JPS61127867A - ポリアリーレン　スルフイド基板のめつき方法 - Google Patents

ポリアリーレン　スルフイド基板のめつき方法

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JPS61127867A
JPS61127867A JP60258421A JP25842185A JPS61127867A JP S61127867 A JPS61127867 A JP S61127867A JP 60258421 A JP60258421 A JP 60258421A JP 25842185 A JP25842185 A JP 25842185A JP S61127867 A JPS61127867 A JP S61127867A
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arylene sulfide
plating
laser
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ジヨン　エバラード　レランド
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 背　　景 本発明は、ポリ（アリーレンスルフィド）基板とその上
のコーティングとの間の接着に関する。
本発明の他の態様では、本発明は、ポリ（アリーレンス
ルフイド）基板のめつきに関する。さらに別の態様では
、本発明はポリ（アリーレンスルフィド）基板の導電性
金属によるめっきに関する。
ポリ（アリーレンスルフィｒ）は、それらの高温度での
安定性および各種の薬品に対する耐性の几めに広い範囲
の用途を有するプラスチック物質である。若干の応用の
ためには、メリマー表面に良好な接着性を発揮するポリ
（アリーレンスルフィド）表面に導電性金属コーテング
を付与することがときどき望ましい。かようなめつきは
、ポリント回路板（Ｐｒ１ｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ　
ｂｏａｒｄ　）の製造用に有用である。
ポリント回路板は、今日非常に実質的かつ急速に生長し
つつある市場である。例えばこれらは、通信、計測器、
制御装置、軍用、宇宙空間および事務用途に使用するこ
とができる。銅クラツド積層板以外のポリント回路板は
、典型的にはエポキシまたはフェノール系化合物もしく
は若干の他の熱安定性誘電性樹脂に例えば銅のような導
電性金属をめっきすることによって製造されている。こ
の目的のために、ポリエステルおよびポリアミドの可撓
性フィルムへのめつきも公知である。ポリント回路板の
首尾よい生産は、複雑かつ精巧な技術であり、急速に進
展しているが、その発展の思春期を越えて行かねばなら
ない段階である。
当業界で公知の加工技術には、一般に、控除法（５１１
ｂｔｒａｃｔｉｖｅ　ｍｅｔｈｏｄ　）　、半添加剤法
、添加剤法と称される方法およびこれらの改良法並びに
変法が含まれる。
これらの板（すなわち、エポキシ樹脂、フェノール樹脂
など）の導電性金属による無電解めっき法は、すべての
方法の極めて重要な部分である。
前記の板上に導電性金属の層を無電群電着させた後に、
該板は典型的には層の厚さを増加させるために慣用の電
気めっき法によってさらに導電性金属のめっきが追加さ
れる。
最終生成物の成功のために絶対的に必須なことは、導電
性金属〔加工後にはこれが回路図（Ｃｕｒｃｕｉｔｒｙ
　）となる〕カ板（スナワチ、エポキシ樹脂、フェノー
ル樹脂など）に対してすぐれた接着性があることである
。満足な接着性の不存在下では、その回路図は、その構
造上の団結性を失い、ポリント回路板は目的とする機能
を果すことができない。当業者は、ポリント回路板の製
造に使用できる新しい物質の発見に努力している。良好
な接着性が得られ、しかも、ポリント回路板に必要とさ
れる他の特質（例えば高温度耐性のような）を有する物
質を発見することがこの目標である。
ポリ（フェニレンスルフィド）は、これらの特質（例え
ば、高温度耐性のような）の多くを有するが、当業者に
はこの物質のポリント回路板への適用は限定された範囲
内では好適と見做されており、従来技術の方法の使用に
よってはポリ（フェニレンスルフィｒ）表面に導電性金
