JPS61113642A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体封止用エポキシ樹脂組成物Info
- Publication number
- JPS61113642A JPS61113642A JP23501184A JP23501184A JPS61113642A JP S61113642 A JPS61113642 A JP S61113642A JP 23501184 A JP23501184 A JP 23501184A JP 23501184 A JP23501184 A JP 23501184A JP S61113642 A JPS61113642 A JP S61113642A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silica
- epoxy resin
- parts
- filler
- resin composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は熱衝撃を受けた場合の耐クラック性及び耐湿性
に優れた特長を持つ半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
関するものであシ、その特徴は表面を疎水化したシリカ
を充填材として使用するところＫある。
に優れた特長を持つ半導体封止用エポキシ樹脂組成物に
関するものであシ、その特徴は表面を疎水化したシリカ
を充填材として使用するところＫある。
従来半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、充填材とレ
ジンを結合させるためにカップリング剤が用いられてい
る。これは充填材／レジン界面をつなぎ組成物としての
強度を高めることが目的であり、シラン系カッグリング
剤（エポキシシラン吻アミノシラン・ビニルシラン等）
が主として用いられている。又充填材としては平均粒径
２゜ミクロン最大粒径１５０ミクロンのシリカが用いら
れている。
ジンを結合させるためにカップリング剤が用いられてい
る。これは充填材／レジン界面をつなぎ組成物としての
強度を高めることが目的であり、シラン系カッグリング
剤（エポキシシラン吻アミノシラン・ビニルシラン等）
が主として用いられている。又充填材としては平均粒径
２゜ミクロン最大粒径１５０ミクロンのシリカが用いら
れている。
ところが、最近これら用途で低応力化が強く要求されて
きた。これは最終製品の国際化−あらゆる日時・場所で
の使用に対応するためである。即ち、多種多用−且つ多
人種によって使用されるため乱暴な取拠いや保管に対す
る強さが要求されて ′きた。又゛、シリカ粒径も
細かくする必要性が生じてきた。シリカの粒径が１００
ミクロン以上だと大含過ぎ即ちミクロ的に不均一となり
、半導体素子とリードとの結線を変形（ワイヤー変形）
させたシ樹脂クラックを発生させたシする原因となるこ
とが判ってきたためである。特に封止樹脂厚み３００〜
５００ミクロンのフラットパッケージでは大問題となり
つつある。
きた。これは最終製品の国際化−あらゆる日時・場所で
の使用に対応するためである。即ち、多種多用−且つ多
人種によって使用されるため乱暴な取拠いや保管に対す
る強さが要求されて ′きた。又゛、シリカ粒径も
細かくする必要性が生じてきた。シリカの粒径が１００
ミクロン以上だと大含過ぎ即ちミクロ的に不均一となり
、半導体素子とリードとの結線を変形（ワイヤー変形）
させたシ樹脂クラックを発生させたシする原因となるこ
とが判ってきたためである。特に封止樹脂厚み３００〜
５００ミクロンのフラットパッケージでは大問題となり
つつある。
現在の組成物ではこれらの要求を満足することができな
い。現在の組成物は、あまシにもシリカ／レジンが強固
に結合しているため最終製品が硬くもろくなってしまう
。又、シリカは粗すぎるからである。
い。現在の組成物は、あまシにもシリカ／レジンが強固
に結合しているため最終製品が硬くもろくなってしまう
。又、シリカは粗すぎるからである。
本発明は、従来耐クラツク性及び耐湿性に問題があった
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を抜本的に改良し、産
業・工業レベルでの適用即ち実用的製品の開発を目的と
して研究した結果、シリカの表面をアルコキシシラン類
又は及びチタネート類で疎水化処理することにより目的
とする耐クラツク性及び耐湿性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が得られることを見い出したものであ
る。
半導体封止用エポキシ樹脂組成物を抜本的に改良し、産
業・工業レベルでの適用即ち実用的製品の開発を目的と
して研究した結果、シリカの表面をアルコキシシラン類
又は及びチタネート類で疎水化処理することにより目的
とする耐クラツク性及び耐湿性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂組成物が得られることを見い出したものであ
る。
本発明は表面を予めアルコキシシラン類又は及びチタネ
ート類で疎水化処理を施した平均粒径が１５ミクロン以
