JPS61113241A - 電子部品の封止方法 - Google Patents
電子部品の封止方法Info
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- JPS61113241A JPS61113241A JP23642284A JP23642284A JPS61113241A JP S61113241 A JPS61113241 A JP S61113241A JP 23642284 A JP23642284 A JP 23642284A JP 23642284 A JP23642284 A JP 23642284A JP S61113241 A JPS61113241 A JP S61113241A
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- JP
- Japan
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- sealed part
- molding
- sealed
- sealing
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims description 19
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 9
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 claims 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 abstract description 12
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract 1
- 230000008929 regeneration Effects 0.000 abstract 1
- 238000011069 regeneration method Methods 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
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- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は電子部品の封止方法に関する。
［従来の技術］
ＩＣ，）ランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサー
、コイルおよびコネクターなどの種々の電子部品は、各
端子間の電気的絶縁、機械的強度の保持、湿度や浮遊不
純物などの外部環境からの内部保護がその性ｎ維持のた
め必要不可欠である。
、コイルおよびコネクターなどの種々の電子部品は、各
端子間の電気的絶縁、機械的強度の保持、湿度や浮遊不
純物などの外部環境からの内部保護がその性ｎ維持のた
め必要不可欠である。
そのため基板上に取りつけられた電子部品を合成樹脂を
用いて密Ｍするいわゆる封止が一般に行なわれている。
用いて密Ｍするいわゆる封止が一般に行なわれている。
その封止方法としては、熱硬化性樹脂を封止材料とする
方法と、熱可塑性樹脂を封止材料とする方法とがあり、
熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が、熱可塑性樹脂と
してはポリフェニレンサルファイドポリマーが一般に用
いられる。
方法と、熱可塑性樹脂を封止材料とする方法とがあり、
熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂が、熱可塑性樹脂と
してはポリフェニレンサルファイドポリマーが一般に用
いられる。
本た封止手段には、生産性や寸法安定性などの点からト
ランスファー戒形士たは射出成形によるモールド法が採
用される。
ランスファー戒形士たは射出成形によるモールド法が採
用される。
［発明が解決しようとする問題点］
従来の封止方法において、エポキシ樹脂を用いたばあい
は、機械的強度が強い、気密性にすぐれるなどの長所が
あるが、その反面成形時間が長くかかる（１〜５分）、
熱によって金型内で樹脂が低粘度化するのでパリの発生
が多く成形後のパリ取り作業が困難となる、成形品とし
ては不用なランナなどが再生不可能なため材料コストが
高くなるなどの欠点がある。
は、機械的強度が強い、気密性にすぐれるなどの長所が
あるが、その反面成形時間が長くかかる（１〜５分）、
熱によって金型内で樹脂が低粘度化するのでパリの発生
が多く成形後のパリ取り作業が困難となる、成形品とし
ては不用なランナなどが再生不可能なため材料コストが
高くなるなどの欠点がある。
一方、ポリフェニレンサルファイドポリマーを眉いる封
止方法では、耐熱性がすぐれている、パリの発生が少な
い、成形時間が短い、ランナなどの一部が再生可能など
の長所がある反面、熱可塑性樹脂の本質として熱架橋反
応がないため被打止物との接着力が弱（、気密性が充分
えられないという欠点がある。
止方法では、耐熱性がすぐれている、パリの発生が少な
い、成形時間が短い、ランナなどの一部が再生可能など
の長所がある反面、熱可塑性樹脂の本質として熱架橋反
応がないため被打止物との接着力が弱（、気密性が充分
えられないという欠点がある。
以上のように従来はいずれの方法によっても一長一短で
あり、全ての要求条件を満足する封止方法はいまだに知
られていない。
あり、全ての要求条件を満足する封止方法はいまだに知
られていない。
そこで本発明は、エポキシ！ＭＷを眉いた封止方法のも
つ長所とポリフェニレンサルファイドポリマーを用いた
封止方法のもつ長所とを併せ有し、゛いかなる欠点も有
しないｂわめてすぐれた封止方法を提供することを目的
とする。
つ長所とポリフェニレンサルファイドポリマーを用いた
封止方法のもつ長所とを併せ有し、゛いかなる欠点も有
しないｂわめてすぐれた封止方法を提供することを目的
とする。
［問題点を解決するための手段１
本発明の電子部品の封止方法は、基板上に電子部品を取
りつけてなる被打止物にフッ素低分子処理剤に（表面コ
ーティングを行ない、ついで封止材料としてポリフェニ
レンサルファイドポリマー（以下、ＰＰＳという）を用
い、トランスファー成形または射出成形によるモールド
法によって電子部品を封止するようにしている。
