JPS61110452A - マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接続するための機械的に切離し可能なマルチコネクタの製法 - Google Patents
マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接続するための機械的に切離し可能なマルチコネクタの製法Info
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、マイクロエレクトロニック素子なｔ気的に接
続る、ための機械的に切離し可能なマルチコネクタの製
造並びにそれによって製造されたマルチコネクタに関る
、。
続る、ための機械的に切離し可能なマルチコネクタの製
造並びにそれによって製造されたマルチコネクタに関る
、。
従来の技術
最近の電子大型機械においては、簡単な補修、ユニット
の容易な互換性及び簡便な拡張ができるようにる、ため
には、機械的に切離し可能な機能群に分割る、ことが必
要である〔カイル（ム、Ｋｅｉｌ ）、メルル（Ｗ、Ａ
、 Ｍｅｒｅ ） 、バイナリツキ−（Ｂ、 Ｖｉｎａ
ｒｉｃｋｙ ）著”エレクトリックエ・コンメクテ・ラ
ント・イーレ・ベルクスシトツゾ（Ｅｌｅｋｔｒｉｓｃ
ｈａ Ｋｏｎｔａｋｔｓ ｕｎａ １ｈｒｅＷｅｒｋｓ
ｔｏｆｆｅ ）”、スジリンが一出版社、１９８４年、
６１７頁降〕。機械的切離し可能性はマルチコネクタ又
は圧力結合によって達成されろ。
の容易な互換性及び簡便な拡張ができるようにる、ため
には、機械的に切離し可能な機能群に分割る、ことが必
要である〔カイル（ム、Ｋｅｉｌ ）、メルル（Ｗ、Ａ
、 Ｍｅｒｅ ） 、バイナリツキ−（Ｂ、 Ｖｉｎａ
ｒｉｃｋｙ ）著”エレクトリックエ・コンメクテ・ラ
ント・イーレ・ベルクスシトツゾ（Ｅｌｅｋｔｒｉｓｃ
ｈａ Ｋｏｎｔａｋｔｓ ｕｎａ １ｈｒｅＷｅｒｋｓ
ｔｏｆｆｅ ）”、スジリンが一出版社、１９８４年、
６１７頁降〕。機械的切離し可能性はマルチコネクタ又
は圧力結合によって達成されろ。
機械的分離可能性は個々の集積回路、いわゆるチップを
組込む際にも付与されるべきでらるので、今日の技術水
準においては集積密度に対して著しい容認が行なわれね
ばならない、それというのも従来の機械的に切離し可能
なコネクタを備えたチラノ支持体は、それに属る、コン
タクトソケットと一緒に、チップ面積の数倍を必要とる
、からである。この場合、チップ支持体のコネクタはチ
ップに取付けられた接点位置と、例えばワイヤビンディ
ング法に基づき、比較的長いリード線を介して接続され
る〔ケストナー（ＫＫａｔｎｅｒ ）、′ハルデライタ
ーテヒノロイー （Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒ−Ｔｅｃｈｕ
ｏｌｏｇｉｅ ）、” ７オーｒル出、ｆＬ社、ヴイル
ッグルク、１９８０年、８８〜８９貞〕。この場合には
、チップ支持体上の接ｇｌｉｔ極はチップの接点位置よ
りも著しく大きな対向間隔を有る、ことができ、この形
式でのみマイクロエレクトロニック素子を電気的ＫＷＩ
ｃ！！る、ためのマルチコネクタが機械的に接続及び切
離し可能である。
組込む際にも付与されるべきでらるので、今日の技術水
準においては集積密度に対して著しい容認が行なわれね
ばならない、それというのも従来の機械的に切離し可能
なコネクタを備えたチラノ支持体は、それに属る、コン
タクトソケットと一緒に、チップ面積の数倍を必要とる
、からである。この場合、チップ支持体のコネクタはチ
ップに取付けられた接点位置と、例えばワイヤビンディ
ング法に基づき、比較的長いリード線を介して接続され
る〔ケストナー（ＫＫａｔｎｅｒ ）、′ハルデライタ
ーテヒノロイー （Ｈａｌｂｌｅｉｔｅｒ−Ｔｅｃｈｕ
ｏｌｏｇｉｅ ）、” ７オーｒル出、ｆＬ社、ヴイル
ッグルク、１９８０年、８８〜８９貞〕。この場合には
、チップ支持体上の接ｇｌｉｔ極はチップの接点位置よ
りも著しく大きな対向間隔を有る、ことができ、この形
式でのみマイクロエレクトロニック素子を電気的ＫＷＩ
ｃ！！る、ためのマルチコネクタが機械的に接続及び切
離し可能である。
従って、例えば％に高速及び高性能コンピュータておい
て所望されるような特に高い集積密度が所望される場合
には、今日の技術水準ではチップ接続部の機械的切離し
を断念せざるを得ない。
て所望されるような特に高い集積密度が所望される場合
には、今日の技術水準ではチップ接続部の機械的切離し
を断念せざるを得ない。
高い集積密度用の特殊な組込法では、接点位、鍵がチッ
プ全面にわたって分配された多数のチップが、上記接点
位置と共に直接的に、必要な接続リード線を多層で含有
る、共通のセラミック基板上にはんだ付けさ九る〔”フ
リッゾーチンゾ＠ボンデング（Ｆｌｉｐ−Ｃ！ｈｉｐ
ｂｏｎａｉｎｇ ）Ｎ法、例えばゴールドマン（Ｌ、Ｓ
、 Ｇｏｌａｍａｎｎ ）、トロツタ（Ｐ、Ａ、Ｔｒｏ
ｔｔａ ）著、“ソリッド・ステート・テクノロジー（
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）”第
２６巻、第６版、１９８５年、９１〜９７貞参照〕。こ
の技術においては、補修目的又は後からの濃紺変換のた
めには必須の、個々のチップの互換性は、熱いガス流で
作業る、特殊なはんだ付は装置を調達る、ことによって