下で最大粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしくは球
状のシリカを充填材として用いることを特徴とする半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。ここでいうシリカ
とは、平均粒径が１５ミクロン以下で１００ミクロン以
上の粒子を含まない破砕状もしくは球状のシリカのこと
をいい、半導体封止用途には電解質の不純物や異物が少
ないことが好ましい。
ート類で疎水化処理を施した平均粒径が１５ミクロン以
下で最大粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしくは球
状のシリカを充填材として用いることを特徴とする半導
体封止用エポキシ樹脂組成物である。ここでいうシリカ
とは、平均粒径が１５ミクロン以下で１００ミクロン以
上の粒子を含まない破砕状もしくは球状のシリカのこと
をいい、半導体封止用途には電解質の不純物や異物が少
ないことが好ましい。
アルコキシシラン類、チタネート類とはシリカと反応す
るための官能基（シラノール基、メトキシ基等）を有す
るものであシ、商品ではアルコキシシラン類としてＤＣ
−３０３７，５Ｒ−２４０２，５Ｈ−６２００（）−レ
・シリコーン社） 、ＫＲ−２１３、版−２１６、ｌ０
３Ｍ−１３（信越化学社） ＭＴＳ 、 ＰＴＳシリー
ズ（大人化学工業所）等を挙げることができる。
るための官能基（シラノール基、メトキシ基等）を有す
るものであシ、商品ではアルコキシシラン類としてＤＣ
−３０３７，５Ｒ−２４０２，５Ｈ−６２００（）−レ
・シリコーン社） 、ＫＲ−２１３、版−２１６、ｌ０
３Ｍ−１３（信越化学社） ＭＴＳ 、 ＰＴＳシリー
ズ（大人化学工業所）等を挙げることができる。
望ましくはオリゴマー化したものが良い。オリゴマー化
することによシ応力援和の効果が大きくなる。又、チタ
ネート類としてはＫＥＮ −ＲＥＡＣＴシリーズ（Ｋｅ
ｎｒｉｃｈ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｃ ）
等を挙げることができる。アルコキシシラン類やチタネ
ート類は一種もしくは二種以上使用しても良い。ここで
、シリカはアルコキシシラン類又は及びチタネート類と
予め混合しシリカ表面に処理剤による被膜を形成させる
ことが必須である。このことによシ、本発明の目的とす
る低応力及び高耐湿特性が得られる。
することによシ応力援和の効果が大きくなる。又、チタ
ネート類としてはＫＥＮ −ＲＥＡＣＴシリーズ（Ｋｅ
ｎｒｉｃｈ Ｐｅｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｃ ）
等を挙げることができる。アルコキシシラン類やチタネ
ート類は一種もしくは二種以上使用しても良い。ここで
、シリカはアルコキシシラン類又は及びチタネート類と
予め混合しシリカ表面に処理剤による被膜を形成させる
ことが必須である。このことによシ、本発明の目的とす
る低応力及び高耐湿特性が得られる。
一般的に、半導体封止用エポキシ樹脂組成物は樹脂、シ
リカよシ成シこれに硬化剤・硬化促進剤・離型剤・難燃
剤壷処理剤・顔料等を混合する場合が多い。特に現在汎
用の材料は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂・フ
ェノールノボラック（硬化剤）・第３級アミン（硬化促
進剤）・シリカ（充填材）・シラ／カップリング剤（、
処理剤）・３酸化アンチモン（難燃剤）等より構成され
、シリカ量゛としては５０〜９０重量％が普通であ企。
リカよシ成シこれに硬化剤・硬化促進剤・離型剤・難燃
剤壷処理剤・顔料等を混合する場合が多い。特に現在汎
用の材料は、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂・フ
ェノールノボラック（硬化剤）・第３級アミン（硬化促
進剤）・シリカ（充填材）・シラ／カップリング剤（、
処理剤）・３酸化アンチモン（難燃剤）等より構成され
、シリカ量゛としては５０〜９０重量％が普通であ企。
さて、信頼性であるが故障発生した半導体製品を解析し
た結果、不良現象は、例としてＡｔ回路（１）及び保護
膜（２）を有する１６にビットメモＩＪ−ＩＣ封入品に
ついて不良モデル図（第１図〜第３図）で示すと、大き
な充填材（３）の影響のため、■樹脂バルク・樹脂界面
のマイクロクラック（４）発生による水進入■回路保護
膜（パッシベーション膜）のクラック（５）による破損
による水進入、■アルミ回路のずれ（６）ゆがみ等によ
る回路異常によるものが大部分であった。さらに詳細に
検討した結果、これらの原因がシリカ及びカップリング
剤であることが判った。不良が発生している箇所には必
ず大きなシリカが存在しておシ囲シに細かいシリカが少
ないこと（充填材が偏在していること）が判った。即ち
、現在のシリカ粒径のバラツキが大きく応力が局部的に
不均一になっていることが判った。又、電子顕微鏡等に
よる観察でフィラー／レジン界面のカップリング剤層に
マイクロクラックや剥離現象が見られた。即ち、現在の
カップリング剤では応力を緩和する作用が不十分である
ことも判った。
た結果、不良現象は、例としてＡｔ回路（１）及び保護
膜（２）を有する１６にビットメモＩＪ−ＩＣ封入品に
