JPS61124597A - 銀被覆電気材料 - Google Patents
銀被覆電気材料Info
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- JPS61124597A JPS61124597A JP24579884A JP24579884A JPS61124597A JP S61124597 A JPS61124597 A JP S61124597A JP 24579884 A JP24579884 A JP 24579884A JP 24579884 A JP24579884 A JP 24579884A JP S61124597 A JPS61124597 A JP S61124597A
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- Japan
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- layer
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- coated
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスイッチ、リレー、コネクターなどの電気接点
や半導体リードフレーム、回路導体等に用いられる銀被
覆電気材料に関し、特に貴金属であるＡ（ｌを節約する
も潰れた性能を示す電気材料を提供するものである。
や半導体リードフレーム、回路導体等に用いられる銀被
覆電気材料に関し、特に貴金属であるＡ（ｌを節約する
も潰れた性能を示す電気材料を提供するものである。
貴金属であるＡ（］は高い導電性と優れた耐食性を示す
ため、ＣＬＩ 、Ｆｅ 、ＡＪ！、Ｎｉ又はこれらの合
金からなる基材上に被覆し、電気、電子部品に多用され
ている。例えばスイッチ等の接点では、りん青銅、Ｃｕ
−Ｂｅ合金、黄銅等のＣｕ系基材又はステンレス基材に
ＡＣ＋を被覆したものが用いられ、半導体用、リードフ
レームでは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はこれらの合金からな
る基材を成型したリードフレームの半導体素子を搭載す
るタブ部やワイヤーボンドするインナーリード部に八ｇ
を１〜５μの厚さに被覆している。被覆するＡｇとして
は、純へ〇の他にＡ（］ −Ｃ，ｕ 、 Ａｇ−Ｚｎ
、 Ａｇ−Ａｌ１ 、 Ａｇ−Ｐｂ 、ＡＱ−８ｅ等の
合金が用いられ、被覆にはメッキ、ＰＶＤ、圧延クラッ
ド、溶接客種々の方法を用い、基材上に所望の厚さに被
覆している。
ため、ＣＬＩ 、Ｆｅ 、ＡＪ！、Ｎｉ又はこれらの合
金からなる基材上に被覆し、電気、電子部品に多用され
ている。例えばスイッチ等の接点では、りん青銅、Ｃｕ
−Ｂｅ合金、黄銅等のＣｕ系基材又はステンレス基材に
ＡＣ＋を被覆したものが用いられ、半導体用、リードフ
レームでは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕ又はこれらの合金からな
る基材を成型したリードフレームの半導体素子を搭載す
るタブ部やワイヤーボンドするインナーリード部に八ｇ
を１〜５μの厚さに被覆している。被覆するＡｇとして
は、純へ〇の他にＡ（］ −Ｃ，ｕ 、 Ａｇ−Ｚｎ
、 Ａｇ−Ａｌ１ 、 Ａｇ−Ｐｂ 、ＡＱ−８ｅ等の
合金が用いられ、被覆にはメッキ、ＰＶＤ、圧延クラッ
ド、溶接客種々の方法を用い、基材上に所望の厚さに被
覆している。
Ａ（］の被覆は良好な電気的接続と、これを維持させる
ことにあり、通常は基材を所望形状に成形した後、その
全面又は所定部分に八〇を被覆したり、板や条の全面又
はストライプ状に八〇を被覆しているが、多くの場合は
全面へ〇被覆が用いられている。しかしスイッチ接点や
コネクターとしてのへ〇被覆の必要性は接点部に限られ
