JPS61121288A - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPS61121288A
JPS61121288A JP24371484A JP24371484A JPS61121288A JP S61121288 A JPS61121288 A JP S61121288A JP 24371484 A JP24371484 A JP 24371484A JP 24371484 A JP24371484 A JP 24371484A JP S61121288 A JPS61121288 A JP S61121288A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
waveguide
radio wave
wave absorber
frequency
transmission path
Prior art date
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Pending
Application number
JP24371484A
Other languages
English (en)
Inventor
昌弘 新田
楠木 慈
等隆 信江
戸田 喜博
公明 山口
松本 孝広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication of JPS61121288A publication Critical patent/JPS61121288A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 末完明け、食品などの被加熱物を電波を用いて高周波加
熱するところの高周波加熱装置に関する。
従来の技術 高周波加熱装置にその使用か特に認可されている周波数
帯域は、2450MH2帯あるいは915MH2帯など
国によって多少異なるが、ある特定の帯域に限られてい
る。この帯域においては安全性が保証されれば電波法の
規制を受けない。しかしながら、高周波発振器は一般に
高調波成分を有し、基本周波数(以下foと表記する)
が2450MH2で発振するマグネトoンの場合、49
00MH2,7350MH2,9800MH2゜122
50MH2等に比較的大きな電力成分を有する。(以下
、この成分を210.310.4fo、 5f。
と表記する) これらの高調性成0は電波法の厳しい規制を受けるため
、高調波加熱装置の加熱室開閉扉の電波シールなどが困
難になる。このため加熱室内へ入射する高周波そのもの
の高調波成分を減衰させる工夫が種々とられてきている
従来のこの種の高周波加熱装置は、第9図aK示すよう
に、導波管1の内部に長さの異なる導体棒2a〜2cを
突出させて、バンド・バス・フィルタを構成して加熱室
3内にfO基以外高S・・1波を含む雑音周波数の入射
を阻止するようになっていた。
(例えば、実公昭51−14514号公報)また、同図
すに示すように導波管の管軸方向に幅を有する導体板4
a〜4CをfOの導波管管内波長をλ1としたときはy
λf/2の間隔で配設する構成により、各導体板と各導
体板の間隔により立体共振回路が形成され、fo基以外
周波数の伝送を阻止するようになっている。(例えば特
公昭59−16714号公報) 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような、導体棒を導波管内に突出さ
せる構成では、突出長によって阻止できる周波数が決定
され、かつその周波数帯域は非常に狭い・この帯域を広
く取るには、導体棒の数を増せばよいが、各高調波に対
して実施することは困錐である。
また、IOに共振する立体共振回路を形成させる構成で
は、高調波成分をマグネトロン側へ反射させ、理想的に
foのみを加熱室内に伝送させたとしても、高調波成分
がマグネトロン内部で消滅することはない。このため、
この反射させた高周波によりマグネトロンが異常動作を
起こす危険性がある。
末完8Aはかかる従来の問題を解消するものであり、簡
単な構成にて基本波以外の各高調波成分を減衰消滅させ
て装置の高調波に対する電波漏えい大発明の高周波加熱
装置は食品を収納する加熱室とマイクロ波発振器を結合
する導波管のマイクロ波伝送方向と垂直に狭部を設ける
と共に前記狭部伝送路に複数個の穴を有するしや蔽板に
より形成した空間に電波吸収体を配設したものである。
作  用 大発明の高周波加熱装置は導波管に狭部伝送路を設ける