ついて不良モデル図（第１図〜第３図）で示すと、大き
な充填材（３）の影響のため、■樹脂バルク・樹脂界面
のマイクロクラック（４）発生による水進入■回路保護
膜（パッシベーション膜）のクラック（５）による破損
による水進入、■アルミ回路のずれ（６）ゆがみ等によ
る回路異常によるものが大部分であった。さらに詳細に
検討した結果、これらの原因がシリカ及びカップリング
剤であることが判った。不良が発生している箇所には必
ず大きなシリカが存在しておシ囲シに細かいシリカが少
ないこと（充填材が偏在していること）が判った。即ち
、現在のシリカ粒径のバラツキが大きく応力が局部的に
不均一になっていることが判った。又、電子顕微鏡等に
よる観察でフィラー／レジン界面のカップリング剤層に
マイクロクラックや剥離現象が見られた。即ち、現在の
カップリング剤では応力を緩和する作用が不十分である
ことも判った。
そこで、表面をアルコキシシラン類やチタネート類で疎
水化処理を施し緩衝層を形成した平均粒径が１５ミクロ
ン以下で最大粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしく
は球状のシリカを充填材として用いると上記の不良が激
減することが判った。
水化処理を施し緩衝層を形成した平均粒径が１５ミクロ
ン以下で最大粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしく
は球状のシリカを充填材として用いると上記の不良が激
減することが判った。
又処理剤の添加量としてはシリカの０．２／ １００〜
５／１００が望ましい。少なすぎると低応力及び耐湿性
の効果が得られない場合、又多すぎると成形性（パリ、
硬化性）が問題となる場合もあるからである。
５／１００が望ましい。少なすぎると低応力及び耐湿性
の効果が得られない場合、又多すぎると成形性（パリ、
硬化性）が問題となる場合もあるからである。
このように、本発明方法に従うと耐クラツク性及び耐湿
性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。特に半導体封止用途では今後益々プラスチッ
クパッケージ化が予想され、又そのためにプラスチック
の低応力化・高耐湿化が要求されている今日においては
本発明の産業的意味役割は非常に大きい。
性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を得ること
ができる。特に半導体封止用途では今後益々プラスチッ
クパッケージ化が予想され、又そのためにプラスチック
の低応力化・高耐湿化が要求されている今日においては
本発明の産業的意味役割は非常に大きい。
以下、半導体封土用エポキシ樹脂組成物での検討例で説
明する。例で用いた部はすべて重量部である。本発明に
よる実施例は従来の技術による比較例に比べ成形性、耐
湿性、耐クラツク性の点で優れており工業的に利用でき
る高付加価値を有している。
明する。例で用いた部はすべて重量部である。本発明に
よる実施例は従来の技術による比較例に比べ成形性、耐
湿性、耐クラツク性の点で優れており工業的に利用でき
る高付加価値を有している。
実施例１〜５
平均粒径が１０ミクロン以下で最大粒径が１００ミクロ
ン以下の破砕状シリカ（電気化学工業二ＦＳ −３０）
あるいは球状シリカ（電気化学工業：ＦＢ−３０）７０
部と表面処理剤Ｂ（）−レ・シリコ−７：５Ｒ−２４０
２、Ｉｆ７す７ ｆ ： ＫＲ−ＴｒＳ 、信越：幻Ｍ
−１３）１部あるいは６部を加熱゛ニーグーを用い、１
２０℃、３０分混合した後、オルトクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂（日本化率： ＥＯＣＮ−１０２０）
２０部・フェノールノボラック（住友ベークライト）１
０部・硬化促進剤（ケーアイ化成ＰＰ−３６０／四国化
成舅＝９／１）０．２部・表面処理剤Ａ（チッソ： Ｇ
ＰＳ−Ｍ） ０．３部・顔料（三菱化成）０．５部・離
型剤（ヘキストジャパンヘキストＯＰ／ヘキストＳ＝１
／１）０．４部を混合し８０℃の熱ロールで３分混練し
成形材料５種を得た。
ン以下の破砕状シリカ（電気化学工業二ＦＳ −３０）
あるいは球状シリカ（電気化学工業：ＦＢ−３０）７０
部と表面処理剤Ｂ（）−レ・シリコ−７：５Ｒ−２４０
２、Ｉｆ７す７ ｆ ： ＫＲ−ＴｒＳ 、信越：幻Ｍ
−１３）１部あるいは６部を加熱゛ニーグーを用い、１
２０℃、３０分混合した後、オルトクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂（日本化率： ＥＯＣＮ−１０２０）
２０部・フェノールノボラック（住友ベークライト）１
０部・硬化促進剤（ケーアイ化成ＰＰ−３６０／四国化
成舅＝９／１）０．２部・表面処理剤Ａ（チッソ： Ｇ
ＰＳ−Ｍ） ０．３部・顔料（三菱化成）０．５部・離
型剤（ヘキストジャパンヘキストＯＰ／ヘキストＳ＝１
／１）０．４部を混合し８０℃の熱ロールで３分混練し
成形材料５種を得た。
これら成形材料の成形性・耐クラツク性・耐湿性を測定
した結果、表のように比較例に比べて優れ １６２と
、８ヨ９た。 ４
比較例１〜３ 平均粒径が２０ミクロンで最大粒径が１５０ミクロンの
破砕状シリカ（［気化学工業：ＦＳ−９０）あるいは球