、他端部は半田付けや機械的圧着などの端子となり、ま
たリードフレームにおいてもＡｑｌ覆の必要性はインナ
ーリード部に限られ、アウターリード部は半田付は端子
となるところから、八〇を節約するため端子部等へのＡ
ｑ被被覆止める要求が強い。例えば第４図（イ）。
ことにあり、通常は基材を所望形状に成形した後、その
全面又は所定部分に八〇を被覆したり、板や条の全面又
はストライプ状に八〇を被覆しているが、多くの場合は
全面へ〇被覆が用いられている。しかしスイッチ接点や
コネクターとしてのへ〇被覆の必要性は接点部に限られ
、他端部は半田付けや機械的圧着などの端子となり、ま
たリードフレームにおいてもＡｑｌ覆の必要性はインナ
ーリード部に限られ、アウターリード部は半田付は端子
となるところから、八〇を節約するため端子部等へのＡ
ｑ被被覆止める要求が強い。例えば第４図（イ）。
（ロ）に示すように板条の基材（１′ ）の一部長手方
向にＡｇをストライプ状に被覆しで、ＡＣ１層（３′
）を形成し、該Ａ１１ｌ被覆部を接点に使用し、へ〇被
覆のない部分を端子に使用することが試みられている。
向にＡｇをストライプ状に被覆しで、ＡＣ１層（３′
）を形成し、該Ａ１１ｌ被覆部を接点に使用し、へ〇被
覆のない部分を端子に使用することが試みられている。
しかしながら基材であるＣＬＩ系合金やステンレス等は
腐食し易く、半田ド１けや圧着による接合に重大な障害
となり易い。このため第５図（イ）、（ロ）に示すよう
に板条の基材（１′ ）の全面にＮｉ又はＮｉ合金を被
覆してその表層（２′）を形成し、その一部長手方向に
Ａｆ＋をストライプ状に被覆してＡｆ１層（２′ ）を
形成することが行なわれている。
腐食し易く、半田ド１けや圧着による接合に重大な障害
となり易い。このため第５図（イ）、（ロ）に示すよう
に板条の基材（１′ ）の全面にＮｉ又はＮｉ合金を被
覆してその表層（２′）を形成し、その一部長手方向に
Ａｆ＋をストライプ状に被覆してＡｆ１層（２′ ）を
形成することが行なわれている。
（発明が解決しようとする問題点）
Ｎｉは一般に耐食性であるが、表面に薄い強固な酸化膜
を速やかに発生するため、半田付けなどではこれを除去
しなければならず、活性度の＾い、即ち腐蝕性の強いフ
ラックスが必要となり、このようなフラックスの使用は
フラックスの残留やフラックスの蒸気により電気、電子
部品としての特性劣化の原因となる。更にＡｇは硫化さ
れ易いため、その用途が限定され、高価な八〇やＰｄを
必要とする場合も少なくない。
を速やかに発生するため、半田付けなどではこれを除去
しなければならず、活性度の＾い、即ち腐蝕性の強いフ
ラックスが必要となり、このようなフラックスの使用は
フラックスの残留やフラックスの蒸気により電気、電子
部品としての特性劣化の原因となる。更にＡｇは硫化さ
れ易いため、その用途が限定され、高価な八〇やＰｄを
必要とする場合も少なくない。
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、Ａｆｔを節約する
も上記欠陥を解消した銀被覆電気材料を開発したもので
、表面から厚さ０．０５μ以上の表層がＮｉ 、Ｃｏ又
はこれ等の合金からなる基材上に、Ａ（］又はＡ（］合
金を部分被覆し、露出する基材表面と部分被覆したＡ９
又はＡｆ１合金否上に、Ｉｎ、Ｚｎ 、Ｓｎ 、Ｐｄ
又は］を等の合金を０．０１〜１．０μの厚さに被覆し
たことを特徴とするものである。
も上記欠陥を解消した銀被覆電気材料を開発したもので
、表面から厚さ０．０５μ以上の表層がＮｉ 、Ｃｏ又
はこれ等の合金からなる基材上に、Ａ（］又はＡ（］合
金を部分被覆し、露出する基材表面と部分被覆したＡ９
又はＡｆ１合金否上に、Ｉｎ、Ｚｎ 、Ｓｎ 、Ｐｄ
又は］を等の合金を０．０１〜１．０μの厚さに被覆し
たことを特徴とするものである。
