JPS61120569A - 密着センサ - Google Patents
密着センサInfo
- Publication number
- JPS61120569A JPS61120569A JP23949084A JP23949084A JPS61120569A JP S61120569 A JPS61120569 A JP S61120569A JP 23949084 A JP23949084 A JP 23949084A JP 23949084 A JP23949084 A JP 23949084A JP S61120569 A JPS61120569 A JP S61120569A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- contact sensor
- exposure
- scanning
- photoelectric converting
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は画像情報読取装置に係り、特にファクシミリや
ＯＣＲ等の画像処理機器の画像情報入力部に使用される
密着センサに関する。
ＯＣＲ等の画像処理機器の画像情報入力部に使用される
密着センサに関する。
密着センナの画像情報の入力方法について、第５図を参
照して説明する。
照して説明する。
第５図において、直線上に複数個の光電変換画素（図示
せず）が配列された等倍読み取り臘密着センサ（４）の
働きは、原稿面（２）上の直線部（５）の画像信号を読
み取ることからなる。この密着センナ（４３は、副走査
方向（画素の配列方向と直角方向）に原稿面（２）を移
動させ、副走査ピッチ（一定の距離）を移動した後に原
稿面（２）から画信号を読みとる。
せず）が配列された等倍読み取り臘密着センサ（４）の
働きは、原稿面（２）上の直線部（５）の画像信号を読
み取ることからなる。この密着センナ（４３は、副走査
方向（画素の配列方向と直角方向）に原稿面（２）を移
動させ、副走査ピッチ（一定の距離）を移動した後に原
稿面（２）から画信号を読みとる。
上述のようにし、密着センナ（４）は、原稿面（２）
Ｋ示される２次元の画像情報を得ることができる。なお
、特開昭５７−１２９０６５号公報に開示されて匹るよ
うに、密着センサには千鳥状に複数個の光電変換素子を
並べたものもある。
Ｋ示される２次元の画像情報を得ることができる。なお
、特開昭５７−１２９０６５号公報に開示されて匹るよ
うに、密着センサには千鳥状に複数個の光電変換素子を
並べたものもある。
次く、密着センサの一形態としてのＣＣＤ［密着センサ
の動作を第６図を参照して説明する。
の動作を第６図を参照して説明する。
第６図において、フォトダイオード（ａ−１）に入射し
た光により発生した電荷は蓄積電極（ａ−３）の下に形
成されたポテンシャルヴエルに蓄積される。
た光により発生した電荷は蓄積電極（ａ−３）の下に形
成されたポテンシャルヴエルに蓄積される。
この蓄積は、シフトゲ−） （ａ−４）が開くと終了す
る。すなわち、所定の蓄積時間経過後、シフトゲ−）
（ａ−４）を開放し、各画素の信号電荷をＣＣ’Ｄレジ
スメに対応する転送段（ト５）にパラレル転送する。こ
の際、２個の転送段（ａ−５） Ｋ転送された電荷は゛
、転送段（ａ−５）の転送動作により出力回路部分（ａ
−６）Ｋ対して順次転送され、次いで出力部でマルチプ
レックスされ、画素列に対応した順序に従い、一時系列
信号として出力される。なお、（ａ−２）はバリア電極
である。
る。すなわち、所定の蓄積時間経過後、シフトゲ−）
（ａ−４）を開放し、各画素の信号電荷をＣＣ’Ｄレジ
スメに対応する転送段（ト５）にパラレル転送する。こ
の際、２個の転送段（ａ−５） Ｋ転送された電荷は゛
、転送段（ａ−５）の転送動作により出力回路部分（ａ
−６）Ｋ対して順次転送され、次いで出力部でマルチプ
レックスされ、画素列に対応した順序に従い、一時系列
信号として出力される。なお、（ａ−２）はバリア電極
である。
次に１第５図の副走査方向での断面拡大模式図を第７図
に示し、電荷の蓄積量を転送段（ａ−５）に転送スるシ
フトパルスのタイムチャートを第８図に示す。
に示し、電荷の蓄積量を転送段（ａ−５）に転送スるシ
フトパルスのタイムチャートを第８図に示す。
第７図において、（１−１）は密着センサ上Ｏ光電変換
画素を示す。なお、密着センナのその他の構成部分は以
下の説明に不要であるため省略する。
画素を示す。なお、密着センナのその他の構成部分は以
下の説明に不要であるため省略する。
副走査方向の画素（１−１）幅は、主走査方向（画素の
