JPS61117725A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
- Publication number
- JPS61117725A JPS61117725A JP23847484A JP23847484A JPS61117725A JP S61117725 A JPS61117725 A JP S61117725A JP 23847484 A JP23847484 A JP 23847484A JP 23847484 A JP23847484 A JP 23847484A JP S61117725 A JPS61117725 A JP S61117725A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- soft magnetic
- film
- magnetic layer
- recording medium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は垂直磁気記録媒体に関するものであり、特にス
パイク状雑音の少い優れた特性を有する垂直磁気記録媒
体に関するものである。
パイク状雑音の少い優れた特性を有する垂直磁気記録媒
体に関するものである。
(従来技術)
垂直磁気記録方式は本質的に高密度の磁気記録に適した
方式である。この記録方式に用いられる記録媒体として
はCo −Crなどの垂直磁化膜層のみからなる単層膜
媒体と、パーマロイなどの軟磁性層とCo −Crなど
の垂直磁化膜層からなる2層膜媒体が知られており、特
に2層膜媒体は垂直ヘッドとの組み合わせにおいて優れ
た特性を有していることが、例えば特開昭54−518
04などによって開示されている。垂直磁化膜層はCO
系の六方晶最密構造を有する合金のC−軸を基板面に垂
直に配向させることにより、結晶磁気異方性によって媒
体の厚み方向に磁化容易軸を有するものが主流となって
いる。垂直磁化膜層の材料組成としてはQO−Qr系が
代表的なものであるがその他に特開昭57−L7807
によればQQ −Ru 。
方式である。この記録方式に用いられる記録媒体として
はCo −Crなどの垂直磁化膜層のみからなる単層膜
媒体と、パーマロイなどの軟磁性層とCo −Crなど
の垂直磁化膜層からなる2層膜媒体が知られており、特
に2層膜媒体は垂直ヘッドとの組み合わせにおいて優れ
た特性を有していることが、例えば特開昭54−518
04などによって開示されている。垂直磁化膜層はCO
系の六方晶最密構造を有する合金のC−軸を基板面に垂
直に配向させることにより、結晶磁気異方性によって媒
体の厚み方向に磁化容易軸を有するものが主流となって
いる。垂直磁化膜層の材料組成としてはQO−Qr系が
代表的なものであるがその他に特開昭57−L7807
によればQQ −Ru 。
00− Re 、 Co −Osが、(電子通信学会磁
気記録研究会、MR82−22,1982)によればC
0−Vが、特開昭56−107506によればC0−N
i−0rが、さらに特開昭58−189349〜189
352によればQo −Qrに稀土類元素やy 、 Z
r 、 Ti。
気記録研究会、MR82−22,1982)によればC
0−Vが、特開昭56−107506によればC0−N
i−0rが、さらに特開昭58−189349〜189
352によればQo −Qrに稀土類元素やy 、 Z
r 、 Ti。
Mbなどの第3元素を添加したものなどが開示されてい
る。垂直磁化膜層の特性としては基板面に垂直な方向か
らの〇−軸の分散角の小ざいことおよび異方性磁界の大
きいことが必要と考えられている0 2層膜媒体における裏打ち層としての軟磁性層は垂直ヘ
ッドの一部として作用し、これが存在しない場合に比べ
て記録感度は約1桁高くなることが例えば特開昭54−
51804によって知られている。また軟磁性層の透磁
率が高いと媒体とヘッドとの相互作用が強まり再生出力
が増加することが、例えば電気関係学会東北支部連合大