即ら本発明材料は第１図（イ）、（ロ）に示すように表
面から厚さ０．０５μ以上の表層（２）がＮｉ、ｃｏ又
はこれらの合金からなる基材（１）、例えばＮｉ、ｃｏ
又はこれらの合金からなる板条素材を基材（１）とする
か、或いはＣＩＪ、ＣＩＪ合金、ステンレス等からなる
板条素材を基材（１）とし、その表面にＮｉ 、Ｃｏ又
はこれらの合金を０．０５μ以上の厚さに被覆して表層
（２）を形成する。このような基材（１）の表層（２）
上の一部に八〇又はＡｇ合金を所望の厚さに被覆してへ
〇層（３）を形成し、更に露串する表１ｉ’１Ｊ（２）
と被覆しＩζ八へ筈（３）上に、Ｉｎ 、 Ｓｎ 、
Ｚｎ 、 Ｐ（Ｉ 又ハコｔｔラノ合念を０．０１〜１
μの厚さに被覆して最外層（４）を形成したものである
。当該最外層は必要に応して表置（２）の必ずしも全面
でなくともよい。
面から厚さ０．０５μ以上の表層（２）がＮｉ、ｃｏ又
はこれらの合金からなる基材（１）、例えばＮｉ、ｃｏ
又はこれらの合金からなる板条素材を基材（１）とする
か、或いはＣＩＪ、ＣＩＪ合金、ステンレス等からなる
板条素材を基材（１）とし、その表面にＮｉ 、Ｃｏ又
はこれらの合金を０．０５μ以上の厚さに被覆して表層
（２）を形成する。このような基材（１）の表層（２）
上の一部に八〇又はＡｇ合金を所望の厚さに被覆してへ
〇層（３）を形成し、更に露串する表１ｉ’１Ｊ（２）
と被覆しＩζ八へ筈（３）上に、Ｉｎ 、 Ｓｎ 、
Ｚｎ 、 Ｐ（Ｉ 又ハコｔｔラノ合念を０．０１〜１
μの厚さに被覆して最外層（４）を形成したものである
。当該最外層は必要に応して表置（２）の必ずしも全面
でなくともよい。
Ｎｉ 、ＣＯ又はこれらの合金としては、Ｎｉ 、ＣＯ
の他に、Ｎｉ −Ｃｏ 、 Ｎｉ −Ｆｅ 、 Ｎｉ
−Ｐ、Ｎｉ −Ｃｏ−Ｐ、Ｎｉ −Ｃｒ 、Ｎｉ
−Ｂ。
の他に、Ｎｉ −Ｃｏ 、 Ｎｉ −Ｆｅ 、 Ｎｉ
−Ｐ、Ｎｉ −Ｃｏ−Ｐ、Ｎｉ −Ｃｒ 、Ｎｉ
−Ｂ。
Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｐ等の合金を用いる。ＡＩＪ又はＡｇ
合金としてはＩｌ！Ａｇの外にＡｇ−Ｃｕ 。
合金としてはＩｌ！Ａｇの外にＡｇ−Ｃｕ 。
、ｌ −Ｚｎ 、ＡＣ＋ −Ａｕ 、Ａｇ−Ｐｄ 、Ａ
ｇ −８ｂ 、Ａｇ−８ｅ等の合金を用いる。またｌｎ
。
ｇ −８ｂ 、Ａｇ−８ｅ等の合金を用いる。またｌｎ
。
３ｎ 、’：ｌｎ 、Ｐ（ｌ又はこれらの合金としては
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄの外にｌｎ −３ｎ 。
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄの外にｌｎ −３ｎ 。
Ｓｎ −Ｐｂ 、 Ｚｎ −３ｎ 、 Ｐｄ −Ｎｉ
、Ｉｎ −７−ｎ 、 Ｚｎ−（：、ｄ等の合金を用い
る。
、Ｉｎ −７−ｎ 、 Ｚｎ−（：、ｄ等の合金を用い
る。
〔作 用）
基材のＮｉ、Ｃｏ又はこれらの合金からなる表層は、基
材の腐食を防止し、基材上に被覆するＡ（ｌ又はＡｇ合
金層との拡散反応を抑制するバリヤーとして動き、また
ｉｎ、３ｎ、Ｚｎ。
材の腐食を防止し、基材上に被覆するＡ（ｌ又はＡｇ合
金層との拡散反応を抑制するバリヤーとして動き、また
ｉｎ、３ｎ、Ｚｎ。
ｐａｌ又はこれらの合金からなる最外層は前記従来材料
における不都合を解ねするものである。
における不都合を解ねするものである。
即ちＮｉ、ｃｏ又はこれらの合金からなる表層の表面に
起る強固な酸化被覆の発生をＰｄ又はその合金からなる
最外層により酸化し鼎いものとし、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ又
はその合金からなる最外層は軟質の薄い酸化被覆とし、
半田付は等のろう付けや機械的圧着、例えばかしめなど
による電気的接続を大幅に改善する。更に［ｎ。
