JPS61121282A - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPS61121282A
JPS61121282A JP24368984A JP24368984A JPS61121282A JP S61121282 A JPS61121282 A JP S61121282A JP 24368984 A JP24368984 A JP 24368984A JP 24368984 A JP24368984 A JP 24368984A JP S61121282 A JPS61121282 A JP S61121282A
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JP
Japan
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radio wave
waveguide
wave absorbing
frequency
absorbing material
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JP24368984A
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等隆 信江
楠木 慈
昌弘 新田
戸田 喜博
公明 山口
松本 孝広
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、食品などの被加熱物を電波を用いて高周波加
熱するところの高周波加熱装置に関する。
従来の技術 高周波加熱装置にその使用が特に認可されている周波数
帯域は、2450MH2帯あるいは915M Hz帯な
ど国によって多少異なるが、ある特定の帯域に限られて
いる。この帯域においては安全性が保証されれば電波法
の規制を受けない。しかしなから、高周波発振器は一般
に高周波成分を有し、基本周波数(以下f と表記する
)が2450M Hzで発振するマグネトロンの場合、
4900MHz、7350MHz、9800MHz、1
2250M Hz等に比較的大きな電力成分を有する。
(以下     ゛この成分を2f0,3fo、4f。
、5f0と表記する) これらの高周波成分は電波法の厳しい規制を受けるため
、高周波加熱装置の加熱室開閉扉の電波シールなどが困
難になる。このため加熱室内へ入射する高周波そのもの
の高周波成分を減衰させる工夫が極々とられてきている
従来のこの種の高周波加熱装置は、第5 四a fこ示
すように、導波管1の内部に長さの異なる導体棒2a〜
2cを突出させてバンド・パス・フィルタを構成して加
熱室3内にf0以外の高調波を含む雑音周波数の入射を
阻止するようになっていた。
(例えば、実公昭51−14514号公報)また、同図
すに示すように導波管の管軸方向に幅を有する導体板4
a〜4cを壬。の導波管管内波長をλgとしたときほぼ
λg/2の間隔で配設する構成により、各導体板と各導
体板の間隔により立体共振回路が形成され、f0以外の
周波数伝送を阻止するようになっている。(特公昭59
−16714号公報) 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような導体棒を導波管内に突出させ
る構成では、突出長によって阻止できる周波数が決定さ
れ、かつその周波数帯域は非常に狭い。この帯域を広く
取るには、導体棒の数を増せばよいが、各高調波に対し
て実施することは困難である。
また、foに共振する立体共振回路を形成させる構成で
は、高調波成分をマグネトロン側へ反射させ、理想的に
foのみを加熱室内に伝送させたとしても、高調波成分
がマグネトロン内部で消滅することはない。このtこめ
、この反射させた高調波によりマグネトロンが異常動作
を起こす危険性がある。
本発明はかかる従来の問題を解消するものであり、簡単
な構成にて基本波以外の各高調波成分を減衰消滅させて
装置の高調波に対する電波漏えい上記問題点を解決する
ために本発明の高周波加熱装置は、高周波発振器が発生
する電波を加熱室に伝送する導波管と、該導波管内の導
波管H面に設けられた少なくとも2種類の電波吸収材と
、該電波吸収材をカバーし、電波吸収材と相対向する面
の所定部に開孔を有する導体板という構成を備えたもの
である。
作   用 本発明は上記した構成において、開孔部に存在する強い
電磁界分布による電波吸収材の焼損を未然に防止するよ
うに開孔を配設するとともに、開孔径を適当に選ぶこと
により、導体板が基本波を遮蔽する遮蔽板として作用し
、高調波成分のみが電波吸収材に吸収されることになる
。また、周波数に対する吸収特性が異なる電波吸収材を
導体板開孔との組み合わせで適当に配設することにより
、広い周波数帯域に亘って良好な高調波成分の吸収が達
成される。
実施例 以下本発明の実施例を添付図面にもとづいて説明する。
第1図は本発明−実施例を示す高周波加熱装置の構成図
、第2図は第1図のA方向矢視図である。
第1図、第2図において、5は高周波発振器、6は被加
熱物を収容する加熱室、7は加熱室出入れ扉、8は高周
波発振器が発生する電波を加熱室に伝送する導波管であ
る。この導波管H面9には、周波数によって吸収特性の
異なる電波吸収材10゜11が分散配設され、これらの
電波吸収材をカバーする導体板12が付設されている。
この導体板には、導波管の管、軸方向の中央部(第2図
中eで示す)を中心とするH面幅の4〜−iに相当する
板面上以外に所定の開孔径を宵する開孔13が配設され
ている。
上記構成において、電波吸収材10は、最大電波吸収量
が5〜7GHz、電波吸収材11のそれは10〜12 
GHzの電波吸収材を用いる。また開孔径は、4朋の丸
穴を千鳥格子で開孔率約46%にて配設する。
この開孔は、導波管内を伝送する基本波(2450M)
−1z)を遮蔽し、各高調波を漏洩させる。漏洩した各
高調波は各電波吸収材にて吸収あるいは減衰され、高周
波発振器側へ高調波を反射させない。また加熱室側へは
、各吸収材によって減衰した高調波成分が伝送される。
この結果、出入れ扉に装備した電波シール機構の特性を