のみ可能になる〔例えばプッツリツツ（Ｋ、１．Ｐｕｔ
ｔ−Ｌｉｔｚ ） −１”ソリッド・ステート・テクノ
ロジー″１９８０年１１月、４８〜５０貞参照〕。
プ全面にわたって分配された多数のチップが、上記接点
位置と共に直接的に、必要な接続リード線を多層で含有
る、共通のセラミック基板上にはんだ付けさ九る〔”フ
リッゾーチンゾ＠ボンデング（Ｆｌｉｐ−Ｃ！ｈｉｐ
ｂｏｎａｉｎｇ ）Ｎ法、例えばゴールドマン（Ｌ、Ｓ
、 Ｇｏｌａｍａｎｎ ）、トロツタ（Ｐ、Ａ、Ｔｒｏ
ｔｔａ ）著、“ソリッド・ステート・テクノロジー（
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）”第
２６巻、第６版、１９８５年、９１〜９７貞参照〕。こ
の技術においては、補修目的又は後からの濃紺変換のた
めには必須の、個々のチップの互換性は、熱いガス流で
作業る、特殊なはんだ付は装置を調達る、ことによって
のみ可能になる〔例えばプッツリツツ（Ｋ、１．Ｐｕｔ
ｔ−Ｌｉｔｚ ） −１”ソリッド・ステート・テクノ
ロジー″１９８０年１１月、４８〜５０貞参照〕。
この場合、基板内の許容されない温度応力を確実に回避
る、ため及び古いはんだ付は位置の必要な平滑化のため
Ｋは、著しい設備及び時間的費用が必要である。
る、ため及び古いはんだ付は位置の必要な平滑化のため
Ｋは、著しい設備及び時間的費用が必要である。
発明が解決しようとる、問題点
本発明の１ｌＩＩ！題は、公知の技術に比較してスペー
スヲ必要としない、マイクロエレクトロニック素子を接
続る、ための機械的に切離し可能なマルチコネクタを製
造る、ことであった。
スヲ必要としない、マイクロエレクトロニック素子を接
続る、ための機械的に切離し可能なマルチコネクタを製
造る、ことであった。
問題点を解決る、ための手段
前記課題は、本発明の第１番目の発明によれば、マイク
ロエレクト−ニック素子を電気的に接続る、ための機械
的に切端し可能な多重結合部材を製造る、方法ＶＣおい
て、高エネルギビームによってその特性の可変な板状の
電気絶縁材料から、照射によつ人生ぜしめられる材料特
性差異を利用して、核材料を部分的に照射しかつ部分的
に除去る、ことにより、所定の位置にコネクタめパター
ンを含み、その高さが最小横寸法の数倍である板状版を
製造し、かつ該パターンに電気メッキ（より金属を充填
し、それにより金属コネクタを生ぜしめ、次いで板状型
の部分を、照射によって生ぜしめられる材料特性差異を
利用して、新たに部分的照射る、ことにより砿去る、こ
と罠より、かつ第２番目の発明によれば、高エネルギビ
ームによってその特性の可変な板状の電気絶縁材料から
、照射によって生ぜしめられる材料特性差異を利用して
、該材料を部分的に照射しかつ部分的に除去る、ことに
より、所定の位置にコネクタのパターンを含み、その高
さが最小償寸法の数倍である板状版を製造し、かつ該パ
ターンに電気メッギにより金属を充填し、それＫより一
次金属コネクタに生ぜしめ、該コネクタを保持板上に固
定し、かつ板状材料を除去し、次いで高エネルギビーム
によってその特性が可変な電気絶縁性ＩＪｌ取り材料を
用いて上記一次コネクタを繰返し型取りる、ことにより
、コネクタのパターンを含有る、多数の二次型板を製造
し、該パターンに電気メッキ（より金属を充填し、それ
により二次金属コネクタを生ぜしめ、次いで二次型板の
部分を、照射によって生ぜしめられる型取り材料“爵性
差異を利用して、新たに部分的照射る、ことにより除去
る、ことにより解決される。
ロエレクト−ニック素子を電気的に接続る、ための機械
的に切端し可能な多重結合部材を製造る、方法ＶＣおい
て、高エネルギビームによってその特性の可変な板状の
電気絶縁材料から、照射によつ人生ぜしめられる材料特
性差異を利用して、核材料を部分的に照射しかつ部分的
に除去る、ことにより、所定の位置にコネクタめパター
ンを含み、その高さが最小横寸法の数倍である板状版を
製造し、かつ該パターンに電気メッキ（より金属を充填
し、それにより金属コネクタを生ぜしめ、次いで板状型
の部分を、照射によって生ぜしめられる材料特性差異を
利用して、新たに部分的照射る、ことにより砿去る、こ
と罠より、かつ第２番目の発明によれば、高エネルギビ
ームによってその特性の可変な板状の電気絶縁材料から
、照射によって生ぜしめられる材料特性差異を利用して
、該材料を部分的に照射しかつ部分的に除去る、ことに
より、所定の位置にコネクタのパターンを含み、その高
さが最小償寸法の数倍である板状版を製造し、かつ該パ
ターンに電気メッギにより金属を充填し、それＫより一
次金属コネクタに生ぜしめ、該コネクタを保持板上に固
定し、かつ板状材料を除去し、次いで高エネルギビーム
によってその特性が可変な電気絶縁性ＩＪｌ取り材料を
用いて上記一次コネクタを繰返し型取りる、ことにより
、コネクタのパターンを含有る、多数の二次型板を製造
し、該パターンに電気メッキ（より金属を充填し、それ
により二次金属コネクタを生ぜしめ、次いで二次型板の
部分を、照射によって生ぜしめられる型取り材料“爵性
差異を利用して、新たに部分的照射る、ことにより除去
る、ことにより解決される。
発明の効果
本発明によれば、寸法及びコネクタの対向位置において
、スペースを堰らない組込みにおいて必要な著しく小さ
い許容誤差を経済的に代替可能な愛用で維持る、ことが
可能である。
、スペースを堰らない組込みにおいて必要な著しく小さ