会、(2m−+)、P。258.1983によって知ら
ハれている。さらに軟磁性層の飽和磁束密度が高いツ 、と、媒体として必要となる厚みがより薄くてもよソい
ことが、例えば電子通信学会磁気記録研究会MR83−
7、1983により知られている。軟磁性層が薄くても
よいことは、膜形成時間が短縮できるばかりではなく可
撓性のある非磁性基板上に形成する場合には媒体の可撓
性を増すことができ実用上有利である。すなわち軟磁性
層に要求される特性としては透磁率の高いこと、および
飽和磁束密度の大きいことがあげられ、その他の特性と
して軟磁性膜上に形成される垂直磁化膜層の結晶配向を
妨げないような表面状態であることも必要である。パー
マロイを軟磁性膜として用いた時に、その上に形成され
るCo −ax膜の結晶配向を上げるためには、パーマ
ロイの<111>軸を基板面に垂直に配向させることが
必要であることは広く知られており、Co −(3rが
パーマロイの(111)面上にエピタキシアル成長する
ものと信じられている。又、特開昭57−36435
により軟磁性層としてセンダストを用いることも知ら
れている。
る。垂直磁化膜層の特性としては基板面に垂直な方向か
らの〇−軸の分散角の小ざいことおよび異方性磁界の大
きいことが必要と考えられている0 2層膜媒体における裏打ち層としての軟磁性層は垂直ヘ
ッドの一部として作用し、これが存在しない場合に比べ
て記録感度は約1桁高くなることが例えば特開昭54−
51804によって知られている。また軟磁性層の透磁
率が高いと媒体とヘッドとの相互作用が強まり再生出力
が増加することが、例えば電気関係学会東北支部連合大
会、(2m−+)、P。258.1983によって知ら
ハれている。さらに軟磁性層の飽和磁束密度が高いツ 、と、媒体として必要となる厚みがより薄くてもよソい
ことが、例えば電子通信学会磁気記録研究会MR83−
7、1983により知られている。軟磁性層が薄くても
よいことは、膜形成時間が短縮できるばかりではなく可
撓性のある非磁性基板上に形成する場合には媒体の可撓
性を増すことができ実用上有利である。すなわち軟磁性
層に要求される特性としては透磁率の高いこと、および
飽和磁束密度の大きいことがあげられ、その他の特性と
して軟磁性膜上に形成される垂直磁化膜層の結晶配向を
妨げないような表面状態であることも必要である。パー
マロイを軟磁性膜として用いた時に、その上に形成され
るCo −ax膜の結晶配向を上げるためには、パーマ
ロイの<111>軸を基板面に垂直に配向させることが
必要であることは広く知られており、Co −(3rが
パーマロイの(111)面上にエピタキシアル成長する
ものと信じられている。又、特開昭57−36435
により軟磁性層としてセンダストを用いることも知ら
れている。
軟磁性膜としてCo系の非晶質磁性膜を用いることが特
開昭57−208831、同昭58−141483、同
昭58−166531、同昭58−1698.31など
に開示されている。Co系の非晶質磁性膜ではパーマロ
イやセンダストより高い飽和磁束密度を有するものが得
られ、上述した如き観点からは2層膜垂直媒体用の軟磁
性層としてはパーマロイやセンダストより有利である。
開昭57−208831、同昭58−141483、同
昭58−166531、同昭58−1698.31など
に開示されている。Co系の非晶質磁性膜ではパーマロ
イやセンダストより高い飽和磁束密度を有するものが得
られ、上述した如き観点からは2層膜垂直媒体用の軟磁
性層としてはパーマロイやセンダストより有利である。
但しこのような非晶質膜上へのCo −Orの結晶配向
度を上げるための形成条件については必ずしも明確には
なっていない0 〔解決が要求とされる問題点〕 ところで上記の如き2層膜媒体に垂直ヘッドを用いて記
録を行うと、再生時にスパイク状雑音が板側されること
がある。このスパイク状雑音は軟磁性層に起因するもの
であることが特開昭58−166531により知られて
おり、また軟磁性層の抗磁力が小さい場合程スパイク状
雑音が大きくなることがテレビジョン学会技術報告VR
