JPS61109060A

JPS61109060A - 電子写真用光受容部材

Info

Publication number: JPS61109060A
Application number: JP59228993A
Authority: JP
Inventors: Keishi Saito; 恵志斉藤; Masahiro Kanai; 正博金井; Tetsuo Sueda; 末田　哲夫; Teruo Misumi; 三角　輝男; Yoshio Tsuezuki; 津江月　義男; Kyosuke Ogawa; 小川　恭介
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1984-11-01
Filing date: 1984-11-01
Publication date: 1986-05-27
Also published as: JPH0236939B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野〕本発明は、光（ここでは広義の光で紫外線、可視光線、
赤外線、Ｘ線、γ線等を示す）の様な電磁波に感受性の
ある光受容部材に関する。さらに詳しくは、レーザー光
などの可干渉性光を用いるのに適した光受容部材に関す
る。

〔従来技術〕

デジタル画像情報を画像として記録する方法として、デ
ジタル画像情報に応じて変調したレーザー光で光受容部
材を光学的に走査することにより静電潜像を形成し、次
いて該潜像を現像、必要に応じて転写、定着などの処理
を行ない１画像を記録する方法がよく知られている。中
でも電子写真法を使用した画像形成法では、レーザーと
しては小型で安価なＨｅ−Ｎ５レーザーあるいは半導体
レーザー（通常は８５０〜８２０ｎｓ＋の発光波長を有
する）で像記録を行なうことが一般である。

特に、半導体レーザーを用いる場合に適した電子写真用
の光受容部材としては、その光感度領域の整合性が他の
種類の光受容部材と比べて格段に優れている点に加えて
、ビッカース硬度が高く、社会的には無公害である点で
例えば特開昭５４−８８３４１号公報や特開昭５８−８
３７４８号公報に開示されているシリコン原子を含む非
晶質材料（以後ｒａ−ＳｉＪと略記する）から成る光受
容部材が注目されている。

搭、乍ら、光査古層を単層構成のａ−３ｉ暦とすると、
その高光感度を保持しつつ、電子写真用として要求され
る１０１２ΩＣ■以上の暗抵抗を確保するには、水素原
子やハロゲン原子或いはこれ等に加えてボロン原子とを
特定の量範囲で層中に制御された形で構造的に含有させ
る必要性がある為に、層形成のコントロールを厳密に行
う必要がある等、光受容部材の設計に於ける許容度に可
成りの制限がある。

この設計上の許容度を拡大出来る、詰り、ある程度低暗
抵抗であっても、その高光感度を有効に利用出来る様に
したものとしては、例えば、特開昭５４−１２１７４３
号公報、特開昭５７−４０５３号公報、特開昭５７−４
１７２号公報に記載されである様に光受容層を伝導特性
の異なる層を積層した二層以上の層構成として、光受容
層内部に空乏層を形成したり、或いは特開昭５７−５２
１７８号、同５２１７９号、同５２１８０号、同５８１
５９号、同５８１８０号、同５８１１３１号の各公報に
記載されである様に支持体と光受容層の間、又は／及び
光受容層の上部表面に障壁層を設けた多層構造としたり
して、見掛は上の暗抵抗を高めた光受容部材が提案され
ている。

この様な提案によって、　ａ　−９ｉ系先光受容材はそ
の商品化設計上の許容度に於いて、或いは製造上の管理
の容易性及び生産性に於いて飛躍的に進展し、商品化に
向けての開発スピードが急速化している。

この様な光受容層が多層構造の光受容部材を用いてレー
ザー記録を行う場合、各層の層厚に斑がある為に、レー
ザー光が可干渉性の単色光であるので、光受容層のレー
ザー光照射側自由表面、光受容層を構成する各層及び支
持体と光受容層との層界面（以後、この自由表面及び層
界面の両者を併せた意味で「界面」と称す）より反射し
て・来る反射光の各々が干渉を起す可能性がある。

この干渉現象は、形成される可視画像に於いて、所謂、
干渉縞模様となって現われ１画像不良の要因となる。殊
に階調性の高い中間調の画像を形成する場合には、画像
の見悪くさは顕著となる。

まして、使用する半導体レーザー光の波長領域が長波長
になるにつれ光受容層に於ける該レーザー光の吸収が減
少してくるので前記の干渉現象は顕著である。

この点を図面を以って説明する。

第１図に、光受容部材の光受容層を構成するある層に入
射した光１６と上部界面１０２で反射した反射光Ｒ１、
下部界面１０１で反射した反射光Ｒ２を示している。

層の平均層厚をｄ、屈折率をｎ、光の波長をλ入として、ある層の層厚がなｋらかに一以上の層ｎ４差で不均一であると、反射光Ｒ，、Ｒ２が２ｎｄ＝ｍ
λ（ｍは整数１反射光は強め合う）と２ｎｄ＝（ｍ＋−
）λ（ｍは整数、反射光は弱め合う）の条件のどちらに
合うかによって、ある層の吸収光量および透過光量に変
化を生じる。

多層構成の光受容部材においては、第１図に示す干渉効
果が各層で起り、第２図に示すように、それぞれの干渉
による相乗的悪影響が生じる。その為に該干渉縞模様に
対応した干渉縞が転写部材上に転写、定着された可視画
像に現われ、不良画像の原因となっていた。

この不都合を解消する方法としては、支持体表面をダイ
ヤモンド切削して、±５００Ａ〜±　１０００ＯＡの凹
凸を設けて光散乱面を形成する方法（例えば特開昭５８
−１１１１２９７５号公報）アルミニウム支持体表面を
黒色アルマイト処理したり、或いは、樹脂中にカーボン
、着色顔料、染料を分散したりして光吸収層を設ける方
法（例えば特開昭５７−１６５８４５号公報）、アルミ
ニウム支持体表面を梨地状のアルマイト処理したり、サ
ンドブラストにより砂目状の微細凹凸を設けたりして、
支持体表面に光散乱反射防止層を設ける方法（例えば特
開昭５７−１８５５４号公報）等が提案されている。

面乍ら、これ等従来の方法では１画像上に現われる干渉
縞模様を完全に解消することが出来なかった。

即ち、第１の方法は支持体表面を特定の大きさの凹凸が
多数設けられただけである為、確かに光散乱効果による
干渉縞模様の発現防止にはなっているが、光散乱として
は依然として正反射光成分が残存している為に、該正反
射光による干渉縞模様が残存することに加えて、支持体
表面での光散乱効果の為に照射スポットに拡がりが生じ
、実質的な解像度低下の要因となっていた。

第２の方法は、黒色アルマイト処理程度では。

完全吸収は無理であって、支持体表面での反射光は残存
する。又、着色顔料分散樹脂層を設ける場合はａ−９ｉ
層を形成する際、樹脂層よりの脱気現象が生じ、形成さ
れる光受容層の層品質が著しく低下すること、樹脂層が
ａ−９ｉ層形成の際のプラズマによってダメージを受け
て１本来の吸収機能を低減させると共に、表面状態の悪
化によるその後のａ−Ｓｉ層の形成に悪影響を与えるこ
と等の不都合さを有する。

支持体表面を不規則に荒す第３方法の場合には、第３図
に示す様に、例えば入射光■。は、光受容層３０２の表
面でその一部が反射されて反射光Ｒ，となり、残りは、
光受容層３０２の内部に進入して透過光１１　となる、
′ｍ過光■１は、支持体３０２の表面に於いて、その一
部は、光散乱されて拡散光に、　、に２．に３・・・と
なり、残りが正反射されて反射光Ｒ２となり、その一部
が出射光Ｒ３となって外部に出て行く、従って、反射光
Ｒ１と干渉する成分である出射光Ｒ３が残留する為、依
然として干渉縞模様は完全に消すことが出来ない。

又、干渉を防止して光受容層内部での多重反射を防止す
る為に支持体３０１の表面の拡散性を増加させると、光
受容層内で光が拡散してハレーションを生ずる為解像度
が低下するという欠点もあった。

特に、多層構成の光受容部材においては、第４図に示す
ように、支持体４０１表面を不規則に荒しても、第１層
４０２での表面での反射光Ｒ２ｒ第２層での反射光Ｒ１
，支持体４０１面での正反射光Ｒ３の夫々が干渉して、
光受容部材の各層厚にしたがって干渉縞模様が生じる。

従って、多層構成の光受容部材においては、支持体４０
１表面を不規則に荒すことでは、干渉縞を完全に防止す
ることは不可能であった。

又、サンドブラスト等の方法によって支持体表面を不規
則に荒す場合は、その粗面度がロフト間に於いてバラツ
キが多く、且つ同一ロットに於いても粗面度に不均一が
あって、製造管理上具合が悪かった。加えて、比較的大
きな突起がランダムに形成される機会が多く、斯かる大
きな突起が光受容層の局所的ブレークダウンの原因とな
っていた。

