JPS61125038A - 半導体ウエハ測定載置台 - Google Patents
半導体ウエハ測定載置台Info
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- JPS61125038A JPS61125038A JP24658584A JP24658584A JPS61125038A JP S61125038 A JPS61125038 A JP S61125038A JP 24658584 A JP24658584 A JP 24658584A JP 24658584 A JP24658584 A JP 24658584A JP S61125038 A JPS61125038 A JP S61125038A
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- pressure sensor
- pressure
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
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- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
この発明は、半導体ウェハ測定載置台に関するもので、
例えば、全自動半導体ウエハプローバに利用して有効な
技術に関するものである。
例えば、全自動半導体ウエハプローバに利用して有効な
技術に関するものである。
半導体ウェハの最終チェック工程を担う半導体ウエハブ
ローバにおいて、半導体ウェハの大口径化が進むにつれ
て、ピンセ・ノドあるいは他の工具類を用いた人手によ
る作業の困難性に伴い、いわゆるピンセットレス化、言
い換えれば、半導体ウェハの自動ロード、アンロード化
がｒ電子材料Ｊ誌１９７８年１１月号の頁１３９〜頁１
４３によって公知である。
ローバにおいて、半導体ウェハの大口径化が進むにつれ
て、ピンセ・ノドあるいは他の工具類を用いた人手によ
る作業の困難性に伴い、いわゆるピンセットレス化、言
い換えれば、半導体ウェハの自動ロード、アンロード化
がｒ電子材料Ｊ誌１９７８年１１月号の頁１３９〜頁１
４３によって公知である。
すなわち、複数枚（例えば２５枚）の半導体ウェハを収
納する収納容器（カセット）から順次１枚づつ九ベルト
コンベヤにより、ロード位置くコースアライメントステ
ージ）に移送する。そして、この半導体ウェハをベルヌ
ーイチャック等を使用してブロービングマシンの吸着テ
ーブル（半導体ウェハ測定載置台）に搬送させる。次に
、測定が終了した半導体ウェハは、吸着テーブルからア
ンロード位置に吹き出し空気圧等により搬送され、丸ベ
ルトコンベアにより収納容器に収められる。
納する収納容器（カセット）から順次１枚づつ九ベルト
コンベヤにより、ロード位置くコースアライメントステ
ージ）に移送する。そして、この半導体ウェハをベルヌ
ーイチャック等を使用してブロービングマシンの吸着テ
ーブル（半導体ウェハ測定載置台）に搬送させる。次に
、測定が終了した半導体ウェハは、吸着テーブルからア
ンロード位置に吹き出し空気圧等により搬送され、丸ベ
ルトコンベアにより収納容器に収められる。
以上により、半導体ウェハ表面に対して完全に無接触の
状態でブロービングマシンに半導体ウェハの搬入、ｔＭ
出がなされる。
状態でブロービングマシンに半導体ウェハの搬入、ｔＭ
出がなされる。
しかしながら、上記全自動の半導体ウェハプローバにあ
っては、半導体ウェハを上記の吸着テーブルからアンロ
ード位置への搬出動作が圧縮空気圧不足等に行われなか
ったり、停電等により測定が中断した後の再起動時に、
吸着テーブル上に未だ半導体ウェハが載置されているに
もかかわらず、測定すべき次の半導体ウェハが搬入され
る虞れが生じる。このように半導体ウェハが重合わせら
せると、下側の半導体ウェハの表面に損傷が生じてしま
う。あるいは、アンロード位置に半導体ウェハを検出す
るセンサーを設ける等によって、次の半導体ウェハの搬
送動作を行わせた場合、半導体ウェハの検出出力が得ら
れないことにより、全自動半導体ウエハプローバは、信
