JPS61112391A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61112391A JPS61112391A JP59233159A JP23315984A JPS61112391A JP S61112391 A JPS61112391 A JP S61112391A JP 59233159 A JP59233159 A JP 59233159A JP 23315984 A JP23315984 A JP 23315984A JP S61112391 A JPS61112391 A JP S61112391A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- region
- type
- ingaasp
- irregularities
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体レーザ装置の構造に関するものである
。更に詳しくはいわゆる分布帰還型の半導体レーザ装置
に関するものである。
。更に詳しくはいわゆる分布帰還型の半導体レーザ装置
に関するものである。
半導体レーザにおいて、電磁波が導波される活性領域ま
たはそれに隣接する領域の屈折率または利得を電磁波の
進行方向に周期的に変化させた、分布帰還型レーザは正
確な波長制御が可能であるなどの利点を有する。これま
での分布帰還型レーザの構造としては、たとえば第１図
に示すようなものが考えられてきた。第１図において、
１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐ層、３はＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ活性層、４は
ｐ型ＩｎＰ層、５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰＭである。この
図において、活性領域３のバンド幅Ｅｔ３と光導波領域
２のバンド幅Ｅ、□はＥ。＞Ｅ、３の関係にある。また
、光のフィードバックは光導波領域２とＩｎＰ基板の界
面に形成された周期的な凸凹により実現されている。
たはそれに隣接する領域の屈折率または利得を電磁波の
進行方向に周期的に変化させた、分布帰還型レーザは正
確な波長制御が可能であるなどの利点を有する。これま
での分布帰還型レーザの構造としては、たとえば第１図
に示すようなものが考えられてきた。第１図において、
１はｎ型ＩｎＰ基板、２はｎ型Ｉ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ
Ｐ層、３はＩ ｎ Ｇ ａ Ａ ｓ Ｐ活性層、４は
ｐ型ＩｎＰ層、５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰＭである。この
図において、活性領域３のバンド幅Ｅｔ３と光導波領域
２のバンド幅Ｅ、□はＥ。＞Ｅ、３の関係にある。また
、光のフィードバックは光導波領域２とＩｎＰ基板の界
面に形成された周期的な凸凹により実現されている。
ここで、領域１．領域２および領域３の屈折率ｎ１＋
ｎ ２およびｎ３はｎ １ ＜ ｎ ｘ ＜ ｎ ３
の関係にある。したがって、電磁波は主に領域２および
領域３に閉じ込められる。そのため、凹凸の存在する界
面において電磁波が弱くなり、凹凸と電磁波（光）の結
合を大きくとれない欠点がある。領域２を薄くすれば、
結合は大きくなるが、凹凸の部分には非発光再結合中心
が存在し、このため領域２はあまり薄くすることができ
ない。レーザ発振開始のしきい値を低くするためには、
凹凸と光の結合を大きくすることが必要であるが、上記
の理由のため、従来構造ではしきい値を充分に低くする
に困難を伴った。
ｎ ２およびｎ３はｎ １ ＜ ｎ ｘ ＜ ｎ ３
の関係にある。したがって、電磁波は主に領域２および
領域３に閉じ込められる。そのため、凹凸の存在する界
面において電磁波が弱くなり、凹凸と電磁波（光）の結
合を大きくとれない欠点がある。領域２を薄くすれば、
結合は大きくなるが、凹凸の部分には非発光再結合中心
が存在し、このため領域２はあまり薄くすることができ
ない。レーザ発振開始のしきい値を低くするためには、
凹凸と光の結合を大きくすることが必要であるが、上記
の理由のため、従来構造ではしきい値を充分に低くする
に困難を伴った。
本発明の目的は発振開始のしきい値の低い分布帰還型半
導体レーザ装置を得ることにある。
導体レーザ装置を得ることにある。
上記の目的を達成するために、電磁波が導波される領域
の内部に活性領域から離して凹凸を形成した。このこと
により、凹凸の存在する領域において充分な電磁波の強
度が得られる。したがって、従来構造に較べ、凹凸と電
磁波（光）との結合を大きくとることができる。
の内部に活性領域から離して凹凸を形成した。このこと
により、凹凸の存在する領域において充分な電磁波の強