属の良好な接着が得られないことが見出されている。
本発明の目的 本発明の目的は、その上に付着させためつきが改善され
た接着性を有するポリ（アリーレンスルフィド）基板を
提供することである。
本発明の他の目的は、ポリ（アリーレンスルフィド）基
板上へのめっきの方法を提供することである。
本発明のこれらおよび他の目的、利点、詳細、特徴およ
び態様は、当業者には、次の本発明の詳細な説明並びに
添付の特許請求の範囲から明らかになるであろう。
本発明の説明 本発明によって、発明者等は、ぼり（アリーレンスルフ
ィド）表面上のめっきの接着性は、ポリ（了り−レンス
ルフィド）表面をめっき用溶液と接触させる前に、該表
面をレーザー処理することによって相当増加することを
見出した。
本発明の詳細な説明 本発明によって、 （１）　　レーず一処理、すなわち、ポリ（アリーレン
スルフィド）基板の少なくとも一表面をレーザー照射の
ビームに接触させ；次いで、 （Ｉｌｌ　　前記のレーザー処理され次基板をめっき用
溶液と接触させることによってポリ（アリーレンスルフ
ィド）基板にめっきを適用する。ポリ（アリーレンスル
フィド）基板は、所望によってレーザー処理の前もしく
は後のいずれかで表面処理工程に処することもできる。
本発明の好ましい態様では、前記のレーザー処理をポリ
（了り−レンスルフイド）基板上の限定された図形の中
に行い、前記のめっき用溶液が無電解めっき溶液である
、得られた生成物は、例えばポリント回路板として有用
である。
本発明の目的のための基板は、例えば板（ｂｏａｒｄχ
シート、ブロック、プンート、ディスクなどのようなポ
リ（アリーレンスルフィド）物品である。
使用される基板が板の形状の場合には、例えばポリント
回路板の製造用として有用な一体成形孔（ｍｏｌｃＬｅ
ｄｉｎ　ｈｏｌｅｓ　）を有する射出成形板が好ましく
・。本明細書で使用するポリ（アリーレンスルフィド）
はアリーレンサルファイドポリマーのことである。
これに限定されないが、ホモポリマー、コポリマー、ク
ーポリマーなとまたはかようなポリマーのブレンドのい
ずれかの未硬化または部分的に硬化させたポリ（アリー
レンスルフィド）が本発明の実施に当って使用できる。
未硬化または部分的に硬化させたポリマーは、ポリマー
に熱のような十分なエネルギーを供給することによって
、分子鎖長を延長させるか、架橋もしくは両者の組合せ
によって分子量を増加させることができるポリマーであ
る。好適なポリ（アリーレンスルフィド）ポリマーには
、これらには限定されないが、米国特許明細書第３，３
５４，１２９号に記載のポリマーが含まれる、同特許明
細書を本発明の参考とされたい。本発明の目的のために
好適なポリ（アリーレンスルフィド）ポリマーの例には
、ポリ（２，４−トリレンスルフィド）、ポリ（４，４
’−ビ７工二Ｌ／７スルフイト）オＪ：ヒ＃ｌＪ　（フ
ェニレンスルフィド）が含まれる。入手性および望まし
い性質（高い耐薬品性、難燃性、高い強度および硬さ）
のために、ポリ（フェニレンスルフィド）が現在のとこ
ろ好ましいポリ（アリーレンスルフィド）である。各種
のポリ（アリーレンスルフィド）が、オクラホマ州、バ
ードレスビル、フイリツゾス石油会社からライドン■（
Ｒｙｔ、ｏｎ　）の商標名で商用として入手できる。
本発明の実施の際の有用な組成物には各種の充填剤が使
用できる。典型的な充填剤には、ガラス繊維、タルク、
雲母、炭酸カルシウム、および硫酸カルシウムが含まれ
る。本発明の実施に当っての最も好ましい組成物にはガ
ラス繊維および１種またはそれ以上の上記の充填剤が含
まれる。
本発明の実施に当っては必要ではないが、メルカプトシ
ラン、加工助剤（例えば離型剤）、腐食防止剤、安定剤
などを含む追加の組成分を含むことができる。
ポリエチレンおよびステアリン酸亜鉛が有用な離型剤の
例である。腐食防止剤の例は炭酸リチウムである。
すぐれた接着のためには、めっき作業の前にポリ（アリ
ーレンスルフィド）基板の慎重な調整が必要である。こ
の調整には、通常平滑なポリ（アリーレンスルフィド）
基板を水に湿潤性にする、すなわち、比較的粗面で、ざ
らざらまたはさらに不規則表面にする処理を行う。本発
明の実施に当ってはこの処理をレーず一処理、すなわち
ポリ（アリーレンスルフィド）基板をめっき用溶液に接