号待ちの状態を続けることの結果、無駄な時間を費やす
ことになってしまう。
っては、半導体ウェハを上記の吸着テーブルからアンロ
ード位置への搬出動作が圧縮空気圧不足等に行われなか
ったり、停電等により測定が中断した後の再起動時に、
吸着テーブル上に未だ半導体ウェハが載置されているに
もかかわらず、測定すべき次の半導体ウェハが搬入され
る虞れが生じる。このように半導体ウェハが重合わせら
せると、下側の半導体ウェハの表面に損傷が生じてしま
う。あるいは、アンロード位置に半導体ウェハを検出す
るセンサーを設ける等によって、次の半導体ウェハの搬
送動作を行わせた場合、半導体ウェハの検出出力が得ら
れないことにより、全自動半導体ウエハプローバは、信
号待ちの状態を続けることの結果、無駄な時間を費やす
ことになってしまう。
そこで、本願発明者は、半導体ウェハ測定載置台に半導
体ウェハが載置されているか否かを検出することを考え
た。すなわち、第４図に示すように、半導体ウェハ測定
載置台の表面に設けられた複数の溝に結合された吸引孔
又は吸引孔と真空ポンプを結合させるチューブの途中に
圧力センサーＰを設けて、その圧力の変化から半導体ウ
ェハの有無を検出するものである。すなわち、半導体ウ
ェハがあると、その真空吸着によって上記吸引孔内の圧
力が低下し、半導体ウェハがないと上記圧力が上昇する
からである。この場合、上記吸引固定を選択的に行うた
めバルブ■が設けられ、バルブＶが開いた状態において
は、上記半導体ウェハの有無によって大きくは２値の圧
力を持つように変化する。しかしながら、測定すべき半
導体ウェハの大きさによって、塞がれる溝の数が異なる
ことによってその圧力が微妙に異なるとともに、半導体
ウェハが無いときでも比較的小さな孔を通る空気抵抗に
よって、吸引孔内の圧力は大気圧より小さくされる。さ
らに、バルブＶが閉じた状態では上記吸引孔内はほり大
気圧になる。このため、上記のような方法では、圧力セ
ンサーが多値の検出出力を形成するので、精度の高い半
導体ウェハの有無の検出出力を得ることが難しいものに
なってしまう。
体ウェハが載置されているか否かを検出することを考え
た。すなわち、第４図に示すように、半導体ウェハ測定
載置台の表面に設けられた複数の溝に結合された吸引孔
又は吸引孔と真空ポンプを結合させるチューブの途中に
圧力センサーＰを設けて、その圧力の変化から半導体ウ
ェハの有無を検出するものである。すなわち、半導体ウ
ェハがあると、その真空吸着によって上記吸引孔内の圧
力が低下し、半導体ウェハがないと上記圧力が上昇する
からである。この場合、上記吸引固定を選択的に行うた
めバルブ■が設けられ、バルブＶが開いた状態において
は、上記半導体ウェハの有無によって大きくは２値の圧
力を持つように変化する。しかしながら、測定すべき半
導体ウェハの大きさによって、塞がれる溝の数が異なる
ことによってその圧力が微妙に異なるとともに、半導体
ウェハが無いときでも比較的小さな孔を通る空気抵抗に
よって、吸引孔内の圧力は大気圧より小さくされる。さ
らに、バルブＶが閉じた状態では上記吸引孔内はほり大
気圧になる。このため、上記のような方法では、圧力セ
ンサーが多値の検出出力を形成するので、精度の高い半
導体ウェハの有無の検出出力を得ることが難しいものに
なってしまう。
この発明の目的は、簡単な構成により、高精度の半導体
ウェハの有無の検出機能を持った半導体ウェハ測定載置
台を提供することにある。
ウェハの有無の検出機能を持った半導体ウェハ測定載置
台を提供することにある。
この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、被測定半導体ウェハを吸引固定する複数の溝
に対する吸引孔とは別に、上記吸引孔が設けられた位置
と異なる溝の一部と圧力センサーとを結合させる小孔を
設けるものである。
に対する吸引孔とは別に、上記吸引孔が設けられた位置
と異なる溝の一部と圧力センサーとを結合させる小孔を
設けるものである。
第１図には、この発明の一実施例の概略断面図が示され
ている。
ている。
この実施例にかかる半導体ウェハ測定載置台は、特に制
限されないが、前記全自動半導体ウェハプローバにおけ