度が得られる。したがって、従来構造に較べ、凹凸と電
磁波（光）との結合を大きくとることができる。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。第２
図は本発明による注入型レーザのレーザ光の進行方向に
平行な面での断面図である。ｎ型ＩｎＰ基板のＬに液相
エピタキシャル成長法で格子整合のとれたｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層６（λＦＬ”０．９〜１．２μｍ）を形成した
後、表面に周知の干渉露光法により、周期２３４０ Ａ
のグレーティング（周期的な凹凸）を形成する。この上
に連続液相エピタキシャル成長法により、ｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層７（λ、Ｌ＝ １．２５−１．４５ μｍ）、
ＩｎＧａＡｓＰ活性ＪＷ’８ （λ、、＝１．５２μｍ
に設計する）、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰアンチメルトバック
層（λ、Ｌ＝ １．２５〜１．４５ μｍ） ９、ｐ型
ＩｎＰクラッド層４、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層（
λ、Ｌ＝ｌ、Ｑ 〜１．３μｍ）５を連続成長する。
図は本発明による注入型レーザのレーザ光の進行方向に
平行な面での断面図である。ｎ型ＩｎＰ基板のＬに液相
エピタキシャル成長法で格子整合のとれたｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層６（λＦＬ”０．９〜１．２μｍ）を形成した
後、表面に周知の干渉露光法により、周期２３４０ Ａ
のグレーティング（周期的な凹凸）を形成する。この上
に連続液相エピタキシャル成長法により、ｎ型ＩｎＧａ
ＡｓＰ層７（λ、Ｌ＝ １．２５−１．４５ μｍ）、
ＩｎＧａＡｓＰ活性ＪＷ’８ （λ、、＝１．５２μｍ
に設計する）、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰアンチメルトバック
層（λ、Ｌ＝ １．２５〜１．４５ μｍ） ９、ｐ型
ＩｎＰクラッド層４、Ｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層（
λ、Ｌ＝ｌ、Ｑ 〜１．３μｍ）５を連続成長する。
ただし、λ２＆はホトルミネッセンス測定による結晶の
発光波長を示す。ＩｎＧａＡｓＰ層はこの発光波長とな
る組成に調整する。ここで添加不純物としては層６１層
７ではＴｅ、層９１層４９層５ではＺｎを用いた。層の
厚さは、層６は０．１ μｍ以上・層７はＱ・１〜０・
３μｍ・層８は０・１〜 、・、０．２μｍ、
層９は０．１ μｍ以上１層４は１μｍ以上１層５は０
．１ μｍ以上を多用する。以上の結晶層を成長の後
、ストライプ状のシリコン酸化膜を用い、メサエッチン
グを行なった後に、埋め込み成長を行い、ＢＨ槽構造形
成した。さらに基板１および層５にそれぞれオーミック
電極を形成した。
発光波長を示す。ＩｎＧａＡｓＰ層はこの発光波長とな
る組成に調整する。ここで添加不純物としては層６１層
７ではＴｅ、層９１層４９層５ではＺｎを用いた。層の
厚さは、層６は０．１ μｍ以上・層７はＱ・１〜０・
３μｍ・層８は０・１〜 、・、０．２μｍ、
層９は０．１ μｍ以上１層４は１μｍ以上１層５は０
．１ μｍ以上を多用する。以上の結晶層を成長の後
、ストライプ状のシリコン酸化膜を用い、メサエッチン
グを行なった後に、埋め込み成長を行い、ＢＨ槽構造形
成した。さらに基板１および層５にそれぞれオーミック
電極を形成した。
第１図に示した従来構造では、その多層成長方向ノ＼の
屈折率分布および電界強度は各々第３図（ａ）および（
ｂ）のようになる。同図における一点鎖線は回折格子（
ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｇｒａｔｉｎｇ ；単にグレ
ーティングと略称する）の位置を示している。
屈折率分布および電界強度は各々第３図（ａ）および（
ｂ）のようになる。同図における一点鎖線は回折格子（
ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ ｇｒａｔｉｎｇ ；単にグレ
ーティングと略称する）の位置を示している。
第３図（ａ）に引き出し線をもって示したのは第２図に
図示し、た半導体層に対応している。これに対して１本
実施例においては、層６がＩｎＧａＡｓＰ層であるため
、多層成長方向への屈折率分布および電界強度は各々第
４図（ａ）および（ｂ）の様になる。そのため、層７の
厚さが同じならば、グレーティングが存在する層６と層
７の境界における電界強度は、従来構造より大きくなり
、従来構造に較べ強い光とグレーティングの結合か得ら
れる。
図示し、た半導体層に対応している。これに対して１本