起る強固な酸化被覆の発生をＰｄ又はその合金からなる
最外層により酸化し鼎いものとし、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ又
はその合金からなる最外層は軟質の薄い酸化被覆とし、
半田付は等のろう付けや機械的圧着、例えばかしめなど
による電気的接続を大幅に改善する。更に［ｎ。
Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ等はＡｇと合金化し、ＡＣ３層の最大
の欠陥である硫化を大幅に防止することができる耐硫化
性の表面を形成する。
の欠陥である硫化を大幅に防止することができる耐硫化
性の表面を形成する。
Ｉｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｐｄ又ハコレラノ合金による最外層
の上記効果は、厚さ０．０５μ以上のＮ： 、Ｃｏ又は
これらの合金からなる表層との組み合せにより発揮でき
るものである。即ちＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、ＰｄはＣｕ系材
料と反応しやすく、Ｎｉ、Ｃｏ又はこれらの合金からな
る表層の厚さが０．０５μ未満では上記反応を防止する
ことができないためである。またＩｎ。
の上記効果は、厚さ０．０５μ以上のＮ： 、Ｃｏ又は
これらの合金からなる表層との組み合せにより発揮でき
るものである。即ちＩｎ、Ｓｎ、Ｚｎ、ＰｄはＣｕ系材
料と反応しやすく、Ｎｉ、Ｃｏ又はこれらの合金からな
る表層の厚さが０．０５μ未満では上記反応を防止する
ことができないためである。またＩｎ。
８口、Ｚｎ 、Ｐｄ又はこれらの合金からなる最外層の
厚さを０．０１〜１．０μとしたのは厚さが０．０１μ
未満では上記効果が得られず、厚さが１．０μを越える
とＡｉ１層に期待するＡｇ本来の電気伝導性が得られな
くなるためで、特に０．０２〜０．５μの薄い被覆とす
ることが望ましい。
厚さを０．０１〜１．０μとしたのは厚さが０．０１μ
未満では上記効果が得られず、厚さが１．０μを越える
とＡｉ１層に期待するＡｇ本来の電気伝導性が得られな
くなるためで、特に０．０２〜０．５μの薄い被覆とす
ることが望ましい。
尚、Ｎｉ 、 Ｃｏ系、Ａｇ系、Ｉｎ、Ｓ１１゜Ｚｎ
、Ｐｄ系等の被覆は任意の方法で行なえばよいが、特に
電気メツキ法は共通して利用できるため実用的な方法で
あり、更にｐｖｏ、クラッド、溶接、化学メッキ等の方
法も適宜使用することができる。
、Ｐｄ系等の被覆は任意の方法で行なえばよいが、特に
電気メツキ法は共通して利用できるため実用的な方法で
あり、更にｐｖｏ、クラッド、溶接、化学メッキ等の方
法も適宜使用することができる。
（実施例）
（１）厚さ０．２５ｍ、幅１５８の黄銅条（Ｃｕ−３５
％Ｚｎ）を基材とし、その全面に厚さ１２μのＡｇメッ
キを施してＡｇＩを形成した後、プレス成型によりＬ字
状に折り曲げたものが小型スイッチ用接点に用いられて
いる。このような接点においてＡ９を節約するため１．
基材の全面にＮｉ ＳＯ＋ ２４０ｇ／Ｊ！、 Ｃｏ
Ｓ０４２０ｇ／（。
％Ｚｎ）を基材とし、その全面に厚さ１２μのＡｇメッ
キを施してＡｇＩを形成した後、プレス成型によりＬ字
状に折り曲げたものが小型スイッチ用接点に用いられて
いる。このような接点においてＡ９を節約するため１．
基材の全面にＮｉ ＳＯ＋ ２４０ｇ／Ｊ！、 Ｃｏ
Ｓ０４２０ｇ／（。
Ｎｉ Ｃｌ！ｚ ３０ｇ／ｉ Ｈ３５０３４５ｇ／、ｅ
からなる４５℃の温浴を用い、２．５Ａ／ｄｆｆ１２の
電流密度によりＮｉ−１０％ＣＯ合金を０．８μの厚さ
に全面メッキして表層を形成し、その片面長手方向にＡ
！Ｊを幅４１１１１．厚さ １．８μのストライブ状に
メッキしてＡｇ層を形成した。ストライブ状メッキには
テープシール法により、ＡｇｃＮ４５ｇ／１２． ＫＣ
