JPS61112157A

JPS61112157A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPS61112157A
Application number: JP59232358A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-11-06
Filing date: 1984-11-06
Publication date: 1986-05-30
Also published as: JPH0236942B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、ｘｍ、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない、画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｈａレーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜８２０ｎ−の発光波長を有す
る）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く。

社会的には無公害である点で例えば特開昭５４−ｆ１８
３４１号公報や特開昭５８−８３７４８号公報に開示さ
れているシリコン原子を含む非晶質材料（以後ｒａ−Ｓ
ｉ」と略記する）から成る光受容部材が注目されてしす
る。

竺乍ら、光受容層を単層構成のａ−５ｉ層とすると、そ
の高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求される
１０Ｉ２Ωａｍ以上の暗抵抗を確保するには、水素原子
やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを特
定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させる
必要性がある為に、Ｎ形成のコントロールを厳密に行う
必要がある等。

光受容部材の設計に於ける許容度に可成りの制限がある
。

この設計上の許容度を拡大出来る。詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては１例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層４Ｒ成として、光受
容層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５
２１７８号、同５２１７９号、同５２１１１０号、同５
８１５９号、同５８１８０号、同５８１８１号の各公報
に記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及
び光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造とした
りして、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案さ
れている。

この様な提案によって、　ａ　−９ｉ系先光受容材はそ
の商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記載を行う場合、各層の層厚に班がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中＋１ＪＩＪＩＪの画像を形成する場合
には１画像の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光　１ｏと上部界面１０２で反射した反射光Ｒ２
，下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長を入入として、ある暦の層厚がなだらかに一以上の層ｎ原藻で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ，が２ｎｄｔｍ
入（ｍは整数、反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−
）入（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光景に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように。

それぞれの干渉による相乗的悪影響が生じる。その為に
該干渉縞模様に対応した干渉縞が転写部材上に転写、定
着された可視画像に現われ、不良画像の原因となってい
た。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００　Ａ〜±　１００（１０人
の凹凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開ｖ
ＩＪ５Ｂ−１８２１１７５号公報）゛アルミニウム支持
体表面を黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中に
カーボン、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を
設ける方法（例えば特開昭５？−１８５８４５号公報）
、アルミニウム支持体表面を梨地状のアルブイト処理し
たり、サンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けた
りして、支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（
例えば特開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されて
いる。

（丘乍ら、これ等従来の方法では、画像とに現われる干
渉縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は喜持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設置すられただけである為、確かに光散乱効果によ
る干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱とし
ては依然として正反射光成分が残存している為に、該正
反射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持
体表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生
じ、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では、完全吸収
は無理であって、支持体表面での反射光は残存する。又
、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−５ｉ層を形成
する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成される光受
容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層がａ−９ｉ
層形成の際のプラズマによってダメージを受けて、本来
の吸収機能を低減させると共に１表面状態の悪化による
その後のａ−３ｉ層の形成に悪影響を与えること等の不
都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光１．は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ１となり、残りは、
光受容１ｉ）　３０２の内部に進入して透過光１＋　と
なる、透過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、そ
の一部は、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・
・となり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その
一部が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、突って１反
射光Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為
、依然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散して／＼リレーション生ずる為解像
度が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ７，第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容Ｍ　５０２が堆積するため、支持体５０
１の凹凸の傾斜面と光受容９５０２の凹凸の傾斜面とが
平行になる。

したがって、その部分では入射光は２！ＩｄＩ＝ｍ入ま
たは２ｎｄ＋　＝　（ｍ＋３’ｆ）入が成立ち、夫々明
部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容層
の層厚ｄ＋　、ｄ２＋ｄ３　、ｄａの夫々の差の入中の最大が一以上である様な層厚の不均一性がｎあるため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容暦表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優れた光受容部
材を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明の光受容部材は、所定の切断位置での断面形状が
主ピークに副ピークが重畳された凸状形状である凸部が
多数表面に形成されている支持体と、シリコン原子とゲ
ルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成された第１の
層と、シリコン原子を含む非晶質材料で構成され光導電
性を示す第２の層と、シリコン原子と炭素原子を含む非
晶質材料からなる表面層とが支持体側より順に設けられ
た多層構成の光受容層とを有しており、前記第１の層及
び前記第２の層の少なくとも一方に伝導性を支配する物
質が含有され、かつ前記第１の層中に於けるゲルマニウ
ム原子の分布状態が層厚方向に不均一でありと共に、前
記光受容層は、醸素原子、炭素原子、窒素原子の中から
選択される少なくとも一種を含有する事を複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸形状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受客層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２暦８０２の層厚がｄｓか
らｄｓと連続的に変化している為に、界面８０３と界面
８０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）ｔに入射した可干渉性光は該
微小部分ｌに於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、＠７図に示す様に第１層７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２Ｍ７０２の自由表面７０４とが鼻平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光１ｏに対する
反射光Ｒ，と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（第７図のｒ　
（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２Ｆ３８０２の層厚が
マクロ的にも不均一（ａｔ≠ｄａ　）であっても同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６
図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２１１まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発
明の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光■。に
対して、反射光Ｒｌ＋　Ｒ２＊　Ｒ３Ｒ４＋Ｒ５が存在
する。その九番々の暦で第７図を似って前記に説明した
ことが生ずる。

貨って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為１本発明によれば、光受容層を構成する
暦の数が増大するにつれ、より御所干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為１画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には何等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方　　　　
　　　　′向へ確実に揃える為に、鏡面仕上げとされる
のが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさ！（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的にａ成する為には微小部分
ｔに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｒ、　）は、照射光の
波長を入とすると、入（ｎ二第２Ｆ：６０２）屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｔの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する暦は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の暦、第２の暦各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に、層
厚を光学的レベルで正確に制御！きることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し１例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は１円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は、
二重、三重の多！ｌ！螺旋構造、又は交叉螺旋構造とさ
れても差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は１本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は１本発明の効果を高めるために規則的ま
たは１周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は１本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副ピークを複数布す
ることが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
−いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自
由度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは。

例えば円筒の対称軸を有する支持体であって、その対称
軸を中心とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持
体においては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例
えば、板状等の平面を有する支持体におていは、支持体
上に形成されている複数の凸部の最低２つを横断する面
を言うものとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で１本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−５ｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−３ｉ暦の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると１画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニシグを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００μ〜０
．３．　、より好ましくは２００−〜ｌ−９最適には５
０−〜５鱗であるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１−〜５−９
より好ましくは０．３ｕ〜３−９最適には０．６μ〜２
鱗とされるのが望ましい、支持体表面の凹部のピッチと
最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は線上突起
部）の傾斜面の傾きは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１．〜２μｓ、より好ましくは０．１−〜１．５ｇ、
最適には０．２−〜１−とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の暦とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示すＷＳ２の層と、シリコン原子と炭素原
子とを含む非晶質材料からなる表面層とが支持体側より
順に設けられた多層構成となっており、前記第１の層中
に於けるゲルマニウム原子の分布状態が層厚方向に不均
一となっているため、極めて優れた電気的、光学的、光
導電的特性、電気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
１画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して鰻返し得ることができる。

更に、本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

本発明の光受容部材において、第２の層上に設けられる
シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表
面層には、機械的耐久性に対する保護層としての働き、
および、光学的には、反射防止層としての働きを主に荷
わせることが出来る。

上記表面層は、次の条件を満たす時、反射防止層として
の機能を果すのに適している。

即ち１表面層の屈折率ｎ、暦層厚ｄ、入射光の波長を入
とすると。

入ｄ＝− ｎの時、又は、その奇数倍のとき１表面層は１反射防止層
として適している。

又、第２の層の屈折率をｎ亀とした場合１表面層の屈折
率ｎが。

ｎ＝几礁す時、表面層は、反射病１に−Ｍとして最適である。

ａ−９ｉ：Ｉ（を第２の屑として用いる場合、ａ−Ｓｉ
：Ｈの屈折率は、約３．３であるので１表面層としては
、屈折率１．８２の材料が適している。

ａ−ＳｉＣ：Ｈは、Ｃの量を調整することにより、この
ような値の屈折率とすることが出来、かつ、４１械的耐
久性、層間の密着性、及び電気的特性も十分に満足させ
ることが出来るので１表面層の材料としては最適なもの
である。

また表面層を１反射防止層としての役割に重点を置く場
合には１表面層の層厚としては、０．０５〜２μｓとさ
れるのがより望ましい。

以下１図面に従って　本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は１本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１Ｏ図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容ｙａｔｏｏｏを有
し、該光受容層ｔｏｏｏは自由表面１００５を一方の端
面に有している。

光受容ｅ　ｔｏｏｏは支持体１００１側よりゲルマニウ
ム原子と、必要に応じて水素原子又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）とを含有するａ−５ｉ（以後ｒａ−９ｉＧｅ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊ　と略記する）で構成された第１の層Ｃ
Ｇ）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子（Ｘ）とを含有するａ−３ｉ（以後ｒａ−９
ｉ　（Ｈ、Ｘ）Ｊ　と略記する）で構成され、光導電性
を有するｆｊＳ２の層（Ｓ）　＋００３と、シリコン原
子と炭素原子とを含む非晶質材料からなる表面層１００
Ｂとが順に積層された層構造を有する。

第１０図に示される光受容部材１００４においては。

第２の層１００３上に形成される表面層１００Ｂは、自
由表面を有し、主に耐湿性、連続繰返し使用特性。

電気的耐圧性１機械的耐久性、光受容特性において１本
発明の目的を達成する為ら設けられる。

本発明に於ける表面層１００６は、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、ｒ　ａ−（Ｓｉ、、　ｃ、　−１１）ｙ　（Ｈ，Ｘ）
　Ｉ−ｙ　Ｊと記す、但し、０＜ｚ、ｙ＜１）で構成さ
れる。

ａ−（ＳｉｗＣ＋　−ｗ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｖで
構成される表面層１００６の形成はグロー放電法のよう
なプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、アロ１．’ｉｔ光Ｃ
Ｖ［ｌ法１．ｇＣＶＯ法。

スパッタリング法、エレクトロンビーム法等によって成
される。これ等の製造法は、製造条件。

設備資本投下の負荷程度、製造規模１作製される光導電
部材に所望される特性等の要因によって適宜選択されて
採用されるが、所望する特性を有する光導電部材を製造
するための作製条件の制御が比較的容易である、シリコ
ン原子と共に炭素原子及びハロゲン原子を、作製する表
面層ｔｏｏｓ中に導入するのが容易に行える等の利点か
ら、グロー放電法或いはスパッタリング法が好適に採用
される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１００８形成し
てもよい。