又、単に支持体表面５０１を規則的に荒した場合、第５
図に示すように、通常、支持体５０１表面の凹凸形状に
沿って、光受容層５０２が堆積するため、支持体５０１
の凹凸の傾斜面と光受容層５０２の凹凸の傾斜面とが平
行になる。

したがって、その部分では入射光は２ｎｄ１＝ｍλまた
は２　ｎｄｌ　＝　（ｍ　＋　３’り入が成立ち、夫々
明部または暗部となる。また、光受容層全体では光受容
層の層厚ｄｒ　、ｄｚ　、ｄ３．ｄ４の夫々の差のある
ため明暗の縞模様が現われる。

従って、支持体５０１表面を規則的に荒しただけでは、
干渉縞模様の発生を完全に防ぐことはできない。

又、表面を規則的に荒した支持体上に多層構成の光受容
層を堆積させた場合にも、第３図において、一層構成の
光受容部材で説明した支持体表面での正反射光と、光受
容層表面での反射光との干渉の他に、各層間の界面での
反射光による干渉が加わるため、一層構成の光受容部材
の干渉縞模様発現度合より一層複雑となる。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、前述の欠点を解消した光に感受性のあ
る新規な光受容部材を提供することである。

本発明の別の目的は、可干渉性単色光を用いる画像形成
に適すると共に製造管理が容易である光受容部材を提供
することである。

本発明の更に別の目的は１画像形成時に現出する干渉縞
模様と反転現像時の斑点の現出を同時にしかも完全に解
消することができる光受容部材を提供することでもある
。

本発明のもう１つの別の目的は、電気的耐圧性及び光感
度が高く、電子写真特性に優れた光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の更にもう１つの目的は、濃度が高く、ハーフト
ーンが鮮明に出て且つ解像度の高い、高品質画像を得る
ことが出来る電子写真用に適した光受容部材を提供する
ことでもある。

本発明の他の目的は、光受容部材の表面における機械的
耐久性、特に耐摩耗性及び光受容性に優れた光受容部材
を提供することでもある。

〔発明の概要〕

本発明は、所定の切断位置での断面形状が主ピークに副
ピークが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形
成されている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原
子とを含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコ
ン原子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２
の層と、シリコン原子と炭素原子を含む非晶質材料から
なる表面層とが支持体側キリ順に設けられた多層構成の
光受容層とを有しており、前記光受容層は、酸素原子、
炭素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種
を含有する事を複数有する。

以下、本発明を図面に従って具体的に説明する。

第６図は、本発明の基本原理を説明するための説明図で
ある。

本発明は装置の要求解像力よりも微小な凹凸模状を有す
る支持体（不図示）上に、その凹凸の傾斜面に沿って多
層構成の光受容層を有し、該光受容層は第６図の一部に
拡大して示されるように、第２層６０２の層厚がｄｚか
らｄ６と連続的に変化している為に、界面６０３と界面
８０４とは互いに傾向きを有している。従って、この微
小部分（ショートレンジ）ｌに入射した可干渉性光は該
微小部分！に於て干渉を起し、微小な干渉縞模様を生ず
る。

又、第７図に示す様に第１Ｒ７０１と第２層７０２の界
面７０３と第２層７０２の自由表面７０４とが非平行で
あると、第７図の（Ａ）に示す様に入射光１０に対する
反射光Ｒ１と出射光Ｒ３とはその進行方向が互いに異る
為、界面７０３と７０４とが平行な場合（ｗ４７図のｒ
　（Ｂ）　Ｊ　）に比べて干渉、の度合が減少する。

従って、第７図の（Ｃ）に示す様に、一対の界面が平行
な関係にある場合（ｒ　（Ｂ）　Ｊ　）よりも非平行な
場合（ｒ　（Ａ）　Ｊ　）は干渉しても干渉縞模様の明
暗の差が無視し得る程度に小さくなる。

その結果、微小部分の入射光量は平均化される。

このことは、第６図に示す様に第２層６０２の層厚がマ
クロ的にも不均−Ｃｄｔ　袴ｄａ　）であっても同様に
云える為、全層領域に於て入射光量が均一になる（第６
図のｒ　（Ｄ）Ｊ参照）。

また、光受容層が多層構成である場合に於いて照射側か
ら第２層まで可干渉性光が透過した場合に就いて本発明
の効果を述べれば、第８図に示す様に、入射光１ｏに対
して、反射光ＲＩ　Ｊ２　、Ｒ２Ｈ，、Ｒ５が存在する
。その為各々の暦で第７図を似って前記に説明したこと
が生ずる。

従って、光受容層全体で考えると干渉は夫々の層での相
乗効果となる為、本発明によれば、光受容層を構成する
層の数が増大するにつれ、より一層干渉効果を防止する
ことが出来る。

又、微小部分内に於て生ずる干渉縞は、微小部分の大き
さが照射光スポット径より小さい為、即ち、解像度限界
より小さい為、画像に現われることはない、又、仮に画
像に現われているとしても眼の分解能以下なので実質的
には同等支障を生じない。

本発明に於いて、凹凸の傾斜面は反射光を一方向へ確実
に揃える為に、鏡面仕上げとされるのが望ましい。

本発明に適した微小部分の大きさｌ（凹凸形状の一周期
分）は、照射光のスポット径をＬとすれば、ｌ≦Ｌであ
る。

又本発明の目的をより効果的に達成する為には微小部分
ｌに於ける層厚の差（ｄｓ　−ｄｂ　）は、照射光の波
長を入とすると、入（ｎ：第２！８０２ｃＦ）屈折率）であるのが望ましい。

本発明に於ては、多層構造の光受容層の微小部分ｌの層
厚内（以後「微小カラム」と称す）に於て、少なくとも
いずれか２つの層界面が非平行な関係にある様に各層の
層厚が微小カラム内に於て制御されるが、この条件を満
足するならば該微小カラム内にいずれか２つの層界面が
平行な関係にあっても良い。

但し、平行な層界面を形成する層は、任意の２つの位置
に於ける層厚の差が λ 以下である様に全領域に於て均一層厚に形成されるのが
望ましい。

光受容層を構成する第１の層、第２の層各層の形成には
本発明の目的をより効果的且つ容易に達成する為に１層
厚を光学的レベルで正確に制御できることからプラズマ
気相法（ＰＣＶＤ法）、光ＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法が採用
される。

本発明の目的を達成するための支持体の加工方法として
は、化学エツチング、電気メッキなどの化学的方法、蒸
着、スパッタリングなどの物理的方法、旋盤加工などの
機械的方法などを利用できる。しかし、生産管理を容易
に行うために、旋盤などの機械的加工方法が好ましいも
のである。

たとえば、支持体を旋盤で加工する場合、７字形状の切
刃を有するバイトをフライス盤、旋盤等の切削加工機械
の所定位置に固定し、例えば円筒状支持体を予め所望に
従って設計されたプログラムに従って回転させながら規
則的に所定方向に移動させることにより、支持体表面を
正確に切削加工することで所望の凹凸形状、ピッチ、深
さで形成される。この様な切削加工法によって形成され
る凹凸が作り出す線状突起部は、円筒状支持体の中心軸
を中心にした螺旋構造を有する。突起部の螺旋構造は、
二重、三重の多重螺旋構造、又は交叉螺旋構造とされて
も差支えない。

或いは、螺旋構造に加えて中心軸に沿った直線構造を導
入しても良い。

本発明の支持体の所定断面内の凸部は、本発明の効果を
高めるためと、加工管理を容易にするために、一次近似
的に同一形状とすることが好ましい。

又、前記凸部は、本発明の効果を高めるために規則的ま
たは、周期的に配列されていることが好ましい、又、更
に、前記凸部は、本発明の効果を一層高め、光受容層と
支持体との密着性を高めるために、副、ピークを複数布
することが好ましい。

これ等の夫々に加えて、入射光を効率よく一方向に散乱
するために、前記凸部が主ピークを中心に対称（第９図
（Ａ））または非対称形（第９図（Ｂ））に統一されて
いることが好ましい、しかし、支持体の加工管理の自由
度を高める為には両方が混在しているのが良い。

本発明における支持体の所定の切断位置とは、例えば円
筒の対称軸を有する支持体であって、その対称軸を中心
とする螺旋状構造の凸部が設けられている支持体におい
ては、該対称軸を含む任意の面をいい、また例えば、板
状等の平面を有する支持体におていは、支持体上に形成
されている複数の凸部の最低２つを横断する面を言うも
のとする。