い許容誤差を経済的に代替可能な愛用で維持る、ことが
可能である。
実施例
次に図示の実施例につ色水発明の詳細な説明る、。
第１図〜第４図に示した実施例は、チップを基板上に取
付けるための、マルチプラグ及びマルチソケットから成
る機械的に切離し可能なマルチコネクタに関る、。
付けるための、マルチプラグ及びマルチソケットから成
る機械的に切離し可能なマルチコネクタに関る、。
第１ａ図及び第１ｂ図は、以下にはレジスト板１及び４
として示す、ポリメチルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ）
から成る２つの板状の電気絶縁性材料な略示る、。レジ
スト板１及び４は約０．５鶴の厚さを有る、。レゾスト
板１はＸ線マスク（図示せず）を介してシンクロトロン
の高エネルギーＸ線が部分的に透過せしめられ、それに
よって所定のマスク間隔ｒで、直径約５０μｍを有し、
かつ溶解度がレジスト板１の射照されなかった領域に比
較して強度に高めら、また円筒状領域が生じる。次いで
、同じマスク間隔ｒで一方側からレジスト板１つもう１
回の照射を行なう、但しこの場合にはビームの侵入深ぜ
はレジスト板厚さよりも小さくかつ照射領域の直径は約
７０μｍでちる、従って太く、短い円筒状照射領域１ｂ
が生じる。このように照射しかつ可溶性になった領域を
、***国持許出領公開第３０３９１１０号明細書に記載
の収状ｙｔ像剤で除去る、。それにより細い孔２ａ及び
太い孔２１）（第２ａ図）を有る、、マルチコネクタの
柱状構造を有る、型板が生じる。
として示す、ポリメチルメタクリレ−） （ＰＭＭＡ）
から成る２つの板状の電気絶縁性材料な略示る、。レジ
スト板１及び４は約０．５鶴の厚さを有る、。レゾスト
板１はＸ線マスク（図示せず）を介してシンクロトロン
の高エネルギーＸ線が部分的に透過せしめられ、それに
よって所定のマスク間隔ｒで、直径約５０μｍを有し、
かつ溶解度がレジスト板１の射照されなかった領域に比
較して強度に高めら、また円筒状領域が生じる。次いで
、同じマスク間隔ｒで一方側からレジスト板１つもう１
回の照射を行なう、但しこの場合にはビームの侵入深ぜ
はレジスト板厚さよりも小さくかつ照射領域の直径は約
７０μｍでちる、従って太く、短い円筒状照射領域１ｂ
が生じる。このように照射しかつ可溶性になった領域を
、***国持許出領公開第３０３９１１０号明細書に記載
の収状ｙｔ像剤で除去る、。それにより細い孔２ａ及び
太い孔２１）（第２ａ図）を有る、、マルチコネクタの
柱状構造を有る、型板が生じる。
相応して、第１ｂ図のレゾスト板４も部分的に透過せし
めら、れる、この場合も同じラスク間Ｆ４ｒで透過され
た領域は三角形の基本形４Ｃを有る、、従って照射した
領域の溶解除去後にマルチソケットの三角形パターン３
ｆｒ：有る、型が生じる。パターン３はマルチプラグの
パターン２の太い孔２ｂに適合る、（ＷＪ２ ｂ図）。
めら、れる、この場合も同じラスク間Ｆ４ｒで透過され
た領域は三角形の基本形４Ｃを有る、、従って照射した
領域の溶解除去後にマルチソケットの三角形パターン３
ｆｒ：有る、型が生じる。パターン３はマルチプラグの
パターン２の太い孔２ｂに適合る、（ＷＪ２ ｂ図）。
このことはこの実施例では、パターン３が三角形の中空
プリズムの形態を有し、該中空プリズムの内側接触円か
パターン２の太い孔２ｂの直径よりも幾分か小さい直径
を有る、ことを意味る、。
プリズムの形態を有し、該中空プリズムの内側接触円か
パターン２の太い孔２ｂの直径よりも幾分か小さい直径
を有る、ことを意味る、。
パターン３は縁部ＶｃＧって中断部４ａを有る、、従っ
て照射領域の溶解除去後÷Ｃコア材料４ｂはレゾスト板
４の残りの材料と結合されたままでりる。次いで、パタ
ーン２．３に電気メッキによりニッケルを充填る、。そ
れにより、第３＆図刀１ら明らかなように、太い孔５ａ
、細い孔５ｂ、及び超過電気めっきによりレジスト板の
表面（一点鎖線）上に形成されたレンズ状のろう着ヘッ
ド５Ｃを有る、、マスク間隔ｒで相互に平行に配置され
た柱状プラグ５が生じる。
て照射領域の溶解除去後÷Ｃコア材料４ｂはレゾスト板
４の残りの材料と結合されたままでりる。次いで、パタ
ーン２．３に電気メッキによりニッケルを充填る、。そ
れにより、第３＆図刀１ら明らかなように、太い孔５ａ
、細い孔５ｂ、及び超過電気めっきによりレジスト板の
表面（一点鎖線）上に形成されたレンズ状のろう着ヘッ
ド５Ｃを有る、、マスク間隔ｒで相互に平行に配置され
た柱状プラグ５が生じる。
次いで、レゾスト板１に両側から、レゾスト板１の中央
領域に照射されなかった板状領域１Ｃが残るように所定
の浸入深さの電子ビーム？照射る、。この照射されなか
ったレジスト板１（プラグ板）の領域シてより、プラグ
５は固定され、かつ照射された領域が上記液状現像剤で
溶解除去でれた後に、相互１ｃ電気泡縁される。
領域に照射されなかった板状領域１Ｃが残るように所定
の浸入深さの電子ビーム？照射る、。この照射されなか
ったレジスト板１（プラグ板）の領域シてより、プラグ
５は固定され、かつ照射された領域が上記液状現像剤で
溶解除去でれた後に、相互１ｃ電気泡縁される。
第６ｂ図から明らかなように、パターン３の電気メツキ
的充填により、三角形の、１ｉＩＩｆｒ面、縦スリット
６ａ及び第３Ｓ図におけるプラグ５と同じラスタ間層ｒ
を有る、ピラミッド状の相互に平行なソケット６が生じ