Ｎ４０ｇ／ｌ Ｋ２ ＣＯ３１５９／Ｊ！からなる２５
℃の温浴を用い、２．５Ａ ／ ｄｍ２の電流密度で行
なった。次にストライブ状のＡｇ層と露出づるＮｉ −
１０％ＣＯ合金メッキの表面に日進化成■製のＰＮＰ−
８０浴（ｐｉ−１８，９，浴′１Ａ２５℃）を用い、１
．５Ａ ／ ｄｍ２の電流密度でＰｄ−２０％Ｎｉ合金
を０．０３μと０．１μの厚さにメッキして最外層を形
成し本発明電気材料を作成した。
からなる４５℃の温浴を用い、２．５Ａ／ｄｆｆ１２の
電流密度によりＮｉ−１０％ＣＯ合金を０．８μの厚さ
に全面メッキして表層を形成し、その片面長手方向にＡ
！Ｊを幅４１１１１．厚さ １．８μのストライブ状に
メッキしてＡｇ層を形成した。ストライブ状メッキには
テープシール法により、ＡｇｃＮ４５ｇ／１２． ＫＣ
Ｎ４０ｇ／ｌ Ｋ２ ＣＯ３１５９／Ｊ！からなる２５
℃の温浴を用い、２．５Ａ ／ ｄｍ２の電流密度で行
なった。次にストライブ状のＡｇ層と露出づるＮｉ −
１０％ＣＯ合金メッキの表面に日進化成■製のＰＮＰ−
８０浴（ｐｉ−１８，９，浴′１Ａ２５℃）を用い、１
．５Ａ ／ ｄｍ２の電流密度でＰｄ−２０％Ｎｉ合金
を０．０３μと０．１μの厚さにメッキして最外層を形
成し本発明電気材料を作成した。
（２）実施例（１）において、ＰＮＰ−８０浴に替えＴ
Ｓｎ ＳＯ＋ ５０ｇ／ｉ Ｈｚ ＳＯ＋４０！７／
’ Ｒ、ニカワ １．０ｇ／ ｆｌからなる１５℃の浴
を用い、５．ＯＡ、’ｄｍ２の電流密度でＳｎを０．１
５μの厚さにメッキして最外層を形成し本発明電気材料
を作成した。
Ｓｎ ＳＯ＋ ５０ｇ／ｉ Ｈｚ ＳＯ＋４０！７／
’ Ｒ、ニカワ １．０ｇ／ ｆｌからなる１５℃の浴
を用い、５．ＯＡ、’ｄｍ２の電流密度でＳｎを０．１
５μの厚さにメッキして最外層を形成し本発明電気材料
を作成した。
（３）同様にしてＰＮＰ−８０浴に替えてＺｎ（ＣＮ）
２６０ｇ／Ｊ２．Ｎａ Ｃ８４０ｇ／’１ＮａＯＨ８０
９／ｊ！からなる２５℃の温浴を用い、２．５Ａ／ｃｌ
ｎ２の電流密度でＺｎを０．０Ｓ μと０．１０μの厚
さにメッキして最外層を形成し本発明電気材料を作成し
た。
２６０ｇ／Ｊ２．Ｎａ Ｃ８４０ｇ／’１ＮａＯＨ８０
９／ｊ！からなる２５℃の温浴を用い、２．５Ａ／ｃｌ
ｎ２の電流密度でＺｎを０．０Ｓ μと０．１０μの厚
さにメッキして最外層を形成し本発明電気材料を作成し
た。
（４）同様にしてＰＮＰ−８０浴に替えて１ｎ（ＯＨ）
ｘ ５０ｇ／、ｅ、 Ｎａ ＣＨ１５０ｙ／、ｅ、 ａ
グ）Ｉｉフコース２０１１２． Ｎａ ０ｌ−１３０９
７’、ｅからなる２５℃の温浴を用い、２．ＯＡ 、７
６ｍ２の電流密度でＺｎ′４ｉ−０，０４μと０．０８
μの厚さにメッキして最外層を形成し本発明電気材料を
作成した。
ｘ ５０ｇ／、ｅ、 Ｎａ ＣＨ１５０ｙ／、ｅ、 ａ
グ）Ｉｉフコース２０１１２． Ｎａ ０ｌ−１３０９
７’、ｅからなる２５℃の温浴を用い、２．ＯＡ 、７
６ｍ２の電流密度でＺｎ′４ｉ−０，０４μと０．０８
μの厚さにメッキして最外層を形成し本発明電気材料を
作成した。
尚比較のため実施例（１）において、ＰＮＰ−８０浴に
よるＰｄ−２０％Ｎｉ合金メッキを省略して最外層を形
成しない比較用電気材料及びＰＮＰ−８０浴によりＰｂ
−２０％Ｎ１合金を０．００８μの厚さにメッキして最
外層を形成した比較用電気材料、更に実施例（２）にお
いてＳＯを０．００８μの厚さにメッキして最外層を形
成した比較用電気材料を作成した。
よるＰｄ−２０％Ｎｉ合金メッキを省略して最外層を形
成しない比較用電気材料及びＰＮＰ−８０浴によりＰｂ
−２０％Ｎ１合金を０．００８μの厚さにメッキして最
外層を形成した比較用電気材料、更に実施例（２）にお
いてＳＯを０．００８μの厚さにメッキして最外層を形
成した比較用電気材料を作成した。
これ等電気材料を第２図に示すようにプレス成型により
Ｌ字形に折り曲げ、その端子部を電気導体（５）に半田