本発明に於ては、管理された状態で支持体表面に設けら
れる凹凸の各ディメンジョンは、以下の点を考慮した上
で、本発明の目的を結果的に達成出来る様に設定される
。

即ち、第１は光受容層を構成するａ−Ｓｉ層は、層形成
される表面の状態に構造敏感であって、表面状態に応じ
て層品質は大きく変化する。

従って、ａ−Ｓｉ層の層品質の低下を招来しない様に支
持体表面に設けられる凹凸のディメンジョンを設定する
必要がある。

第２には光受容層の自由表面に極端な凹凸があると、画
像形成後のクリーニングに於てクリーニングを完全に行
なうことが出来なくなる。

また、ブレードクリーニングを行う場合、プレートのい
たみが早くなるという問題がある。

上記した層堆積上の問題点、電子写真法のプロセス上の
問題点および、干渉縞模様を防ぐ条件を検討した結果、
支持体表面の凹部のピッチは、好ましくは５００鱗〜０
．３ｇ、より好ましくは２０〇−〜１　ｐａ　、最適に
は５０−〜５μｓであるのが望ましい。

又、凹部の最大の深さは、好ましくは０．１ｇ〜５鱗、
より好ましくは０．３Ｊｌ１１〜３−９最適には０．８
−〜２μｓとされるのが望ましい、支持体表面の凹部の
ピッチと最大深さが上記の範囲にある場合、凹部（又は
線上突起部）の傾斜面の傾きは。

好ましくは１度〜２０度、より好ましくは３度〜１５度
、最適には４度〜１０度とされるのが望ましい。

又、この様な支持体上に堆積される各層の層厚の不均一
性に基く層厚差の最大は、同一ピッチ内で好ましくは０
．１μ〜２鱗、より好ましくは０．１−〜１．５ｇ、最
適には０．２−〜１牌とされるのが望ましい。

さらに本発明の光受容部材における光受容層はシリコン
原子とゲルマニウム原子とを含む非晶質材料で構成され
た第１の層とシリコン原子を含む非晶質材料で構成され
、光導電性を示す第２の層とシリコン原子と炭素原子と
を含む表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成
となっており優れた電気的、光学的、光導電的特性、電
気的耐圧性及び使用環境特性を示す。

殊に、電子写真用光受容部材として適用させた場合には
、画像形成への残留電位の影響が全くなく、その電気的
特性が安定しており高感度で、高ＳＮ比を有するもので
あって、耐光疲労、繰返し使用特性に長け、濃度が高く
、ハーフトーンが鮮明に出て、且つ解像度の高い、高品
質の画像を安定して繰返し得ることができる。

更に１本発明の光受容部材は、全可視光域に於いて光感
度が高く、また、特に長波長側の光感度特性に優れてい
るため殊に半導体レーザとのマツチングに優れ、且つ光
応答が速い。

本発明の光受容部材において、第２の層上に設けられる
シリコン原子と炭素原子を含む非晶質材料からなる表面
層には、機械的耐久性に対する保護層としての働き、お
よび、光学的には１反射防止層としての働きを主に荷わ
せることが出来る。

上記表面層は、次の条件を満たす時１反射防止層として
の機能を果すのに適している。

即ち、表面層の屈折率ｎ、層厚をｄ、入射光の波長をλ
とすると、の時、又は、その奇数倍のとき１表面層は、反射防止層
として適している。

又、第２の層の屈折率をｎｉｋとした場合、表面層の屈
折率ｎが。

ｎ＝ｒｎ。

す時１表面層は１反射防止層として最適である。

ａ−９ｉ：Ｈを第２の層として用いる場合、ａ−Ｓｉ：
Ｈの屈折率は、約３．３であるので１表面層としては、
屈折率１．８２の材料が適している。

ａ−ＳｉＣ：Ｈは、Ｃの量を調整することにより、この
ような値の屈折率とすることが出来、かつ、機械的耐久
性、居間の密着性、及び電気的特性も十分に満足させる
ことが出来るので１表面層の材料としては最適なもので
ある。

また表面層を１反射防止層としての役割に重点を置く場
合には、表面層の層厚としては、０．０５〜２１１８と
されるのがより望ましい。

以下１図面に従って、本発明の光受容部材に就いて詳細
に説明する。

第１０図は、本発明の実施態様例の光受容部材の層構成
を説明するために模式的に示した模式的構成図である。

第１０図に示す光受容部材１００４は、光受容部材用と
しての支持体１００１の上に、光受容層１０００を有し
、該光受容層１０００は自由表面１００５を一方の端面
に有している。

光受容層１０００は支持体１００１側よりゲルマニウム
原子と、必要に応じて水素原子又は／及び／＼ロゲン原
子（Ｘ）とを含有するａ−９ｉ（以後ｒａ−５ｉＧｅ　
（Ｈ、Ｘ）　Ｊと略記する）で構成された第１の層（Ｇ
）　１００２と、必要に応じて水素原子又は／及びハロ
ゲン原子（Ｘ）とを含有するａ−Ｓｉ（以後ｒａ−９ｉ
（Ｈ，Ｘ）Ｊと略記する）で構成され、光導電性を有す
る第２のｊｌ　（Ｓ）　１００３とシリコン原子と炭素
原子とを含む非晶質材料からなる表面層１００８とが順
に積層された層構造を有する。

第１０図に示される光受容部材１００４においては、第
２のＪｉ！）　１００３上に形成される表面層１００Ｂ
は、自由表面を有し、主に耐湿性、１！１ｍ繰返し使用
特性、電気的耐圧性、機械的耐久性、光受容特性におい
て、本発明の目的を達成する為ら設けられる。

本発明に於ける表面層１００Ｂは、シリコン原子（Ｓｉ
）と炭素原子（Ｃ）と、必要に応じて水素原子（Ｈ）及
び／又はハロゲン原子（Ｘ）とを含む非晶質材料（以後
、’　ａ−（Ｓｉ、１ｃ、　−１１）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　
ｒ−ｙ　Ｊと記す、但し、０＜　！、ｙ＜　１）で構成
される。

ａ−（Ｓｉｘｃｌ　＋ｌｊ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙ
で構成される表面層１００Ｂの形成はグロー放電法のよ
うなプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）、あルイは光ＣＶＤ
法、熱ＣＶＤ法。

スパッタリング法、エレクトロンビーム法等によって成
される。これ等の製造法は、製造条件、設備資本投下の
負荷程度、製造規模、作製される光導電部材に所望され
る特性等の要因によって適宜選択されて採用されるが、
所望する特性を有する光導電部材を製造するための作製
条件の制御が比較的容易である、シリコン原子と共に炭
素原子及びハロゲン原子を、作製する表面層１００Ｂ中
に導入するのが容易に行える等の利点から、グロー放電
法或いはスパッタリング法が好適に採用される。

更に、本発明に於いては、グロー放電法とスパッタリン
グ法とを同一装置系内で併用して表面層１００Ｂ形成し
てもよい。

グロー放電法によって表面層１００Ｂを形成するには、
ａ−（ｓｔＸ　ｃｌ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙ
形成用の原料ガスを、必要に応じて稀釈ガスと所定量の
混合比で混合して、支持体の設置しである堆積室に導入
し、導入されたガスをグロー放電を生起させることによ
りガスプラズマ化して、前記支持体に既に形成されであ
る第１から第２の層（■）上にａ−（ＳＬ＋　Ｃｔ　−
ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙを堆積させれば良い。

本発明に於いテ、ａ−（Ｓｉｘ　Ｃ１−Ｘ　）ｙ　（Ｈ
，り　＋−ｙ形成用の原料ガスとしては、シリコン原子
（Ｓｉ）、炭素原子（Ｃ）、水素原子（Ｈ）及びハロゲ
ン原子（Ｘ）の中の少なくとも一つをその構成原子とし
て含有するガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用され得る。

Ｓｉ、　Ｃ、Ｈ、Ｘの中の一つとしてＳｉを構成原子と
する原料ガスを使用する場合には、例えば、Ｓｉを構成
原子とする原料ガスと、Ｃを構成原子とする原料ガスと
、必要に応じてＨを構成原子とする原料ガス及び／又は
Ｘを構成原子とする原料ガスとを所望の混合比で混合し
て使用するか、又はＳｉを構成原子とする原料ガスと、
Ｃ及びＨを構成原子とする原料ガス及び／又はＣ及びＸ
を構成原子とする原料ガスとをこれも又、所望の混合比
で混合するか、或いは、Ｓｉを構成原子とする原料ガス
と、Ｓｉ、　ＣおよびＨの３つを構成原子とする原料ガ
ス又はＳｉ、　ＣおよびＸの３つを構成原子とする原料
ガスとを混合して使用することができる。

又、別には、ＳｉとＨとを構成原子とする原、料ガスに
、Ｃを構成原子とする原料ガスを混合して使用しても良
いし、ＳｉとＸとを構成原子とする原料ガスにＣを構成
原子とする原料ガスを混合して使用してもよい。

本発明に於いて１表面層１００ｅ中に含有されるハロゲ
ン原子（Ｘ）として好適なものは、Ｆ、α、Ｂｒ、　Ｉ
であり、殊にＦ、αが望ましいものである。

本発明に於いて、表面層１００８を形成するのに有効に
使用される原料ガスと成り得るものとしては、常温常圧
に於いてガス状態のもの又は容易にガス化し得る物質を
挙げることができる。