触させる前に、該基板の少なくとも一表面をレーザー照
射のビームと接触させることによって行なわれる。所望
により、前記の基板の表面を、例えば化学的および（ま
たは）物理的に変化させるような追加の処理を該基板に
行うこともできる。
かような所望の、追加の表面処理は、レーザー処理の前
または後に行うことかできるが、前記の基板をめっき用
溶液と接触前に行うのが有利な方法である。
本発明によって、ポリ（アリーレンスルフィド）基板を
、非照射表面と比較して照射された表面を変化するよう
にレーザー照射に曝す。多くの用途において、めっき用
溶液に接触させたとき例えばポリント回路板に要求され
る回路図のような一定の特徴をもっためつき生成物が得
られるように基板を限定された図形内でレーず一照射す
ることが望ましい。所望の図形は、例えばレーず一照射
をステンシル（ｓｔ、ｅｎｃｉｌ　）　’ｊｃ通して、
基板上の予め定められた図形をたどるようにレーず一照
射を微細に焦点を合わせることによって；基板のある部
分をレーザー照射に曝した後に取除くことができる耐レ
ーザー性マスクで保護するなどの各種の方法によって生
成させることができる。
本発明の表面処理に必要とされるレーザーエネルギーお
よび時間は、当業者によって容易に測定できる。一般的
には、最小水準のレーザーエネルギーは、一定の照射時
間において、水に湿潤性表面を生成するエネルギーであ
る。すなわち、高エネルギーレーザーでは短時間を使用
し、比較的低エネルギーレーザーではさらに長い照射時
間を使用する０多重レーザーパルス（ｍｕｌｔｉｐｌｅ
　１ａｓｅｒｐｕｌｓｅｓ　）も本発明の範囲内である
。
ポリ（アリーレンスルフィド）基板を、該基板の表面が
水に湿潤性になるのに十分な強さのレーザー照射に曝す
。ポリ（アリーレンスルフィド）基板は広範囲のレーザ
ー強さで処することができるが、レーザー照射の強さが
ポリマー表面に分解を生ずるエネルギーを超えないこと
が望ましい。
好適なレーザー強さは、約ｉ　ｘ　ｉ　ｏ８〜約５Ｘ１
０９ジュール／秒／　ｃｍ２の範囲である。上記の範囲
内の強さを供給するレーザーエネルギーと照射時間との
組合せを使用することができる。広範囲のエネルギーを
生成することができるレーザーを使用できることを当業
者は認識している。これに加えて、レーザーエネルギー
出力は、フィルターまたはレンズなどの使用によって所
望のように増幅または減衰させることができる。上記に
示したように、比較的低いレーず一エネルギーを使用す
る場合は比較的長い照射時間が適切であり、比較的高〜
・レーザーエネルギーを使用する場合には比較的短い照
射時間を使用する。
上記に詳述したようなレーザー処理に加えて、前記のポ
リ（アリーレンスルフィド）基板は所望によって該基板
表面をさらに変化させるために化学的および（または）
物理的に処理し、それによって該基板をめっき用溶液で
処理するためにさらに伝導性にすることもできる。この
目的のために化学エツチング剤、グリッドブラスティン
グ、機械的摩擦、火炎処理などが使用できる。
ポリ（フェニレンスルフィド）　＆　リマーのような〆
す（アリーレンスルフィｖ）ポリマーは、耐薬品性が高
いことは周知である。この高い耐薬品性のために化学エ
ツチング剤の選択が非常に重要である。硝酸のような強
酸化部単独、またはさらに有利なのけ弗化水素酸との組
合せが化学エツチング剤として使用できる。
グリッドブラスティングを使用した場合にはその後に超
音波処理によって表面から粒子を除去する。
ポリ（アリーレンスルフィド）表面の火炎処理も、表面
の変性用として使用できる。火炎処理の一方法は、１０
％過剰の空気：メタ／酸化用炎を、表面に水滴のビーズ
が減少するか、なくなることによって確認できる表面特
性を変化させるのに十分な時間表面上を通過させる方法
である。
本発明によって、前記の処理されたポリ（アリーレンス
ルフィド）基板を、例えば無電解めっき液、微細に分割
されためっき用物質のｌ］ｊｊ霧、真空下でのめつぎ用
物質の流れのようなめっき用溶液と接触させる。
本発明の特別の態様によれば、レーザー処理されたポリ
（アリーレンスルフィド）板上に例えば銅のような導電
性金属の無電解めっきによってポリント回路板が製造さ
れる。無電解めっき後に、前記の板上に導電性金属をさ