63−2゜1984などに開示されている。このような
スパイク状雑音は場合によっては信号と同程度の大きさ
にもなることがあり、大きな問題となっている。
度を上げるための形成条件については必ずしも明確には
なっていない0 〔解決が要求とされる問題点〕 ところで上記の如き2層膜媒体に垂直ヘッドを用いて記
録を行うと、再生時にスパイク状雑音が板側されること
がある。このスパイク状雑音は軟磁性層に起因するもの
であることが特開昭58−166531により知られて
おり、また軟磁性層の抗磁力が小さい場合程スパイク状
雑音が大きくなることがテレビジョン学会技術報告VR
63−2゜1984などに開示されている。このような
スパイク状雑音は場合によっては信号と同程度の大きさ
にもなることがあり、大きな問題となっている。
このようなスパイク状雑音を減少させる試みも幾つかな
されている。上記した文献VR63−2で述べられてい
るように軟磁性層の抗磁力を数エルステッド以上にする
ことの他に、薄い軟磁性層を極く薄い非磁性層をはさん
で複数層積層すること(特開昭58−166531参照
)、および軟磁性層とCo −Crなどの垂直磁化膜層
との間に反強磁性層を形成すること(特開昭59−48
822参照)などが知られている。しかし軟磁性層を複
数層積層したり、反強磁性層を形成するなどの前記の方
法によれば、特に工業的な作製規模においてはスパッタ
ーターゲットや蒸着ルツボの数が多くなるなどの点で非
常に不利である。
されている。上記した文献VR63−2で述べられてい
るように軟磁性層の抗磁力を数エルステッド以上にする
ことの他に、薄い軟磁性層を極く薄い非磁性層をはさん
で複数層積層すること(特開昭58−166531参照
)、および軟磁性層とCo −Crなどの垂直磁化膜層
との間に反強磁性層を形成すること(特開昭59−48
822参照)などが知られている。しかし軟磁性層を複
数層積層したり、反強磁性層を形成するなどの前記の方
法によれば、特に工業的な作製規模においてはスパッタ
ーターゲットや蒸着ルツボの数が多くなるなどの点で非
常に不利である。
(問題点を解決するための手段)
本発明者らは、軟磁性層としてパーマロイやセンダスト
より飽和磁束密度の大きいCo −Zr系の非晶質磁性
薄膜を用い、該非晶質磁性薄膜中に少なくともx−線回
折法により検出できる程度の結晶相を析出させることに
よってスパイク状雑音を低減させることができること、
および非晶質磁性薄膜中に若干の結晶相の析出があって
も、その上に形成されるCo −Or層の結晶配向度が
、実質的に非晶質である磁性膜上に形成された場合の結
晶配向度と同程度に高くできることを新規に知見して、
本発明をなすに至った。
より飽和磁束密度の大きいCo −Zr系の非晶質磁性
薄膜を用い、該非晶質磁性薄膜中に少なくともx−線回
折法により検出できる程度の結晶相を析出させることに
よってスパイク状雑音を低減させることができること、
および非晶質磁性薄膜中に若干の結晶相の析出があって
も、その上に形成されるCo −Or層の結晶配向度が
、実質的に非晶質である磁性膜上に形成された場合の結
晶配向度と同程度に高くできることを新規に知見して、
本発明をなすに至った。
本発明においては軟磁性膜としてQO−Zr 。
00− Or −Zrを、また垂直磁化膜としてCo−
Crを選んで実験したが、軟磁性膜としては非晶質磁性
膜になることが知られている。Co −’I’a 、
Oo−Mo 、 Co −W 、 Co −Ti 、
Co −Hf 、 Co −Y 。
Crを選んで実験したが、軟磁性膜としては非晶質磁性
膜になることが知られている。Co −’I’a 、
Oo−Mo 、 Co −W 、 Co −Ti 、
Co −Hf 、 Co −Y 。
Co−Nbおよびこれらの複合系、ならびにCOの一部
をFe 、 Ni 、 In 、 Vで置換したもの、
および稀土類元素を少量含むこれらの系などを用いるこ
とも可能である。また垂直磁化膜としてはQo −Hf
3 rGo −Os 、 Go −Ru 、 Co −