実施例においては、層６がＩｎＧａＡｓＰ層であるため
、多層成長方向への屈折率分布および電界強度は各々第
４図（ａ）および（ｂ）の様になる。そのため、層７の
厚さが同じならば、グレーティングが存在する層６と層
７の境界における電界強度は、従来構造より大きくなり
、従来構造に較べ強い光とグレーティングの結合か得ら
れる。
その結果、従来構造に較べ約３０％しきい値が低減され
た。本実施例においてグレーティングか形成される層６
の組成はλ、Ｌ＝０．９〜１．２μｍに限らず１層７と
組成の異なるＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓならば
同様の効果が得られる。
た。本実施例においてグレーティングか形成される層６
の組成はλ、Ｌ＝０．９〜１．２μｍに限らず１層７と
組成の異なるＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓならば
同様の効果が得られる。
また本発明によれば、第５図のような構成も実現できる
。第５図は本発明による注入型レーザの別な例の断面図
である。作製方法は第３図の場合と同様である。ただし
、１はｎ型ＩｎＰ基板、１０はｎ型のＩｎＧａＡｓＰＪ
ＷあるいはＩｎＧａＡｓ層、１１はｎ型ＩｎＰ層、１２
は十分に薄いＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ型ＩｎＰ層
、５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層である。本実施例
においてグレーティングはＷｊｔｏと層１１の境界に形
成されている。本実施例においては光のガイド層は存在
しない。しかし、活性層が充分に薄い（０，１〜０．２
μｍ）ため、電磁波は活性層外にしみ出しグレーティン
グと結合する。従来構造では、活性層がＩｎＰ層よりバ
ンド幅の小さい充ガイド層ど接している。本発明によれ
ば、従来用いられている光ガイド層よりバンド幅の大き
いＩｎＰ層が活性層と接しているため、注入されたキャ
リアをより有効に活性層内に閉じ込めることができる。
。第５図は本発明による注入型レーザの別な例の断面図
である。作製方法は第３図の場合と同様である。ただし
、１はｎ型ＩｎＰ基板、１０はｎ型のＩｎＧａＡｓＰＪ
ＷあるいはＩｎＧａＡｓ層、１１はｎ型ＩｎＰ層、１２
は十分に薄いＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ型ＩｎＰ層
、５はｐ型ＩｎＧａＡｓＰキャップ層である。本実施例
においてグレーティングはＷｊｔｏと層１１の境界に形
成されている。本実施例においては光のガイド層は存在
しない。しかし、活性層が充分に薄い（０，１〜０．２
μｍ）ため、電磁波は活性層外にしみ出しグレーティン
グと結合する。従来構造では、活性層がＩｎＰ層よりバ
ンド幅の小さい充ガイド層ど接している。本発明によれ
ば、従来用いられている光ガイド層よりバンド幅の大き
いＩｎＰ層が活性層と接しているため、注入されたキャ
リアをより有効に活性層内に閉じ込めることができる。
このことにより、しきい値を低減することができる。
さらに本発明によれば、第６図の構成にしても良い。す
なわち、ＩｎＰ基板１上に活性層よりバンド幅の広いＩ
ｎＧａＡｓＰ層７、ＩｎＰ層１１を設け、ｉｎＰ層１１
にグレーティングを形成する。
なわち、ＩｎＰ基板１上に活性層よりバンド幅の広いＩ
ｎＧａＡｓＰ層７、ＩｎＰ層１１を設け、ｉｎＰ層１１
にグレーティングを形成する。
その上にＩｎＧａＡｓＰ層７、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３
、アンチメルトバック層９．ＩｎＰクラッド層４、Ｉｎ
ＧａＡｓＰキャップ層５を設ける。この構造では、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層７が光ガイド層となり、光ガイド層内にあ
るグレーティングと光の強い結合が得られる。
、アンチメルトバック層９．ＩｎＰクラッド層４、Ｉｎ
ＧａＡｓＰキャップ層５を設ける。この構造では、Ｉｎ
ＧａＡｓＰ層７が光ガイド層となり、光ガイド層内にあ
るグレーティングと光の強い結合が得られる。
以上の例は活性層の下側（基板側）にグレーティングを
形成した場合を示したが、同様の効果は活性層の上側に
グレーティングを形成した第７図および第８図の構造で
も得られる。第７図はグレーティングが活性層の上部に
ある点を除いては第２図の場合と同じである。また第８
図もグレーティングが上部にある点を除いては第５図の
場合と同じである。
形成した場合を示したが、同様の効果は活性層の上側に
グレーティングを形成した第７図および第８図の構造で
も得られる。第７図はグレーティングが活性層の上部に
ある点を除いては第２図の場合と同じである。また第８
図もグレーティングが上部にある点を除いては第５図の
場合と同じである。