状シリカ（電気化学工業：ＦＢ−９０）７０部と表面処
理剤Ｂ１部を加熱ニーダ−を用い、１２０℃、３０分混
合した後、エポキシ樹脂２０部・フェノールノボラック
１０部・硬化促進剤０．２部・表面処理剤Ａ Ｏ，３部
・顔料０．５部・離型剤０．４部（いずれも実施例と同
一原料）を実施例と同様に材料化した。この材料の成形
性・耐湿性・耐クラツク性結果は別表の通りで実施例に
比べて耐クラツク性・耐湿性の点で大幅に劣る。
した結果、表のように比較例に比べて優れ １６２と
、８ヨ９た。 ４
比較例１〜３ 平均粒径が２０ミクロンで最大粒径が１５０ミクロンの
破砕状シリカ（［気化学工業：ＦＳ−９０）あるいは球
状シリカ（電気化学工業：ＦＢ−９０）７０部と表面処
理剤Ｂ１部を加熱ニーダ−を用い、１２０℃、３０分混
合した後、エポキシ樹脂２０部・フェノールノボラック
１０部・硬化促進剤０．２部・表面処理剤Ａ Ｏ，３部
・顔料０．５部・離型剤０．４部（いずれも実施例と同
一原料）を実施例と同様に材料化した。この材料の成形
性・耐湿性・耐クラツク性結果は別表の通りで実施例に
比べて耐クラツク性・耐湿性の点で大幅に劣る。
比較例４
破砕状シリカ７０部・エポキシ樹脂２０部・フェノール
ノボラック１０部・硬化促進剤０．２部・表面処理剤Ａ
０．３部・顔料０．５部・離型剤０．４部（いずれも
実施例と同一原料）を実施例と同様に材料化した。この
材料の成形性・耐湿性・耐クラツク性結果は別表の通り
で実施例に比べて耐湿性・耐クラツク性の点で大幅に劣
る。
ノボラック１０部・硬化促進剤０．２部・表面処理剤Ａ
０．３部・顔料０．５部・離型剤０．４部（いずれも
実施例と同一原料）を実施例と同様に材料化した。この
材料の成形性・耐湿性・耐クラツク性結果は別表の通り
で実施例に比べて耐湿性・耐クラツク性の点で大幅に劣
る。
比較例５．６
破砕状シリカ７０部・エポキシ樹脂２０部・フェノール
ノボラックｌＯ部Φ硬化促進剤０．２部・表面処理剤Ａ
Ｏ１３部・表面処理剤Ｂ１部・顔料０，５部・離型剤０
．４部（いずれも実施例と同一原料）を混合し８０℃の
熱ロールで３分混練し成形材料２種を得た。この材料の
成形性・耐湿性・耐クラツク性結果は別表の通りで実施
例に比べて耐湿性・耐クラツク性の点で大幅に劣る。
ノボラックｌＯ部Φ硬化促進剤０．２部・表面処理剤Ａ
Ｏ１３部・表面処理剤Ｂ１部・顔料０，５部・離型剤０
．４部（いずれも実施例と同一原料）を混合し８０℃の
熱ロールで３分混練し成形材料２種を得た。この材料の
成形性・耐湿性・耐クラツク性結果は別表の通りで実施
例に比べて耐湿性・耐クラツク性の点で大幅に劣る。
＊Ｌ １６ ｐｉｎ ＤＩＰを成形した時のリードビ
ン上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のｈ以
下の時Ａ 、 ｌ−賜の時Ｂ１Ｑ〜％の時Ｃ１乞以上（
タイバーを超えた）Ｄ ＊２７ＣＴ、 ４ｍ＋Ｘ ９ｍの大きさの模擬素子を封
止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰ Ｋ−６５℃（３０分）
、室温（５分）２１５０℃（３０分）なる熱衝撃を２０
０サイクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊３ＴＳＴ、４１１１Ｘ６ｍの大きさの模擬素子を封止
した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＦに一１６５℃（２分）：１
５０℃（２分）なる熱衝撃を２００サイクル与えクラッ
ク発生数／総数で判定 ＊４耐湿性、アルミ模擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ
ＤＩＦを１３５℃、１００％の条件で１０００ｈｒ保
管しアルミ腐食による不良率／＆：数で判定
ン上のパリ発生程度で判定タイバ一部までの距離のｈ以
下の時Ａ 、 ｌ−賜の時Ｂ１Ｑ〜％の時Ｃ１乞以上（
タイバーを超えた）Ｄ ＊２７ＣＴ、 ４ｍ＋Ｘ ９ｍの大きさの模擬素子を封
止した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＰ Ｋ−６５℃（３０分）
、室温（５分）２１５０℃（３０分）なる熱衝撃を２０
０サイクル与えクラック発生数／総数で判定 ＊３ＴＳＴ、４１１１Ｘ６ｍの大きさの模擬素子を封止
した１ ６ ｐｉｎ ＤＩＦに一１６５℃（２分）：１
５０℃（２分）なる熱衝撃を２００サイクル与えクラッ
ク発生数／総数で判定 ＊４耐湿性、アルミ模擬素子を封止した１ ６ ｐｉｎ
ＤＩＦを１３５℃、１００％の条件で１０００ｈｒ保
管しアルミ腐食による不良率／＆：数で判定
第１図、第２図及び第３図は大きな充埴材の影響による
半導体製品の不良モデル断面図である。 −’＞ＲＲ− 第１図 第２図 ス 第３図 口開 ・Ｙ■Ｘ１
半導体製品の不良モデル断面図である。 −’＞ＲＲ− 第１図 第２図 ス 第３図 口開 ・Ｙ■Ｘ１
Claims (1)
- 表面をアルコキシシラン類又は及びチタネート類で疎
水化処理を施した重量平均粒径が１５ミクロン以下で最
大粒径が１００ミクロン以下の破砕状もしくは球状のシ
