurality of surfaces of one or more transparent substrates and arranging the plurality of surfaces facing each other at intervals; a step of arranging an exposure mask in front; a step of simultaneously exposing the resist films formed on the plurality of surfaces by irradiating exposure light from the front of the exposure mask; and developing the exposed resist film. 1. A method for forming a transparent electrode pattern on a substrate, comprising the step of forming transparent electrode patterns having substantially the same shape on a plurality of surfaces.
よりも後方に位置する面のレジスト膜厚を薄くしたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の基板への透明
電極パターンの形成方法。(2) A transparent electrode for a substrate according to claim 1, characterized in that the resist film thickness on a rearmost surface of the plurality of surfaces is made thinner than the resist film thickness on a frontmost surface. How to form a pattern.
感度よりも後方に位置する面のレジスト膜の感度を高く
したことを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載の基板への透明電極パターンの形成方法。(3) Claims 1 or 2 characterized in that the sensitivity of the resist film on a surface located at the rear of the plurality of surfaces is made higher than the sensitivity of the resist film on the surface located at the forefront.
A method for forming a transparent electrode pattern on a substrate as described in 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25088584A JPS61128416A (en) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | Formation of transparent electrode pattern on substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25088584A JPS61128416A (en) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | Formation of transparent electrode pattern on substrate |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128416A true JPS61128416A (en) | 1986-06-16 |
Family
ID=17214463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25088584A Pending JPS61128416A (en) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | Formation of transparent electrode pattern on substrate |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128416A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052838A (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 凸版印刷株式会社 | Transparent conductive laminate, touch panel and manufacturing method of transparent conductive laminate |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP25088584A patent/JPS61128416A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015052838A (en) * | 2013-09-05 | 2015-03-19 | 凸版印刷株式会社 | Transparent conductive laminate, touch panel and manufacturing method of transparent conductive laminate |
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