りつけてなる被打止物にフッ素低分子処理剤に（表面コ
ーティングを行ない、ついで封止材料としてポリフェニ
レンサルファイドポリマー（以下、ＰＰＳという）を用
い、トランスファー成形または射出成形によるモールド
法によって電子部品を封止するようにしている。
［実施例］
本発明の封止方法を施すにあたっては、まず金属製フレ
ームなどの基板上にグイポンドやワイヤボンドなどの方
法でｔＣやトフンノスタその他の電子部品を取りつけて
おく。
ームなどの基板上にグイポンドやワイヤボンドなどの方
法でｔＣやトフンノスタその他の電子部品を取りつけて
おく。
その上）にして被打止物をえると、その被封上物の外表
面に７７素系低分子処理剤をコーティングする。７ツ素
系低分子ｊＪｋ理剤は撥水性を有するので、それによっ
て被打止物に撥水性の皮膜を形成することができる。
面に７７素系低分子処理剤をコーティングする。７ツ素
系低分子ｊＪｋ理剤は撥水性を有するので、それによっ
て被打止物に撥水性の皮膜を形成することができる。
７７素低分子処理剤のコーティング方法としては、スプ
レー塗布などを用いることができるが、前記フッ素系低
分子処理剤の溶液中に浸漬するのがもっとも簡単である
ため好ましい。
レー塗布などを用いることができるが、前記フッ素系低
分子処理剤の溶液中に浸漬するのがもっとも簡単である
ため好ましい。
以上のようにして被打止物にフッ素系低分子処理剤がコ
ーティングさ胱ると、つぎにその被封止物をＰＰＳで密
封する。それにはトランスファ成形または射出成形によ
る公知のモールド法が採用される。すなわちトランスフ
ァ成形によるばあ−１も、射出成形によるばあいも封止
材料としてのＰＰＳを金型の上に設けられた可塑化室に
入れ、軟化温度まで加熱して可塑化し、これを前記被打
止物が挿入されでいる金型の中に圧入しで硬化させ、密
封成形を什なう。
ーティングさ胱ると、つぎにその被封止物をＰＰＳで密
封する。それにはトランスファ成形または射出成形によ
る公知のモールド法が採用される。すなわちトランスフ
ァ成形によるばあ−１も、射出成形によるばあいも封止
材料としてのＰＰＳを金型の上に設けられた可塑化室に
入れ、軟化温度まで加熱して可塑化し、これを前記被打
止物が挿入されでいる金型の中に圧入しで硬化させ、密
封成形を什なう。
［５１！明の効果］
本発明方法によって被封上物に形成された７フ索系低分
子処理剤のコーティング層は撥水性にすぐれているので
、そのｉ膜によって電子部品への水分や湿気の浸透を効
果的に防止することができる。
子処理剤のコーティング層は撥水性にすぐれているので
、そのｉ膜によって電子部品への水分や湿気の浸透を効
果的に防止することができる。
しかも封止材料にはＰＰＳが用いられているので、ＰＰ
Ｓを用いた封止方法の利点である成形時間が短（ですむ
（通常２０〜４０秒）、パリの発生が少なく封止後の仕
上げ作業が楽になる、ランナの一部の再利用が可能であ
るなどの点をその＊ま活かすことができる。
Ｓを用いた封止方法の利点である成形時間が短（ですむ
（通常２０〜４０秒）、パリの発生が少なく封止後の仕
上げ作業が楽になる、ランナの一部の再利用が可能であ
るなどの点をその＊ま活かすことができる。
そのため本発明の封止方法に上ると、性能的に充分満足
しうる電子部品の封止が低コストでうろことができるの
である。
しうる電子部品の封止が低コストでうろことができるの
である。
Claims (1)
- （１）電子部品を合成樹脂で封止する方法であって、基
板上に電子部品を取りつけてなる被封止物にフッ素系低
分子処理剤にて表面コーティングを行ない、ついで封止
材料としてポリフェニレンサルファイドポリマーを用い
、トランスファー成形または射出成形によるモールド法
によって電子部品を封止するようにしたことを特徴とす
る電子部品の封止方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23642284A JPS61113241A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 電子部品の封止方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23642284A JPS61113241A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 電子部品の封止方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113241A true JPS61113241A (ja) | 1986-05-31 |
Family
ID=17000518
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23642284A Pending JPS61113241A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 電子部品の封止方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61113241A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0390996A2 (en) * | 1989-04-06 | 1990-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | IC card module |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP23642284A patent/JPS61113241A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0390996A2 (en) * | 1989-04-06 | 1990-10-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | IC card module |
| US5079673A (en) * | 1989-04-06 | 1992-01-07 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ic card module |
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