リカを充填材として用いることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23501184A JPS61113642A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23501184A JPS61113642A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113642A true JPS61113642A (ja) | 1986-05-31 |
| JPH032390B2 JPH032390B2 (ja) | 1991-01-14 |
Family
ID=16979741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23501184A Granted JPS61113642A (ja) | 1984-11-09 | 1984-11-09 | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113642A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296020A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | 電子部品封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
| JPS63108021A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS63128020A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPS6411355A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Hitachi Ltd | Resin sealed semiconductor device |
| JPH02209949A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び硬化物 |
| GB2345803A (en) * | 1997-08-19 | 2000-07-19 | Taiyo Yuden Kk | Electronic component with a hydrophobic surface treated resin additive |
| US6198373B1 (en) | 1997-08-19 | 2001-03-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Wire wound electronic component |
| JP2008062010A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Kokuyo Co Ltd | デスク、及びオフィス構成システム |
| JP2008119333A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kokuyo Co Ltd | 天板付き家具 |
| JP2008142517A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-06-26 | Kokuyo Co Ltd | 支持体、及び天板付き家具 |
-
1984
- 1984-11-09 JP JP23501184A patent/JPS61113642A/ja active Granted
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61296020A (ja) * | 1985-06-26 | 1986-12-26 | Toshiba Corp | 電子部品封止用液状エポキシ樹脂組成物 |
| JPS63108021A (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-12 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0554865B2 (ja) * | 1986-11-18 | 1993-08-13 | Hitachi Ltd | |
| JPS63128020A (ja) * | 1986-11-18 | 1988-05-31 | Hitachi Ltd | 樹脂封止型半導体装置 |
| JPH0680863A (ja) * | 1986-11-18 | 1994-03-22 | Hitachi Ltd | エポキシ樹脂組成物 |
| JPS6411355A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Hitachi Ltd | Resin sealed semiconductor device |
| JPH02209949A (ja) * | 1989-02-09 | 1990-08-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び硬化物 |