グロー放電法によって表面５１００Ｂを形成するには、
ａ−（Ｓｉｗ　Ｃ，−１１）ｖ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙ形
成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の混
合比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入し
、導入されたガスをグロー放電を生起させることにより
ガスプラズマ化して、前記支持体に既に形成されである
第１から第２の層上にａ−Ｃ５１ｗ　Ｃ１−＋＋　）ｙ
　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｖを堆積サセレば良い。

本発明に於いて、　ａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　＋ｌｌｌ　）
ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｒ−ｙ形成用の原料ガスとしては、シ
リコン原子（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（）Ｉ
）及びハロゲン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその
構ｄｔｉ子として含有するガス状の物質又はガス化し得
る物質をガス化したものの中の大概のものが使用され得
る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合には１例えば、Ｓｌを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとを、これも又、所望の混合
比で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガ
スと、　Ｓｉ、　Ｃおよび）の３つを構成原子とする原
料ガス又はＳｉ、　ＣおよびＸの３つを構成原子とする
原料ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原料ガスに、
Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良い
し、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成原
子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて、表面層１００Ｂ中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ、α。

Ｂｒ、　Ｉであり、殊にＦ、αが望ましいものである。

本発明に於いて、表面層１００８を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００Ｂ形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
５ｉ）１４．　Ｓｉ２Ｈ６、５ｉ３）１６　、９ｉＪ＋
。等のシラン（Ｓｉｌａ＋ｕ１）類等の水素化硅素ガス
、ＣとＨとを構成原子とする１例えば炭素原子！！［１
〜　４の飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化
水素、炭素ａ２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン
単体、ハロゲン化水素、ハロゲン間化合物。

ハロゲン化硅素、ハロゲンご換水素化硅素、水素化硅素
等を挙げることができる。Ａ体的には。

飽和炭化水素としては、メタン（Ｃ）＋４）、エタン（
Ｃ２Ｈ６）、　　プロパン（ＣＪｅ　）　、　ｎ−ブタ
ン（ｎ−ＣＪ　１０　）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）　
、　ｘチレン系炭化水素としては、エチレン（Ｃ４）＋
４）、プロピレン（ＣｊＨ＆）、ブテン−１（ＣＪｅ　
）　、ブテン−２（ＧＪｅ）、インブチレン（Ｃａ）Ｉ
ｓ　）　、ペンテン（Ｃ５Ｈ＋ｏ）、アセチレン系炭化
水素としては、アセチレン（０２Ｈ２）、メチルアセチ
レン（０３Ｈａ）　−ブチン（Ｃａｌ’ｌｓ　）　、ハ
ロゲン単体としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の／
Ｘロゲンガス、ｌ＼ロゲン化水素としては、ＦＨ，）Ｉ
ｆ　　Ｈｏ、　ＨＢｒ　、ノ＼ロゲン間化合物としては
、ＢｒＦ　、αＦ、αＦ３．αＦ５．ＢｒＦ５、ＢｒＦ
３．　ＩＦ７　、　　ＩＦ５．　　Ｉａ、ＩＢｒ　、　
ハロゲン化硅素としては５ｉＦａ、　Ｓｉ２Ｆ６．　Ｓ
：α３Ｂｒ　、　５ｉ（１，Ｂｒ７、ＳｉＣＩＢｒ３　
、５ｉｃｔ、ｌ　５ｉＢｒａ　、　ハロゲンＩｔ検水素
化硅素としては、ＳｉＨ２Ｆ２、ＳｉＨ２α７，５ｉ）
Ｉａ、、ＳｉＨ３α、５ｉＨ３８ｒ、　５ｉＨ２Ｂｒ２
　、５ｉＨＢｒ３水素化硅素としては、５ｊＨ４，Ｓｉ
２Ｈｇ　、　５ｉ３Ｈ６、ＳｉＪ　Ｈｏ等のシラン（Ｓ
ｉｌａｎｅ）類１等々を挙げることができる。

これ等の他に、　ＣＦ、、　Ｃａａ　、　ＣＢｒ、１．
　ＣＨＦ３゜ＣＨ２Ｆ２　、　ＣＨ３Ｆ、　ＣＨ３Ｃｊ
ｌ　、　ＣＨ３Ｂｒ　、　ＣＨ３１，Ｃ２）１．ＣＩ等
のハロゲン置換パラフィン系炭化水素、　ＳＦ、　。

ＳＦ６等のフッ素化硫黄化合物；　５ｉ（Ｃ：Ｈ３）ａ
、Ｓｉ　（Ｃ２）Ｉｓ　）４等ノケイ化フル＊Ａｔや５
ｉ（ｊ（ＣＨｓ）３゜ＳｉαｚｃｃＨｓ’）ｔ　、　Ｓ
ｉα３Ｃ）１３等のハロゲン含有ケイ化フルキル等のシ
ラン誘導体も有効なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００１１形成物質は、形成される表面
層ｔｏｏｅ中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原
子及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子が含有され
る様に１表面層１０Ｇ＋１の形成の際に所望に従って選
択されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の暦が形成され得る５
ｉ（Ｃ）１Ｂ）＊と、ハロゲン原子を含有させるものと
しての５ｉＨＣ１３、ＳｉＨ２α２．５ｉ１１．　。

或いは、ＳｉＨ３α等を所定の混合比にしてガス状態で
表面層１００Ｂ形成用の装置内に導入してグロー放電を
生起させることによってａ−（Ｓｌｙ　Ｃｔ　−ｗ　）
ｙ　（α十〇）＋−７から成る表面層１００Ｂを形成す
ることができる。

スパッタリング法によって表面ＦＩ１００ｆ１を形成す
るには、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェ
ーハーあるいはＳｉとＣが混合されて含有されているウ
ェーハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハ
ロゲン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種
々のガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行
えばよい。

例えば、ＳＩウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。Ｃ，Ｈ及びＸの導入用の原料
ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で示
した表面！　１００Ｂ形成用の物質がスパッタリング法
の場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて１表面Ｒｔｏｏｅをグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所′ｒｊ４＋１希ガス、例えばＨｅ、　Ｈｅ。

＾ｒ等が好適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００８は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶から７モル７アスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を各々示すので本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｉ
ｘ　ＣＩ　＋ｌｌ　）＋１　（）１．　ｘ）１−ｙが形
成される様に、所望に従ってその作成条件の選択が厳密
に成される０例えば、表面ｇ　ｔｏｏｅを電気的耐圧性
の向上を主な目的として設ける場合には、　ａ−（Ｓｉ
ＸＣ，−１１）ｙ　（ＨｌＸ）　＋−ｙは使用環境に於
いて電気絶縁性的挙動の顕著な非晶質材料として作成さ
れる。

又、１１続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主た
る目的として表面層１００８が設けられる場合には上記
の電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光
に対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−
（Ｓｉｘ　ｃ、　−Ｉｆ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙが
作成される。第２の層１００３の表面上にａ−（Ｓｔ、
Ｃ１帽）ｖ　（ＨｌＸ）　ｒ−ｙから成る表面層１００
Ｂを形成する際、層形成中の支持体温度は、形成される
屑の構造及び特性を左右する重要な因子の一つであって
、本発明においては、目的とする特性を有するａ−（Ｓ
Ｌ＋Ｃ＋−＊）ｙ（）１．　Ｘ）Ｉ−Ｆ　カ所ＭＡすＬ
ｌ￥ｒｌＬすＪｔ得る様に暦作成時の支持体温度が厳密
に制御されるのが望ましい。

本発明に於ける、所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００８の形成法に併せて適宜最適範囲が選択
されて１表面層１００Ｂの形成が実行されるが、好まし
くは２０〜４００℃より好適には５０〜３５０℃、最適
には　１００〜３００℃とされるのが望ましいものであ
る０表面層１００Ｂの形成には１層を構成する原子の組
成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易である
察等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採用
が宥利であるが、これ等の層形成法で表面層１００８を
形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の
際の放電パワー力作成さレルａ−（ＳｉｘＣＩ−＋１）
ｙ（Ｈ，Ｘ）＋−ｙ　ノ特性を左右する重要な因子の一
つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　−Ｘ　）ｙ　（ＨｌＸ）　
ｌ−ｖが生産性良く効果的に作成されるための放電パワ
ー条件としては、好ましくは１０〜＋ｏｏｏｗ、より好
適には２０〜７５０Ｗ　、最適には５０〜８５０Ｗとさ
れるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．Ｏ１〜１τ
Ｏｒｒ、好適には、　　０．１＃　０．５Ｔａｒｒ程度
とされるのが望ましい。

本発明に於いては表面Ｎｔｏｏｓを作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の暦作成ファクターは
、独立的に別々に決められるもノテなく、所望特性（Ｆ
）　ａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　−ｗ　）ｙ　（ＨｌＸ）　ｒ
−ｖから成る表面層１００Ｂが形成されるように相互的
有機的関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が
決められるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面層１００Ｂに含有され
る炭素原子の筆は１表面層１００１１の作成条件と“同
様１本発明の目的を達成する所望の特性が得られる表面
層１００Ｂが形成される重要な因子の一つである。

本発明に於ける表面層１００８に含有される炭素原子の
量は、表面層１００６を構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、°前記一般弐ａ−（ＳＬ、　ｃ、　−１１）ｙ　
（Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ｙで示される非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後。

ｒ　ａ−９ｉａＣｌ−ａ　Ｊ　と記す、但し、Ｏ＜　ａ
＜　　ｔ）　、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで
構成される非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓｉｂ　ＣＩ
−ｂ　）ｅ　Ｈ＋　−ｅ　Ｊと記す、但し、０　＜　ｂ
、　ｃ　＜　１）　、シリコン原子と炭素原子とハロゲ
ン原子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質材
料（以後、ｒａ−（ＳＩａＣ＋−ａ）＊（Ｈ，Ｘ）ｌ−
＠　Ｊと記す、但し、０＜ｄ、ｅ＜１）ニ分類される。