ことにより導波管内の乱れた高調波成分の電界パターン
を整えられ、狭部伝送路にマイクロ波の基本波をしゃへ
い出来る程度の大きさ、故、の孔もつ板を介して電板吸
収体を設けることにより、基本波に対して挿入損失が無
く、高調波成分を大きく減衰し得るものである0 実施例 以下、大発明の一実施例の高周波加熱装置を図面を参照
して説明する。
第1図において高周波発振器であるマグネトロン5で発
振したマイクロ波(2450MH2の場合が多い)は導
波管6に挿入されたマグネトロンアンテナ7より導波管
6内を伝搬し開口8より加熱室9に入射する。1oは加
熱室9の前面に設けられた扉であり被加熱物を加熱室に
搬入、搬出等に開閉されるものである。導波管6のマグ
ネトロンアンテナ7と開口80間は一部マイクロ波伝送
方向に対して垂直方向に狭部云送路11が設けである。
又、この狭部伝送路11には更に複数個の基本周波数を
しゃ蔽する程度の孔14を有するしゃ蔽板12により成
る突出空間が形成されており、その空間中に電波吸収体
13をしや蔽板12と空隙を持って配設されている。
通常マグネトロンアンテナ7はマイクロ波の基本波の波
長(λ0)の174程度(2450MH2であれば約3
0 mm )であり、導波管高さくa寸法)も35mm
程度が多い為導波管6内のマイクロ波伝搬モードも基本
波においては高さ方向に電界の山が零であるT E I
Qとなるが例えば第5高Jh波ではT E 5Q以外の
TE51、T E 52等も自由に発生する。
したがって、導波管6に狭部伝送り、l1tfftを高
調波成分においてTEno(nは高調波次数2.3、・
・・)になる様Kb寸法(実施例では18mm)を設定
し、狭部伝送路11中に電波吸収体1aを基本波のしゃ
蔽板12を介して設ける構成によれば狭部伝送路11を
通過する高調波Fy、分けその伝搬モードをTEnoに
限定出来るためエネルギー成分の全てを電波吸収体13
に有効に吸収、減衰させることが出来る。
第2図は@1図の主要部分の拡大図、第°3図は第2図
のY−Y’軸断面X方向矢視図である。又、第4図は第
2図のY方向矢視図である図中第1図と同一部材につい
ては同じ番号を付する。
第3図、第4図で分かる様に電波吸収体13は導波管6
の壁面忙近接して設けられている。−力、電波吸収体1
3としてはゴム等を基材とした複合フェライト等が一般
に用いられており、電波吸収量の周波数特性も種々のも
のが現存している。しかしながら、電波吸収体13を電
界密度の高い導波管に配置させると、エネルギーの極め
て大きい基本波により短時間の動作で発熱し焼損してし
まう0 そこで基本波に対し通過損失が大きく、高調波成分に対
しては自由に通過し得る孔14を設けたしゃ蔽板12、
電波吸収体13に対向する導波管H面に設けている。又
、基本波の電界パターンは導波管6の管軸が強電界であ
り、管壁に近づくにつれ漸次弱くなる。そこで、孔14
を管軸に近傍では粗に設け(実施例では直径4市、ピッ
チ3×5mmの千鳥格子孔14a)、管壁に°近い部分
は密に(実施例では7m角で機部2mmの孔14b)設
けている。ここで言う強電界部とは電界パターンの調査
、電波吸収体13の発熱等から管軸を中心に約173程
度と見て良い・又、電波吸収体13としゃ蔽板12との
間には空隙が設けであるこれは孔14a、14bから漏
れ込む基本波成分はしゃ蔽板壁より遠ざかる程減少する
為である(実施例では3mmの空隙を設けている。)。
空隙の代わりとして耐熱温度が高く、基本波に対する誘
電損失の小さいテフロン等で充填しても良い。この構成
でよれば、基本波による電波吸収体13の発熱、焼損が
無く、高調波成分は電波吸収体13に有効に吸収減衰す
ることが出来る。
又、狭部伝送路盲1を導波管6に階段状に設けた場合導
波管6の特性インピーダンスが急激に変化し反射が起こ
り高周波成分が電波吸収体13に有効に吸収されないば
かりかマイクロ波発振器5の異常動作を引き起こす危れ
がある為、狭部伝送路11の導波管伝送方向に対して前
後の位置にはテーパー部を設けてあり、反射波の抑制を
行なった方が良い◎ 上記実施例の構成による特性例を@5図に示す。
ここで使用した電波吸収体13はIC−H0O5(TD
K社製)板厚L5mms長さ30 mm %幅90順(
導波管幅に相当)を用いた時の基本波及び各高調波にお
ける減衰量〔dB〕を導波管6に何も配設しない高周波
加熱装置に対して各周波数毎にプロットしたものである
。同図特性により、本発明の構成は第3高調波より高い