本発明に於いて、表面層１００Ｂ形成用の原料ガスとし
て有効に使用されるのは、ＳｉとＨとを構成原子とする
５ｆＨ４，Ｓ＋２Ｈ（、、５ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ１６等
のシラン（Ｓ　ｉ　１ａｎｅ）類等の水素化硅素ガス、
ＣとＨとを構成原子とする、例えば炭素原子数１〜４の
飽和炭化水素、炭素数２〜４のエチレン系炭化水素、炭
素数２〜３のアセチレン系炭化水素、ハロゲン単体、ハ
ロゲン化水素、ハロゲン間化合物、ハロゲン化硅素、ハ
ロゲン置換水素化硅素、水素化硅素等を挙げることがで
きる。具体的には、飽和炭化水素としては、メタン（Ｃ
Ｈａ）、エタン（Ｃ２Ｈ４）、　　プロパンＣＣ５Ｈｔ
ｓ　）　、　ｎ−ブタン（ＩＩ−ＣａＨ＋。

）、ペンタン（ＣｓＨｔｚ）、エチレン系炭化水素とし
ては、１５−レフ　（Ｃ２Ｈ４）　、プロピレン（ｃ３
Ｈ，、）、ブテン−１（Ｃ４Ｈ８）　、ブテン−２（０
４Ｈ８）　、イソブチレン（ＧＪｅ　）　、ペンテン（
ＣｓＨｔ。）、アセチレン系炭化水素としては、アセチ
レン（Ｃ２）１２）、メチルアセチレン（０３Ｈ４）、
ブチン（Ｃ４Ｈ６）　、ハロゲン単体としては、フッ素
、塩素、臭素、ヨウ素のハロゲンガス、ハロゲン化水素
としては、　ＦＨ，ＨＩ。

Ｈα、ＨＢｒ　、ハロゲン間化合物としては、ＢｒＦ、
αＦ、ＣＦ３、ＣＦ５、ＢｒＦ５．　ＢｒＦ３、ＩＦ、
、　ＩＦ５゜Ｉα、ＩＢｒ　、ハロゲン化硅素としては
ＳｉＦ４、Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα３Ｂｒ　、　Ｓｉα
２ＢＴ？、　５ｉＣＩＢｒ３　、　Ｓｉα３ＩＳｉＢｒ
４．ハロゲン置換水素化硅素としては、ＳｉＨ２Ｆ２　
、　ＳｉＨ２［１２，５ｉＨＣ１３、５ｉＨ３Ｃ１，５
ｉＨ３Ｂｒ。

５ｉＨ２Ｂｒ２　、５ｉＨＢｒ３水素化硅素としては、
５ｉ）Ｉ４．５ｉ２ＨＢ　、　５ｉ３Ｈ６、５ｉ４Ｈ１
６等のシラｙ　（Ｓｉｌａｎｅ）類１等々を挙げること
ができる。

これ等の他に、　ＣＦ４、　Ｃα４　、　ＣＢｒ４、Ｃ
ＨＦ３、ＧＨ２Ｆ？　、　Ｃ；Ｈ３Ｆ、　ＣｈＣｊ　、
　ＣＨ３Ｂｒ　、　ＣＨ３１，ＣｚＨｓＣｌ等のハロゲ
ン置換パラフィン系ｙ化水素、ＳＦ４、ＳＦ６等（Ｆ）
　７−／素化硫黄化合物；　５ｉ（ＣＨ３）ｎ　。

５ｉ（Ｃ２Ｈｓ）ａ等のケイ化アルキルやＳｉα（ＣＨ
３）３、Ｓｉα２（ＣＨ３）２　、　Ｓｉα３ｃ　Ｈ３
等のハロゲン含有ケイ化アルキル等のシラン誘導体も有
効なものとして挙げることができる。

これ等の表面層１００８形成物質は、形成される表面層
１００Ｂ中に、所定の組成比でシリコン原子、炭素原子
及びハロゲン原子と必要に応じて水素原子が含有°され
る様に、表面層１００８の形成の際に所望に従って選択
されて使用される。

例えば、シリコン原子と炭素原子と水素原子との含有が
容易に成し得て、且つ所望の特性の層が形成され得るＳ
ｉ（ＣＨ３）４と、ハロゲン原子を含有させるものとし
てのＳｉＨα３　、　ＳｉＨ２α２、Ｓｉα４或いは、
ＳｉＨ３α等を所定の混合比にしてガス状態で表面層１
００Ｂ形成用の装置内に導入してグロー放電を生起させ
ることによってａ−（ＳｉＸＣ，−）ｌ　）ｙ　（α十
〇）ｔ−ｙから成る表面層１００Ｂを形成することがで
きる。

スパッタリング法によって表面層１００Ｂを形成するに
は、単結晶又は多結晶のＳｉウェーハー又はＣウェーハ
ーあるいはＳｉとＣが混合されて含有されているウェー
ハーをターゲットとして、これらを必要に応じてハロゲ
ン原子又は／及び水素原子を構成要素として含む種々の
ガス雰囲気中でスパッタリングすることによって行えば
よい。

例えば、Ｓｉウェーハーをターゲットとして使用すれば
、Ｃと、Ｈ及び／又はＸを導入するための原料ガスを、
必要に応じて稀釈して、スパッター用の堆積室中に導入
し、これらのガスのガスプラズマを形成して前記Ｓｉウ
ェーハーをスパッタリングすれば良い。

また、別法としては、ＳｉとＣとは別々のターゲットと
して、又はＳｉとＣの混合した一枚のターゲットを使用
することによって、必要に応じて水素原子又は／及びハ
ロゲン原子を含有するガス雰囲気中でスパッタリングす
ることによって成される。ｃ、Ｈ及びＸの導入用の原料
ガスとなる物質としては、先述したグロー放電の例で示
した表面層１００６形成用の物質がスパッタリング法の
場合にも有効な物質として使用され得る。

本発明に於いて、表面層１００８をグロー放電法又はス
パッタリング法で形成する際に使用される稀釈ガスとし
ては、所謂・希ガス、例えばＨｅ、　Ｍｅ、Ａｒ等が好
適なものとして挙げることができる。

本発明に於ける表面層１００８は、その要求される特性
が所望通りに与えられる様に注意深く形成される。

即ち、Ｓｉ、　Ｃ、必要に応じてＨ又は／及びＸを構成
原子とする物質は、その作成条件によって構造的には結
晶からアモルファスまでの形態を取り、電気物性的には
、導電性から半導体性、絶縁性までの間の性質を、又光
導電的性質から非光導電的性質を各々示すので本発明に
おいては、目的に応じた所望の特性を有するａ−（Ｓｉ
、　（ｓ　−）ｌ　）ｙ　（Ｈｌ、Ｘ）ｔ−ｙが形成さ
れる様に。

所望に従ってその作成条件の選択が厳密に成される０例
えば、表面層１００Ｂを電気的耐圧性の向上を主な目的
として設ける場合には。

ａ−（Ｓｉｘ　ｃ、　−）ｌ　）ｖ　（Ｈ，Ｘ）、１−
　ｙ　（＊使用１１”ｌ［ニ於（１’　導電５に絶縁性
的挙動の顕著な非晶質材料として作成される。

又、連続繰返し使用特性や使用環境特性の向上を主たる
目的として表面層１００８が設けられる場合には上記の
電気絶縁性の度合はある程度緩和され、照射される光に
対しである程度の感度を有する非晶質材料としてａ−（
Ｓｉｘ　Ｃｔ　−Ｘ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙが作成
される。第２の層１００３の表面上にａ−（ＳｉｘＣ，
−）Ｉ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｓ−ｙから成る表面層１０
０Ｂを形成する際、層形成中の支持体温度は、形成され
る層の構造及び特性を左右する重要な因子の一つであっ
て、本発明においては、目的とする特性を有するａ−（
Ｓｉｘ　Ｃ，＋ｇ　）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｓ−ｙが所望通
りに作成され得る様に層作成時の支持体温度が厳密に制
御されるのが望ましい。

本発明に於ける。所望の目的が効果的に達成されるため
の表面層１００８の形成法に併せ゛て適宜最適範囲が選
択されて、表面層１００Ｂの形成が実行されるが、好ま
しくは２０〜４００℃より好適には５０〜３５０℃、最
適には１００〜３００℃とされるのが望ましいものであ
る０表面層１００８の形成には、層を構成する原子の組
成比の微妙な制御が他の方法に比べて比較的容易である
事等のために、グロー放電法やスパッタリング法の採用
が有利であるが、これ等の層形成性で表面層１００８を
形成する場合には、前記の支持体温度と同様に層形成の
際の放電パワーが作成されるａ−（ＳｉｘＣ，−）ｌ　
）ｙ　（Ｈ，Ｘ）　ｔ−ｙの特性を左右する重−な因子
の一つである。