る吸着テーブルとして用いられる。
限されないが、前記全自動半導体ウェハプローバにおけ
る吸着テーブルとして用いられる。
すなわち、図示しないが、全自動半導体ウエハプローハ
ハ、大まかに言うと、ブロービングマシン部と半導体ウ
ェハ移送部とにより構成される。
ハ、大まかに言うと、ブロービングマシン部と半導体ウ
ェハ移送部とにより構成される。
上記ブローピンクマシン部は、周知のように、その上面
に載置された半導体ウェハを吸引固定する吸着テーブル
をＸ、ＹステージによりＸ、Ｙ方向に移動させ、θ方向
に回転させることにより、固定されたプローブボード等
で構成され、尖端が測定箇所に対応して配列された探針
に対してウェハチップのポンディングパッドに位置合わ
せするものである。この位置合わせにあたっては、アラ
イニングを行い、半導体ウェハにおけるチップの配列の
Ｘ軸と、上記Ｘ、ＹテスージのＸ軸とを吸着テーブル５
のθ方向の調整により一致させるものである。この後、
測定すべき最初のウェハチップのポンディングパッドと
探針の尖端との位置合わせを行う。以下、連続してＸ方
向又はＹ方向に１チップ間隔づつ移動させることにより
、自動的に他のウェハチップのポンディングパッドに対
スる探針の位置合わせが行われる。これらのＸ、 Ｙ
ステージの移動、θ方向の回転制御は、パルスモータを
用いて高精度に行われる。
に載置された半導体ウェハを吸引固定する吸着テーブル
をＸ、ＹステージによりＸ、Ｙ方向に移動させ、θ方向
に回転させることにより、固定されたプローブボード等
で構成され、尖端が測定箇所に対応して配列された探針
に対してウェハチップのポンディングパッドに位置合わ
せするものである。この位置合わせにあたっては、アラ
イニングを行い、半導体ウェハにおけるチップの配列の
Ｘ軸と、上記Ｘ、ＹテスージのＸ軸とを吸着テーブル５
のθ方向の調整により一致させるものである。この後、
測定すべき最初のウェハチップのポンディングパッドと
探針の尖端との位置合わせを行う。以下、連続してＸ方
向又はＹ方向に１チップ間隔づつ移動させることにより
、自動的に他のウェハチップのポンディングパッドに対
スる探針の位置合わせが行われる。これらのＸ、 Ｙ
ステージの移動、θ方向の回転制御は、パルスモータを
用いて高精度に行われる。
また、吸着テーブルは、エア又はパルスモータを用いて
２方向（アップ、ダウン）に移動させられる。すなわち
、Ｘ、Ｙステージの制御による位置合わせ動作は、吸着
テーブルを下げた状態にして行われ、測定時には吸着テ
ーブルを押し上げた状態として探針とウェハチップのポ
ンディングパッドとを所要の接触圧をもって接続させる
ものである。
２方向（アップ、ダウン）に移動させられる。すなわち
、Ｘ、Ｙステージの制御による位置合わせ動作は、吸着
テーブルを下げた状態にして行われ、測定時には吸着テ
ーブルを押し上げた状態として探針とウェハチップのポ
ンディングパッドとを所要の接触圧をもって接続させる
ものである。
上記ブロービングマシン部は、トランスファアームが取
り付けられている。このトランスファアームは、例えば
、半導体ウェハの表面より無接触の下に吸着するベルヌ
ーイチャックが使用され、ロード位置に移送された半導
体ウェハをロードポジションの吸着テーブル上に搬送す
る。
り付けられている。このトランスファアームは、例えば
、半導体ウェハの表面より無接触の下に吸着するベルヌ
ーイチャックが使用され、ロード位置に移送された半導
体ウェハをロードポジションの吸着テーブル上に搬送す
る。
また、測定が終了した半導体ウェハは、吸着テーブルが
アンロードポジションに移動した後、アンロードポジシ
ョンに向かう斜めの小孔から、エア等の吹き出して、ア
ンロード位置に搬送される。
アンロードポジションに移動した後、アンロードポジシ
ョンに向かう斜めの小孔から、エア等の吹き出して、ア
ンロード位置に搬送される。
このような、半導体ウェハの自動ロード、アンロード機
構を備えたブロービングマシン部に対して、半導体ウェ
ハ移送部が設けられる。半導体ウェハ移送部は、それぞ
れ半導体ウェハが収納される収納容器（カセット）が設
置される複数個のエレベータ機構と、コースアライメン