| GB2345803A (en) * | 1997-08-19 | 2000-07-19 | Taiyo Yuden Kk | Electronic component with a hydrophobic surface treated resin additive |
| US6198373B1 (en) | 1997-08-19 | 2001-03-06 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Wire wound electronic component |
| GB2329762B (en) * | 1997-08-19 | 2001-06-06 | Taiyo Yuden Kk | Wire wound electronic component |
| GB2345803B (en) * | 1997-08-19 | 2001-06-20 | Taiyo Yuden Kk | Wire wound electronic component |
| JP2008062010A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Kokuyo Co Ltd | デスク、及びオフィス構成システム |
| JP2008119333A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-05-29 | Kokuyo Co Ltd | 天板付き家具 |
| JP2008142517A (ja) * | 2006-11-15 | 2008-06-26 | Kokuyo Co Ltd | 支持体、及び天板付き家具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH032390B2 (ja) | 1991-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| GB2086134A (en) | Resin encapsulated electronic devices | |
| JPS61113642A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JP5220981B2 (ja) | 微塩基性シリカ粉体、その製造方法及び樹脂組成物 | |
| TWI666246B (zh) | 樹脂組成物用塡料、含有塡料之漿體組成物、及含有塡料之樹脂組成物 | |
| JPS63245426A (ja) | 樹脂封止半導体装置 | |
| JP3468996B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPS6274924A (ja) | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| US6288169B1 (en) | Butadiene rubber particles with secondary particle sizes for epoxy resin encapsulant | |
| JP2773955B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5141857B2 (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS62149743A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| JPS61203160A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| JPS5837939A (ja) | 半導体装置 | |
| KR101526001B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 | |
| KR101266542B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 패키지 | |
| JP2006257309A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JP2947072B2 (ja) | 表面処理アルミナの製造方法 | |
| JPH03140322A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料及び樹脂封止型半導体装置 | |
| JPH11255955A (ja) | カプセル型難燃剤およびそれを配合した半導体封止用樹脂組成物 | |
| JPH0142631B2 (ja) | ||
| JP2001139771A (ja) | エポキシ樹脂成形材料及び半導体装置 | |
| JPS627143A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| JPS61190550A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料 | |
| JP2635621B2 (ja) | 半導体装置封止用樹脂組成物 | |
| JPS61243853A (ja) | エポキシ樹脂組成物 |