配列方向）の画素幅と等しく、一般に副走査方向の走査
ピッチは、主走査方向の走査ピッチと略等しくして用い
られる。したがって、副走査方向の画素ｄと副走査方向
の走査ピッチＣ−Ｂ（ＣとＢとの間の距離を示す）が、
等しい時の例を示す。
配列方向）の画素幅と等しく、一般に副走査方向の走査
ピッチは、主走査方向の走査ピッチと略等しくして用い
られる。したがって、副走査方向の画素ｄと副走査方向
の走査ピッチＣ−Ｂ（ＣとＢとの間の距離を示す）が、
等しい時の例を示す。
ここで、第８図において、パルス（ア）でシアトゲ−）
（ａ−４）が閉じられてから、電荷はポテンシャルウ
ェルに蓄積され始め、パルス（つ）でシアトゲ−） （
ａ−４）が開放された時、蓄積された電荷は転送段（ａ
−５）Ｋ転送される。−走査ｖｋＫ、光電変換画素は第
７図に示す位置（１−２） Ｉｃ到達する。この際、原
稿面上のそれぞれの位置からの光信号からの光電変換画
素に対する露光量は、原稿面上のそれぞれの位置の上に
各光電変換画素が存在する時間に比例し、この各光電変
換画素が存在する時間はシフトゲート（ａ−４）が閉じ
ている時間である。
（ａ−４）が閉じられてから、電荷はポテンシャルウ
ェルに蓄積され始め、パルス（つ）でシアトゲ−） （
ａ−４）が開放された時、蓄積された電荷は転送段（ａ
−５）Ｋ転送される。−走査ｖｋＫ、光電変換画素は第
７図に示す位置（１−２） Ｉｃ到達する。この際、原
稿面上のそれぞれの位置からの光信号からの光電変換画
素に対する露光量は、原稿面上のそれぞれの位置の上に
各光電変換画素が存在する時間に比例し、この各光電変
換画素が存在する時間はシフトゲート（ａ−４）が閉じ
ている時間である。
したがって、密着センナの走査速度が一定である場合、
密着センナの各々の位置からの光信号の光電変換画素に
対する露光量は、第９図に示すような分布となる。すな
わち、−走査後に光電変換画素から得られる信号は、副
走査ピッチｄ（第７図及び第９図参照）の中央部が強調
される。その上、副走査ピッチｄ以外の部分からの信号
が全体の略１も含まれた信号となる。以上より、密着セ
ンサから得られる画像信号は、副走査方向の画像品質が
副走査ピッチから予想される特性よりも劣化する。すな
わち、密着センナを用いた画像情報読取装置の解像度が
劣化する危険がある。
密着センナの各々の位置からの光信号の光電変換画素に
対する露光量は、第９図に示すような分布となる。すな
わち、−走査後に光電変換画素から得られる信号は、副
走査ピッチｄ（第７図及び第９図参照）の中央部が強調
される。その上、副走査ピッチｄ以外の部分からの信号
が全体の略１も含まれた信号となる。以上より、密着セ
ンサから得られる画像信号は、副走査方向の画像品質が
副走査ピッチから予想される特性よりも劣化する。すな
わち、密着センナを用いた画像情報読取装置の解像度が
劣化する危険がある。
本預明は上述の問題点を鑑みてなされたものであり、良
品の画像品質が得られる密着センナを提供することを目
的とする。
品の画像品質が得られる密着センナを提供することを目
的とする。
上述の目的を達成するために、本発明の密着センナは高
抵抗基材上に複数個の光電変換画素を直線上あるいは千
鳥状に配置し、この光電変換画素からの画像信号を順次
あるいは並列に読み出すこ。
抵抗基材上に複数個の光電変換画素を直線上あるいは千
鳥状に配置し、この光電変換画素からの画像信号を順次
あるいは並列に読み出すこ。
とによリーライン分の画像信号を得る密着センナに、−
走査時間の間の一部の時間の露光信号を取り出す手段を
設けたことを特徴とするものである。
走査時間の間の一部の時間の露光信号を取り出す手段を
設けたことを特徴とするものである。
以下本発明の密着センサの実施例を説明する。
なお、密着センナの基本構成は〔発明の技術的背景とそ
の問題点〕で述べたので、省略する。
の問題点〕で述べたので、省略する。
第４図において、密着センナから得られる画像信号は副
走査方向の画像品質が副走査ピッチから予想される特性
より劣化することを防止するためには、本来のシフトパ
ルスの周期の中に１回パルスすなわち図中のパルス（イ
）を入れることにより改善できる。以下、これを詳述す
るために、本来のシフトパルスの周期の１／２の時点で
１度シフトパルスが加わる場合の例を、第１図および第
２図を参照して説明する。第１図は、密着センナが原稿
上を移動時の副走査方向での断面拡大略図である。なお
、第４図は本発明の密着センナの一実施例のシフトパル
スのタイミング図である。
走査方向の画像品質が副走査ピッチから予想される特性