付け（６）により取付け、ＡＣｌ層（３）を接点部とす
る小型スイッチを作成し゛て使用された。面図において
（１）は黄１銅条からなる基材、（２）は表層、（４）
はＩｎ。
Ｌ字形に折り曲げ、その端子部を電気導体（５）に半田
付け（６）により取付け、ＡＣｌ層（３）を接点部とす
る小型スイッチを作成し゛て使用された。面図において
（１）は黄１銅条からなる基材、（２）は表層、（４）
はＩｎ。
７ｎ 、３ｎ 、ｐｄ又はこれらの合金からなる最外層
を示す。
を示す。
これ等の接点材を各種評価するための劣化加速処理とし
て、１００℃の大気中に１０００時間放置した後、ＪＥ
ＩＤＡ−２５に準じて４０℃のＨ２８３Ｆ＋１１１１１
の雰囲気中に２４時間暴露した。これについて常法より
接点□部にＡｇプルーブを５０９の荷重で押し当て、１
００ｍＡ（ＤＣ）の電流を流して接触抵抗を測定した。
て、１００℃の大気中に１０００時間放置した後、ＪＥ
ＩＤＡ−２５に準じて４０℃のＨ２８３Ｆ＋１１１１１
の雰囲気中に２４時間暴露した。これについて常法より
接点□部にＡｇプルーブを５０９の荷重で押し当て、１
００ｍＡ（ＤＣ）の電流を流して接触抵抗を測定した。
また露出する表層についてＭＩＬ法に準じ共晶半田浴（
２３５℃）の中に５秒間浸漬して半田濡れ面積を求めた
。
２３５℃）の中に５秒間浸漬して半田濡れ面積を求めた
。
更に上記各電気材料についてＡａのマイグレーションに
よる絶縁劣化障害を調べるため、それぞれ定性１紙上に
１２．ＯＩＭの間隔で対置し、４５Ｖ（ＤＣ）の電圧を
印加して温度４０’Ｃ，湿態８５％の恒温恒湿度槽内に
２４時間保持し、濾紙上のマイナス側からプラス側に向
って黒色Ａ（ｌの成長する距離を比較した。これ等の結
果を第１表に示４° 第１表 第１表から明らかなように本発明電気材料〔実施例（１
）〜（４）〕は何れも従来材料〔比較例（１）〕と比較
し、Ａｇ１の耐硫化性と表層の半田付は性を大巾に向上
し、貴金属としてのＡｇを節約し得ることが判る。また
Ａｇのマイグレーションによる絶縁劣化障害も、マイグ
レーションの速度が５０％以下に低減していることが判
る。このことはＡＣ１層レジンモールドして直流回線に
使用する場合に起り易い短絡障害を大巾に防止できるこ
とを示すものである。
よる絶縁劣化障害を調べるため、それぞれ定性１紙上に
１２．ＯＩＭの間隔で対置し、４５Ｖ（ＤＣ）の電圧を
印加して温度４０’Ｃ，湿態８５％の恒温恒湿度槽内に
２４時間保持し、濾紙上のマイナス側からプラス側に向
って黒色Ａ（ｌの成長する距離を比較した。これ等の結
果を第１表に示４° 第１表 第１表から明らかなように本発明電気材料〔実施例（１
）〜（４）〕は何れも従来材料〔比較例（１）〕と比較
し、Ａｇ１の耐硫化性と表層の半田付は性を大巾に向上
し、貴金属としてのＡｇを節約し得ることが判る。また
Ａｇのマイグレーションによる絶縁劣化障害も、マイグ
レーションの速度が５０％以下に低減していることが判
る。このことはＡＣ１層レジンモールドして直流回線に
使用する場合に起り易い短絡障害を大巾に防止できるこ
とを示すものである。
（５）第３図に示すＤＩＰ型レツレジンモールドＩＣ用
リードフレームいて、Ｎｉ ＳＯ＋ ２４０５１！、
Ｈ３ＢＯ３３０９／１２． ’ｐｌ−１３，０＋
７）４５℃の温浴を用い、３．５Ａ ／ ｄｍ２の電流
密度で全面Ｎ１メッキ（厚さ２．０μ）して表層を形成
した後、半導体素子を搭載するタブ部（７）と：素子上
の電極パッドとワイヤーボンドするインナーリード部（
８）のワイヤーボンド部（図に示す点線内）にＡｇＣＮ
４５ｇ／（、ＫＣＮ ４５ｇ／ｉ Ｋ（、ｅ
４０ｇ／ＣＫ２ ＣＯ３１５ｇ・（からなる２５℃の温
浴を用い、２．５Ａ ／ ｄｍ２の電流密度でＡａをス
ポット状に部分メッキ（厚さ２．５μ）してＡｇｆｆ１
を形成し、更に日進化成■製ＰＮＰ−８０浴（’ ｐｌ
−１’ａ、９１・浴温２５℃）を用い、仝而（Ａｇ表面