本発明に於いて、表面層１００Ｂがａ−９ｉ、Ｉ：　、
−、テ構成される場合１表面Ｊｉｊ　ｌ０ＱＩＩに含有
される炭素原子の量は、好ましくは、Ｉ　Ｘ　１Ｇ’　
〜９０ａｔｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０ａｔｏｍ
ｉｃ％、最適には１０〜７５ａｔｏ腸ｉｃ％とされるの
が望ましいものである。即ち、先のａ−９ｉ亀Ｃト亀の
龜の表示で行えば、ａが好ましくは０．１〜０．９９１
１９９．より好適には０．２〜０．９Ｂ、最適には０．
２５〜０．９である。

一方、本発明に於いて１表面層１００Ｂがａ−Ｃ５ｉｂ
Ｃ１−ｂ　）ｅ　Ｈ＋−６で構成される場合、表面Ｊｉ
ｊ　１ＧＧＢに含有される炭素原子の量は、好ましくは
ｌＸｌ０−３〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好まし
くは　１〜ＩＩＯａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜１１
０ａｔａｍｉｃ％とされるのが望ましいものである。水
素原子の含有量としては、好ましくは１〜４０ａｔａｍ
ｉｃ％、より好ましくは２〜３５ａｔａ腸ｉｃ％、最適
には５〜３０ａｔｏ腸ｉｃ％とされるのが望ましく、こ
れ等の範囲に水素含有量がある場合に形成される光受容
部材は、実際面に於いて優れたものとして充分適用させ
得る。

即ち、先のａ−（Ｓｉｂ　ＣＩ　−ｂ　）ｅ　）Ｉｔ−
ｃの表示で行えば、ｂが好ましくはｏ、ｔ　−ｏ、ｓｓ
ｓθ８、より好適には０、Ｌ　〜０．９Ｂ、最適には０
．１５〜０．１３、Ｃが好ましくは０．８〜ｏ、ｓｅ、
より好適には０．８５〜０．９８、最適には０．７〜０
．８５であるのが望ましい。

表面層１００Ｂが、　ａ−（ＳＬ　ＣＩ　−、）ｓ　（
Ｈ，Ｘ）　Ｉ−ａ　テ構成される場合には１表面層ｔｏ
ｏｅ中に含有される炭素原子の含有量としては、好まし
くは、　　ｔｘｔｏ−３〜１１０ａｔｏｓ＋ｃ％、より
好適には１〜９０ａｔｏｍｉｃ％、最適には１０〜８０
ａｔｏｓｉｃ％とされるのが望ましいものである。ハロ
ゲン原子の含有量としては、好ましくは、　１〜２０ａ
ｔｏ腸ｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲にハ
ロゲン原子含有量がある場合に作成される光受容部材を
実際面に充分適用させ得るものである。必要に応じて含
有される水素原子の含有量としては、好ましくは１９ａ
ｔｏｍｉｃ％以下、より好適には１３ａｔｏｓｉｃ％以
下とされるのが望ましいものである。

即ち、先のａ−（ＳｉｉＣ＋−１）ｅ（Ｈ，Ｘ）！−＠
　ノｄ、　ｅの表示で行えば、ｄが好ましくは、　　０
．１〜０．１１１１９１１９より好適には０．１〜Ｏ，
ＳＳ、最適には０．１５〜０．８゜８が好ましくは０．
８〜０．８９．より好適には０．８２〜０．９３、Ｉ＆
適には０．８５〜０．８８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００６の層厚の数値範囲は１本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期の目的に応
じて適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００Ｂの層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の暦に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や浸度性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層ｔｏｏｓの層厚としては、好まし
くは０．００３〜３０−１より好適には０．００４〜２
０μｓ、最適にはｏ、ｏｏｓ〜１０鱗とされるのが望ま
しいものである。

本発明の光受容部材１００４に於いては、少なくとも第
１の暦（Ｇ）　１００２又は／及び第２の暦（Ｓ）１０
０３に伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有されており
、該物質（Ｃ）が含有される暦に所望の伝導特性が与え
られている。

本発明に於いては、第１のＦ＃（Ｇ）　１００２又は／
及び第２の暦（Ｓ）＋００３に含有される伝導特性を支
配する物質（Ｃ）は、物ｊｔ　（Ｃ）が含有される層の
全層領域に万遍なく均一に含有されても良く、物質（Ｃ
）が含有される層の一部の層領域に偏在する様に含有さ
れても良い。

本発明に於いて伝導特性を支配する物質（Ｃ）を第１の
暦（Ｇ）の一部の層領域に偏在する様に第１の暦（Ｇ）
中に含有させる場合には、前記物質ＣＣ）の含有される
層領域（ＰＮ）は、第１の層（Ｇ）の端部層領域として
設けられるのが望ましい、殊に、第１のＦ）　（Ｇ）の
支持体側の端部層領域として前記層領域（ＰＭ）が設け
られる場合には、該層領域（ＰＮ）中に含有される前記
物質（Ｃ）の種類及びその含有量を所望に応じて適宜選
択することによって支持体から第２の暦（Ｓ）中への特
定の極性の電荷の注入を効果的に阻止することが出来る
。

本発明の光受容部材に経いては、伝導特性を制御するこ
との出来る物質（Ｃ）を、光受容層の一部を構成する第
１の層（Ｇ）中に、前記したように該層（Ｇ）の全域に
万遍なく、或いは層厚方向に偏在する様に含有させるの
が好ましいものであるが、更には、第１の暦（Ｇ）に加
えて第１の層（Ｇ）上に設けられる第２の屑（Ｓ）中に
も前記物質（Ｃ）を含有させても良い。

又、別の好適な実施態様例に於いては前記物質（Ｃ）は
、第１の暦（Ｇ）には含有させずに、第２の！　（Ｓ）
のみ含有される。

この場合、前記物ｊｔ　（Ｃ）は、第２のＷ　（Ｓ）の
全層領域に万遍なく含有させても良いし、或いは、第２
の層（Ｓ）の一部の層領域のみに含有させて偏在させて
も良い、偏在させる場合には、第２の層（Ｓ）の第１の
層（Ｇ）側の端部層領域に含有させるのが好ましく、こ
の場合には、前記物質（Ｃ）の種類及びその含有量を適
宜選択することで支持体側から第２の暦（Ｓ）への特定
の極性の電荷の注入を結果的に阻止することが出来る。

第２の層（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）を含有させる場合に
は、第１の層（Ｇ）中に含有される前記物質（Ｃ）の種
類やその含有量及びその含有の仕方は、その都度所望に
応じて適宜法められる。

本発明に於いては、第２の暦（Ｓ）中に前記物質（Ｃ）
を含有させる場合、好ましくは、少なくとも第１の暦（
Ｇ）との接触界面を含む層領域中に前記物質（Ｃ）を含
有させるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）と第２の暦（Ｓ）の両方に伝導特性を支
配する物質（Ｃ）を含有させる場合、第１のＦ！　（Ｇ
）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されている層領域と、
第２の暦（Ｓ）に於ける前記物質（Ｃ）が含有されてい
る層領域とが、１ｉいに接触する様に設けるのが望まし
い。

又、第１の暦（Ｇ）と第２の暦Ｃ５）　　とに含有され
る前記物質（Ｃ）は、第１の１ｆ！Ｉ（Ｇ）と第２の暦
（Ｓ）とに於いて同種類でも異種類であっても良く、又
、その含有量は各層に於いて、同じでも異っていても良
い。

百年ら、本発明に於いては、各層に含有される前記物質
（Ｃ）が両者に於いて同種類である場合には、第１の暦
（Ｇ）中の含有量を充分多くするか、又は、電気的特性
の異なる種類の物質（Ｃ）を所望の各層に、夫々含有さ
せるのが好ましい。

本発明に於いては、少なくとも光受容層を構成する第１
の層（Ｇ）又は／及び第２の層（Ｓ）の中に、伝導特性
を支配する物質（Ｃ）を含有させることにより、該物質
（Ｃ）の含有される層領域〔第１の暦（Ｇ）又は第２の
層（Ｓ）の一部又は全部の層領域のいずれでも良い〕の
伝導特性を所望に従って任意に制御することが出来るも
のであるが、この様な物質（Ｃ）としては、所謂、半導
体分野で云われる不純物を挙げることが出来１本発明に
於いては、形成される光受容層を構成するａ−５ｉ（Ｈ
，Ｘ）又は／及びａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）に対して
、ｐ！！伝導特性を与えるｐ型不純物及びｎ５１伝導特
性を与えるｎ型不純物を挙げることが出来る。

具体的には、ｐ型不純物としては周期律表第■族に属す
る原子（第■族原子）、例えば、Ｂ（硼素）、ＡＡ（ア
ルミニウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（インジウム）
、Ｔｌ（タリウム）等があり、殊に好適に用いられるの
は、Ｂ、Ｇａである。

ｎ型不純物としては、周期律表第Ｖ族に属する原子（第
Ｖ族原子）１例えば、Ｐ（燐）、Ａｓ（砒素）、５ｂ（
７ンチモン）、Ｂｉ（ビスマス）等であり、殊に、好適
に用いられるのは。

Ｐ、Ａｓである。

本発明に於いて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於けるその含有量は、該層領域
（ＰＮ）に要求される伝導性、或いは、該層領域（ＰＮ
）が支持体に直に接触して設けられる場合には、その支
持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連
性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＰＮ）に直に接触して設けられる他の
層領域や、該他の層領域との接触界面の於ける特性との
関係も考慮されて、伝導特性を制御する物質（Ｃ）の含
有量が適宜選択される。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）中に含有される伝導特
性を制御する物質（Ｃ）の含有量としては、好ましくは
０．０１〜５　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｓ　
、より好適には０．５〜ｌ　Ｘ　ｔｏ’　　ａｔｏｍｉ
ｃ　ｐＨ−、最適には、　　１〜５　Ｘ　１０３１０３
ａｔｏ　ｐｐｍとされるのが望ましい。

本発明に於いて、伝導特性を支配する物質（Ｃ）が含有
される層領域（ＰＮ）に於ける該物Ｗ　（Ｃ）の含有量
を、好ましくは３０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より
好適には５０　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適には１
００　ａｔｏｓ＋ｃ　ｐｐ■以上とすることによって１
例えば該含有させる物ｊｔ　（Ｃ）が前記のｐ型不純物
の場合には、光受容層の自由表面がΦ極性に帯電処理を
受けた際に支持体側からの光受容層中への電子の注入を
効果的に阻止することが出来、又。