る。レゾスト板４０両面照射及び照射した材料の除去は
プラグ５におけると同じ方法で行なう、それによって照
射されなかった領域４ａ（ソケット板）は残こり、それ
によりソケット６は固定されかつ相互に電気絶縁される
。
的充填により、三角形の、１ｉＩＩｆｒ面、縦スリット
６ａ及び第３Ｓ図におけるプラグ５と同じラスタ間層ｒ
を有る、ピラミッド状の相互に平行なソケット６が生じ
る。レゾスト板４０両面照射及び照射した材料の除去は
プラグ５におけると同じ方法で行なう、それによって照
射されなかった領域４ａ（ソケット板）は残こり、それ
によりソケット６は固定されかつ相互に電気絶縁される
。
第４図は、本発明に基づき製造されたマルチコネクタの
だめの適用実施例を略示る、ものでちる。プラグ５はそ
の太い端部５ａでソケット６に嵌合されており、この場
合ソケットｋまその弾性的に柔軟性の側壁で必要な接触
圧でもつ−Ｃプラグ５の太い端部５ａに接触る、。その
レンズ状ヘッド５Ｃと、プラグ５はチップ７の接触位［
７ａＫはんだ付けされ°ζいる。この場合、細い孔５ｂ
は、これらが−炭窒化の際にチツ！７及びプラグ板１Ｃ
の異なった熱膨退を補償る、ことかできるように変形可
能でおる。
だめの適用実施例を略示る、ものでちる。プラグ５はそ
の太い端部５ａでソケット６に嵌合されており、この場
合ソケットｋまその弾性的に柔軟性の側壁で必要な接触
圧でもつ−Ｃプラグ５の太い端部５ａに接触る、。その
レンズ状ヘッド５Ｃと、プラグ５はチップ７の接触位［
７ａＫはんだ付けされ°ζいる。この場合、細い孔５ｂ
は、これらが−炭窒化の際にチツ！７及びプラグ板１Ｃ
の異なった熱膨退を補償る、ことかできるように変形可
能でおる。
ソケット６の端部はセラミック製基板８の孔８ａ内ｖＣ
差込まれかつそこでその導体路８ｂとはんだ付けされて
いる。このことはソケット６が基板８上のソケット板４
ａと共に、チップにはんだ付けされかつソケット板１Ｃ
によって固定されたソケット５を有る、チップのための
差込ソケットを形成る、。チップＴとソケット板１Ｃの
間隙ははんだ付は中並びにまた動作中に冷却イスを貫通
させるために利用る、ことができる。ソケット・＼のプ
ラグの導入を簡単にる、ために、プラグのソケットに面
した端部な部分的°電解削除によって丸味を付けた。さ
らに、ソケットのプラグに面し端部を相応る、マルチェ
＾で一緒に拡開した。さらに、プラグ及びソケット板の
縁部に、図示されていない相互に相応る、（内部を設け
た。
差込まれかつそこでその導体路８ｂとはんだ付けされて
いる。このことはソケット６が基板８上のソケット板４
ａと共に、チップにはんだ付けされかつソケット板１Ｃ
によって固定されたソケット５を有る、チップのための
差込ソケットを形成る、。チップＴとソケット板１Ｃの
間隙ははんだ付は中並びにまた動作中に冷却イスを貫通
させるために利用る、ことができる。ソケット・＼のプ
ラグの導入を簡単にる、ために、プラグのソケットに面
した端部な部分的°電解削除によって丸味を付けた。さ
らに、ソケットのプラグに面し端部を相応る、マルチェ
＾で一緒に拡開した。さらに、プラグ及びソケット板の
縁部に、図示されていない相互に相応る、（内部を設け
た。
第５図及び第６図に示した実施例は、基板上）てチップ
を取付けるための、マルチプラグ及びマルチソケットか
ら成る、機械的罠切離し可能なマルチコネクタ九関し、
この場チン！の接点位置はチップの縁部に沼って位置る
、。
を取付けるための、マルチプラグ及びマルチソケットか
ら成る、機械的罠切離し可能なマルチコネクタ九関し、
この場チン！の接点位置はチップの縁部に沼って位置る
、。
ナイフ状のプラグ１０及びフランジ状のソケット１１は
、ＰＭＭＡレジスト板毎の部分的照射（照射方向は第４
図の矢印Ａ参照）及び材料の除去、引続いてのこうして
得られたパターンへの電気メッキによる充填によって、
幀造る、ことができる。この場合には、同時にマルチコ
ネクタの接合（接合方向は矢印Ｂ参照）を簡単にる、金
属案内部１４及び１５も製造る、。レジスト板に固定る
、ために、プラグ１０、クランプ状ソケット１１及び案
内部１４及び１５は歯１０ａ、１１ａ、１４ａ及び１Ｓ
ａを備えている。レジスト板の材料の新たな照射及び除
去により、機械的Ｉこ切離し可能なコネクタ及び案内の
ために設けられた部材１０．１１．１４及び１５の領域
を、プラグ板１２及びソケット板１３が残こるように露
出させる。これらの板１２及び１３では、所定のラスタ
間隔ｒで部材１１）、１１及び案内部１４．１５が固定
されかつ相互に電気糖量されている。
、ＰＭＭＡレジスト板毎の部分的照射（照射方向は第４
図の矢印Ａ参照）及び材料の除去、引続いてのこうして
得られたパターンへの電気メッキによる充填によって、
幀造る、ことができる。この場合には、同時にマルチコ
ネクタの接合（接合方向は矢印Ｂ参照）を簡単にる、金
属案内部１４及び１５も製造る、。レジスト板に固定る
、ために、プラグ１０、クランプ状ソケット１１及び案
内部１４及び１５は歯１０ａ、１１ａ、１４ａ及び１Ｓ
ａを備えている。レジスト板の材料の新たな照射及び除
去により、機械的Ｉこ切離し可能なコネクタ及び案内の
ために設けられた部材１０．１１．１４及び１５の領域
を、プラグ板１２及びソケット板１３が残こるように露
出させる。これらの板１２及び１３では、所定のラスタ
間隔ｒで部材１１）、１１及び案内部１４．１５が固定