と表層の露出面）にＰｄ−２０％Ｎｉ合金メッキを施し
、素子上の電極とインナーリード部（８）をワイヤーボ
ンドした。その結果極めて良好であり、全く異常が認め
られなかった。またワイヤーのボンド強さをテストした
ところ１１．４９を示した。次にこれをレジンモールド
した後、アウターリード部（９）に共晶半田を予備半田
付けした。この半田付けにはハロゲン系の活性フラック
スを用いることなく、非活性のロジンフラックスにより
良好な半田付けを行なうことができた。
リードフレームいて、Ｎｉ ＳＯ＋ ２４０５１！、
Ｈ３ＢＯ３３０９／１２． ’ｐｌ−１３，０＋
７）４５℃の温浴を用い、３．５Ａ ／ ｄｍ２の電流
密度で全面Ｎ１メッキ（厚さ２．０μ）して表層を形成
した後、半導体素子を搭載するタブ部（７）と：素子上
の電極パッドとワイヤーボンドするインナーリード部（
８）のワイヤーボンド部（図に示す点線内）にＡｇＣＮ
４５ｇ／（、ＫＣＮ ４５ｇ／ｉ Ｋ（、ｅ
４０ｇ／ＣＫ２ ＣＯ３１５ｇ・（からなる２５℃の温
浴を用い、２．５Ａ ／ ｄｍ２の電流密度でＡａをス
ポット状に部分メッキ（厚さ２．５μ）してＡｇｆｆ１
を形成し、更に日進化成■製ＰＮＰ−８０浴（’ ｐｌ
−１’ａ、９１・浴温２５℃）を用い、仝而（Ａｇ表面
と表層の露出面）にＰｄ−２０％Ｎｉ合金メッキを施し
、素子上の電極とインナーリード部（８）をワイヤーボ
ンドした。その結果極めて良好であり、全く異常が認め
られなかった。またワイヤーのボンド強さをテストした
ところ１１．４９を示した。次にこれをレジンモールド
した後、アウターリード部（９）に共晶半田を予備半田
付けした。この半田付けにはハロゲン系の活性フラック
スを用いることなく、非活性のロジンフラックスにより
良好な半田付けを行なうことができた。
比較のため最外層のｐｄ−２０％Ｎｉ合金メッキを省略
したリードフレームを用い、同様にして素子搭載、ワイ
ヤーボンドしたところ、ダイボンドとワイヤーボンドの
加熱によりＡｇ層部に部分的に黒点が発生し、ワイヤー
ボンドの強さも８．１ｇと低く、レジンモールド後のア
ウターリード部の予備半田付けには活性なフラックスを
必要とし、しかも半田濡れ面積は８０％以下と低いもの
であった。
したリードフレームを用い、同様にして素子搭載、ワイ
ヤーボンドしたところ、ダイボンドとワイヤーボンドの
加熱によりＡｇ層部に部分的に黒点が発生し、ワイヤー
ボンドの強さも８．１ｇと低く、レジンモールド後のア
ウターリード部の予備半田付けには活性なフラックスを
必要とし、しかも半田濡れ面積は８０％以下と低いもの
であった。
発明の効果〕
このように本発明によれば貴金属であるＡｇを節約する
も、電気材料としての優れた半田付は性や機械的電気接
続における接続性を艮期にわたり維持することができる
顕著な効果を奏するものである。
も、電気材料としての優れた半田付は性や機械的電気接
続における接続性を艮期にわたり維持することができる
顕著な効果を奏するものである。
第１図（イ）、（ロ）は本発明電気材料の一例を示すも
ので、（イ）は平面図、（ロ）は断面図、第２図は本発
明電気材料を用いた小型接点の一例を示す断面図、第３
図はＤＩＰ型レツレジンモールドＩＣ用リードフレーム
例を示す平面図、第４図（イ）、（ロ）は従来電気材料
の一例を示すもので（イ）は平面図、（ロ）は断面図、
第５図（イ）、（ロ）は従来電気材料の他の一例を示す
もので、（イ）は平面図。 （ロ）は断面図である。 １．１′・・・基材 ２．２′・・・表 層 ３．３′・・・Ａｇ層 ４・・・ 最外層 ５・・・ 導 体 ６・・・ 半田付は部 ７・・・ タブ部 ８・・・ インナーリード ９・・・ アウターリード 第１図 第２図 第３図 （イ） （ロ） （イ） （ロ）
ので、（イ）は平面図、（ロ）は断面図、第２図は本発
明電気材料を用いた小型接点の一例を示す断面図、第３