前記含有させる物質（Ｃ）が前記のｎ型不純物の場合に
は、光受容層の自由表面がｅ極性に帯電処理を受けた際
に支持体側から光受容層中への正孔の注入を効果的に阻
止することが出来る。

上記の様な場合には、前述した様に、前記層領域（ＰＮ
）を陳いた部分の層領域（Ｚ）には、層領域（ＰＮ）に
含有される伝導特性を支配する物質の伝導型の極性とは
別の伝導型の極性の伝導特性を支配する物質（Ｃ）を含
有させても良いし、或いは、同極性の伝導型を有する伝
導特性を支配する物質を層領域（ＰＮ）に含有させる実
際の篭よりも一段と少ない景にして含有させても良いも
のである。

この様な場合、前記層領域（Ｚ）中に含有される前記伝
導特性を支配する物質の含有量としては、層領域（ＰＮ
）に含有される前記物質（Ｃ）の極性や含有量に応じて
所望に従って適宜決定されるもにであるが、好ましくは
、　０．００１〜１００１０００ａｔｏ　ｐｐ層、より
好適には０．０５〜５００　ａｔｏｍｉｃｐｐｍ　、最
適にはＱ、ｌ　〜２００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍとされ
るのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＰＮ）及び層領域第１のｅ　
（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム原子は、
該第１の層（Ｇ）　１００２の層厚方向には連続的であ
って且つ前記支持体１００１の設けられである側とは反
対の側（光受容Ｆ！）　１００１の表面１００５側）の
方に対して前記支持体１００１側の方に多く分布した状
態となる様に前記第１のＦＪ　（Ｇ）　１００２中に含
有される。

本発明の光受容部材においては、第１の層（Ｇ）中に含
有されるゲルマニウム原子の分布状態は、層厚方向にお
いては、前記の様な分布状態を取り、支持体の表面と平
行な面内方向には均一な分布状態とされるのが望ましい
。

本発明に於いては、第１の層（Ｇ）上に設けられる第２
の暦（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容部を形成することによって
、可視光領域を含む、比較的短波長から比較的長波長上
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材とし得るものである。

又、第１の！！　ＣＧ）中に於けるゲルマニウム原子の
分布状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布
し、ゲルマニウム原子の層厚方向の分布濃度Ｃが支持体
側より第２の層（Ｓ）に向って減少する変化が与えられ
ているので、第１の暦（Ｇ）と第２の層（Ｓ）との間に
於ける親和性に優れ、且つ後述する様に、支持体側端部
に於いてゲルマニウム原子の分布濃度ｃｔ極端に大きく
することにより、半導体レーザ等を使用した場合の、第
２のＭ　（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を
第１の暦（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収すること
が出来、支持体面からの反射による干渉を防止すること
が出来る。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の層（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分成されている。

第１１図乃至第１８図には、本発明における光受容部材
の第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマニウム原子の層
厚方向の分布状態の典型的例が示される。尚、各図に於
いて１層厚及び濃度の表示はそのままの値で示すと各々
の図の違いが明確でなくなる為、極端な形で図示してお
り、これらの図は模式的なものと理解されたい、実際の
分布としては１本発明の目的が達成される可く、所望さ
れる分布濃度線が得られるように、ｔｉ（１≦ｉ≦８）
又はＣｉ（１≦ｉ≦１７）の値を選ぶか、或いは分布カ
ーブ全体に適当な係数を掛けたものをとるべきである。

第１１図乃至第１８図において、横軸はゲルマニウム原
子の分布濃度Ｃを、縦軸は、第１の層（Ｇ）の層厚を示
し、　Ｌｅは支持体側の第１のＷ　（Ｇ）の端面の位置
を、ｔＴは支持体側とは反対側の層（Ｇ）の端面の位置
を示す、即ち、ゲルマニウム原子の含有される第１の層
（Ｇ）はＬｅ側よりｔ、側に向って層形成がなされる。

第１１図には、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマニ
ウム原子の層厚方向の分布状態の第１の典型例が示され
る。

第１１図に示される例では、ゲルマニウム原子の含有さ
れる第１ｆ）ｊｌ（Ｇ）が形成される表面と該第１の暦
ＣＧ’）の表面とが接する界面位置Ｌｓよりｔｌの位置
までは、ゲルマニウム原子の分布濃度ＣがＣＩなる一定
の値を取り乍らゲルマニウム原子が形成される第１の暦
（Ｇ）に含有され１位置ｔ、よりは濃度４より界面位置
１．に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位
置１丁においてはゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは実質
的に零とされる（ここで実質的に零とは検出限界量未満
の場合である）。

第１２図に示される例においては、含有されるゲルマニ
ウム原子の分布濃度Ｃは位１１ｔｓより位１１ｔｙに至
るまで濃度らから徐々に連続的に減少して位１ｔＬｙに
おいて濃度Ｃ，ｌとなる様な分布状態を形成している。

第１３図の場合には、位１ｌｌｓより位置ｔ２までは、
ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ
、位ａｈと位１！ｔｖとの間において１．徐々に連続的
に減少され、位置ｔτにおいて１分布濃度Ｃは実質的に
零とされている。

第１４図の場合には、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは
位置ｔＢより位！１ｔｔに至るまで、濃度Ｃ６より初め
連続的に徐々に減少され、位ａｔｔ３よりは急速に連続
的に減少されて１位２１ｔｙにおいて実質的に零とされ
ている。

第１５図に示す例に於ては、ゲルマニウム原子の分布濃
度Ｃは１位置ｔｓと位置１４間においては、濃度Ｃ７と
一定値であり、位１ｔｙに於ては分布濃度Ｃは零とされ
る０位ＩＬ４と位１ｔｔとの間では、分布濃度Ｃは一次
関数的に位！ｌ【４より位置を丁に至るまで減少されて
いる。

１４１６図に示される例においては１分布濃度Ｃは位！
ｌ　ｔＩ！より位置ｔ５までは濃度Ｃ８の一定値を取り
５位置上５より位置１．までは濃度Ｃ９より濃度ＣＩ・
まで一次間数的に減少する分布状態とされている。

第１７図に示す例においては、位Ｍ　ＬＢより位！！ｔ
ｔｖに至るまで、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃
度Ｃ１ｌより実質的に零に至る様に一次関数的に連続し
て減少し零に至っている。

第１８図においては１位ｆｉＬｓより位ＷＩＬ＆に至る
まではゲルマニウム原子の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩ２よ
り濃度ＣｔＳまで一次関数的に減少され１位置上もと位
！ｔ　ｔｖとの間においては、濃度０１３の一定値とさ
れた例が示されている。

第１８図に示される例においては、ゲルマニウム原子の
分布濃度Ｃは１位！Ｉｔｓにおいて濃度ＣＩ４であり１
位Ｚｔｔ７に至るまではこの濃度ＣＩ４より初めはゆっ
くりと減少され、ｔ７の位置付近においては、急激に減
少されて位置Ｌ７では濃度ＣＩ５とされる。

位１１Ｌｔと位置ｔ８との間においては、初め急激に減
少されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置１
．で濃度ＣＩ＆となり１位Ｉｔｔｓ＋と位ｗｔ９との間
では、徐々に減少されて位置ｔ９において、＊度Ｃｔｔ
に至る０位置上９と位１にとの間においては。

濃度０１７より実質的に零になる様に図に示す如き形状
の曲線に従って減少されている。

以と、第１１図乃至第１９図により、第１の層（Ｇ）中
に含有されるゲルマニウム原子の層厚方向の分布状態の
典型例の幾つかを説明した様に、本発明においては、支
持体側において、ゲルマニウム原子の分布濃度Ｃの高い
部分を有し、界面ｔＴ側においては、前記分布濃度Ｃは
支持体側に比べて可成り低くされた部分を有するゲルマ
ニウム原子の分布状態が＠ｌの暦（Ｇ）に設けられてい
るのが望ましい。

本発明における光受容部材を構成する第１の層（Ｇ）は
好ましくは上記した様に支持体側の方にゲルマニウム原
子が比咬的高濃度で含有されている局在領域（Ａ）を有
するのが望ましい。

本発明においては局在領域（Ａ）は第１１図乃至第１８
図に示す記号を用いて説明すれば、界面位置Ｌ８より５
勝以内に設けられるのが望ましい。

本発明に於ては、上記局在領域（Ａ）は、界面位置ｔＢ
より５鉢厚までの全Ｍ９ｎ域（Ｌ）とされる場合もある
し、又１層領域（Ｌ）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ａ）を層領域（Ｌ）の一部とするか又は全部
とするかは、形成される光受容層に安水される特性に従
って適宜状められる。

局在領域（Ａ）はその中に含有されるゲルマニウム原子
の層厚方向の分布状態としてゲルマニウム原子の分布濃
度の最大値Ｃｏａｘがシリコン原子に対して、好ましく
は１０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、より好適には
５０００　ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍ以上、最適にはｌＸ１
０’　　ａｔｏ層ｉｃ　ＰＰ層以上とされる様な分布状
態となり得る様に層形成されるのが望ましい。

即ち１本発明においては、ゲルマニウム原子の含有され
る第１のＭ　（Ｇ）は、支持体側からの層厚で５終以内
（ｔｓから５ル厚の層領域）に分布濃度の最大値Ｃ■ａ
ｘが存在する様に形成されるのが好ましいものである。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２の
層（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲ
ン原子（Ｘ）の量または水素原子とハロゲン原子の量の
和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１〜４０　ａｔｏｍｉｃ％
、より好適には５〜３０ａｔｏｍｉｃ％、最適には５−
２５　ａｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明において、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては１本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜Ｌ５Ｘ　ＩＱｓａｔｏｍｉｃ　ｐＨ１１、より
好ましくは１００〜８ＸＩＯ５ｌｊａｍｉｃ　ＰＦ６と
されるのが望ましい。

本発明に於いて第１のＭ　（Ｇ）と第２の暦（Ｓ）との
層厚は１本発明の目的を効果的に達成させる為の重要な
因子の１つであるので形成される光受容部材に所望の特
性が充分与えられる様に、光受容部材の設計の際に充分
なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、Ｉ！１の暦（Ｇ）の層厚Ｔ１は。