らに電着させるために電解めっき工程を行うことができ
る。
前記の板上に回路図を生成する友めには各種の方法が使
用できる。めっきされた板から望ま１−〈ない導電性金
属を除去し、所望の回路図を限定するのに必要な形態お
よび形状に導電性金属を残す控除法が使用できる。添加
剤法は、導電性金属を板の予め選択された部分のみにめ
っきし、電着によって所望の回路図を生成させる方法で
使用できる。これらの回路図作製方法、並びにこれらの
改良法および変法は、当業界で公知であり、本発明のポ
リント回路板製造のために容易に適用できる。
本発明はまた、開発中まｔは一般に実施されている他の
回路図作製法との組合せで実施することができる。
無電解めっき法はまた自触媒（ａｕｔｏｃａ　ｔａ　ｔ
ｖｔ、ｉｃ）めっき法とも呼ばれ、化学的還元が付着さ
れるべき金属または合金によって行なわれる金属環の溶
液と化学還元剤との相互作用によって基材上に金属のめ
つきまたはフィルムを付着させることと一般に定義され
る。本発明の実施に当っては、無電解金属は無電解めっ
き作業において使用できる任意の導電性金属でよい。銅
およびニッケルはかような２種の金属であり、各々はこ
の目的に非常に適している。導電性金属の語には、導電
性合金も含まれる。無電解めっき法を開始させるために
通常触媒を必要とする。ポリ（アリーレンスルフィド）
板を無電解めっき作業の前に、例えばパラジウム−錫触
媒のような触媒で処理することができる。無電解方法は
−たん開始されれば自己触媒性、すなわち、ポリマー表
面にめっきされる導電性金属（例えば、銅、ニッケルな
ど）によって触媒作用が行なわれるから、前記の触媒を
必要とする期間は短時間であることに注意されたい。
無電解めっき作業自体は、浴含有タンク内で行うことが
できる。このタンクは、タンク自体がめつきされるのを
防止するためにプラスチック製、プラスチックライニン
グ爬または不動態化ステンレス鋼製であるのが好ましい
。無電解めっき浴にはポリ（アリーレンスルフィド）板
にめっきすべき（典型的には溶液の）導電性金属（例え
ば銅、ニッケルなど）が含まれる。無電解めっき作業は
、慣用の無電解めっき方法並びに技術によって行うこと
ができる。
当業者であれば、本開示と組合せて本発明を実施するた
めの無電解めっき法の利用に関して十分な知識を有する
。無電解めっき法に関してさらに詳細かつ完全な情報を
得たい人にはこれらは容易に入手できる。
無電解めっき法は比較的遅い工程であり、ポリ（アリー
レンスルフィド）板上に十分な厚さの導電性金属のめっ
きを得るには比較的長時間を必要とする。この理由のた
め、少なくとも約２０μの厚さの導電性金属が得られた
ら無電解めっき作業を停止し、電解めっき法を使用して
所望の追加の導電性金属を供給することが好ましい。無
電解めっき作業の間にめっきされた導電性金属のりすい
めっきを無電解フィルムと呼ぶ。無電解フィルムには２
種の目的がある。第一は、これは次の電解めっき法によ
つで導電性金属をさらにめっきするためにポリ（アリー
レンスルフィド）板を電導性表面にすることである。第
二に、無電解フィルムはポリ（アリーレンスルフィド）
板と電解めっきされた導電性金属との間に結合を生成す
ることである。
電解めっきは、本質的には電極上に接着性金属めっきの
電着である。本発明は慣用の電気めっき方法および装置
を使用することによって上首尾に実施することができる
。典型的には、無電解フィルムを有するポリ（アリーレ
ンスルフィド）板をめっき用溶液（通常、水性の）が含
まれるタンク中に置く。めっき用溶液にはめつきされる
べき導電性金属のイオンが存在する。
導電性金属は、無電解フィルムで被覆されたポリ（アリ
ーレンスルフィド）＠上に電着できる任意の導電性金属
でよい。これに限定されないが、かような金属の例には
銅およびニッケルが含まれる。導電性金属の語には、導
電性合金も含める積シである。導電性金属は、無電解フ
ィルムが構成されている金属と同じである必要はない。
当業者であれば、本開示と組合せて本発明を実施する几
めの電気めっきに関する十分な知識を有する。電気めっ
き法に関してさらに詳細かつ完全な情報を得たい人には
これらは容易に入手できる。
電気めっき作業は、導電性金属の所望の合計量が得られ
るまで続ける。ポリ（アリーレンスルフィド）板上にめ