されかつ相互に電気糖量されている。
プラグ板及びソケット板のために、ＰＭＭＡの代りに別
の絶縁材料、例えばより温度安定性のポリイミドを使用
したい場合には、電気メツキ後にまずＰＭＭＡレジスト
板のプラグ及びソケット板のために設けられた領域を照
射し、溶解除去しかつ別の絶縁材料と交換る、。引続き
、レジスト板の残りのＰＭＭＡ材料の除去を行なう。
の絶縁材料、例えばより温度安定性のポリイミドを使用
したい場合には、電気メツキ後にまずＰＭＭＡレジスト
板のプラグ及びソケット板のために設けられた領域を照
射し、溶解除去しかつ別の絶縁材料と交換る、。引続き
、レジスト板の残りのＰＭＭＡ材料の除去を行なう。
千ツ７°１６はその縁部に位置る、接点位置１６＆でソ
ケット板１２内の接点位置と固定し、ナイフ状！ラグ１
０をはんだ付ける、。付加的に、プラグ板１２を千ツブ
１６と接着る、（接着位置１２ａ）。ソケット板１３は
千ツブ１６の向かい側に、接触範囲内に切欠き１７＆を
有る、電気絶縁材料から成るストッパ板１７を支持る、
。
ケット板１２内の接点位置と固定し、ナイフ状！ラグ１
０をはんだ付ける、。付加的に、プラグ板１２を千ツブ
１６と接着る、（接着位置１２ａ）。ソケット板１３は
千ツブ１６の向かい側に、接触範囲内に切欠き１７＆を
有る、電気絶縁材料から成るストッパ板１７を支持る、
。
ソケット１１はその弾性接読薄片１１Ｃで基板１８の導
体路１ａａとはんだ付けされている。
体路１ａａとはんだ付けされている。
この場合、案内部１５は同時に基板１８上のストッパと
して役立らかつ該基板と接着によって、＊合される。弾
性接読薄片１１Ｃは基板１８の導体路１８ＩＬの幾分か
つ非平坦性を補償る、。
して役立らかつ該基板と接着によって、＊合される。弾
性接読薄片１１Ｃは基板１８の導体路１８ＩＬの幾分か
つ非平坦性を補償る、。
マルチプラグ１０．１２．１４はストッパ板１γに沿っ
て上から（矢印Ｂ）マルチソケット１１．１３．１５に
嵌入され、この際クランプ状ソケット１１の端部１１ｂ
は必要な接触圧？保証る、。デラ〃゛板１２は付加的に
かぶせ承られるＵ字形部材１９によってストッパ板１γ
に保持される。
て上から（矢印Ｂ）マルチソケット１１．１３．１５に
嵌入され、この際クランプ状ソケット１１の端部１１ｂ
は必要な接触圧？保証る、。デラ〃゛板１２は付加的に
かぶせ承られるＵ字形部材１９によってストッパ板１γ
に保持される。
基板１８に対してナッグ１６ン垂直に配置る、ことによ
り、特に高い集積密度を達成る、ことができる。
り、特に高い集積密度を達成る、ことができる。
第７図及び第８図に示した実施例は、基板上にチップを
取付けるだめの機械的に切離し可能なマルチコネクタに
１１Ａシ、この場合には千ツデの接触位置はチップの向
かい合った縁部ｖｃＧつて配置されている。
取付けるだめの機械的に切離し可能なマルチコネクタに
１１Ａシ、この場合には千ツデの接触位置はチップの向
かい合った縁部ｖｃＧつて配置されている。
長方形状の基本形ン有る、剛性コネクタ２０及び弾性コ
ネクタ２１は、レジスト仮毎に材料を部分的に照射しか
つ除去し、引続きこうして製造したパターンて電気めつ
色により金属を充填る、ことにより製造される。次いで
、レジスト板の、部材２０及び２１を固定る、ために特
定した領域を照射し、溶解除去しかつ除去したレジスト
材料を別の電気絶縁物質例えばエポキシ樹脂と交換る、
。その後、残りのレジスト材料を、コネクタ２０．２１
の接点形成のために特定した領域が露出る、ように除去
る、。こうしてチップ支持板２２及び該支持板を包囲る
、エポキシ樹脂から成る枠２３が生じ、これらにコネク
タ２０．２１が所定のラスク間隔ｒで埋込まれている。
ネクタ２１は、レジスト仮毎に材料を部分的に照射しか
つ除去し、引続きこうして製造したパターンて電気めつ
色により金属を充填る、ことにより製造される。次いで
、レジスト板の、部材２０及び２１を固定る、ために特
定した領域を照射し、溶解除去しかつ除去したレジスト
材料を別の電気絶縁物質例えばエポキシ樹脂と交換る、
。その後、残りのレジスト材料を、コネクタ２０．２１
の接点形成のために特定した領域が露出る、ように除去
る、。こうしてチップ支持板２２及び該支持板を包囲る
、エポキシ樹脂から成る枠２３が生じ、これらにコネク
タ２０．２１が所定のラスク間隔ｒで埋込まれている。
この場合には、枠２３のエポキシ樹脂は、第８図から明
らかなように、コネクタ２１は片面側でおおうことがで
きる（核種２３ａ）。コネクタ２０．２１は歯２０ａ。
らかなように、コネクタ２１は片面側でおおうことがで
きる（核種２３ａ）。コネクタ２０．２１は歯２０ａ。
２１＆を備えている。千ツゾ２４はその向かい合った接
点位置２４１Ｌの列でチップ支持板２２の剛性コネクタ
２０とはんだ付けされる。
点位置２４１Ｌの列でチップ支持板２２の剛性コネクタ
２０とはんだ付けされる。
枠２３内の弾性コネクタ２１は基板２５の導本路２５
ａとはんだ付けされる。弾性コネクタ２１は、枠２３の
エポキシ樹脂内に埋込まれた領域２１ｂと、それに引続
いた接触のために役立つ領域２１Ｃを有る、。ｅＸ堕域
２１Ｃは内部が開いた８字の形を有る、、それにより矢
印Ｃ方向のばね作用が得られる。
ａとはんだ付けされる。弾性コネクタ２１は、枠２３の
エポキシ樹脂内に埋込まれた領域２１ｂと、それに引続
いた接触のために役立つ領域２１Ｃを有る、。ｅＸ堕域