本発明に於ける目的が効果的に達成されるための特性を
有するａ−（Ｓｉｘ　Ｃ，＋）Ｉ　）ｙ　（Ｈ＋　Ｘ）
　ｔ−ｙが生産性良く効果的に作成されるための放電パ
ワー条件としては、好ましくはｌＯ〜ｔｏｏｏｗ、より
好適には２０〜７５０Ｗ、最適には５０〜８５０Ｗとさ
れるのが望ましいものである。

堆積室内のガス圧としては、好ましくは０．Ｏ１〜ＩＴ
ｏｒｒ、好適には、　　０．１〜０．５Ｔｏｒｒ程度と
されるのが望ましい。

本発明に於いては表面層１００Ｂを作成するための支持
体温度、放電パワーの望ましい数値範囲として前記した
範囲の値が挙げられるが、これ等の暦作成ファクターは
、独立的に別々に決められるものでなく、所望特性のａ
−（ＳｉＸＣ，−）ｌ　）ｙ　（Ｈ＋　Ｘ）　ｔ−ｙか
ら成る表面層１００Ｂが形成されるように相互的有機的
関連性に基づいて各層作成ファクターの最適値が決めら
れるのが望ましい。

本発明の光導電部材に於ける表面ｊｉｉｉ）　１００Ｂ
に含有される炭素原子の量は１表面層１００Ｂの作成条
件と同様１本発明の目的を達成する所望の特性が得られ
る表面層１００Ｂが形成される重要な因子の一つである
。

本発明に於ける表面層１００Ｂに含有される炭素原子の
量は、表面層１００Ｂを構成する非晶質材料の種類及び
その特性に応じて適宜所望に応じて決められるものであ
る。

即ち、前記一般式ａ−（Ｓｉｗ　Ｃ１−）ｌ　）ｙ　（
ｎ、　Ｘ）　ｔ−ｙで示される非晶質材料は、大別する
と、シリコン原子と炭素原子とで構成される非晶質材料
（以後。

ｒ　ａ−９ｉ、Ｃ＠−亀Ｊと記す、但し、Ｏ＜　ａ＜　
　１）　、シリコン原子と炭素原子と水素原子とで構成
される非晶質材料（以後、ｒ　ａ−（Ｓｉｂ　ｃｌ　−
ｂ　）ｅ　Ｈｔ　−ｅ　Ｊと記す、但し、Ｏ＜　ｂ、　
ｃ　＜　１）　、シリコン原子と炭素原子とハロゲン原
子と必要に応じて水素原子とで構成される非晶質材料（
以後、’ａ−（ＳｉｉＣｔ−ａ）ｅ（Ｈ，Ｘ）ｌ−＠　
Ｊと記す、但し、Ｏ＜ｄ、ｅ＜１）に分類される。

本発明に於いて、表面層１００Ｂがａ−Ｓｉ、、Ｃ１−
＠で構成される場合、表面層１００Ｂに含有される炭素
原子の量は、好ましくは、Ｉ　Ｘ　１０’　〜９０ａｔ
ｏｍｉｃ％、より好適には１〜８０ａｔｏｓ＋ｃ％、最
適には１０〜７５ａｔｏｓ＋ｉｃ％とされるのが望まし
いものである。即ち、先のａ−５ｉ＠Ｃｌ−＠のａの表
示で行えば、ａが好ましくは０．１〜０．ｌ３９Ｈｉ９
、より好適には０．２〜０．８９、最適には０．２５〜
０．９である。

一方、本発明に於いて、表面層１００Ｂがａ−（Ｓｉｂ
Ｃｔ−ｂ）ｅＨｔ−ｅで構成される場合、表面層１００
Ｂに含有される炭素原子の量は、好ましくはｔｘ１Ｇ’
　〜９０ａｔｏｍｉｃ％とされ、より好ましくは　１〜
９０ａｔｏ履ｉｃ％、最適にはｌＯ〜８０ａｔｏ■ｉｃ
％とされるのが望ましいものである。水素原子の含有量
としては、好ましくは１〜４０ａｔｏ■ｉｃ％、より好
ましくは２〜３５ａｔｏｍｉｃ％、最適には５〜３０ａ
ｔｏｍｉｃ％とされるのが望ましく、これ等の範囲に水
素含有量があ１　　る場合に形成される光受容部材は、
実際面に於いて優れたものとして充分適用させ得る。

即ち、先（７３ａ−（Ｓｉｂ　Ｃｔ　−ｂ　）ｅ　Ｈｔ
−ｅの表示で行えば、ｂが好ましくは０．１〜０ＪＨ９
９，より好適には０．１〜Ｇ、９９．最適には０．１５
〜Ｇ、９．　ｃが好ましくは０．８〜０．９９．より好
適には０．８５〜０．９８、最適には０．７〜０．９５
であるのが望ましい。

表面層１００Ｂが、ａ−（ＳｉｉＣｔ−ａ）＊（Ｈ，Ｘ
）ｔ−ｓ　テ構成される場合には、表面層１００Ｂ中に
含有される炭素原子の含有量としては、好ましくは、　
ｌＸｌ０’〜９０ａｔｏ１ｃ％、より好適には１−ｗ９
０ａｔｏｍｉｃ％、最適にはｌＯ〜８０ａｔｏ■ｉｃ％
とされるのが望ましいものである。ハロゲン原子の含有
量としては、好ましくは、　１〜２０ａｔｏｍ＋ｃ％と
されるのが望ましく、これ等の範囲にハロゲン原子含有
量がある場合に作成される光受容部材を実際面に充分適
用させ得るものである。必要に応じて含有される水素原
子の含有量としては、好ましくは１９ａｔｏｍｉｃ％以
下、より好適には１３ａｔｏ■ｉｃ％以′下とされるの
が望ましいものである。

即ち、先ノａ−（ＳｉａＣｔ　−ｉ）＊　（Ｈ，Ｘ）　
ｔ−ｅのｄ、　ｅ　ｆ）表示で行えば、ｄが好ましくは
、０．１〜０．９Ｈ９１より好適には０．１〜０．８９
、最適には０．１５〜０．８゜ｅが好ましくは０．８〜
Ｇ、８９、より好適には０．８２〜Ｏ，ＳＳ、最適には
０．８５〜０．９８であるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００Ｂの層厚の数値範囲は、本
発明の目的を効果的に達成するための重要な因子の一つ
である。

本発明の目的を効果的に達成する様に、所期の目的に応
じて適宜所望に従って決められる。

又、表面層１００６の層厚は、該層中に含有される炭素
原子の量や第１から第２の層の層厚との関係に於いても
、各々の暦に要求される特性に応じた有機的な関連性の
下に所望に従って適宜決定される必要がある。

更に加え得るに、生産性や量産性を加味した経済性の点
においても考慮されるのが望ましい。

本発明に於ける表面層１００Ｂの層厚としては、好まし
くは０゜００３〜３０鱗、より好適には０．００４〜２
０−１最適には０．００５〜１０鱗とされるのが望まし
いものである。

第１の層（Ｇ）　１００２中に含有されるゲルマニウム
原子は、該第１の暦（Ｇ）　１００２の層厚方向及び支
持体の表面と平行な面内方向に連続的であって、且つ均
一な分布状態となる様に前記第１の層（Ｇ）１００２中
に含有される。

本発明に於いては、第１の暦（Ｇ）上に設けられる第２
の層（Ｓ）中には、ゲルマニウム原子は含有されておら
ず、この様な層構造に光受容層を形成することによって
、可視光領域をふくむ比較的短波長から比較的短波長迄
の全領域の波長の光に対して光感度が優れている光受容
部材として得るものである。

又、第１の層（Ｇ）中に於けるゲルマニウム原子の分布
状態は全層領域にゲルマニウム原子が連続的に分布して
いるので、半導体レーザ等を使用した場合の、第２の層
（Ｓ）では殆ど吸収しきれない長波長側の光を第１の暦
（Ｇ）に於いて、実質的に完全に吸収することが出来、
支持体面からの反射による干渉を防止することが出来る
。

又、本発明の光受容部材に於いては、第１の暦（Ｇ）と
第２の層（Ｓ）とを構成する非晶質材料の夫々がシリコ
ン原子という共通の構成要素を有しているので積層界面
に於いて化学的な安定性の確保が充分酸されている。

本発明において、第１の層ＣＧ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量としては、本発明の目的が効果的に
達成される様に所望に従って適宜法められるが、好まし
くは１〜Ｌ５Ｘ　１０５１０５ａｔｏ　ｐｐｍ、、より
好ましくはｔｏｏ〜ａｘｔｏ’ａｔｏｍｉｃ　ｐｐｍと
されるのが望ましし１゜本※明に於いて第１の層（Ｇ）
と第２の暦（Ｓ）との層厚は、本発明の目的を効果的に
達成させる為の重要な因子の１つであるので形成される
光受容部材に所望の特性が充分与えられる様に、光受容
部材の設計の際に充分なる注意が払われる必要がある。