V 、 Co −Ni −Orなど、およびこれらの系
に少量のY1稀土類元素、Nb、 zr 、 Tiなど
を含むものを用いることも可能である。
をFe 、 Ni 、 In 、 Vで置換したもの、
および稀土類元素を少量含むこれらの系などを用いるこ
とも可能である。また垂直磁化膜としてはQo −Hf
3 rGo −Os 、 Go −Ru 、 Co −
V 、 Co −Ni −Orなど、およびこれらの系
に少量のY1稀土類元素、Nb、 zr 、 Tiなど
を含むものを用いることも可能である。
次に本発明を実験ならびにその結果について説明する。
本発明で用いた磁性膜形成装置はマグネトロン式のスパ
ッター装置であり、直径8インチのターゲットを使用し
た。基板としてはポリエチレンテレフタレート(以下P
ETと略称)およびポリイミドを用いた。PETの耐熱
性を考慮してスパッター電力は200Wとした。組成を
変える場合には5鴎角のzrおよびQrをターゲット上
に配置した。
ッター装置であり、直径8インチのターゲットを使用し
た。基板としてはポリエチレンテレフタレート(以下P
ETと略称)およびポリイミドを用いた。PETの耐熱
性を考慮してスパッター電力は200Wとした。組成を
変える場合には5鴎角のzrおよびQrをターゲット上
に配置した。
ターゲット組成をC091,2zr8,8および”98
.O2r? 、0として、厚さ約0.5μmのCo −
Zr膜を形成した。
.O2r? 、0として、厚さ約0.5μmのCo −
Zr膜を形成した。
C091Jzr8.8を用いた時のアルゴンガス圧力P
と膜の抗磁力HOの関係を第1図に曲線1で示す。アル
ゴン圧力の上昇に伴ってHaは大きくなる傾向を示して
いるが、10 X 10−8Torr以下テハICハエ
エルステッド以下である。これらの膜のx−線回折を島
津製作所製の回折装置を用いて行った。
と膜の抗磁力HOの関係を第1図に曲線1で示す。アル
ゴン圧力の上昇に伴ってHaは大きくなる傾向を示して
いるが、10 X 10−8Torr以下テハICハエ
エルステッド以下である。これらの膜のx−線回折を島
津製作所製の回折装置を用いて行った。
線源をFeとし、30 kV 、 8 mAで駆動して
レートメーター感度を200で測定した。結果の一例を
第2図(a)に示す。この結果は非晶質相のみによるブ
ロードな回折のみを示しており、後に示すようジな結晶
相によるシャープな回折線は現われていない。なお2θ
く400の強い回折線は基板によるものである。従って
実質的に非晶質であると想定された。第1図に示されて
いるアルゴン圧力の範囲で作製された全てのCo −Z
r膜においてほぼ同様なx−線回折パターンが観察され
た。次にこれらのQO−Zr膜上にao −Cr膜をI
X 10−’ TOrrノアルゴン圧力で厚さ約0.
2μmに形成した。aO−Qr層の(002)面による
ロッキング曲線を測定し、その半値幅Δθ、0を膜面に
垂直な方向からのC−軸の分散角として求めた。QO−
Zr膜作製時のアルゴン圧力Pを横軸に、縦軸には上記
のようにして求めたCo −Or膜のΔθ5oを取って
その関係を示したのが第1図の曲線2である。Co −
zr模膜作製時ルゴン圧力が4 X 10−’ TOr
r以上ではΔθ5゜が急激に大きくなり、QO−Or膜
の結晶配向が乱れてくることがわかる。これはCo −
Zr膜作製時のアルゴン圧力が上昇するに従って、その
表面がQO−Qr層の結晶配向に適さないような状態に
なっていくためと思われる。
レートメーター感度を200で測定した。結果の一例を
第2図(a)に示す。この結果は非晶質相のみによるブ
ロードな回折のみを示しており、後に示すようジな結晶
相によるシャープな回折線は現われていない。なお2θ
く400の強い回折線は基板によるものである。従って
実質的に非晶質であると想定された。第1図に示されて
いるアルゴン圧力の範囲で作製された全てのCo −Z
r膜においてほぼ同様なx−線回折パターンが観察され
た。次にこれらのQO−Zr膜上にao −Cr膜をI
X 10−’ TOrrノアルゴン圧力で厚さ約0.