２１Ｃは内部が開いた８字の形を有る、、それにより矢
印Ｃ方向のばね作用が得られる。
千ッゾ２４はチップ支持板２２と一緒に上から枠２３内
に押込まれ、それによって（イね作用方向（矢印Ｃ）は
接合方向（矢印Ｄ）に対して垂直に延びる。この場合、
コネクタ２１はその自由弾性端部２１Ｃで剛性コネクタ
の接接面に押付けられる。
に押込まれ、それによって（イね作用方向（矢印Ｃ）は
接合方向（矢印Ｄ）に対して垂直に延びる。この場合、
コネクタ２１はその自由弾性端部２１Ｃで剛性コネクタ
の接接面に押付けられる。
係脱の際にチップを保護る、ために、千ツゾを包囲し、
取手として役立つ枠・ｋ設け、該粋には付加的にチップ
を埋込むプラスチックを充填る、ことができる。
取手として役立つ枠・ｋ設け、該粋には付加的にチップ
を埋込むプラスチックを充填る、ことができる。
第２番目の発明による方法は、次のようにして実施る、
。電気めっきで製造したコネクタを、電気めつき疋より
レジスト板の高さを纏えて形成した共通の保持板上に固
定る、。レジスト材料の除去後に、コネクタ及び保持板
から成る母型が得られ、該母型を繰返しメタクリレート
ペースの注型樹脂で型取りる、。こうして作った硬Ｃヒ
した板状ｍ取り材料内のパターンに前記のように電気め
っきで充填し、次いでこの二次型の、コネクタの接点形
成のために特定された領域内にある部分を新たな部分的
照射及び溶解により型・収り材料から除去る、。
。電気めっきで製造したコネクタを、電気めつき疋より
レジスト板の高さを纏えて形成した共通の保持板上に固
定る、。レジスト材料の除去後に、コネクタ及び保持板
から成る母型が得られ、該母型を繰返しメタクリレート
ペースの注型樹脂で型取りる、。こうして作った硬Ｃヒ
した板状ｍ取り材料内のパターンに前記のように電気め
っきで充填し、次いでこの二次型の、コネクタの接点形
成のために特定された領域内にある部分を新たな部分的
照射及び溶解により型・収り材料から除去る、。
もちろん、この場合に、コネクタの向かい合った固定の
ために残った型取り材料（デラデ板又はソケット板）を
前記のように別の絶縁材料、例えばポリイミドと交換る
、ことも可能である。
ために残った型取り材料（デラデ板又はソケット板）を
前記のように別の絶縁材料、例えばポリイミドと交換る
、ことも可能である。
ここに記載した機械的に切離し可能なマルチコネクタは
、チップを接続る、ためだけでなく、同様に別のマイク
ロエレクトロニック素子、例えばセンサアレイ又は液晶
デスプレイを接続る、ためにも使用る、ことができる。
、チップを接続る、ためだけでなく、同様に別のマイク
ロエレクトロニック素子、例えばセンサアレイ又は液晶
デスプレイを接続る、ためにも使用る、ことができる。
第１ａ図、第１ｂ図、第２ａ図、第２ｂ図、第６＆図及
び第６ｂ図シマ、本発明によるマルチプラグ及びマルチ
ソケット用の主製造工程を示す略示図、第４図は本発明
方法で製造したマルチプラグ及びマルチプラグ）ｋ用い
て基板上にチップを取付けた状態を示す、断面図、Ｍ５
図は第４図のマルチコネクタの１変更実施“−１・ｋ示
す路面図、第６図は第５図の４−’１１１１ ＩＣＧつ
た断面図、第７図は第４図のマルチコネクタのもう１つ
の変更実施例の断面図・及び第８（９）は第７図の）’
ｌ −Ｖｌ線に沿った断面図である。 １．４・・・レジスト板 ２．３・・・パターン ５゜
１０・・・プラグ ６，１１・・・ソケット Ｔ、 １
６゜２４・・・千ツゾ ８．１８．２５・・・基板 １
２・・・プラグ板 １３・・・ソケット板 １４．１５
・・・案内部 １γ・・・ストッパ板 １９・・・Ｕ字
形部材２０・・・剛性コネクタ ２１・・・弾性コネク
タ２２・・・チップ支持板 ２３・・・枠 ｒ・・・ラ
スタ間隔 口０１ （Ｎ Ｏ
び第６ｂ図シマ、本発明によるマルチプラグ及びマルチ
ソケット用の主製造工程を示す略示図、第４図は本発明
方法で製造したマルチプラグ及びマルチプラグ）ｋ用い
て基板上にチップを取付けた状態を示す、断面図、Ｍ５
図は第４図のマルチコネクタの１変更実施“−１・ｋ示
す路面図、第６図は第５図の４−’１１１１ ＩＣＧつ
た断面図、第７図は第４図のマルチコネクタのもう１つ
の変更実施例の断面図・及び第８（９）は第７図の）’
ｌ −Ｖｌ線に沿った断面図である。 １．４・・・レジスト板 ２．３・・・パターン ５゜
１０・・・プラグ ６，１１・・・ソケット Ｔ、 １
６゜２４・・・千ツゾ ８．１８．２５・・・基板 １
２・・・プラグ板 １３・・・ソケット板 １４．１５
・・・案内部 １γ・・・ストッパ板 １９・・・Ｕ字
形部材２０・・・剛性コネクタ ２１・・・弾性コネク
タ２２・・・チップ支持板 ２３・・・枠 ｒ・・・ラ
スタ間隔 口０１ （Ｎ Ｏ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、マイクロエレクトロニック素子を電気的に接続する
ための機械的に切離し可能なマルチコネクタを製造する
方法において、高エネルギビームによつてその特性の可
変な板状の電気絶縁材料から、照射によつて生ぜしめら
れる材料特性差異を利用して、該材料を部分的に照射し
かつ部分的に除去することにより、所定の位置にコネク
タのパターンを含み、その高さが最小横寸法の数倍であ
る板状型を製造し、かつ該パターンに電気メッキにより
金属を充填し、それにより金属コネクタを生ぜしめ、次
いで板状型の部分を、照射によつて生ぜしめられる材料