トステージとしても作用するロード位置及びアンロード
位置との間をそれぞれ接続する丸ベルトコンベアとによ
り構成される。このような全自動半導体ウェハプローバ
は、例えば、特公昭５９−２１８２号公報によって詳し
く述べられている。
構を備えたブロービングマシン部に対して、半導体ウェ
ハ移送部が設けられる。半導体ウェハ移送部は、それぞ
れ半導体ウェハが収納される収納容器（カセット）が設
置される複数個のエレベータ機構と、コースアライメン
トステージとしても作用するロード位置及びアンロード
位置との間をそれぞれ接続する丸ベルトコンベアとによ
り構成される。このような全自動半導体ウェハプローバ
は、例えば、特公昭５９−２１８２号公報によって詳し
く述べられている。
第１図において、半導体ウェハの測定載置台１の測定載
置面を形作る１つの部品ブロック２が示されている。同
図において、その中央に垂直方向に設けられた小孔は、
吸引孔３を構成する。すなわち、その下部には、図示し
ないチューブを介して真空ポンプに結合される。
置面を形作る１つの部品ブロック２が示されている。同
図において、その中央に垂直方向に設けられた小孔は、
吸引孔３を構成する。すなわち、その下部には、図示し
ないチューブを介して真空ポンプに結合される。
上記部品ブロック２の表面には、第２図に示した平面図
のように、同心状の複数の９４ ａ〜４ｄが設けられる
。これらの同心状溝４ａ〜４ｄは、特に制限されないが
、上記吸引孔３を中心として半径方向に走る２つのＶ字
状の溝５ａ、５ｂによってそれぞれ共通に結合される。
のように、同心状の複数の９４ ａ〜４ｄが設けられる
。これらの同心状溝４ａ〜４ｄは、特に制限されないが
、上記吸引孔３を中心として半径方向に走る２つのＶ字
状の溝５ａ、５ｂによってそれぞれ共通に結合される。
また、上記部品ブロック２の表面には、斜めに向かう複
数の噴射小孔９が設けられる。これらの噴射小孔９は、
部品ブロック２の下面側に設けられた凹部の空洞９ａに
よって共通に結合される。
数の噴射小孔９が設けられる。これらの噴射小孔９は、
部品ブロック２の下面側に設けられた凹部の空洞９ａに
よって共通に結合される。
この空洞９ａには、図示しないが、パルプを介して選択
的に圧縮空気（又はチッソガス）が供給されらことによ
って、上記噴射小孔９から矢印で示した斜め方向に噴き
出される。これにより、半導体ウェハを上述したように
アンロード位置に搬出させる。なお、第２図において、
上記噴射小孔９は省略されている。
的に圧縮空気（又はチッソガス）が供給されらことによ
って、上記噴射小孔９から矢印で示した斜め方向に噴き
出される。これにより、半導体ウェハを上述したように
アンロード位置に搬出させる。なお、第２図において、
上記噴射小孔９は省略されている。
この実施例では、半導体ウェハの有無を検出するため、
上記吸引孔３は、溝５を介して小孔６と結合される。こ
の小孔６は、その下部において接続チューブ７を介して
圧力センサー８と接続される。この圧力センサー８は、
特に制限されないが、オランダ国のフィリップス社から
販売されている’ＫＰ １００ＡＪモノリシツク圧力セ
ンサーが利用される。
上記吸引孔３は、溝５を介して小孔６と結合される。こ
の小孔６は、その下部において接続チューブ７を介して
圧力センサー８と接続される。この圧力センサー８は、
特に制限されないが、オランダ国のフィリップス社から
販売されている’ＫＰ １００ＡＪモノリシツク圧力セ
ンサーが利用される。
なお、上記部品プロ・ツク２の下側には、他の部品ブロ
ックが結合され、全体として半導体ウェハ測定載置台１
を構成する。
ックが結合され、全体として半導体ウェハ測定載置台１
を構成する。
この実施例では、圧力センサー８に結合される小孔６は
、上記吸引孔３とは分離して設けるものであるので、そ
の表面に半導体ウェハが載置されていない場合、吸引孔
３の吸引動作とは無関係にはゾ大気圧にされる。一方、
半導体ウェハが載置されると、半導体ウェハの下面によ
って谷溝の上部が塞がれることの結果、溝が密封されの
で上記吸引孔３から行われる吸引動作に従った低い圧力
にされる。このように、圧力センサー８に伝えられる圧