図はＤＩＰ型レツレジンモールドＩＣ用リードフレーム
例を示す平面図、第４図（イ）、（ロ）は従来電気材料
の一例を示すもので（イ）は平面図、（ロ）は断面図、
第５図（イ）、（ロ）は従来電気材料の他の一例を示す
もので、（イ）は平面図。 （ロ）は断面図である。 １．１′・・・基材 ２．２′・・・表 層 ３．３′・・・Ａｇ層 ４・・・ 最外層 ５・・・ 導 体 ６・・・ 半田付は部 ７・・・ タブ部 ８・・・ インナーリード ９・・・ アウターリード 第１図 第２図 第３図 （イ） （ロ） （イ） （ロ）
Claims (1)
- 表面から厚さ０．０５μ以上の表層がＮｉ、Ｃｏ又はこ
れらの合金からなる基材上に、Ａｇ又Ａｇ合金を部分被
覆し、露出する基材表面と部分被覆したＡｇ又はＡｇ合
金層上に、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｐｄ又はこれらの合金を
０．０１〜１．０μの厚さに被覆したことを特徴とする
銀被覆電気材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24579884A JPS61124597A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 銀被覆電気材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24579884A JPS61124597A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 銀被覆電気材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61124597A true JPS61124597A (ja) | 1986-06-12 |
Family
ID=17138988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24579884A Pending JPS61124597A (ja) | 1984-11-20 | 1984-11-20 | 銀被覆電気材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61124597A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10594066B2 (en) | 2012-06-27 | 2020-03-17 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Metallic material for electronic components and method for producing same, and connector terminals, connectors and electronic components using same |
| WO2021181901A1 (ja) * | 2020-03-09 | 2021-09-16 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
-
1984
- 1984-11-20 JP JP24579884A patent/JPS61124597A/ja active Pending
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| WO2014054190A1 (ja) | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 電子部品用金属材料及びその製造方法 |
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