本発明に於いて、第１の層ＣＧ）の層厚Ｔ１は。

好ましくは３０Ａ〜５０％、より好ましくは、４０Ａ〜
４０ＩＬ、最適には、５０Ａ〜３０終とされるのが望ま
しい。

又、第２の層（Ｓ）の層厚Ｔは、好ましくは０．５〜９
０ＪＬ、より好ましくは１〜８０勝最適には２〜５０Ｉ
Ｌとされるのが望ましい。

第１の層ＣＧ）の層厚■８と第２の層（Ｓ）の層厚Ｔの
和（丁ｌ＋”ｒ）としては１両層領域に要求される特性
と光受容層全体に要求される特性との相互間の有機的関
連性に基いて、光受容部材の層設計の際に所望に従って
、適宜決定される。

本発明の光受容部材に於いては、上記の（ｒｌｌ＋Ｔ）
の数値範囲としては、好ましくは１−１００ル、より好
適には１〜８０終、最適には２〜５０路とされるのが望
ましい。

本発明のより好ましい実施態様例に於いては、上記の層
厚■８及び層厚Ｔとしては、好ましくはＴ、　／　Ｔ≦
ｌなる関係を満足する際に、夫々に対して適宜適切な数
値が選択されるのが望ましい。

上記の場合に於ける層厚Ｔ、及び層厚Ｔの数値の選択に
於いて、より好ましくは、Ｔ、　／　Ｔ≦０．８．最適
にはＴ、　／　Ｔ≦０．８なる関係が満足される様に層
厚■８及び層厚Ｔの値が決定されるのが望ましいもので
ある。

本発明に於いて、第１の層（Ｇ）中に含有されるゲルマ
ニウム原子の含有量が１Ｘｌｏ’　　ａｔｅ■ｉｃｐｐ
ｍ以上の場合には、第１の暦（Ｇ）の層厚ｒ＝としては
、可成り薄くされるのが望ましく、好ましくは３０ＩＬ
以下、より好ましくは２５井以下、最適には２０ＪＬ以
下とされるのが望ましい。

本発明において、光受容層を構成する第１の層（Ｇ）及
び第２の層（Ｓ）中に必要に応じて含有されるハロゲン
原子（Ｘ）としては、具体的には、フッ素、塩素、臭素
、ヨウ素が挙げられ、殊にフッ素、塩素を好適なものと
して挙げることが出来る。

本発明においテ、　ａ−ＳｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）で構成さ
れる第１の層（Ｇ）を形成するには例えばグロー放電法
、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法等
の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０例
えば、グロー放電法にょうて、ａ−９ｉ　Ｇｅ　（Ｈ＋
　Ｘ　）　テ構成される第１の層（Ｇ）を形成するには
、基本的には、シリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｉ
供給用の原料ガスとゲルマニウム原子（Ｇｅ）を供給し
得るＧｅ供給用の原料ガスと必要に応じて水素原子（Ｈ
）導入様の原料ガス又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入
用の原料ガスを、内部が減圧にし得る堆積室内に所望の
ガス圧状態で導入して、該堆積室内にグロー放電を生起
させ、予め所定位置に設置されである所定の支持体表面
上に含有されるゲルマニウム原子の分布濃度を所望の変
化率曲線に従って制御し乍らａ−９ｉＧｅ（Ｈ，Ｘ）か
ら成る層を形成させれば良い、又、スパッタリング法で
形成する場合には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又
はこれ等のガスをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳ
ｉで構成されたターゲットとＧｅで構成されたターゲッ
トの二枚を使用して、又はＳｉとＧｅの混合されたター
ゲットを使用してスパッタリングする際、必要に応じて
水素原子（Ｈ）又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の
ガスをスパッタリング用の堆積室に導入してやれば良い
。

本発明におい、て使用されるＳｉ供給用の原料ガスと成
り得る物質としては、５ｉ）ｉｎ　、　Ｓ＋２Ｈ６。

５ｉ３Ｈａ　＋　５ｉ４Ｈｔｏ等のガス状態の又ガス化
し得る水素化硅素（シラン類）が有効に使用されるもの
として挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ、Ｓ
Ｌ供給効率の良さ等の点でＳｉＨ４，５ｉ２Ｈｂ　＋が
好ましいものとして挙げられる。

Ｇｅ供給用の原料ガスと成り得る物質としては、Ｇｌ！
１４　＊　Ｇｅ２Ｈ６ｅ　Ｇｅ３Ｈ８ｖ　Ｇｅ４Ｈ１０
＊　Ｇｅ５Ｈ１２ｍＧｌ！＆Ｈ１４ｅ　Ｇａ７Ｈ１６１
Ｇｅ８）１１８　ｔ　ＧＩＩ９Ｈ２Ｇ等のガス状態の又
はガス化し得る水素化ゲルマニウムが有効に使用される
ものとして挙げられ、殊に、層作成作業時の取扱い易さ
、Ｇｅ供給効率の良さ等の点で、ＧｅＨ４、Ｇｅ２Ｈ６
、Ｇｅ３Ｈ６が好ましいものとして挙げられる。

本発明において使用されるハロゲン原子導入用の原料ガ
スとして有効なのは、多くのハロゲン化合物が挙げられ
、例えばハロゲンガス、ハロゲン化物、ハロゲン間化合
物、ハロゲンで置換されたシラン誘導体等のガス状態の
又はガス化し得るＩ＼ロゲン化合物が好ましく挙げられ
る。

又、更には、シリコン原子とハロゲン原子とを構成要素
とするガス状態の又はガス化し得る、ノ＼ロゲン原子を
含む水素化硅素化合物も有効なものとして本発明におい
ては挙げることが出来る。

本発明において好適に使用し得るハロゲン化合物として
は、具体的には、フッ素、塩素、臭素。

ヨウ素ノハロゲンガス、ＢｒＦ、αＦ、αＦ３．ＢｒＦ
５゜ＢｒＦｉ　、ＩＦ３　、　ＩＦ５．１αｊＢｒ等（
７）／’ロゲン間化合物を挙げることが出来る。

ハロゲン原子を含む硅素化合物、所謂、／％ロゲン原子
で置換されたシラン誘導体としては、具体的には例えば
ＳｉＦ、、　Ｓｉ２Ｆ６　、　Ｓｉα４．５ｉＢｒ、等
のハロゲン化硅素を好ましいものとして挙げる事が出来
る。

この様なハロゲン原子を含む硅素化合物を採用してグロ
ー放電法によって本発明の特徴的な光受容部材を形成す
る場合には、Ｇｅ供給用の原料ガスと共にＳｔを供給し
得る原料ガスとしての水素化硅素ガスを使用しなくとも
、所望の支持体上にハロゲン原子を含むａ−８ｉＧｅか
ら成る第１の層（Ｇ）を形成する事が出来る。

グロー放電法に従って、ハロゲン原子を含む第１の層（
Ｇ）を作成する場合、基本的には、例えばＳｉ供給用の
原料ガスとなるハロゲン化硅素とＧｅ供給用の原料ガス
となる水素化ゲルマニウムとＡｒ、Ｈ２，Ｈｅ等のガス
等を所定の混合比とガス流量になる様にして第１の層（
Ｇ）を形成する堆積室に導入し、グロー放電を生起して
これ等のガスのプラズマ雰囲気を形成することによって
。

所望の支持体上に第１の層ＣＧ）を形成し得るものであ
るが、水素原子の導入割合の制御を一層容易になる様に
計る為にこれ等のガスに更に水素ガス又は水素原子を含
む硅素化合物のガスも所望量混合して層形成しても良い
。

又、各ガスは単独種のみでなく所定の混合比で複数種混
合して使用しても差支えないものである。

反応性スパッタリング法或いはイオンプレーティング法
に依ってａ　−９ｉＧｅ　（Ｈ、Ｘ）から成る第１の層
（Ｇ）を形成するには１例えばスパッタリング法の場合
にはＳＬから成るターゲットとＧｅから成るターゲット
の二枚を、或いはＳｉとＧｅから成るターゲットを使用
して、これを所望のガスプラズマ雰囲気中でスパッタリ
ングし、イオンブレーティング法の場合には、例えば、
多結晶シリコン又は単結晶シリコンと多結晶ゲルマニウ
ム又は単結晶ゲルマニウムとを夫々蒸発源として蒸着ポ
ートに収容し、この蒸発源を抵抗加熱法、或いはエレク
トロンビーム法ＣＥＢ法）等によって加熱蒸発させ飛翔
蒸発物を所望のガスプラズマ雰囲気中を通過させる事で
行う事が出来る。

この際、スパッタリング法、イオンブレーティング法の
何れの場合にも形成される層中にハロゲン原子を導入す
るには、前記のハロゲン化合物又は前記のハロゲン原子
を含む硅素化合物のガスを堆積室中に導入して該ガスの
プラズマ雰囲気を形成してやれば良いものである。