好ましくは３０Ａ〜５０ＪＬ、より好ましくは、４０Ａ
〜４０ＩＬ、最適には、５０Ａ〜３０終とされるのが望
ましい。

又、第２の暦（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜８
０ル、より好ましくは１〜８０ＩＬ最適には２〜５０＃
Ｌとされるのが望ましい。

第１の暦（Ｇ）の層厚■−と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁１＋Ｔ）としては、両層領域に要求される特性と
光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関連
性に基いて、光受容部材の暦設計の際に所望に従って、
適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（丁１＋Ｔ）の
数値範囲としては、好ましくは１〜１００体、より好適
には１〜８０糾、最適には２〜５０１Ｌとされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚■１及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴＩ　／　Ｔ≦
１なる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚ｒ＝及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、ＴＩ　／　Ｔ≦０．８．最適
にはＴＩ　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚丁１及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の暦（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量がｌ　Ｘ　１０’　　ａｔｏｍｉｃ
ｐｐｍ以上の場合には、第１の層（Ｇ）の層厚■１とし
ては、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０
終以下、より好ましくは２５終以下、最適には２０終以
下とされるのが望ましい。

本発明において、先受′容暦を構成する第１の暦（Ｇ）
及び第２の暦Ｃ５）中に必要に応じて含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭
素、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なもの
として挙げることが出来る。

本発明においテ、　　ａ　−３ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構
成される第１のＭＩ（Ｇ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によって、ａ　−５ｉＧｅ　
（Ｈ、Ｘ）で構成されるｇＳｌの層（Ｇ）を形成するに
は、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳ
ｉ供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給
し得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（
Ｈ）導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導
入用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望
のガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生
起させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表
面上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の
変化率曲線に突って制御し乍らａ　−８ｉｄｅ　（Ｈ、
Ｘ）から成る暦を形成させれば良い、又、スパッタリン
グ法で形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性
ガス又はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気
中でＳｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたタ
ーゲットの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合され
たターゲットを使用してスパッタリングする際。

必要に応じて水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（
Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導入し
てやれば良い。

本発明において使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成り
得る物質としては、ＳｉＨ４、５ｉ２Ｈａ　。

５ｉ３Ｈ６、５ｊａＨＩｏ等のガス状態の又ガス化し、
得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるものと
して挙げられ、殊に１層作成作業時の取扱い易さ、ＳＩ
供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｓ　。

が好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、　Ｇｅ
Ｈ４、Ｇｅ２Ｈ６、Ｇａ３ＨＢ　、　Ｇｅ５Ｈ１２、Ｇ
ｅ５Ｈ１２。

Ｇｅ６Ｈ１４＋　ＧａｔＨＩｂ　＋　Ｇ＊＠Ｈ１８、Ｇ
ａ９Ｈ２（１等のガス状Ｓの又はガス化し得る水素化ゲ
ルマニウムが有効に使用されるものとして挙げられ、殊
に１作成作業時の取扱い易さ、Ｇｅ供給効率の良さ等の
点で。

ＧｅＨ４，Ｇｅ２ＨＧ　、　Ｇａ３Ｈ［１が好ましいも
のとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
１例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン鋳導体等のガス状態の
又はガス化し得るハロゲン化合物が好ましく挙げられる
。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る。ハロゲン原子を含
む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明において
は拳げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素のハロゲンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３　、　Ｂ
ｒＦ５　。

９ｒＦ３．１Ｆ３　＊　ＩＦ　？　＋　Ｉα、　ＩＢｒ
等（７）　ハｔｆｆゲン間化合物を挙げることが出来る
。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、ハロゲン原子で
置換されたシラン舖導体としては、具体的には例えば５
ｉＦａ　、　５ｉｚＦｂ　、　Ｓｉα４　、　ＳｉＢｒ
４等のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が
出来る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｉを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−５ｒＧｅか
ら成る第１の暦（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の暦（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グミー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
、所望の支持体上に第１のＲ（Ｇ）を形成し得るもので
あるが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様
に計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を
含む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良
い。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンブレーティング法
に依ってａ　−５ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１のＦ
！’　（Ｇ）を形成するには２例えばスパッタリング法
の場合にはＳｉから成るターゲットとＧｅから成るター
ゲットの二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲット
を使用して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパ
ッタリングし、イオンブレーティング法の場合には１例
えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲル
マニウム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として
蒸着ボートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いは
エレクトロンビーム法（ＥＢ法）等によって加熱蒸発さ
せ飛翔蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させ
る車で行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｈ２、或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＨＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、　ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ
２１２。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨ（：ｆｆ１ｌ　、　５ｉＨ２Ｂ
ｒ２　、５ｉＨＢｒ３等ノハロゲン置換水素化硅素、及
びＧｅＨＦ３　、　ＧａＯ２Ｆ２　、　ＧａＯ３Ｆ　。

Ｇｅ）ｌα３　、　ＧｅＨ２α２　、　ＧｅＨ３α、　
ＧａＨＢｒ３　。

ＧａＯ２Ｂｒ２　、　ＧａＯ３Ｂｒ、　ＧｅＨＩ３　、
　ＧｅＯ２１２、ＧｅＯ２０等の水素化ハロゲン化ゲル
マニウム等の水素原子を構成要素の１つとするハロゲン
化物、ＧｅＦ４゜Ｇｓαａ　、　ＧｅＢｒ４　、　Ｇａ
１ａ、　ＧｅＦ２．　Ｇｓα２　、　ＧｅＢｒ２　。

Ｇｅ１２等のハロゲン化ゲルマつウム、等々のガス状態
の或いはガス化し得る物質も有効な第１の層（Ｇ）形成
用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物゛は、
第１の居（Ｇ）形成の際に層中にハロゲン原子の導入と
同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な水
素原子も導入されるので１本発明においては好適なハロ
ゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の暦（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＨ２，或いはＳｉ＆　、　５ｉ２Ｈｂ　。

５ｉ３Ｈ６、５ｉａＨＩｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為ノゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、　Ｇａ１ａ、　Ｇｅ２Ｈａ　、　Ｇ＠３Ｈ＠　、　
ＧａａＨｌｏ　、　Ｇｅ５Ｈｔｔ　１ＧｅｂＨｔａ　＊
　（ｊａｔＨＩｂ　＋　ＧａｅＪ４　ｌ＠＋　Ｇｅ９Ｈ
２０等の水素化ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリ
コン又はシリコン化合物とを堆積室中に共存させて放電
を生起させる事でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
最又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１＃４０
　ａｔｏｔ＋ｃ％、より好適には０．０５＃　３０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％と
されるのが望ましし１゜第１のＦ＃　ｌ）中に含有され
る水素原子（）Ｉ）又は／及びハロゲン原子ＯＣ）の量
を制御するには、例えば支持体温度又は／及び水素原子
（Ｈ）、或いはハロゲン原子（Ｘ）を含有させる為に使
用される出発物質の堆積装置系内へ導入する量、放電々
力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　−５ｒ　（Ｈ，Ｘ）で構成される
第２の暦（Ｓ）を形成するには、前記した第１のＭ　Ｃ
Ｇ’）形成用の出発物質ＣＩ）の中より。

Ｇｅ供給用の原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質
〔第２０暦（Ｓ）形成用の出発物質（■）〕を使用して
、第１の層（Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件
に従って行うことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−Ｓｉ　（Ｈ、’　Ｘ）で
構成される第２の暦（Ｓ）を形成するには例えばグロー
放電法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティン
グ法等の放電現象を利用する真空堆積法によって成され
る０例えば、グロー放電法によってａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ）
で構成される第２の層（Ｓ）を形成するには、基本的に
は前記したシリ　゛コン原子（Ｓｔ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）
導入用の又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガ
スを、内部が減圧にし得る堆積室内に導入して。

該堆積室内にグロー放電を生起させ、予め所定位置に設
置されである所定の支持体表面上にａ　−５ｉ（Ｈ，Ｘ
）からなる暦を形成させれば良い、又。

スパッタリング法で形成する場合には１例えばＡｒ、Ｈ
ｅ等の不活性ガス又はこれ等のガスをベースとした混合
ガスの雰囲気中でＳｉで構成されたターゲットをスパッ
タリングする際、水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原
子（Ｘ）導入用のガスをスパッタリング用の堆積室に導
入しておけば良い。

光受容層を構成する層中に、　伝導特性を制御する物質
（Ｃ）、例えば、第ｍ族原子或いは第Ｖ族原子を構造的
に導入して前記物質（Ｃ）の含有された層領域（ＰＮ）
を形成するには、　ｌ！！ｌ＊＊の際に、第ｍ族原子導
入用の出発物質或いは第Ｖ族原子導入用の出発物質をガ
ス状態で堆積室中に光受容層を形成する為の他の出発物
質と共に導入してやれば良い、この様な第■族原子導入
用の出発物質と成り得るものとしては、常温常圧でガス
状の又は、少なくとも層形成条件下で容易にガス化し得
るものが採用されるのが望ましい、その様な第■族原子
導入用の出発物質として具体的には硼素原子導入用とし
ては、　　Ｂ２）１　Ｇ　、ＢＡＨ１０１ＢｓＨ９Ｂ’
＋ＨＩＩ・ＢＡＨ＋ｏ　、Ｂ２Ｏ１２・Ｂ、Ｈ電４等の
水素化硼素・ＢＦ３ＢＣｊ　３　、　ＢＢｒ２等のハロ
ゲン化硼素等が挙げられる。この他、Ｍα３　、　　Ｇ
ａＣｌ３　、　Ｇａ（ＣＨｓ）ａ　＋ＩｎＣｊ３．〒ｃ
Ｂ等も挙げることが出来る。

ｔｊＳＶ族原子導入用の出発物質として、本発明におい
た有効に使用されるのは、燐原子導入用としては、ＰＭ
、　、　　Ｐ、Ｈ，等の水素化燐、ＰＨ，Ｉ　、　ＰＦ
、　。

ＰＦ５　、　ＰＣＢ　３　、　ＰＣｊ　５　、　ＰＢｒ
３．　ＰＢｒｒ、、　ＰＩ３等のハロゲン化燐が挙げら
れる。この他、ＡｓＨ３、ＡｓＦ３　。

＾ｓＣｌ　　３　　、　　　ＡｓＢｒ５　＊　　ＡｓＦ
５　、　　ＳｂＨ３、ＳｂＦ３　、　　ＳｂＦ５゜５ｂ
Ｃ１３、ＳＭ；ｊ５　、　ＳｉＨ３，５ｉＣｊ３　、　
　Ｂ１Ｂｒ３等も第Ｖ族原子導入用の出発物質の有効な
ものとして挙げることが出来る。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容暦との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、＃素原子、炭素原子
、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子が
層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有される
。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＭ）は、
光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、光
受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在させ
ても良い。