特性差異を利用して、新たに部分的照射することにより
除去することを特徴とする、マイクロエレクトロニック
素子を電気的に接続するための機械的に切離し可能なマ
ルチコネクタの製法。 ２、高エネルギビームとしてシンクロトロンビームを使
用し、かつ材料の部分的除去を液状現像剤で行なう、特
許請求の範囲第１項記載の方法。 ３、板状量の部分の新たな部分的照射及び相応する型部
分の除去を、接点形成のために特定されたコネクタ領域
が露出されるように実施する、特許請求の範囲第１項又
は第２項記載の方法。 ４、板状型の新たな部分的照射及び相応する型部分の除
去を、コネクタの対向した固定のために設けられた領域
が露出されるように実施し、次いでこの領域にコネクタ
の対向した固定を保証する別の電気絶縁物質を充填し型
の残りの部分を除去する、特許請求の範囲第１項又は第
２項記載の方法。 ５、マルチプラグ及びマルチソケットから成る、マイク
ロエレクトロニック素子を電気的に接続するための機械
的に切離し可能なマルチコネクタであつて、プラグ及び
ソケットがマイクロエレクトロニック素子の接点位置と
直接的にかつ同時に固定結合可能であるものを製造する
、特許請求の範囲第１項から第４項までのいずれか１項
記載の方法。 ６、マイクロエレクトロニック素子を電気的に接続する
ための機械的に切離し可能なマルチコネクタを製造する
方法において、高エネルギビームによつてその特性の可
変な板状の電気絶縁材料から、照射によつて生ぜしめら
れる材料特性差異を利用して、該材料を部分的に照射し
かつ部分的に除去することにより、所定の位置にコネク
タのパターンを含み、その高さが最小横寸法の数倍であ
る板状版を製造し、かつ該パターンに電気メッキにより
金属を充填し、それにより一次金属コネクタを生ぜしめ
、該コネクタを保持板上に固定し、かつ板状材料を除去
し、次いで高エネルギビームによつてその特性が可変な
電気絶縁性型取り材料を用いて上記一次コネクタを繰返
し型取りすることにより、コネクタのパターンを含有す
る多数の二次型板を製造し、該パターン内に電気メッキ
により金属を充填し、それにより二次金属コネクタを生
ぜしめ、次いで二次型板の部分を、照射によつて生ぜし
められる型取り材料特性差異を利用して、新たに部分的
照射することにより除去することを特徴とする、マイク
ロエレクトロニック素子を電気的に接続するための機械
的に切離し可能なマルチコネクタの製法。 ７、高エネルギビームとしてシンクロトロンビームを使
用し、かつ材料の部分的除去を液状現像剤で行なう、特
許請求の範囲第６項記載の方法。 ８、二次型の照射及び相応する型部分の除去を、接点形
成のために特定されたコネクタ領域が露出されるように
実施する、特許請求の範囲第６項又は第７項記載の方法
。 ９、板状型の新たな部分的照射及び相応する型部分の除
去を、コネクタの対向した固定のために設けられた領域
が露出されるように実施し、次いでこの領域にコネクタ
の対向した固定を保証する別の電気絶縁物質を充填し型
の残りの部分を除去する、特許請求の範囲第６項又は第
７項記載の方法。 １０、マルチプラグ及びマルチソケットから成る、マイ
クロエレクトロニック素子を電気的に接続するための機
械的に切離し可能なマルチコネクタであつて、プラグ及
びソケットがマイクロエレクトロニック素子の接点位置
と直接的にかつ同時に固定可能であるものを製造する、
特許請求の範囲第６項から第９項までのいずれか１項記
載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3440110A DE3440110C1 (de) | 1984-11-02 | 1984-11-02 | Verfahren zur Herstellung mechanisch trennbarer Vielfach-Verbindungen fuer den elektrischen Anschluss mikroelektronischer Bauelemente |
| DE3440110.5 | 1984-11-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61110452A true JPS61110452A (ja) | 1986-05-28 |
| JPH0543189B2 JPH0543189B2 (ja) | 1993-06-30 |
Family
ID=6249360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60243052A Granted JPS61110452A (ja) | 1984-11-02 | 1985-10-31 | マイクロエレクトロニツク素子を電気的に接続するための機械的に切離し可能なマルチコネクタの製法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0184608B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61110452A (ja) |
| AT (1) | ATE83877T1 (ja) |