力は、半導体ウェハが載置されているか否かに従ったは
ソ゛２値の圧力とすることができるものである。また、
上記圧力センサー８に導く小孔６を中心部に配置するこ
とによって、最も小さな径の半導体ウェハでも比較的低
い圧力にすることができる。
、上記吸引孔３とは分離して設けるものであるので、そ
の表面に半導体ウェハが載置されていない場合、吸引孔
３の吸引動作とは無関係にはゾ大気圧にされる。一方、
半導体ウェハが載置されると、半導体ウェハの下面によ
って谷溝の上部が塞がれることの結果、溝が密封されの
で上記吸引孔３から行われる吸引動作に従った低い圧力
にされる。このように、圧力センサー８に伝えられる圧
力は、半導体ウェハが載置されているか否かに従ったは
ソ゛２値の圧力とすることができるものである。また、
上記圧力センサー８に導く小孔６を中心部に配置するこ
とによって、最も小さな径の半導体ウェハでも比較的低
い圧力にすることができる。
第３図には、半導体ウェハの有無の検出信号を形成する
検出回路の一実施例の回路図が示されている。同図にお
いて、抵抗Ｒ１〜Ｒ４で示したブリフジ回路は、上記モ
ノリシック圧力センサーの等価回路である。ブリフジ回
路で示した圧力センサー８の出力は、演算増幅回路ＯＰ
１とその利得設定のための抵抗Ｒ５，Ｒ６からなる増幅
回路によって増幅される。この増幅回路の増幅出力にお
ける温度補償又は大気圧の補償を行うため、この実施例
では、同図で点線で示したように、ダミーの圧力センサ
ー８′と上記同様な増幅回路（ＯＦ２、Ｒ５，Ｒ６）が
設けられる。上記ダミーの圧力センサー８゛は、大気中
に置かれるものである。
検出回路の一実施例の回路図が示されている。同図にお
いて、抵抗Ｒ１〜Ｒ４で示したブリフジ回路は、上記モ
ノリシック圧力センサーの等価回路である。ブリフジ回
路で示した圧力センサー８の出力は、演算増幅回路ＯＰ
１とその利得設定のための抵抗Ｒ５，Ｒ６からなる増幅
回路によって増幅される。この増幅回路の増幅出力にお
ける温度補償又は大気圧の補償を行うため、この実施例
では、同図で点線で示したように、ダミーの圧力センサ
ー８′と上記同様な増幅回路（ＯＦ２、Ｒ５，Ｒ６）が
設けられる。上記ダミーの圧力センサー８゛は、大気中
に置かれるものである。
上記一対の圧力センサー８，８°の増幅出力は、演算増
幅回路ＯＰ３の反転入力（−）と非反転入力（＋）とに
差動的に供給される。この演算増幅回路ＯＰ３の差動増
幅作用によって、上記大気圧の変動ないし増幅回路の温
度補償等を行うことができる。
幅回路ＯＰ３の反転入力（−）と非反転入力（＋）とに
差動的に供給される。この演算増幅回路ＯＰ３の差動増
幅作用によって、上記大気圧の変動ないし増幅回路の温
度補償等を行うことができる。
すなわち、半導体ウェハが載置されない場合、再圧力セ
ンサー８．８′ は、同じ大気圧に従った出力信号を送
出するので、その変動を補償することができる。また、
増幅回路ＯＰＩとＯＦ２における温度依存性又は電源電
圧依存性等も同様に相殺される。これにより、半導体ウ
ェハが載置されてなければ、演算増幅回路ＯＰ３の出力
からははソ′回路の接地電位のようなロウレベルの出力
信号が得られる。これにより、トランジスタＱ１はオフ
状態にされる。また、半導体ウェハが載置されていれば
、再圧力センサー８．８°から得られた出力信号の増幅
信号の差分が演算増幅回路ＯＰ３と、その抵抗Ｒ７，Ｒ
８によって設定された利得に従ったハイレベルにされる
。このハイレベルは、特に制限されないが、抵抗Ｒ９と
ダイオードＤ１を介してトランジスタＱ１のベースに伝
えられ、このトランジスタＱ１をオン状態にする。
ンサー８．８′ は、同じ大気圧に従った出力信号を送
出するので、その変動を補償することができる。また、
増幅回路ＯＰＩとＯＦ２における温度依存性又は電源電
圧依存性等も同様に相殺される。これにより、半導体ウ
ェハが載置されてなければ、演算増幅回路ＯＰ３の出力
からははソ′回路の接地電位のようなロウレベルの出力
信号が得られる。これにより、トランジスタＱ１はオフ
状態にされる。また、半導体ウェハが載置されていれば
、再圧力センサー８．８°から得られた出力信号の増幅
信号の差分が演算増幅回路ＯＰ３と、その抵抗Ｒ７，Ｒ