原子（ＯＣＮ）の分布状態は分布濃度Ｃ（ＯＣＮ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容暦に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（０
１１１：Ｎ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較
的少なくされ、後者の場合には、支持体との密着性の強
化を確実に図る為に比較的多くされるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（ＯＣＮ
）に含有される原子’（００％）の含有量は、層領域（
ＯＣＮ）自体に要求される特性、或いは該層領域（ＯＣ
Ｎ）が支持体との接触して設けられる場合には、該支持
体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的関連性
に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（０ＯＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜選択される。

層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（０（：Ｎ）の量
には、形成される光受容部材に要求される特性に応じて
所望に従って適宜法められるが、好ましくは０．００１
＃　５０ａｔｏｍｉｃ％、より好ましくは、　０．００
２−４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、Ｆ！＆領域、（ＯＣＮ）が光受容層の
全域を占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくと
も、層領域（ＯＦｌ：Ｎ）の層厚Ｔａの光受容層の層厚
Ｔに占める割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）
に含有される原子（ＱＣ）１）の含有量の上限は、前記
の値より充分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ｏｃＮ）の層厚τＧが光受
容暦の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以ととなる
様な場合には、層領域（０（ｄｉ）中に含有される原子
（ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３（ｌａｔａｍ
ｉｃ％以下、より好ましくは２Ｑａｔｏｍｉｃ％以下、
最適には１０ａｔａａｉｃ％以下とされるのが望ましい
。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の層には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を図ることが出
来る。

更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原子との共存
下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保が一層出来
るので、光受容層に所望量含有されることが望ましい。

又、これ等の原子（０ＯＮ）は、光受容層中に複数種含
有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸素
原子を含有させたり、或いは、同一層領域中に例えば酸
素原子と窒素原子とを共存させる形で含有させても良い
。

第２０図乃至第２８図には、本発明における光受容部材
の層領域（ｏｃｎ）中に含有される原子（０（：Ｎ）の
層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示され
る。

第２０図乃至第２８図において、横軸は原子（ＯＣＮ）
の分′ｌｒｉ濃度Ｃを、縦軸はＪ！ＪｇＡ城（ＯＣＮ）
の層厚を示し゛、Ｌａは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の
端面の位置を、叶は支持体側とは反対側の暦領ｆｉ　（
ＯＧＮ）の端面の位置を示す、即ち、原子（０（：Ｎ）
の含有される層領域（０（Ａ）はＬａ側より１．側に向
って！！影形成なされる。

第２０図には、Ｎ！層領域ＯＣＮ）中に含有される原子
（０ＯＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１
の典型例が示される。

第２０図に示される例では、原子（ＯＣＮ）の含有され
る層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（００
％）の表面とが接する界面位ｍｔ日よりｔｌの位置まで
は、！［子（ＯＣＮ）の分布濃度ＣがＣＩなる一定の値
を取り乍ら原子（００８）が形成される層領域（ＯＣＸ
）に含有され１位１ｔ＋よりは濃度４より界面位１を丁
に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置り
、においては原子（０（：Ｎ）の分布濃度Ｃは濃度らと
される。

第２１図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置ｔ＠より１．に至るまで濃度
Ｃ１から徐々に連続的に減少して位ｊｌＬｔにおいて濃
度ちとなる様な分布状態を形成している。

第２２図の場合には１位置ｔＢより位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分２’１５濃度Ｃは濃度Ｃ６と一定値とさ
れ。

位１１　Ｌ２と位ｉｔ　ｔｙとの間において、徐々に連
続的に減少され１位置ｔｒにおいて、分布濃度Ｃは実質
的に零とされている（ここで実質的に零とは検出限界量
未満の場合である）。

第２３図の場合には、原子（０ＯＮ）の分布濃度Ｃは位
置１Ｂより位Ｍ　ｔｖに至菖まで、濃度Ｃ８より連続的
に徐々に減少され１位置を丁において、実質的に零とさ
れている。

第２４図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位！！　ｔｏと位ＫＬ３間においては濃度Ｃ９と
一定値であり１位ｍ１ｔｔにおいては濃度Ｃ８゜とされ
る０位置ｔ３と位置ｔ□との間では１分布濃度Ｃは一次
関数的に位ＩＬ３より位Ｊａｂに至るまで減少している
。

第２５図に示される例においては１分布濃度Ｃは位ｆｉ
ｔ　Ｌａより位１ｔｔａまでは濃度Ｃ口の一定値を取り
、位Ｈｔａより位Ｉｔ□までは濃度ＣＩ２より濃度ｃｐ
３までは一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２６図に示す例においては１位１ｉｆｆＬｅより位；
！１５に至るまで、原子（０にＮ）の分布濃度Ｃは濃度
Ｃ１４より実質的に零に至る様に一次関数的に減少して
いる。

第２７図においては１位１１　Ｌ８より位置Ｌ５に至る
までは原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣＩＳより
ｃｐｓまでの一次関数的に減少され０位置ｔ５と位置り
、との間においては、濃度ＣＩ＆の一定値とされた例が
示されている。

第２８図に示される例においては、ｇ子（０ＯＮ）の分
１ｒＩＩｌｌ１度Ｃは、位置１．においては濃度ＣＩ？
であり、位置し６に至るまではこの濃度ＣＩ？より初め
は緩やかに減少され、ｔもの位置付近においては、急激
に減少されて位Ｉｔ６では濃度ＣＩ８とされる。

位ＩＬ＆と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置ｔ７
で濃度ｃｐｓとなり１位置ｔ７と位１ｕｔｅとの間では
、極めてゆっくりと徐々に減少されてｔ８において、濃
度（ｚｏに至る１位ｌ１ｌｓと位１１Ｌｒの間において
は濃度Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形
状の曲線に従って減少されている。

以上、第２０図乃至第２８図により、層領域（ＯＣＮ）
中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が
不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に１本発明
においては、支持体側において、原子（００％）の分布
濃度Ｃの高い部分を有し、界面ＬＴ側においては、前記
分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部分を
有する原子（０にＮ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ）に
設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（（Ｉｃ１１）は、
上記した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高
濃度で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとし
て設けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光
受容層との間の密着性をより一暦向上させることが出来
る。

上記局在領域ＣＢ）は、第２０図乃至＠２１１図に示す
記号を用いて説明すれば、界面位置１．より５外以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（８）は、界面位ｆ１
１ｔａより５終厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合も
あるし、又、層領域（Ｌｔ　）の一部とされる場合もあ
る。

局在領域（Ｂ）を層領域（ＬＴ）の一部とするか又は全
部とするかは、形成される光受容層に要求される特性に
従って適宜法められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣＮ）の
層厚方向の分布状態として原子（０ＯＮ）分布濃度Ｃの
最大値Ｃｍａｘが、好ましくは５００ａＬａｍｉｃ　ｐ
ｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ厘ｉｃ　ＰＰ■以
丘、最適には１０ＧＤａｔａｍ＋ｃ　ｐｐ■以上とされ
る様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望まし
い。

即ち１本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＱＣに）は、支持体側からの層厚で５ル以内（
Ｌｍから５ト厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値Ｃ層ａ
ｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＲ）が光受容層の一部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（ＯＣＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に、原子（ＱＣ）ｌ）の層厚方向の分布状態を
形成するのが望ましい。

この様にすることで、光受容層に入射される光が暦接触
界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をより
効果的に防止することが出来る。

又、　ＰＪＳ域（００％）中での原子（ＯＣＮ）の分布
濃度Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連
続して緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から、例えば第２０図乃至第２３図、第２８図及
び第２８図に示される分布状態となる様に、原子（ＯＣ
Ｎ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望まし訃１
゜本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＱＣ：Ｎ）を設けるには、光受容層の形成の
際に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容
層形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中に
その量を制御し乍ら含有してやればよい。

Ｎｆｆ１域（ＯＣＲ）を形成するのにグロー放電法を用
いる場合には、前記した光受容層形成用の出発物質の中
から所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入
用の出発物質としては、少なくとも原子（ＱＣＭ）を構
成原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス
化したものの中の大概のものが使用される。

具体的には１例えば酸素（０２）、オゾン（０１）−酸
化窒素（Ｎｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−二酸化窒素
（ｌｈＯ）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四三酸化窒素
（Ｎ２Ｏｍ）、三二酸化窒素（？ｈＱｓ）、三酸化窒素
（ＮＯ３）、シリコン原子（Ｓｉ）と酸素原子（０）と
水素原子（Ｈ）とを構成原子とする１例えばジシロキサ
ン（Ｈ３ＳｉＯ！３ｉＨ３）　、　　トリシクロキサン
（Ｈ３ＳｉＯ５ｉＨ２０Ｓｉ）＋３　）等の低級シクロ
キサン、メタン（ＣＨ４）　、エタン（Ｃ２Ｈ＆）、プ
ロパン（Ｃｚ　Ｈ吉）、ｎ−ブタｙ　（ｎ−Ｃｍ　Ｈｒ
ｏ　）　、ペンタン（ＣｓＨ＋ｚ）等の炭素数１〜５の
飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレン（自
Ｈも）、ブテン−１（Ｃｍ　Ｈ＠）、ブテン−２（Ｃａ
）Ｉ＠）、イソブチレン（Ｃ日Ｈ＠）、ペンテン（Ｃｓ
Ｈ＋ｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水素、アセ
チレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（（ｎＨ１）、
ブチ７（ＣａＨｓ）等の炭素ａ２−４（７）７セチレン
系炭化水素、窒素（Ｎ２）、アンモニア（Ｎ）＋３＞、
ヒドラジン（Ｈ２ＭＷ）Ｉ２）　、アジ化水素（ＨＮ３
）　、　７ジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎｉ）　、三弗化
窒素（Ｆ３Ｎ）、四弗化窒素（Ｆａｇ）等々を挙げるこ
とが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（０１１：Ｎ）導入
用の出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前
記のガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質とし
て、５１０２．　Ｓｉ３　Ｈｍ、カーボンブラック等を
挙げることが出来る。これ等は、８１等のターゲットと
共にスパッタリング用のターゲットとしての形で使用さ
れる。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＸ
）の含有される層領域（ＯＣＸ）を設ける場合、該層領
域（ＯＣＮ）に含有される原子（００％）の分布濃度Ｃ
を層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布状態（ｄ
ｅｐｔｈｐｒａｆ　ｉ　Ｉｓ）を有する層領域（ＯＣＸ
）を形成するには、グロー放電の場合には、“分布濃度
Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質の
ガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って適宜
変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成され
る。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のニードルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく１例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（Ｏｌｌ：Ｎ）をスパッタリング法によって形成
する場合、原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層
厚方向で変化させて、原子（０（：Ｎ）の層厚方向の所
望の分布状ａ　（ｄｓｐｔｈｐｒａｆｉｌｅ）を形成す
るには。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とによって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを１例えばＳｉとＳ＋０２との混合されたターゲ
ットを使用するのであれば、　Ｓｉｉ！−５ｉ０２との
混合比をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させ
ておくことによって成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、４１！性支持体としては１
例えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｏｒ、　Ｎｏ、　
ｋＩｌ、！ｌｂ、　Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐ
ｄ等の金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面に旧Ｃｒ。