2μmに形成した。aO−Qr層の(002)面による
ロッキング曲線を測定し、その半値幅Δθ、0を膜面に
垂直な方向からのC−軸の分散角として求めた。QO−
Zr膜作製時のアルゴン圧力Pを横軸に、縦軸には上記
のようにして求めたCo −Or膜のΔθ5oを取って
その関係を示したのが第1図の曲線2である。Co −
zr模膜作製時ルゴン圧力が4 X 10−’ TOr
r以上ではΔθ5゜が急激に大きくなり、QO−Or膜
の結晶配向が乱れてくることがわかる。これはCo −
Zr膜作製時のアルゴン圧力が上昇するに従って、その
表面がQO−Qr層の結晶配向に適さないような状態に
なっていくためと思われる。
これらの2層膜媒体を用い、特開昭54−51804や
昭54−51810などで公開されている補助磁極励磁
型の垂直ヘッドを用いて記録再生を行ったところQo
−Zr膜のf(Cが065工ルステツド程度に小さい媒
体では信号出力と同程度に大きいスパイク状雑音が観測
された。ざらにCo −Zr膜のHaが大きくなるに従
ってスパイク状雑音が小さくなることも観察されたが、
第1図に示された結果の範囲ではスパイク状雑音を再生
増幅器のノイズレベル以下にすることは出来なかった。
昭54−51810などで公開されている補助磁極励磁
型の垂直ヘッドを用いて記録再生を行ったところQo
−Zr膜のf(Cが065工ルステツド程度に小さい媒
体では信号出力と同程度に大きいスパイク状雑音が観測
された。ざらにCo −Zr膜のHaが大きくなるに従
ってスパイク状雑音が小さくなることも観察されたが、
第1図に示された結果の範囲ではスパイク状雑音を再生
増幅器のノイズレベル以下にすることは出来なかった。
ターゲットの組成が7原子チ以上として作製したGo
−Zr膜を軟磁性層として用いた時には殆んど上記の結
果と同じであった。
−Zr膜を軟磁性層として用いた時には殆んど上記の結
果と同じであった。
以上に述べた如(Co系の軟磁性層がX−線回折におい
て、シャープな回折線すなわち結晶相による明瞭な回折
線を示さないような実質的に非晶質である場合にはスパ
イク状雑音が大きいか、又はスパイク状雑音を小さくす
るためにCo −Zr膜形成時アルゴン圧力を高くする
と、その上に形成されるCo −Qr層の結晶配向度が
非常に悪化し、垂直磁気記録媒体としては好ましくない
ものしか得られなかった。
て、シャープな回折線すなわち結晶相による明瞭な回折
線を示さないような実質的に非晶質である場合にはスパ
イク状雑音が大きいか、又はスパイク状雑音を小さくす
るためにCo −Zr膜形成時アルゴン圧力を高くする
と、その上に形成されるCo −Qr層の結晶配向度が
非常に悪化し、垂直磁気記録媒体としては好ましくない
ものしか得られなかった。
次に本発明を実施例について説明する。
実施例
Co −Or −Zr膜を軟磁性層として形成した。
Co9JO2r?、0ターゲツト上ニOrヘレツトヲ配
置シ、Co −Zr膜の場合と同様にして作製した。タ
ーゲゲット上の面積比にしてCrを3チ以下とした場合
は第1図に示したGo −Zr膜とほぼ同様な結果であ
り、垂直媒体用の軟磁性層として好ましいものではなか
った。しかしCrを3%以上にした場合、低アルゴン圧
力下で成膜した時抗磁力Haの増大することが観察され
た。第8図にはOrが1.3チおよび3チの時のアルゴ
ン圧力Pと抗磁力HCの関係をそれぞれ曲i11および
2に示す。先の実験と同様にしてX−線回折を行ったと
ころ、Or3%の場合アルゴン圧力が0.7 X I
O’1’Orr以下で作製したQO−Qr −Zr膜に
シャープな回折線が認められ、結晶相が析出しているこ
とが確認された。その−例を第2図のり)に示す。2θ
−56,2°附近にシャープな回折線が出現しており、
これは六方晶最密構造の(002)面による回折線であ
る。ざらにQrを多くした場合の回折線の例を第2図(
C)に示す。
置シ、Co −Zr膜の場合と同様にして作製した。タ
ーゲゲット上の面積比にしてCrを3チ以下とした場合
は第1図に示したGo −Zr膜とほぼ同様な結果であ
り、垂直媒体用の軟磁性層として好ましいものではなか
った。しかしCrを3%以上にした場合、低アルゴン圧
力下で成膜した時抗磁力Haの増大することが観察され
た。第8図にはOrが1.3チおよび3チの時のアルゴ
ン圧力Pと抗磁力HCの関係をそれぞれ曲i11および
2に示す。先の実験と同様にしてX−線回折を行ったと
ころ、Or3%の場合アルゴン圧力が0.7 X I
O’1’Orr以下で作製したQO−Qr −Zr膜に
シャープな回折線が認められ、結晶相が析出しているこ
とが確認された。その−例を第2図のり)に示す。2θ