以上の構成を実現するためには、ＩｎＰ基板の導伝型は
ｎ型である必要はなく、ｎ型基板を用いでも良い。ｎ型
基板を用いた場合には活性層より下側（基板側）の層は
ｎ型となり、上側の層はｎ型となる。これに対してｎ型
基板を用いた場合には活性層より下側の層はｎ型となり
、上側の層はｎ型となる。
ｎ型である必要はなく、ｎ型基板を用いでも良い。ｎ型
基板を用いた場合には活性層より下側（基板側）の層は
ｎ型となり、上側の層はｎ型となる。これに対してｎ型
基板を用いた場合には活性層より下側の層はｎ型となり
、上側の層はｎ型となる。
以上、Ｉ ｎＰ、ＩｎＧａＡｓＰを用いた例を述へだが
、本発明は他の材料系１例えばＧａＡｓ。
、本発明は他の材料系１例えばＧａＡｓ。
ＡｌｌｌＧａＡｓを用いた半導体レーザにも適用可能で
ある。
ある。
実施例では横モード制御構造としてＢＨ構造を用いたが
、他の構造でも良い。
、他の構造でも良い。
また、これまでの説明では注入型レーザを中心としたが
、本発明はキャリアの励起方法に依存せず、他の励起方
法、例えば光励起、でも同じ効果が得られる。グレーテ
ィングの周期は必らずしも ）゛隼回周期で
ある必要はなく、周期を少しずつずらしたチャープトゲ
レーティングなどに対しても、本発明は効果がある。
、本発明はキャリアの励起方法に依存せず、他の励起方
法、例えば光励起、でも同じ効果が得られる。グレーテ
ィングの周期は必らずしも ）゛隼回周期で
ある必要はなく、周期を少しずつずらしたチャープトゲ
レーティングなどに対しても、本発明は効果がある。
以上説明した様に１本発明は電磁波が導波される領域の
内部に規則的な凹凸を設けることにより、従来の光閉じ
込め領域の表面に規則的な凹凸を設ける方法に較べ、電
磁波と規則的凹凸との結合を大きくできる。そのため、
レーザ発振開始のしきい値を小さくする効果がある６
内部に規則的な凹凸を設けることにより、従来の光閉じ
込め領域の表面に規則的な凹凸を設ける方法に較べ、電
磁波と規則的凹凸との結合を大きくできる。そのため、
レーザ発振開始のしきい値を小さくする効果がある６
第１図は従来構造の半導体レーザの断面図、第２図は本
発明による半導体レーザの断面図、第３図は従来構造に
おける成長方向の屈折率と電界強度の分布を示す図、第
４図は本発明における成長方向の屈折率と電界強度の分
布を示す図、第５図〜第８図は本発明にて半導体レーザ
の例を示す断面図である。 １− ｒ ｎ Ｐ基板、２− Ｉ ｎＧ ａ ＡｓＰ光
ガイド層、３・・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４・・・丁
ｎＰクラッド層、５− ｊｎＧ ａ ＡｓＰキャップ層
、６− Ｉ ｎＧ ａ ＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ層、
７− Ｉ ｎＧ ａ ＡｓＰ層、８−・・ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、９ ・・ＩｎＧａＡｓＰアンチメルトバック
層、１０・・・ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ層、
１ｌ−ＩｎＰ層、１２＝４ｎＧａＡｓＰ■ １ 回 Ｎｚ 図 Ｚ４ 団 罵 ５ 図
発明による半導体レーザの断面図、第３図は従来構造に
おける成長方向の屈折率と電界強度の分布を示す図、第
４図は本発明における成長方向の屈折率と電界強度の分
布を示す図、第５図〜第８図は本発明にて半導体レーザ
の例を示す断面図である。 １− ｒ ｎ Ｐ基板、２− Ｉ ｎＧ ａ ＡｓＰ光
ガイド層、３・・・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、４・・・丁
ｎＰクラッド層、５− ｊｎＧ ａ ＡｓＰキャップ層
、６− Ｉ ｎＧ ａ ＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ層、
７− Ｉ ｎＧ ａ ＡｓＰ層、８−・・ＩｎＧａＡｓ
Ｐ活性層、９ ・・ＩｎＧａＡｓＰアンチメルトバック
層、１０・・・ＩｎＧａＡｓＰまたはＩｎＧａＡｓ層、
１ｌ−ＩｎＰ層、１２＝４ｎＧａＡｓＰ■ １ 回 Ｎｚ 図 Ｚ４ 団 罵 ５ 図
Claims (1)
- 電磁波が導波される第１の領域の一部に、少なくとも第
２の領域と利得の存在する第３の領域を設け、第１の領
域中の第２および第３の領域を除いた領域を第４の領域
とし、第２の領域に接する第４の領域は当該第２の領域
とは異なる屈折率となるように構成し、第１の領域の内
部で第２の領域に接する第４の領域と第２の領域との境
界のうち少なくとも一方の境界に規則的な凹凸を設けた
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233159A JPS61112391A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233159A JPS61112391A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61112391A true JPS61112391A (ja) | 1986-05-30 |