８によって設定された利得に従ったハイレベルにされる
。このハイレベルは、特に制限されないが、抵抗Ｒ９と
ダイオードＤ１を介してトランジスタＱ１のベースに伝
えられ、このトランジスタＱ１をオン状態にする。
上記トランジスタＱ１のオン／オフ状態によって、その
出力からロウレベル／ハイレベルの検出出力が得られる
。上記トランジスタＱ１は、そのエミッタは回路の接地
電位に結合され、そのコレクタには、負荷としての抵抗
Ｒ１１と発光ダーｆオードＬＥＤが設けられる。この発
光ダイオードＬＥＤは、半導体ウェハの有無を表示させ
るためのものである。
出力からロウレベル／ハイレベルの検出出力が得られる
。上記トランジスタＱ１は、そのエミッタは回路の接地
電位に結合され、そのコレクタには、負荷としての抵抗
Ｒ１１と発光ダーｆオードＬＥＤが設けられる。この発
光ダイオードＬＥＤは、半導体ウェハの有無を表示させ
るためのものである。
なお、特に制限されないが、上記抵抗Ｒ９とダイオード
Ｄ１及びトランジスタＱ１のベース、エミッタ間抵抗Ｒ
ＩＯが設けられることによって、上記演算増幅回路ＯＰ
３のロウレベルの出力信号が、回路の接地電位以上の中
間レベルになっていても、トランジスタＱ１はオン状態
にならないようにしている。すなわち、トランジスタＱ
１は、演算増幅回路ＯＰ３の出力電圧を抵抗Ｒ９とＲ１
０で分圧した電圧が、ダイオードＤ１とトランジスタＱ
１とを共にオン状態にするに必要な電圧にならなければ
オン状態にされない。
Ｄ１及びトランジスタＱ１のベース、エミッタ間抵抗Ｒ
ＩＯが設けられることによって、上記演算増幅回路ＯＰ
３のロウレベルの出力信号が、回路の接地電位以上の中
間レベルになっていても、トランジスタＱ１はオン状態
にならないようにしている。すなわち、トランジスタＱ
１は、演算増幅回路ＯＰ３の出力電圧を抵抗Ｒ９とＲ１
０で分圧した電圧が、ダイオードＤ１とトランジスタＱ
１とを共にオン状態にするに必要な電圧にならなければ
オン状態にされない。
（１）半導体ウェハの測定表面に設けられた溝を介して
吸引孔に結合される小孔を設けて、これに圧力センサー
を接続させることにより、半導体ウェハの有無に従った
はゾ２値の圧力の変化を作り出すことができる。これに
よって、精度の高い半導体ウェハの有無の検出を実現す
ることができるという効果が得られる。
吸引孔に結合される小孔を設けて、これに圧力センサー
を接続させることにより、半導体ウェハの有無に従った
はゾ２値の圧力の変化を作り出すことができる。これに
よって、精度の高い半導体ウェハの有無の検出を実現す
ることができるという効果が得られる。
（２）上記（１）により、はり２値の圧力変化を検出す
るものであるから、比較的感度の悪い安価な圧力センサ
ーを用いても高精度で半導体ウェハの有無を検出するこ
とができるという効果が得られる。
るものであるから、比較的感度の悪い安価な圧力センサ
ーを用いても高精度で半導体ウェハの有無を検出するこ
とができるという効果が得られる。
（３）検出回路として、大気中に置かれたダミーの圧力
センサーを設けて、差の信号を形成することによって、
大気圧の変動及び微少なセンサー出力を増幅する増幅回
路におるけ温度補償、電源電圧依存性等の補償を行うこ
とができる。したがって、上記（１）ないしく２）と相
乗的な作用によって、極めて安定し、かつ高い精度での
半導体ウェハの有無の検出を行うことができるという効
果が得られる。
センサーを設けて、差の信号を形成することによって、
大気圧の変動及び微少なセンサー出力を増幅する増幅回
路におるけ温度補償、電源電圧依存性等の補償を行うこ
とができる。したがって、上記（１）ないしく２）と相
乗的な作用によって、極めて安定し、かつ高い精度での
半導体ウェハの有無の検出を行うことができるという効
果が得られる。
（４）上記（１）ないしく３）によって、全自動半導体
ウェハプローバに通用した場合には、半導体ウェハの有
無を確実に検出できるから、半導体ウェハの自動ロード
／アンロード動作において、半導体ウェハの損傷や無駄
な待ち時間を防止することができるという効果が得られ
る。
ウェハプローバに通用した場合には、半導体ウェハの有