又、水素原子を導入する場合には、水素原子導入用の原
料ガス、例えば、Ｆ２．或いは前記したシラン類又は／
及び水素化ゲルマニウム等のガス類をスパッタリング用
の堆積室中に導入して該ガス類のプラズマ雰囲気を形成
してやれば良い。

本発明においては、ハロゲン原子導入用の原料ガスとし
て上記されたハロゲン化合物或いはハロゲンを含む硅素
化合物が有効なものとして使用されるものであるが、そ
の他に、ＩＦ、Ｈα、　ＨＢｒ。

ＨＩ等のハロゲン化水素、ＳｉＨ２Ｆ２　、　ＳｉＨ２
１２。

ＳｉＨ２α２　、５ｉＨＣ１Ｂ　、　５ｉ）１２Ｂｒ２
　、５ｉＨＢｒ３等のハロゲン置換水素化硅素、及びＧ
ｅＨＦ３　、　Ｇｅ）１２Ｆ２　、　ＧｅＨ３Ｆ。

ＧｅＨＣｌ３　、　ＧｅＦ２α２　、　ＧａＨ３αｅ　
Ｇ　ｅ　ＨＢ　ｒ３　＋ＧｅＨ２Ｂｒ２　、　ＧｅＨＣ
ｌ３．　ＧｅＨ［３、Ｇｅ１（２１２、Ｇｏ）１３１等
の水素化ハロゲン化ゲルマニウム等の水素原子を構成費
゛素の１つとするハロゲン化物、ＧｅＦ＊ｔＧｅα４　
、　ＧｅＢｒ４　、　Ｇｅ１ｍ、　ＧｅＦ２．　Ｇｅα
２１　ＧｅＢｒ２　。

Ｇｌ！Ｉ２１’（７）ハロゲン化ゲルマニウム、等々の
ガス状態の或いはガス化し得る物質も有効な第１の暦（
Ｇ）形成用の出発物質として挙げる事が出来る。

これ等の物質の中、水素原子を含むハロゲン化物は、第
１の層（Ｇ）形成、の際に層中に／翫ロゲン原子の導入
と同時に電気的或いは光電的特性の制御に極めて有効な
水素原子も導入されるので１本発明においては好適牟ハ
ロゲン導入用の原料として使用される。

水素原子を第１の暦（Ｇ）中に構造的に導入するには、
上記の他にＦ２．或いはＳｉＨ４，Ｓｉ２Ｈ６。

５ｉ３Ｈ６、５ｉａＨｔｏ等の水素化硅素をＧｅを供給
する為のゲルマニウム又はゲルマニウム化合物と、或い
は、ＧｅＨ４ｔ　Ｇｅ２Ｈ６１Ｇｅ３Ｈ８＊　ＧｅａＨ
ｔｏ　ｅ　Ｇｅ５Ｈ１２１Ｇｅ６Ｈｔａ　Ｉ　Ｇｅ’ｌ
Ｈ１６ｍ　Ｇｅ６Ｈｔｏ　ｔ　ＧｅｇＨ２０等の水素化
ゲルマニウムとＳｉを供給する為のシリコン又はシリコ
ン化合物とを堆積室中に共存させて放電を生起させる事
でも行う事が出来る。

本発明の好ましい例において、形成される光受容層を構
成する第１の層ＣＧ）中に含有される水素原子（Ｈ）の
量又はハロゲン原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン
原子の量の和（Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは０．０１〜．４
０　ａｔｏｍｉｃ％、より好適には０．０５〜３０　ａ
ｔａ１ｃ％、最適には０．１〜２５ａｔｏｍｉｃ％とさ
れるのが望ましい。

第１の層（Ｇ）中に含有される水素原子（Ｈ）又は／及
びハロゲン原子（Ｘ）の量を制御するには、例えば支持
体温度又は／及び水素原子（Ｈ）、或いはハロゲン原子
（Ｘ）を含有させる為に使用される出発物質の堆積装置
系内へ導入する量、放電々力等を制御してやれば良い。

本発明に於いて、ａ　−１ｉ　（Ｈ、Ｘ）で構成される
第２の層（Ｓ）を形成するには、前記したｉｔの層領域
ＣＧ）形成用の出発物質ＣＩ）の中より、Ｇｅ供給用の
原料ガスとなる出発物質を除いた出発物質〔第２の暦＜
Ｓ＞形成用の出発物質（■）〕を使用して、第１の層（
Ｇ）を形成する場合と、同様の方法と条件に従って行う
ことが出来る。

即ち、本発明において、ａ　−５ｉ　（Ｈ，Ｘ）で構成
される第２の層（Ｓ）ｅ形成するには例えばグロー放電
法、スパッタリング法、或いはイオンブレーティング法
等の放電現象を利用する真空堆積法によって成される０
例えば、グロー放電法によってａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）で構
成される第２の暦（Ｓ）を形成するには、基本的には前
記したシリコン原子（Ｓｉ）を供給し得るＳｔ供給用の
原料ガスと共に、必要に応じて水素原子（Ｈ）導入用の
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用の原料ガスを、内
部が減圧にし得る堆積室内に導入して、該堆積室内にグ
ロー放電を生起させ、予め所定位置に設置されである所
定の支持体表面上にａ−９ｉ（Ｈ，Ｘ）からなる暦を形
成させれば良い、又、スパッタリング法で形成する場合
には、例えばＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガス又はこれ等のガ
スをベースとした混合ガスの雰囲気中でＳｔで構成され
たターゲットをスパッタリングする際、水素原子（Ｈ）
又は／及びハロゲン原子（Ｘ）導入用のガスをスパッタ
リング用の堆積室に導入しておけば良い。

本発明に於いて、形成される光受容層を構成する第２層
（Ｓ）中に含有される水素原子（Ｈ）の量又はハロゲン
原子（Ｘ）の量又は水素原子とハロゲン原子の量の和（
Ｈ＋Ｘ）は、好ましくは１＃　４０ａｔｏｍｉｃ％、よ
り好適には５〜３０ａｔｏ＊ｔｃ％、最適には５〜２５
ａｔｏ膳ｉｃ％とされるのが望ましい。

本発明の光受容部材に於いては、高光感度化と高暗抵抗
化、更には、支持体と光受容層との間の密着性の改良を
図る目的の為に、光受容層中には、酸素原子、゛炭素原
子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種の原子
が層厚方向には均一、又は不均一な分布状態で含有され
る。光受容層中に含有されるこの様な原子（ＯＣＸ）は
、光受容層の全層領域に含有されても良いし、或いは、
光受容層の一部の層領域のみに含有させることで偏在さ
せても良い。

原子（ＯＣＸ）の分布状態は分布濃度Ｃ（０ＯＮ）が。

光受容層の支持体の表面と平行な面内に於いては均一で
あることが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる原子（ＯＣＮ）
の含有されている層領域（ＯＣＮ）は、光感度と暗抵抗
の向上を主たる目的とする場合には、光受容層の全層領
域を占める様に設けられ、支持体と光受容層との間の密
着性の強化を図るのを主たる目的とする場合には、光受
容層の支持体側端部層領域を占める様に設けられる。

前者の場合、層領域（０ＯＮ）中に含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の含有量は、高光感度を維持する為に比較的少な
くされ、後者の場合には、支持体との密着性の強化を確
実に図る為に比較的多く゛されるのが望ましい。

本発明に於いて、光受容層に設けられる層領域（，０Ｃ
Ｉｌ）に含有される原子（ＯＣＮ）の含有量は、層領域
（ｏｃｔｔ）自体に要求される特性、或いは該層領域（
ＱＣ）ｌ）が支持体との接触して設けられる場合には、
該支持体との接触界面に於ける特性との関係等、有機的
関連性に於いて、適宜選択することが出来る。

又、前記層領域（ＯＣＮ）に直に接触して他の層領域が
設けられる場合には、該他の層領域の特性や、該他の層
領域との接触界面に於ける特性との関係も考慮されて、
原子（ＯＣＮ）の含有量が適宜２選択される。

層領域（０ＯＮ）中に含有される原子（ＣＩＣＭ）の量
には、形成される光受容部材に要求される特性に応じて
所望に従って適宜状められるが、好ましくは０．００１
〜５０ａｔｏｍｔｃ％、より好ましくは、０．００２〜
４０ａｔｏｍｉｃ％、最適には０．００３〜３０ａｔｏ
ｍｔｃ％とされるのが望ましい。

本発明に於いて、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の全域を
占めるか、或いは、光受容層の全域を占めなくとも、層
領域（ＯＣ）ｌ）の層厚Ｔｏの光受容層の層厚Ｔに占め
る割合が充分多い場合には、層領域（ＯＣＮ）に含有さ
れる原子（ＯＣＮ）の含有量の上限は、前記の値より充
分多なくされるのが望ましい。