Ａ１．　Ｃｒ、　Ｎｏ、＾ｕ、Ｉｔ、　Ｎｂ、τａ、Ｖ
、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ。

［ｎ２０３　、Ｓ＋０２、ＩＴＯ（［ｎ２０３　＋５ｎ
０２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が社
与され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィ
ルムであれば、旧（：ｒ、　Ａ１．　Ａｇ、　Ｐｂ、　
Ｚ！１．Ｎｉ、＾ｕ、　Ｇｙ。

Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｗｂ、丁ａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空１Ｓ着、電子ビーム蒸着、スパッタ
リング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面を
ラミネート処理して、キの表面に導電性が付与される。

支持体の形状としては１円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが１例えば、第１０図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。百年ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上。

機能的強度の点から、好ましくは１０ル以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説明する。

第３３図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００Ｂのガスボンベには１本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度９９
．９９９％、以下、　５ｉＨａと略す）ボンベ、２００
３はＧｅ）１．ガス（純度９９．９９１１％、以下Ｇｅ
Ｈ，と略す）ボンベ、２０Ｇ４はＮＯガス（純度ｓａ、
ｓｓｓ％、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００５はＨ２で
稀釈されたＢ、　Ｈ，ガス（純度ｓａ、ｓｓｓ％、以下
８２８６　／　８２と略す）ボンベ。

２００ＢはＨ２ガス（純度ｓｓ、ｓａａ％）ボンベであ
る。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００Ｂのバルブ２０２２〜２０２Ｂ、
　　リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認
し、又、流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２
０１７〜２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開
かれていることを確認して、先ずメインバルブ２０３４
を開いて反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する
０次に真空計２０３８の読みが約５　Ｘ　１Ｇ’　ｔｏ
ｒｒになった時点で補助バルブ２０３２．２０３３．流
出バルブ２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２より５ｉＨ
ａガス、ガスボンベ２００３よりＧｅＨ４ガス、ガスボ
ンベ２００４よりＮＯガス、ガスボンベ２００５よりＢ
、Ｈら／　Ｈ２ガス、２００ＢよりＨ２ガスをバルブ２
０２２．２０２３．２０２４、２０２５．２０２Ｂを開
いて出口圧ゲージ２０２７゜２０２８．２０２９．２０
３０．２０３１の圧をｌ　Ｋｇ／ｃｒｎ’に調整し、流
入バルブ２０１２．２０１３．２０１４．２０１５．２
０１６を徐々に開けて、マスフロコントローラ２００７
゜２００８．２００３．２０１０．２０１１内に夫々流
入させる。引き続いて流出バルブ２０１７．２０１８．
２０１９．２０２０．２０２１、補助バルブ２０３２．
２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２００１に
流入させる。このときのＳｉ−ガス流量ＧｅＨ４ガス流
量、ＮＯガス流着の比が所望の値になるように流出バル
ブ２０１７．２０１８．２０１３．２０２０．２０２１
を調整し、また１反応室２００１内の圧力が所望の値に
なるように真空計２０３６の読みを見ながらメインバル
ブ２０３４の開口を調整する。そして、基体２０３７の
温度が加熱ヒーター２０３８により５０〜４００℃の範
囲の温度に設定されていることを確認した後、電源２０
４Ｇを所望の電力に設定して反応室２００１内にグロー
放電を生起させ、同時にあらかじめ設計された変化率曲
線に徒って、　Ｇｅ）Ｌ、ガスの流量を手動あるいは外
部駆動モータ等の方法によってバルブ２０１８の開口を
暫時変化させる操作を行って形成される層中に含有され
るゲルマニウム原子の分ｌｒ１濃度を制御する。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１のＦａｔ　（Ｇ）を形成す
る。所望層厚に第１の！　ＣＧ）が形成された段階に於
て、流出バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に
応じて放電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従
って所望時間グロー放電を維持することで第１の層（Ｇ
）上にゲルマニウム原子の実質的に含有されない第２の
Ｗ　（Ｓ）を形成することが出来る。

なお、第１の！　ＣＧ）及び第２の層（Ｓ）の各層には
、流出バルブ２０１９あるいは２０２０を適宜開閉する
ことで酸素原子あるいは硼素原子を含有させたり、含有
させなかったり、あるいは各層の一部の層領域にだけ酸
素原子あるいは硼素原子を含有させることも出来る。ま
た、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子
を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガス
を例えばＮＨ３ガスあるいはＣＨ４ガス等に代えて、層
形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を増や
す場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層形成
を行なえばよい、層形成を行っている間は層形成の均一
化を計るため基体２０３７はモーター２０３Ｂにより一
定速度で回転させてやるのがψましい。

最後に、上記第２のＦａｔ（Ｓ）を形成後１例えば２０
０Ｂの水素（Ｈ２）ガスボンベをメタン（ＣＨ４）ガス
ボンベに取り換え、マスフローコントローラー２００７
と２０１１を所定の流量に設定する以外は、同様な条件
と手順に従って所望時間グロー放電を維持することで、
第２のＭ　（Ｓ）上にシリコン原子と炭素原子から主に
形成される表面層を形成することができる。

上記シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面層
をスパッタリングで形成する場合には。

例えば２００Ｂの水素（Ｈ７）ガスボンベをアルゴン（
＾ｒ）ガスボンベに取り換え、堆積装置を清掃し。

カソード電極上に例えばＳｉからなるスパッタリング用
ターゲットとグラファイトからなるスパッタリング用タ
ーゲットを、所望の面積比になるように一面に張る。そ
の後、装置内に第２の層（Ｓ）まで形成したものを設置
し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グロー放電を生
起させ表面層材料をスパッタリングして、所望層厚に表
面層を形成する。

〔実施例〕

以下実施例について説明する。

実施例ＩＭ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍ５、径（ｒ　）
　１１０ｍｍ）を、旋盤で１Ｒ２１１図ＣＢ）に示す様
な表面性に加工した。

次に、第１表に示す条件で、第３３図の膜堆ａ装置を使
用し、所定の操作手順に従ってａ−Ｓｉ系電子写真用光
受容部材を作製した。

なお、第１層ノａ−ＳｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　ＯＲは
。

Ｇｅ１．および５ｉＨｎの流量を第３０図のようになる
ようマスフロコントローラー２００７．２００８及び２
０１Ｏをコンピューター（ＨＰ９８４５８）により制御
した。

また、シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面
層の堆積は、次の様にして行なわれた。

すなわち、第２暦の堆積後、ＣＨ４ガス流量が賓Ｈ４ガ
ス流量に対して流量比が第１表に示すように５ｉＨｎ　
／ＣＨＵ４＝　１／３０となる様に各ガスに対応するマ
スフロコントローラーを設定し、高周波電力を３００Ｗ
としてグロー放電を生じさせることにより、表面層を形
成した。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第２
９図（Ｃ）の様であった。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０μ）で画＊ｘｉを行ない、それを現像、
転写して画像を得た。得られた画像には、干渉縞模様は
観測されず、実用に十分なものであった。

実施例２第１表に示す条件で、第１層のＪＬ−９ｉＧｅ：Ｈ：Ｂ
　：　ＯＲを形成する際、　ＧｅＨｓおよび５ｉ）ｔａ
ミノ流量第３１図のようになるように、ＧｅＨａおよび
ＳｉＨ，のマスフロコントローラー２００８及Ｃ１２０
０７ヲコンピューター（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御し
た以外は実施例１と同様に第３８図の膜堆積装置で種々
の操作手順に従ってａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を
作製した。

このようにして作製した光受容部材の表面状態は、第２
Ｓ図（Ｃ）のようだった。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７Ｂ０ｎｍ、スポー２
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

画像には干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例３実施例１に於て使用したＮＯガスを？ｌ）＋３ガスに変
えた以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■。

スポット径８０μ）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様は１８１′Ｄされず、実用に十分な
ものであった。

実施例４実施例１に於て使用したＮＯガスを（：）Ｌ、ガスに変
えた以外は実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−５
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、ｗＳ３４図に示
す画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■。

スポット径８０μ）で画像Ｓ１″ｆ、を行ない、それを
現像、転写して画像を得た。

画像には干渉縞模様はｉ！測されず、実用に十分なもの
であった。

実施例５第２表に示す条件で、行う以外は、実施例１と同様にし
て、第３Ｓ図の膜堆積装置で種々の操作手順に従っての
ａ−５ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層ノａ−９ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｎ層を
形成する際、　ＧｅＨ４およびＳｉ）Ｉｍの流量を！４
３２図のようになるように、ＧｅＨ４および５ｉ）１４
のマスフロコントローラー２００８および２００７をコ
ンピュータ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置ｔ（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポッ
ト径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写し
て画像を得た。

実施例６第２表に示す条件で１行う以外は、実施例１と同様にし
て、＠３１１図の膜堆積装置で種々の操作手順に従って
のａ−９ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層（Ｆ）　ａ−５ｉＧ＊：　Ｈ：　Ｂ　：　
Ｎ層は、ＧｅＨａおよびＳｉＨ４の流量を第３３図のよ
うになるように、ＧｅＨ４おヨ（／ＳｉＨ４のマスフロ
コントローラー２００８および２００７をコンピュータ
（ＨｐＨ８４５Ｂ）より制御した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装＋！！（レーザー光の波長７８０ｎｍ、スポ
ット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