っきされた導電性金属の合計量（無電解めっきと電気め
っき作業の両者による）は、製品の意図する用途（すな
わちポリント回路）に依存するであろう。典型的には、
この厚さは約１〜約４ミルの範囲内であろう。
導電性金属とポリ（アリーレンスルフィド）板との間の
接着の強さは、ポリント回路板の上首尾の製造のために
絶対的に重要である、この接着強さが低くすぎる場合に
は、詳細な回路図（導電性金属から成る）はその構造的
団結性を維持することができず、ポリント回路板は実際
の用途には無効である。この理由のために導電性金属と
ポリ（アリーレンスルフィド）板との間の接着は、その
ポリント回路板が典型的に受ける苛酷な条件に耐えられ
るだけ十分に強くなければならない。この接着強さは通
常剥離強さく　ｐｅｅｌ　ｓｔ、ｒｅｎｇｔ＋ｈ　）と
呼ばれ、この強さによって測定される。実際の用途のす
べてに有用であるためには、ポリント回路板は剥離強さ
が少なくな℃とも約４１ｂ／１ｎｃｈであるような金属
と板との十分な接着強さを有しなければならない。しか
し、すぐれた製品では、少なくとも５１ｂ／１ｎｃｈ１
好ましくは少なくとも約６１ｂ／１ｎｃｈの剥離強がな
ければならない。本発明（よって行った実験のある例で
は、約７および８１ｂ／１ｎｃｈより高い剥離強さを有
するめっきされたポリ（アリーレンスルフィド）板が得
られている。
上記の剥離強さは、金属−電解めっきしたプラスチック
の剥離強さを測定するためのＡＳＴＭ試験法であるＡＳ
ＴＭ試験法第９部Ｂ５３３−７９方法人によって測定し
た値に相当する。本明細書および添付の特許請求の範囲
の目的のために、前記のＡＳＴＭ試験法を、金漢被覆の
厚さに関係な〈実施できる範囲に変更する。
次の実施例を本発明のこの開示を十分かつ完全なものに
する念めに示す。
次のポリ（フェニレンスルフィド）組成物を、（１）フ
ロリダ州、ホトニック社（Ｐｈｏｔｏｎｉｃ　Ｉｎｃ、
）において、イツトリウム、アルミニウム、ガーネット
（ＹＡＧ　）で発生させた１０９周波数で２０マイクロ
ワツトの出力のレーず−によって処理した。
他のレーザーデータは、レーザーと１２インチ（Ｊの焦
点の距離は１：１であジ、焦点と照射される物品との距
離は６〜１０インチと変化する、または（２）約３ジユ
ールの出力を有するＣ０２レーザー・パルス発生から発
火まで約１２倍／秒で処理した。
パルス当りの出力は、約２．１ゾユ一ル１５００ナノ秒
である。各パルスは０．３５インチの矩形によって０．
２５インチ上に焦点を合せた。各組成物の対照基板はめ
つき前にレーザー処理をしなかった。
追加の表面処理を使用した場合には、無電解および電解
めっきの組合せを使用して基板をめつぎす維持されてい
る４５５ｄの製水性硝酸中の６５．９の弗化水素アンモ
ニウムの浴中に約６〜約１０分間浸漬することから成っ
た。次表に示すように、エツチング浴は異なる温度に維
持することができ、また異なる処理時間が使用できる。
第一の組成物は、オクラホマ州、バートレスビル、フィ
リップス石油会社から販売されている無機充填剤を含有
するポリフェニレンスルフィド組成物であるライドン■
（Ｒｙｔ、ｏｎ　）　Ｒ−７である。
第二の組成物は、ライドンｏＲ−４（ガラス繊維／ｌボ
リフエニＶンスルフイド）であシ、これも無電解めっき
し、試験（−た。
最後に、ライドン［Ｆ］Ｒ−１０組成物（無機充填剤お
よび顔料入ｆ）ポリフェニレンスルフィド）およびライ
ドン（８１ＢＲ−５８（充填剤入りポリフェニレンスル
フィドの実験用組成物）を試験した。
第　　Ｉ　　表 １　　　Ｒ−４Ｘ　　　　　　　　　　なし　　　　０
２１〜２ ３　Ｒ−４Ｘ　　　１．５／１１２　１５　　　Ｒ−４
Ｘ　　　　　　　　　　　　１０／７５　　　　　　＜
１７　　　Ｒ−７Ｘ　　　　　　　　　　なし　　　　
　１．５８６．５ ９　Ｒ−７Ｘ　　　１．５／１１２　２１０　　　　Ｘ
　　　　　４−８ １１　　　Ｒ−７Ｘ　　　　　　　　　　なし　　　　
　０１２　　　　　ｘ　　　　２．８ １３Ｒ−１０Ｘ　　　　　　　　　　　なし　　　　〈
１１４ｘ１〜２ １５　Ｒ−１０Ｘ　　　５／７５　２ １６　　　　ｘ　　　　　５．５ １７　　ＢＲ−５８Ｘ　　　　　　　　　　なし　　　
　　０１８ｘ２・２ これらの実験から、すべての場合レーザー処理したポリ
（アリーレンスルフィド）基板は、レーザー処理しない