より劣化することを防止するためには、本来のシフトパ
ルスの周期の中に１回パルスすなわち図中のパルス（イ
）を入れることにより改善できる。以下、これを詳述す
るために、本来のシフトパルスの周期の１／２の時点で
１度シフトパルスが加わる場合の例を、第１図および第
２図を参照して説明する。第１図は、密着センナが原稿
上を移動時の副走査方向での断面拡大略図である。なお
、第４図は本発明の密着センナの一実施例のシフトパル
スのタイミング図である。
第１図において、図中では密着センサのうち光電変換画
素（１−１）のみを示しである。なお、原稿（２）面上
の光信号を光電変換画素（１−１）上に結像させるため
の光学系は省略しである。光電変換画素（１−１）は、
位置（１−１’）に移行時にシフトパルスが加わり蓄積
電荷を転送段（ａ−５）（第６図参照）に転送し、その
後蓄積される電荷は本来のシフトパルスが加わった時に
転送段（ａ−５）に転送し、次いで空送りを行なうこと
によって転送段（ａ−５）から排出させる。この時、光
電変換画素（１−１）は−走査が完了し、副走査ピッチ
ｄだけ移動し位置（１−２）に移る。この際、原稿（２
）面上の位置からの光信号の光電変換画素に対する露光
量は、その位置上に光電変換画素が存在する時間に比例
し、かつシフトパルス（ア）からシフトパルス（イ）の
間（第１図参照）である。したがって、１走査後の光信
号の露光量は、第２図図示の分布となる。この第２図と
、本来のシフトパルスのまま用いた場合（第９図）と比
較すると、画素ピッチｄ内での露光量分布がかなり均一
となっており、また画素ピッチｄ外からの信号成分の割
合も半分に減少する効果がある。
素（１−１）のみを示しである。なお、原稿（２）面上
の光信号を光電変換画素（１−１）上に結像させるため
の光学系は省略しである。光電変換画素（１−１）は、
位置（１−１’）に移行時にシフトパルスが加わり蓄積
電荷を転送段（ａ−５）（第６図参照）に転送し、その
後蓄積される電荷は本来のシフトパルスが加わった時に
転送段（ａ−５）に転送し、次いで空送りを行なうこと
によって転送段（ａ−５）から排出させる。この時、光
電変換画素（１−１）は−走査が完了し、副走査ピッチ
ｄだけ移動し位置（１−２）に移る。この際、原稿（２
）面上の位置からの光信号の光電変換画素に対する露光
量は、その位置上に光電変換画素が存在する時間に比例
し、かつシフトパルス（ア）からシフトパルス（イ）の
間（第１図参照）である。したがって、１走査後の光信
号の露光量は、第２図図示の分布となる。この第２図と
、本来のシフトパルスのまま用いた場合（第９図）と比
較すると、画素ピッチｄ内での露光量分布がかなり均一
となっており、また画素ピッチｄ外からの信号成分の割
合も半分に減少する効果がある。
したがって、露光時間をさらに短縮すれば上述の特性は
さらに改善されることとなる。この際、露光量が減少し
、光電変換画素の感度が低下する為、露光時間は光源の
条件を考慮し最適な値を取れば良いこととなる。
さらに改善されることとなる。この際、露光量が減少し
、光電変換画素の感度が低下する為、露光時間は光源の
条件を考慮し最適な値を取れば良いこととなる。
次に第３図を参照して、本発明によるＣＯＤを用いた密
着センナのパルスタイミング図の例を説明する。第３図
において、蓄積電荷を一走査の周期の途中で転送段（ａ
−Ｓ）（第６図参照）に転送する密着センナのシフトパ
ルスは、ソフト的にシフトパルスを作れば、最適な位置
でのシフトパルスを捜すことができる。なお、このシフ
トパルスは、ハード的にも作れることは言うまでもない
。一方、シフトパルスのみ変えたので、それ以外のタイ
ミングパルスは、まった〈従来の技術と同様である。
着センナのパルスタイミング図の例を説明する。第３図
において、蓄積電荷を一走査の周期の途中で転送段（ａ
−Ｓ）（第６図参照）に転送する密着センナのシフトパ
ルスは、ソフト的にシフトパルスを作れば、最適な位置
でのシフトパルスを捜すことができる。なお、このシフ
トパルスは、ハード的にも作れることは言うまでもない
。一方、シフトパルスのみ変えたので、それ以外のタイ
ミングパルスは、まった〈従来の技術と同様である。
次に、アモルファスシリコン等を用いた密着センサにつ
いて説明する。アモルファスシリコン等の時系列に信号
電流を取り出すラインセンナの場合、次の方法を用いる
ことにより分解能向上を実現することができる。すなわ
ち、画像読取りの１周期の時間を短くし、信号電流を出
力させる周期と信号電流を単に流す周期とを交互に行な
えば、第２図に示す露光量の分布を得られる。