無を確実に検出できるから、半導体ウェハの自動ロード
／アンロード動作において、半導体ウェハの損傷や無駄
な待ち時間を防止することができるという効果が得られ
る。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、使用する圧力
センサーは、上記のような気圧の変化を検出できるもの
であれば何であってもよい。また、吸引孔及び小孔と真
空ポンプ及び圧力センサーとをそれぞれ結合させる手段
は、種々の実施形態を採ることができるものである。さ
らに、圧力センサーの出力を信号処理する検出回路は、
ダミー圧力センサーを省略して構成するもの等積々の実
施形態を採ることができるものである。
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、使用する圧力
センサーは、上記のような気圧の変化を検出できるもの
であれば何であってもよい。また、吸引孔及び小孔と真
空ポンプ及び圧力センサーとをそれぞれ結合させる手段
は、種々の実施形態を採ることができるものである。さ
らに、圧力センサーの出力を信号処理する検出回路は、
ダミー圧力センサーを省略して構成するもの等積々の実
施形態を採ることができるものである。
この発明は、例えば、全自動半導体ウエハプローバ等の
ように半導体ウェハを吸引固定して、その測定を行う各
種の半導体半導体ウェハ検査装置に広く利用できるもの
である。
ように半導体ウェハを吸引固定して、その測定を行う各
種の半導体半導体ウェハ検査装置に広く利用できるもの
である。
第１図は、この発明の一実施例を示す概略断面図、
第２図は、その概略平面図、
第３図は、その検出回路の一実施例を示す回路図・
第４図は、この発明に先立って検討された半導体ウェハ
の有無を検出する方法を示す原理図である。
の有無を検出する方法を示す原理図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、被測定半導体ウェハを吸引固定する複数の溝と、上
記溝に結合された吸引孔と、上記吸引孔が設けられた位
置と異なる溝の一部と圧力センサーとを結合させる小孔
と、上記圧力センサーを含む半導体ウェハの検出回路と
を含むことを特徴とする半導体ウェハ測定載置台。 ２、半導体ウェハの検出回路は、上記圧力センサーの出
力と、大気中に置かれた上記同様の圧力センサーの出力
とを受ける差動増幅回路を含むものであることを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェハ測定載置
台。 ３、上記半導体ウェハ測定載置台は、全自動半導体ウェ
ハプローバに設けられるものであることを特徴とする特
許請求の範囲第１又は第２項記載の半導体ウェハ測定載
置台。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24658584A JPS61125038A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 半導体ウエハ測定載置台 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24658584A JPS61125038A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 半導体ウエハ測定載置台 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125038A true JPS61125038A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0578935B2 JPH0578935B2 (ja) | 1993-10-29 |
Family
ID=17150602