−56,2°附近にシャープな回折線が出現しており、
これは六方晶最密構造の(002)面による回折線であ
る。ざらにQrを多くした場合の回折線の例を第2図(
C)に示す。
この場合には2θ−52,3°附近にも結晶相による回
折線が現われている。場合によっては2θ−60,2゜
附近にも回折線が出現した。2θ−52,3’および6
0.2°の回折線はそれぞれ六方晶最密構造の(100
)および(101)面による回折線であると考えられた
。第4図は2θが52.3°(曲線1)、56.2゜(
曲12 )オヨヒa O,2°(曲線3)に出現してい
る結晶相による回折線の相対強度に対して抗磁力HCを
プロットした図である。先に述べたように3本の回折線
は必ずしも同時に出現するわけではなく、従ってCo
−Cr −zr層中における六方晶の析出した結晶は成
る程度配向している可能性もあると考えられる。第4図
によれば結晶相の析出量が多くなるに従って抗磁力HC
が大きくなる傾向を示すっ 次にこれらのCo −Cr −zr腹膜上厚ざ0.2μ
属のCo −Cr膜をlXl0 ’I’orrのアル
ゴン圧力下で形成した。Or 3 %の時のCo −C
r −zr膜作製時アルゴン圧力とCo −ax膜の結
晶配向角Δθ、。の関係を1/E3@の曲@aで示す。
折線が現われている。場合によっては2θ−60,2゜
附近にも回折線が出現した。2θ−52,3’および6
0.2°の回折線はそれぞれ六方晶最密構造の(100
)および(101)面による回折線であると考えられた
。第4図は2θが52.3°(曲線1)、56.2゜(
曲12 )オヨヒa O,2°(曲線3)に出現してい
る結晶相による回折線の相対強度に対して抗磁力HCを
プロットした図である。先に述べたように3本の回折線
は必ずしも同時に出現するわけではなく、従ってCo
−Cr −zr層中における六方晶の析出した結晶は成
る程度配向している可能性もあると考えられる。第4図
によれば結晶相の析出量が多くなるに従って抗磁力HC
が大きくなる傾向を示すっ 次にこれらのCo −Cr −zr腹膜上厚ざ0.2μ
属のCo −Cr膜をlXl0 ’I’orrのアル
ゴン圧力下で形成した。Or 3 %の時のCo −C
r −zr膜作製時アルゴン圧力とCo −ax膜の結
晶配向角Δθ、。の関係を1/E3@の曲@aで示す。
前述した如くO,フX 10 ’rorr以下ではC
o −Cr −zr膜に結晶相の析出が認められるにも
拘らず、その上に形成されるQO−Qr層の結晶配向度
は極めて良いことがわかる。
o −Cr −zr膜に結晶相の析出が認められるにも
拘らず、その上に形成されるQO−Qr層の結晶配向度
は極めて良いことがわかる。
先の実施例の場合と同様にして垂直ヘッドを用いて記録
再生を行った。これらの結果と先の実施例の結果をまと
めて表に示す。Co −Or −Zr層の組成はターゲ
ットの組成で示す。この表にはCO−Or −Zr層の
HCN結晶相の析出の有無、Co −Or−zr模上の
Co −Qr層の結晶配向角Δθ50’および2層膜媒
体でのスパイク状雑音の大きざの程度を示す。この表で
明らかなように軟磁性層に結晶相の析出がX−線回折法
で明らかに観測される場合にHaが数エルステッド以上
となりスパイク状雑音が観測されなかった。大よそHe
>6エルステツドでスパイク状雑音は観測されなかった
。
再生を行った。これらの結果と先の実施例の結果をまと
めて表に示す。Co −Or −Zr層の組成はターゲ
ットの組成で示す。この表にはCO−Or −Zr層の
HCN結晶相の析出の有無、Co −Or−zr模上の
Co −Qr層の結晶配向角Δθ50’および2層膜媒
体でのスパイク状雑音の大きざの程度を示す。この表で
明らかなように軟磁性層に結晶相の析出がX−線回折法
で明らかに観測される場合にHaが数エルステッド以上
となりスパイク状雑音が観測されなかった。大よそHe
>6エルステツドでスパイク状雑音は観測されなかった
。
(発明の効果)
以上に述べた如(Co −Zr系の非晶質磁性薄膜を2
層膜垂直媒体用の軟磁性層として用い、ざらにその上に
形成するQOe Qr層の結晶配向角を垂直媒体として
好ましいものにしようとする場合、軟磁性層中に結晶層
の析出がないか、あったとしてもx−線回折法で確認で
きないような微少量の析出状態においてはスパイク状雑
音はさけられず、結晶相の析出がX−線回折法で確認で
きる場合にのみスパイク状雑音をさけることができた。
層膜垂直媒体用の軟磁性層として用い、ざらにその上に
形成するQOe Qr層の結晶配向角を垂直媒体として
好ましいものにしようとする場合、軟磁性層中に結晶層
の析出がないか、あったとしてもx−線回折法で確認で