いて説明する。アモルファスシリコン等の時系列に信号
電流を取り出すラインセンナの場合、次の方法を用いる
ことにより分解能向上を実現することができる。すなわ
ち、画像読取りの１周期の時間を短くし、信号電流を出
力させる周期と信号電流を単に流す周期とを交互に行な
えば、第２図に示す露光量の分布を得られる。
上述の構成にすることにより、本発明の密着センナは副
走査方向に良質の画像信号を得ることができる。特に、
画素面積が大きく露光時間を短縮しても充分な感度があ
る密着センナの場合に、大きな効果を得られ、極めて工
業的価値は大である。
走査方向に良質の画像信号を得ることができる。特に、
画素面積が大きく露光時間を短縮しても充分な感度があ
る密着センナの場合に、大きな効果を得られ、極めて工
業的価値は大である。
第１図は本発明の密着センナの実施例を示す動作説明概
略図、第２図は第１図に示す動作での光電変換画素への
露光量の副走査方向での分布図、第３図は本発明の密着
センナの実施例を示すパルスタイミング図、第４図は本
発明の密着セ／すの実施例でのシフトパルスを示すタイ
ミング図、第５図は密着センナによる原稿の読み取り方
法の基本説明図、第６図は従来のＣＣＤ型密着センナを
示す構成図、第７図は従来の密着センナの動作を説明す
る説明簡略図、第８図は従来の密着センナでのシフトパ
ルスを示すタイミング図、第９図は従来の密着センナの
光電変換画素への露光量の副走査方向での分布を示す分
布図である。 （１−１）・・光電変換画素 （４）・・密着センナ（
ａ−１）・・フォトダイオード （ａ−４）・・・シフトゲート（ａ−５）・・転送段第
１図 ＢＣ 第２図 ＢＣ 斤、ｆＪ＋’ヒつイ罎
略図、第２図は第１図に示す動作での光電変換画素への
露光量の副走査方向での分布図、第３図は本発明の密着
センナの実施例を示すパルスタイミング図、第４図は本
発明の密着セ／すの実施例でのシフトパルスを示すタイ
ミング図、第５図は密着センナによる原稿の読み取り方
法の基本説明図、第６図は従来のＣＣＤ型密着センナを
示す構成図、第７図は従来の密着センナの動作を説明す
る説明簡略図、第８図は従来の密着センナでのシフトパ
ルスを示すタイミング図、第９図は従来の密着センナの
光電変換画素への露光量の副走査方向での分布を示す分
布図である。 （１−１）・・光電変換画素 （４）・・密着センナ（
ａ−１）・・フォトダイオード （ａ−４）・・・シフトゲート（ａ−５）・・転送段第
１図 ＢＣ 第２図 ＢＣ 斤、ｆＪ＋’ヒつイ罎
Claims (2)
- （１）光電変換画素からの画像信号を順次あるいは並列
に読み出すことによつて１ライン分の画像信号を得る手
段と、１走査時間の間の一部の時間の露光信号を取り出
す手段とを少なくとも具備したことを特徴とする密着セ
ンサ。 - （２）前記光電変換画素は、高抵抗基体上に複数個が直
線上あるいは千鳥状に配置されてなることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の密着センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23949084A JPS61120569A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 密着センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23949084A JPS61120569A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 密着センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61120569A true JPS61120569A (ja) | 1986-06-07 |
Family
ID=17045548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23949084A Pending JPS61120569A (ja) | 1984-11-15 | 1984-11-15 | 密着センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61120569A (ja) |
-
1984
- 1984-11-15 JP JP23949084A patent/JPS61120569A/ja active Pending
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