周波数において効果が大きいことが解かる■ 次忙木発明の他の実施例を第6図、第7図、第8図を用
いて説明する。
第6図は主要部分の拡大図、第7図は第6図のY−Y’
軸断面X方向矢視図である。又第8図は第6図のY方向
矢視図である。第7図、第8図において前記実施例と相
違する点はしゃ蔽板12の孔14が導波骨幅全域に渡た
り均一に設けられており、又、電波吸収体13が管軸中
央部を除き、管壁部分のみに分散(電波吸収体13a、
13b)されて設けられている。この構成によればしゃ
蔽板12の加工が容易でかつ電波吸収体13a、13b
の量が少なくて同等の効果が得られる。
発明の効果 以上の様に本発明の高周波加熱装置によれば次の効果が
得られる。
(1)狭部伝送路を設けることにより高調波の伝搬モー
ドをTEnoK整えるため電波吸収体に高調波成分をよ
り完全知減衰させる事が出来る。
(2)電波吸収体を基本波をしゃ蔽する板を介して設け
−ることにより基本波による焼損を避ける事が出来る。
(3電波吸収体により高調波成分を反射させることなく
熱に変換させるため、マイクロ波発振器を安定動作させ
ることが出来る。
(4)電波吸収体の材質を適宜選らぶだけで任意の高調
波成分の減衰が期待出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例における高周波加熱装置
の断面図、第2図は第1図の要部拡大断面図、第3図は
第2図のY−Y’軸断面のX方向矢視図、第4図は第2
図のY方向の矢視図、第5図は本発明の第1の実施例の
特性図、第6図は本発明の第2の実施例における高周波
加熱装置の要77((拡大断面図、第7図は第6図のY
−Y’軸断面のX方向矢視図、第8図は第6図のY方向
矢視図、第9図a、、、&、び第9図すは従来の高周波
加熱装置の断面図である。 5・・・・・・マグネトロン、6・・・・・・導波管、
9・・・・・・加熱室、11・・・・・・狭部伝送路、
12・・−・・・しゃ蔽板、13.13 a、 13 
b−−電波吸収体、14.14a、14b・・・・・・
孔。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名6・
・・ 斗ン皮メ11; 第3図 第 4 図                    
           12・ L+心し陵第5図 J  *** 13  攬力卵シ体 fJa、/3b−4tJ1口IJ、−1g4/4・・ 
矛ム ’f、3tL

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被加熱物を収納する加熱室と、マイクロ波発振器
    を結合する導波管とを備え、前記導波管の一部にマイク
    ロ波伝送方向と垂直な導波管壁面間隔を小さくした狭部
    伝送路を設けると共に、前記狭部伝送路中に複数の穴を
    有する導電体により成るしゃ蔽板により設けた空隙に電
    波吸収体を配設する構成とした高周波加熱装置。
  2. (2)狭部伝送路は導波管に対し伝送方向にテーパー部
    を介して設ける構成とした特許請求の範囲第1項記載の
    高周波加熱装置。
JP24371484A 1984-11-19 1984-11-19 高周波加熱装置 Pending JPS61121288A (ja)

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JP24371484A JPS61121288A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 高周波加熱装置

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JPS61121288A true JPS61121288A (ja) 1986-06-09

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ID=17107892

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010103605A (ja) * 2008-10-21 2010-05-06 New Japan Radio Co Ltd 雑音抑圧フィルタ内蔵伝送装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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