変更下ることなく、装置外への高調波成分の漏洩量をよ
り少なくした高周波加熱装置を提供下ることかできる。
また導体板の中央部に開孔がないfこめ電波吸収何か基
本波で焼損することがない。
次に本発明の他の実施例を第3図、第4図を用いて説明
する。第3図において前記実施例と相違する点は吸収特
性の異なる電波吸収材10.11を図に示す如く積み重
ねた構成としたことにある。
このように構成すれは、導波管の長さが短かい場合に対
し、各電波吸収特性を減することなく配設することがで
きる。
また第4図は、導体板12に配設する開孔の径を異なら
した構成のもので、管軸方向の中央部(同図中eで示す
)付近の開孔14の径を、それ以外の面上の開孔15の
径より小さくし、この小さな開孔径が存在するところに
より高い周波数で最大電波吸収量が得られる電波吸収材
を配した構成である。すなわち、導波管H面において2
種類の電波吸収材をサンドイッチに配したものである。
この構成によると、管軸方向の中央部付近は開孔径が小
さいため(ζ、基本波による電波吸収材の焼損を避Cす
ることができ、かつこの小さな開孔からm洩する高調波
は、効果的に電波吸収材にて吸収される。
すなわら、この構成においても管軸方向の構成長が短か
く、かつ高調波吸収特性の良好な導波管)fルタか提供
できる。
発明の効果 以上のように本発明の高周波加熱装置(こよれは次の効
果が得られる。
(1)高調波を吸収あるいは減衰させる電波吸収体を配
設しているので、高周波発振器側へ反射する高調波がな
く高周波発振器の異常動作を解消する効果がある。
(2)2種類以上の電波吸収体を用いること1こより電
波吸収帯域を広帯域にすることができる。
(3)導体板上に設(する高調波を漏洩させる開孔の配
設部あるいは開孔径に工夫を凝らすことにより基本波に
よる電波吸収材の焼損を未然に防止した導波管内に電波
吸収材を設ける実用構成を提供できる。
(4高調波の電波漏洩防止がより完全に達成される。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す高周波加熱装置の構成
図、第2図は第1図のA方向矢視図、第3図は本発明の
他の実施例を示す高周波加熱装置の構成図、第4図は本
発明のさらに他の実施例を示す主要部構成図、第5図は
従来の高周波加熱装置の構成図である。 5・ ・・高周波発振器、6・・・・加熱室、8 ・・
導波管、9・・・・・・導波管H面、10.11−・・
・・電波吸収材、12・・・・・導体板、13・・・・
開孔。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図       5.−0高肩我禿縣Δ・・・加熱、室 9・・・導反音 第2図        94−渡智H面第3図    
   10.斗吹管 10./ノ  −党;皮tI友荷又材 t2  念褥−イイト做 第4図 第5図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)高周波発振器と、被加熱物を収容する加熱室と、
    前記高周波発振器が発生する電波を前記加熱室に伝送す
    る導波管と、前記導波管内の導波管H面に設けられた少
    なくとも2種類の電波吸収材と、前記電波吸収材をカバ
    ーし、前記電波吸収材と相対向する面の所定部に開孔を
    有する導体板とからなる高周波加熱装置。
  2. (2)少なくとも2種類の電波吸収材は、積み重ね構成
    とした特許請求の範囲第1項に記載の高周波加熱装置。
  3. (3)少なくとも2種類の電波吸収材は、前記導波管H
    面に分散配設の構成とした特許請求の範囲第1項に記載
    の高周波加熱装置。
JP24368984A 1984-11-19 1984-11-19 高周波加熱装置 Granted JPS61121282A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP24368984A JPS61121282A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 高周波加熱装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP24368984A JPS61121282A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 高周波加熱装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS61121282A true JPS61121282A (ja) 1986-06-09
JPH0461473B2 JPH0461473B2 (ja) 1992-09-30

Family

ID=17107518

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP24368984A Granted JPS61121282A (ja) 1984-11-19 1984-11-19 高周波加熱装置

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JP (1) JPS61121282A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677311A (en) * 1993-07-30 1997-10-14 Eisai Co., Ltd. Aminobenzoic acid derivatives

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5677311A (en) * 1993-07-30 1997-10-14 Eisai Co., Ltd. Aminobenzoic acid derivatives

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JPH0461473B2 (ja) 1992-09-30

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