基板より高い剥離強さを有した。
化学的にエツチングした基板もまた、化学的エツチング
単独の場合より測定された剥離強さがレーザー処理によ
シかなり改善されることを証明している。

Claims (14)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）（ａ）ポリ（アリーレンスルフイド）基板の少な
    くとも一表面を、該基板のその表面を水に湿潤性にする
    のに十分な強さのレーザー照射のビームと接触させ、そ
    して、 （ｂ）前記のレーザーに接触させた表面とめつき用溶液
    と接触させる ことを特徴とするポリ（アリーレンスルフイド）基板の
    めつき方法。
  2. （２）前記のレーザー照射のビームが、少なくとも１×
    １０＾８〜約５×１０＾９ジュール／秒／ｃｍ＾２の強
    さを有する特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  3. （３）前記のポリ（アリーレンスルフイド）基板が、ポ
    リ（フエニレンスルフイド）基板である特許請求の範囲
    第１項または第２項に記載の方法。
  4. （４）前記のポリ（フエニレンスルフイド）基板に充填
    剤がさらに含まれる特許請求の範囲第３項に記載の方法
    。
  5. （５）前記の充填剤が、ガラス、タルク、二酸化チタン
    、シリカ、炭酸カルシウム、硫酸カルシウムまたはそれ
    らの任意の２種もしくはそれ以上の混合物である特許請
    求の範囲第４項に記載の方法。
  6. （６）前記のめつきを限定された図形で適用する特許請
    求の範囲第１項〜第５項の任意の１項に記載の方法。
  7. （７）前記の限定された図形を、前記のポリ（アリーレ
    ンスルフイド）基板に限定された図形内でのレーザー照
    射のビームを接触させることによつて付与する特許請求
    の範囲第６項に記載の方法。
  8. （８）前記の限定された図形を、前記のポリ（アリーレ
    ンスルフイド）基板にマスクを通したレーザー照射のビ
    ームを接触させることによつて付与する特許請求の範囲
    第６項に記載の方法。
  9. （９）前記のめつき用溶液が、無電解めつき用溶液であ
    る特許請求の範囲第１項〜第８項の任意の１項に記載の
    方法。
  10. （１０）（ｃ）無電解めつき用溶液と接触させた前記の
    レーザー処理されたポリ（アリーレンスルフイド）を電
    気めつき条件に処する工程をさらに含む特許請求の範囲
    第１項〜第９項の任意の１項に記載の方法。
  11. （１１）前記のめつき用溶液が、微細に分割されためつ
    き用物質の噴霧である特許請求の範囲第１項〜第１０項
    の任意の１項に記載の方法。
  12. （１２）前記のポリ（アリーレンスルフイド）基板を、
    真空中で前記のめつき用溶液と接触させる特許請求の範
    囲第１項〜第１１項の任意の１項に記載の方法。
  13. （１３）レーザー照射のビームによる前記の接触の前に
    、前記のポリ（アリーレンスルフイド）基板を、１種ま
    たはそれ以上の 酸エッチング、 グリトブラスト処理、 火炎処理、 およびこれらの任意の２種もしくはそれ以上の組合せか
    ら成る表面処理工程に処することがさらに含まれる特許
    請求の範囲第１項〜第１２項の任意の１項に記載の方法
    。
  14. （１４）めつき用溶液との前記の接触の前、但し、レー
    ザー照射のビームとの前記の接触の後に、前記のポリ（
    アリーレンスルフイド）基板を、１種またはそれ以上の
    、 酸エッチング、 グリトブラスト処理、 火炎処理 およびこれらの任意の２種またはそれ以上の組合せから
    成る表面処理工程に処することがさらに含まれる特許請
    求の範囲第１項〜第１２項の任意の１項に記載の方法。
JP60258421A 1984-11-23 1985-11-18 ポリアリーレン　スルフイド基板のめつき方法 Pending JPS61127867A (ja)

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