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24658584A Granted JPS61125038A (ja) | 1984-11-21 | 1984-11-21 | 半導体ウエハ測定載置台 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125038A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6788991B2 (en) | 2002-10-09 | 2004-09-07 | Asm International N.V. | Devices and methods for detecting orientation and shape of an object |
| US6950774B2 (en) | 2003-01-16 | 2005-09-27 | Asm America, Inc. | Out-of-pocket detection system using wafer rotation as an indicator |
| KR101056040B1 (ko) | 2009-12-03 | 2011-08-10 | 조경덕 | 기판흡착용 진공 척 |
| JP2012004490A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51141956A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-07 | Toshiba Corp | Method for detecting a product of vaccum slide fastener |
| JPS5997840U (ja) * | 1982-12-17 | 1984-07-03 | 松下電器産業株式会社 | 吸着固定装置 |
| JPS59132738U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-05 | セーラー万年筆株式会社 | 微小ワ−クの吸引チヤツク装置 |
| JPS59190632A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 差圧表示装置 |
-
1984
- 1984-11-21 JP JP24658584A patent/JPS61125038A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51141956A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-07 | Toshiba Corp | Method for detecting a product of vaccum slide fastener |
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| JPS59132738U (ja) * | 1983-02-22 | 1984-09-05 | セーラー万年筆株式会社 | 微小ワ−クの吸引チヤツク装置 |
| JPS59190632A (ja) * | 1983-04-14 | 1984-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 差圧表示装置 |
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| US6950774B2 (en) | 2003-01-16 | 2005-09-27 | Asm America, Inc. | Out-of-pocket detection system using wafer rotation as an indicator |
| KR101056040B1 (ko) | 2009-12-03 | 2011-08-10 | 조경덕 | 기판흡착용 진공 척 |
| JP2012004490A (ja) * | 2010-06-21 | 2012-01-05 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0578935B2 (ja) | 1993-10-29 |
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