Family
ID=16950642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233159A Pending JPS61112391A (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61112391A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512308A (ja) * | 2001-11-16 | 2005-04-28 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | ナノクリスタル構造体 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59233159A patent/JPS61112391A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005512308A (ja) * | 2001-11-16 | 2005-04-28 | マサチューセッツ・インスティテュート・オブ・テクノロジー | ナノクリスタル構造体 |
| JP4703112B2 (ja) * | 2001-11-16 | 2011-06-15 | マサチューセッツ インスティテュート オブ テクノロジー | ナノクリスタル構造体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2941805B2 (ja) | 固体光導波路、該光導波路を応用したレーザ、および該光導波路とレーザの製造方法 | |
| JPH0738204A (ja) | 半導体光デバイス及びその製造方法 | |
| JPH02205092A (ja) | 半導体ダイオードレーザおよびその製造方法 | |
| JP4690515B2 (ja) | 光変調器、半導体光素子、及びそれらの作製方法 | |
| JPH08213703A (ja) | レーザダイオード、その製造方法、およびかかるレーザダイオードを使った光通信システム | |
| JPS58216486A (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| US6374028B2 (en) | Ridge waveguide-type optical semiconductor device and method of fabricating the same | |
| JPH01319986A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH1197799A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4097950B2 (ja) | 分布帰還型レーザ装置、半導体光装置および分布帰還型レーザ装置の製造方法 | |
| JPS63265485A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61112391A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JP2003140100A (ja) | 導波路型光素子、これを用いた集積化光導波路素子、及びその製造方法 | |
| JP2542570B2 (ja) | 光集積素子の製造方法 | |
| JPH02212804A (ja) | 光半導体素子及びその製造方法 | |
| JPS61220389A (ja) | 集積型半導体レ−ザ | |
| JPS6354234B2 (ja) | ||
| JPH0582888A (ja) | 分布帰還型半導体レーザ | |
| JPS5858783A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS6292385A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2687404B2 (ja) | 分布帰還形半導対レーザ | |
| JPH084178B2 (ja) | 分布ブラツグ反射型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH09260782A (ja) | 選択成長導波型光制御素子およびその製造方法 | |
| JPS60165782A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPH04120786A (ja) | 量子井戸半導体レーザ素子 |