| DE (1) | DE3440110C1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6129559A (en) * | 1996-01-19 | 2000-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microconnector and method of manufacturing the same |
| CN107567668A (zh) * | 2015-03-31 | 2018-01-09 | 精炼金属股份有限公司 | 制造至少一个弹簧触点针或弹簧触点针组件的方法和相应的装置 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3623637A1 (de) * | 1986-07-12 | 1988-01-21 | Kernforschungsz Karlsruhe | Verfahren zur herstellung von mikrostrukturen unterschiedlicher strukturhoehe mittels roentgentiefenlithographie |
| DE4126877C1 (en) * | 1991-08-14 | 1992-11-26 | Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De | Plastic microstructure prodn. for high temp. resistance - by forming poly:methyl methacrylate] mould unit, filling with plastic resin and dissolving in solvent, for high accuracy moulds |
| DE102012024185A1 (de) | 2012-12-11 | 2014-06-12 | Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg | Kontaktelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3851221A (en) * | 1972-11-30 | 1974-11-26 | P Beaulieu | Integrated circuit package |
| US3956052A (en) * | 1974-02-11 | 1976-05-11 | International Business Machines Corporation | Recessed metallurgy for dielectric substrates |
| US3953924A (en) * | 1975-06-30 | 1976-05-04 | Rockwell International Corporation | Process for making a multilayer interconnect system |
| DE3039110A1 (de) * | 1980-10-16 | 1982-05-13 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren fuer die spannungsfreie entwicklung von bestrahlten polymethylmetacrylatschichten |
-
1984
- 1984-11-02 DE DE3440110A patent/DE3440110C1/de not_active Expired
-
1985
- 1985-07-20 EP EP85109107A patent/EP0184608B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1985-07-20 AT AT85109107T patent/ATE83877T1/de active
- 1985-10-31 JP JP60243052A patent/JPS61110452A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6129559A (en) * | 1996-01-19 | 2000-10-10 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Microconnector and method of manufacturing the same |
| CN107567668A (zh) * | 2015-03-31 | 2018-01-09 | 精炼金属股份有限公司 | 制造至少一个弹簧触点针或弹簧触点针组件的方法和相应的装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ATE83877T1 (de) | 1993-01-15 |
| EP0184608A2 (de) | 1986-06-18 |
| EP0184608A3 (en) | 1989-01-04 |
| JPH0543189B2 (ja) | 1993-06-30 |
| EP0184608B1 (de) | 1992-12-23 |
| DE3440110C1 (de) | 1986-05-28 |
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