きないような微少量の析出状態においてはスパイク状雑
音はさけられず、結晶相の析出がX−線回折法で確認で
きる場合にのみスパイク状雑音をさけることができた。
しかも結晶相の析出があっても、その上に形成されるC
o −Cr垂直磁化膜層の結晶配向性は左右されず、軟
磁性層形成時のアルゴン圧力を低くすることによって結
晶配向角を10’以下にもすることができる。さらに結
晶相の析出する組成領域では非晶質相のみから成る組成
領域よりZrなどの非晶質形成能を有する元素の割合を
少くできるため、より大きい飽和磁束密度を有する材料
の利用が可能となる。ちなみに本実施例におけるCo
−Zr系軟磁性層の飽和磁束密度は10000〜140
00ガウスであったが、さらに15000ガウス以上の
ものも利用可能となる。従ってパーマロイやセンダスト
よりかなり飽和磁束密度の大きいものが利用可能となり
、より短時間で形成可能となる。ざらにスパッター法で
2層膜垂直媒体を形成するに当って必要となるターゲッ
ト数も媒体の片面当り2種類ですみ、工業的価値も大き
い。
o −Cr垂直磁化膜層の結晶配向性は左右されず、軟
磁性層形成時のアルゴン圧力を低くすることによって結
晶配向角を10’以下にもすることができる。さらに結
晶相の析出する組成領域では非晶質相のみから成る組成
領域よりZrなどの非晶質形成能を有する元素の割合を
少くできるため、より大きい飽和磁束密度を有する材料
の利用が可能となる。ちなみに本実施例におけるCo
−Zr系軟磁性層の飽和磁束密度は10000〜140
00ガウスであったが、さらに15000ガウス以上の
ものも利用可能となる。従ってパーマロイやセンダスト
よりかなり飽和磁束密度の大きいものが利用可能となり
、より短時間で形成可能となる。ざらにスパッター法で
2層膜垂直媒体を形成するに当って必要となるターゲッ
ト数も媒体の片面当り2種類ですみ、工業的価値も大き
い。
第1図はCio −Zr膜形成時のアルゴン圧力と抗折
による軟磁性層の回折パターンを示す図、第3図はCo
−Ox: −Zr膜形成時のアルゴン圧力に対する抗
磁力およびその上に形成されたCo −Ox層の結晶配
向角の関係を示す図であり、第4図は軟磁性層中に析出
した結晶相の3本の回折線の相対強度に対する抗磁力の
関係を示す図である。
による軟磁性層の回折パターンを示す図、第3図はCo
−Ox: −Zr膜形成時のアルゴン圧力に対する抗
磁力およびその上に形成されたCo −Ox層の結晶配
向角の関係を示す図であり、第4図は軟磁性層中に析出
した結晶相の3本の回折線の相対強度に対する抗磁力の
関係を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非磁性基板上に形成した軟磁性層とCo−Crを主
成分とする垂直磁化膜層からなる2層垂直磁気記録媒体
において、前記軟磁性層が大部分を占める非晶質相と小
部分を占める結晶質相の混合相であることを特徴とする
垂直磁気記録媒体。 2、軟磁性層中の結晶質相は少なくともX−線回折法に
よつて検出出来る程度含まれていることを特徴とする特
許請求の範囲第1項に記載の垂直磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23847484A JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23847484A JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61117725A true JPS61117725A (ja) | 1986-06-05 |
JPH0322649B2 JPH0322649B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=17030773
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23847484A Granted JPS61117725A (ja) | 1984-11-14 | 1984-11-14 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61117725A (ja) |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58196622A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
JPS5975428A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