実施例７実施例５に於て使用したＮＨ３ガスをＮｏガスに変えた
以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−３ｉ系
電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８ｈ■、スポット径
８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写して画
像を得た。

実施例８実施例５に於て使用したＮＨ３ガスをＣＨ４ガスに変え
た以外は実施例５と同様の条件と手順に従ってａ−５ｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置１（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

実施例９第３表に示す条件で１行う以外は、実施例１と同様にし
て、第３９図の膜堆積装置で種々の操作手順に従って電
子写真用光受容部材を作製した。

なお、第ｔｇのａ−５ｉｄｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　０層は
、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４の流量を第３０図のようにな
るように、ＧｅＨ４およびＳｉＨ４のマスフロコントロ
ーラー２００８および２００７をコンピュータ（ＩＰ９
８４５Ｂ）により制御した。

また、　　ＯＨ，ｌガスのＧｅＨ４ガスとＳｉＨ４ガス
との和に対する流量比を１５３５図に示す変化率曲線に
従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装ｆｆ１（レーザー光の波長７８０ｍｍ。

スポット径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、
転写して画像を得た。

実施例１０実施例９に於て使用したＣＩ（４ガスをＮｏガスに変え
た以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓｉ
系電子写真用光受容部材を作製した。

実施例１１実施例９に於て使用したＣ）Ｉ４ガスをＮＨ３ガスに変
えた以外は実施例９と同様の条件と手順に従ってａ−Ｓ
ｉ系電子写真用光受容部材を作製した。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ（スポット径
ＳＯＵ　）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。

画像にも干渉縞模様は観測されず、実用に十分なもので
あった。

実施例１２第４表に示す条件で１行う以外は実施例１と同様にして
第３９図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子写真
用光受容部材を作製した。

なお、第１層のａ−３ｉＧｅ：　Ｈ：　Ｂ　：　０）ｊ
ｊは、ＧｅＨ４および５ｉ）１．の流量を第３２図のよ
うになるようｉｃ、Ｇ５Ｈ４およｔｌｓＮ（＊のマスフ
ロコントローラー２００８および２００７をコンピュー
タ（ＨＰ９８４５Ｂ）により制御した。

また、ＮＯガスのＧｅＨ４ガスとＳｉｎ、ガスとの和に
対する流量比を第３Ｂ図に示す変化率曲線に従って変化
させた。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装Ｍ（レーザー光の波長？８０ｎｍ、スポ７）
径８０鱗）で画像露光を行ない、それを現像、転写して
画像を得た。

実施例１３Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（１）　
８０ｍ５）を、旋盤で第４０図に示す様な表面性に加工
した。

次に第５表に示す条件１１行う以外は実施例１と同様に
して第３９図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子
写真用光受容部材を作製した。

なお、第１７９ｆ）　ａ−ＳｉＧｓ：　Ｈ：　Ｂ　：　
Ｎ層は。

ＧｅＨ４および５ｉｌ（４の流量を第３３図のようにな
るように、　ＧｅＨ４および５ｉｎ４のマスフロコント
ローラー２００８および２００７をコンピュータ（ＩＰ
９８４５Ｂ）により制御した。

また、　８Ｂ、ガスのＧｅＨａガスとＳｉ＆ガスとの和
に対する流量比を第３７図に示す変化率曲線に従って変
化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装ｆｆ１（レーザー光の波長７８Ｇ＋＋ｍ。

実施例１４Ｍ支持体（長さく　Ｌ　）　　３５７ｍｍ、径（ｒ　）
　８０ｍｍ）を、旋盤で第４１図に示す様な表面性に加
工した。

次に第６表に示す条件で１行う以外は実施例１と同様に
して第３８図の堆積装置で種々の操作手順に従って電子
写真用光受容部材を作製した。

なお、第１層のａ−５ｉＧ＠：　Ｈ：　Ｂ　：　Ｃ暦は
。

Ｇｅ）１４およびＳｉＨ４の流量を第３１図のようくな
るように、ＧｅＨ４および５ｉ）１．のマスフロコント
ローラー２００８および２００７をコンピュータ（ＨＰ
９８４５Ｂ）により制御した。

また、Ｃ）＋４ガス（１）ＧｅＨ４ガスと５ｉ）１４ガ
スとの和に対する流量比を第３８図に示す変化率曲線に
従って変化させた。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置ｌ（レーザー光の波長７８０＋＋ｓ、スポ
ット径８０−）で画像露光を行ない、それを現像、転写
して画像を得た。

画像には干渉縞模様はｉｌ！測されず、実用に十分なも
のであった。

実施例１５実施例１から実施例１４までについて、Ｈ７で３０００
ｖａｌ　ＰＰＩＩに稀釈したＢ１０．ガスの代りにＨ２
で３０００ｖｏｌ　ＰＰ鳳に稀釈したＰＨ３ガスを使用
して、電子写真用光受容部材を作製した。

なお、他の作製条件は実施例１から実施例１４までと同
様にした。

以上の電子写真用光受容部材について、第３４図に示す
画像露光装置！（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

いずれの画像にも干渉縞模様は観察されず、実用に十分
なものであった。

実施例１Ｂ実施例１の支持体を用い、表面層形成時のＳｉＨ４ガス
と（Ｈ，ガスの流量比を第７表に変化させて。

表面層におけるシリコン原子と炭素原子の含有比を変え
る以外は、実施例１と同様の条件と手順に従ってａ−ｊ
ｌｌｉ系電子写真用光受容部材を作成した（試料（２７
０１〜２７０８）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光波′１１（レーザー光の波長７８０ｎｍ。

スポット径８０−）で画像露光し１作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後、画像評価を行った
ところ第７表の如き結果を得た。

実施例１７実施例１の支持体を用い１表面層形成時の原料ガスをＳ
ｉＨ４ガス、　　Ｃ）＋４ガス及びＳｉＦ、とじ、これ
らガスの流量比を第８表に示すように変化させる以外は
、実施例１８と同様の条件と手順に従ってａ−９ｉ系主
電子写真用光受容材を作成した（試料ｊｉ２８０１〜２
８０８）　。

これらの電子写真用光受容部材について、第３４図に示
す画像露光ｌ！Ｉｔｉｔ（レーザー光の波長７８０　ｍ
　ｍ　＋スポット径８０μ）で画像露光し、作像、現像
、クリーニングの工程を５万回繰り返した後１画像評価
を行ったところ第８表の如き結果を得た。

実施例１８実施例１の支持体を用い、表面層をスパッタリング法で
形成する以外は、実施例１と同様の条件と手順に従って
ａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作成した。

なお１表面層の形成は以下のようにして行なった。すな
わち、第２の層形成後、該層まで形成した支持体を第３
９図の堆積装置内から取り出し、該装置の水素（Ｈ２）
ガスボンベをアルゴン（＾ｒ）ガスボンベに取り換え、
装置内を清掃し、カーソード電極上にＳｉからなる厚さ
５ｍｓのスパッタリング用ターゲットとグラファイトか
らなる厚さ５腸■のスパッタリング用ターゲットを、そ
の面積比がそれぞれ第９表の面積比になるように一面に
張る。その後、装置内に第２の暦まで形成した支持体を
設置し、減圧した後アルゴンガスを導入して装置内を約
５　Ｘ　１Ｇ”　ｔｏｏｒとし、高周波電力を３００Ｗ
としてグロー放電を生起させ方ソード電極上の表面層材
料をスパッタリングすることによって表面層を形成した
。

これらの電子写真用光受容部材について、第３９図に示
す画像露光波ｊｌｌｌ（レーザー光の波＆７８０ｎｍ。

スポー２ト径８０鱗）で画像露光し、作像、現像、クリ
ーニングの工程を５万回繰り返した後、画像評価を行っ
たところｔＪＳ９表の如き結果を得た。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に１本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容特性に優
れた光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）　、（Ｂ）　、（Ｃ）、（Ｄ）は光受容部
材の各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないこ
との説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）、（Ｂ）、はそれぞれ代表的な支持体の表
面状態の説明図である。第１Ｏ図は、光受容部材の層領域の説明図である。第１１図から第１３図は、第１の層におけるゲルマニウ
ム原子の分布状態を説明する為の説明図である。第２０図から第２８図は、層領域（００％）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。第２８図、第４０図及び第４１図は実施例で用いたＭ支
持体の表面状態の説明図である。第３０図から第３３図までは、実施例におけるガス流量
の変化を示す説明図である。第３４図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第３５図から第３８図までは、夫々本発明の実施例にお
けるガス流量比の変化率曲線を示す説明図である。第３３図は実施例で用いた光受容部の堆積装置の説明図
である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
部１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の暦１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２Ｂ０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
Ｂ０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２８０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２８０Ｂ・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図第＋１第２図ｊＰ；３図第４図第５図（Ｄ）第６図（Ａ）　　　　　　　　　　　　　（８）第８図第１１図第１２図第１ａ図第１４図第１５図第１６図第１７図第１８図第１９図 □Ｃ第２０図第２１図第２２図筒２３図第２４図第２５図第２６図第２７図 □Ｃ第２８図第３０図第３１図第３２図第３３図第３４図り゛入ヲ先量ＥＬ第３５図力１ス５九量；乙第３７図カ′入二先量す乙第３８図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
と、シリコン原子と炭素原子を含む非晶質材料からなる
表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光受
容層とを有しており、前記第１の層及び前記第２の層の
少なくとも一方に伝導性を支配する物質が含有され、か
つ前記第１の層中に於けるゲルマニウム原子の分布状態
が層厚方向に不均一でありと共に、前記光受容層は、酸
素原子、炭素原子、窒素原子の中から選択される少なく
とも一種を含有する事を特徴とする光受容部材。
（２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（４）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。
（８）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（９）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を層厚方向には均一
な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（１０）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
不均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の
光受容部材。
（１１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（１２）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項又は同第１１項に記載の光受容部材。
（１３）伝導性を支配する物質が周期律表第III族に属
する原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部
材。
（１４）伝導性を支配する物質が周期律表第Ｖ族に属す
る原子である特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材
。