-
1984
- 1984-11-14 JP JP23847484A patent/JPS61117725A/ja active Granted
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58196622A (ja) * | 1982-05-12 | 1983-11-16 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
JPS5975428A (ja) * | 1982-10-22 | 1984-04-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0322649B2 (ja) | 1991-03-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Iwasaki et al. | Studies of the perpendicular magnetization mode in Co-Cr sputtered films | |
US5851643A (en) | Magnetic recording media and magnetic recording read-back system which uses such media | |
JP2003162806A (ja) | 垂直磁気記録媒体および磁気記憶装置 | |
JP3612087B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
US6395413B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
EP0304927B1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
JPH11102510A (ja) | 垂直磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記録装置 | |
US4792486A (en) | Perpendicular magnetic recording medium | |
JPH07134820A (ja) | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置 | |
US6706426B1 (en) | Longitudinal magnetic recording media | |
JPH056738B2 (ja) | ||
US5244751A (en) | Perpendicular magnetic recording medium, its fabrication method and read-write machine using it | |
JPS61117725A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP2579184B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
JP2002230735A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
JPS62134817A (ja) | 磁気記録媒体 | |
JPH023102A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP3653039B2 (ja) | 磁気記録再生装置 | |
JPH0532809B2 (ja) | ||
JP3520751B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法及びそれを使用した記憶装置 | |
JP2002269718A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
JP2002109714A (ja) | 情報記録媒体及び情報記録装置 | |
KR100813140B1 (ko) | 수직 자기 기록 매체, 그 제조 방법, 기록 방법 및 재생방법 | |
JPH0570205B2 (ja) | ||
US20010050829A1 (en) | Magnetic recording and reproducing system including a ring head of materials having different saturation flux densities |