本発明の場合には、層領域（ＯＣＮ）の層厚Ｔｏが光受
容層の層厚Ｔに対して占める割合が５分の２以上となる
様な場合には、層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の上限としては、好ましくは３０ａｔｏ１ｃ％
以下、より好ましくは２０ａｔｏｍｔｃ％以下、最適に
は１Ｏａｔｏ■ｉｃ％以下とされるのが望ましい。

本発明の好適な実施態様例によれば、原子（ＯＣＮ）は
、支持体上に直接設けられる前記の第１の暦には、少な
くとも含有されるのが望ましい、詰り、光受容層の支持
体側端部層領域に原子（ＯＣＮ）を含有されることで、
支持体と光受容層との間の密着性の強化を計ることが出
来る。　　更に、窒素原子の場合には、例えば、硼素原
子との共存下に於いて、暗抵抗の向上と高光感度の確保
が一層出来るので、光受容層に所望量含有されることが
望ましい。

又、これ等の原子（００１１）は、光受容層中に複数種
含有させても良い、即ち、例えば、第１の層中には、酸
素原子を含有させたり、或いは、同−暦鋼城中に例えば
酸素原子と窒素原子とを共存基せる形で含有させても良
い。

１ｉ４１Ｂ図乃至ｓ２４図には、本発明における光受容
部材の層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（ＯＣＮ）
の層厚方向の分布状態が不均一な場合の典型的例が示さ
れる。

第１８図乃至第２４図において、横軸は原子（ｏｃｍ）
の分布濃度Ｃを、縦軸は層領域（ＯＣＮ）の層厚を示し
、ｔＢは支持体側の層領域（ＯＣＮ）の端面の位置を、
１．は支持体側とは反対側の層領域（ＯＣＮ）の端面の
位置を示す、即ち、原子（ＯＣＮ）の含有される層領域
（ＯＣＮ）は１．側より１Ｔ側に向って層形成がなされ
る。

第１８図には１層領域（ＯＣＮ）中に含有される原子（
ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態が不均一な場合の第１の
典型例が示される。

第１８図に示される例では、原子（ＱＣ）ｌ）の含有さ
れる層領域（ＯＣＮ）が形成される表面と該層領域（Ｏ
ＣＮ）の表面とが接する界面位置１．より１．の位置ま
では、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃが０１なる一定の値
を取り乍ら原子（ＯＣＮ）が形成される層領域（ＱＣ）
ｌ）に含有され１位置ｔ１よりは濃度４より界面位置１
．に至るまで徐々に連続的に減少されている。界面位置
１Ｔにおいては原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ちと
される。

第１７図に示される例においては、含有される原子（Ｏ
ＣＮ）の分布濃度Ｃは位置を日より１丁に至るまで濃度
Ｃ４から徐々に連続的に減少して位置１丁において濃度
ちとなる様な分布状態を形成している。

＄１８図の場合には、位置を日より位置ｔ２までは原子
（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ちと一定値とされ。

位置ｔ２と位置ｔＴとの間において、徐々に連続的に減
少され、位置１．において１分布源度Ｃは実質的に零と
されている（ここで実質的に零とは検出限界量未満の場
合である）。

第１９図の場合には、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは位
置ｔｅより位置１．に至るまで、濃度Ｃ８より連続的に
徐々に減少され１位置を丁において、実質的に零とされ
ている。

第２０図に示す例においては、原子（ＯＣＮ）の分布濃
度Ｃは位置１Ｂと位置ｔ３間においては濃度Ｃ９と一定
値であり１位置ｔτにおいては濃度０１０とされる０位
置ｔ３と位置１丁との間では１分布源度Ｃは一次関数的
に位置ｔ３より位１ｔｔ丁に至るまで減少している。

第２１図に示される例においては１分布源度Ｃは位置１
．より位置ｔ４までは濃度ａｎの一定値を取り、位置ｔ
４より位置ｔＴまでは濃度Ｃ１２より濃度ＣｔＳまでは
一次関数的に減少する分布状態とされている。

第２２図に示す例においては１位置１．より位置ｔＴに
至るまで、原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは濃度ａｔｅよ
り実質的区零に至る様に一次関数的に減少している。

第２３図においては１位ＩＩ　Ｌｍより位置ｔｓに至る
までは原子（ＯＣＮ）の分布濃度Ｃは、濃度ＣｔＳより
Ｃ１４までの一次関数的に減少され、位置ｔ５と位置１
、との間においては、濃度０１＆の一定値とされた例が
示されている。

第２４図に示される例においては、ＩＸ子（ＯＣＮ）の
分布濃度Ｃは１位置１．においては濃度Ｃｔｔであり、
位置ｔ６に至るまではこの濃度Ｃｔｔより初めは緩やか
に減少され、ｔもの位置付近においては、急激に減少さ
れて位置ｔもでは濃度Ｃ１８とされる。

位置ｔ６と位置ｔ７との間においては、初め急激に減少
されて、その後は、緩やかに徐々に減少されて位置１．
で濃度ＣｔＳとなり１位置ｔ７と位置ｔ８との間では、
極めてゆっくりと徐々に減少されてｔａにおいて、濃度
Ｃ２Ｏに至る０位置ｔ８と位置ｔｙの間においては濃度
Ｃ２０より実質的に零になる様に図に示す如き形状の曲
線に従って減少されている。

以上、第１Ｂ図乃至９２４図により１層領域（ＯＣｊｌ
）中に含有される原子（ＯＣＮ）の層厚方向の分布状態
が不均一な場合の典型例の幾つかを説明した様に、本発
明においては、支持体側において、原子（ＯＣＮ　）の
分布濃度Ｃの高い部分を有し、界面ＬＴ側においては、
前記分布濃度Ｃは支持体側に較べて可成り低くされた部
分を有する原子（ｏｃｍ）の分布状態が層領域（ＯＣＮ
）に設けられている。

原子（ＯＣＮ）の含有される層領域（ＯＣＮ）は、上記
した様に支持体側の方に原子（ＯＣＮ）が比較的高濃度
で含有されている局在領域（Ｂ）を有するものとして設
けられるのが望ましく、この場合には、支持体と光受容
層との間の密着性をより一暦向上させることが出来る。

上記局在領域（Ｂ）は、第１６図乃至第２４図に示す記
号を用いて説明すれば、界面位置１Ｂより５＃Ｌ以内に
設けられるのが望ましい。

本発明においては、上記局在領域（Ｂ）は、界面位置ｔ
Ｂより５井厚までの全領域（ＬＴ）とされる場合もある
し、又、層領域（ＬＴ　）の一部とされる場合もある。

局在領域（Ｂ）を層領域（Ｌｔ　）の一部とするか又は
全部とするかは、形成される光受容層に要求される特性
に従って適宜状められる。

局在領域（Ｂ）はその中に含有される原子（ＯＣｌｌ）
の層厚方向の分布状態として原子（００％）分布濃度Ｃ
の最大値Ｃｍａ冨が、好ましくは５００ａｔｏｍｉｃ　
ｐｐｍ以上、より好適には８００ａｔｏ■ｉｃ　ｐｐｍ
以上、最適には１０００ａｔｏ■ｉ（＋　ＰＰ１以上と
される様な分布状態となり得る様に層形成されるのが望
ましい。

即ち、本発明においては、原子（ＯＣＮ）の含有される
層領域（ＱＣ）ｌ）は、支持体側からの層厚で５１Ｌ以
内（ｔａから５１Ｌ厚の層領域）に分布濃度Ｃの最大値
Ｃｗｓａｘが存在する様に形成されるのが望ましい。

本発明において、層領域（ＯＣＮ）が光受容層の二部の
層領域を占める様に設けられる場合には層領域（０ＯＮ
）と他の層領域との界面において、屈折率が緩やかに変
化する様に１Ｍ子（０ＯＮ）の層厚方向の分布状態を形
成するのが望ましい。

この様にすることで、光・受容層に入射される光が層接
触界面で反射されるのを阻止し、干渉縞模様の発現をよ
り効果的に防止することが出来る。

又、層領域（ＯＣＮ）中での原子（ＯＣＮ）の分布濃度
Ｃの変化線は滑らかな屈折率変化を与える点で、連続し
て緩やかに変化しているのが望ましい。

この点から１例えば第１８＠乃至第１８図、第２．２図
及び第２４図に示される分布状態となる様に、原子（Ｏ
ＣＮ）を層領域（ＯＣＮ）中に含有されるのが望ましい
。

本発明に於いて、光受容層に原子（ＯＣＮ）の含有され
た層領域（ＯＣＮ）を設けるには、光受容層の形成の際
に原子（ＯＣＮ）導入用の出発物質を前記した光受容層
形成用の出発物質と共に使用して、形成される層中にそ
の量を制御し乍ら含有してやればよい。

層領域（００１１）を形成するのにグロー放電法を用い
る場合襞は、前記した光受容層形成用の出発物質の中か
ら所望に従って選択されたものに原子（ＯＣＮ）導入用
の出発物質としては、少なくとも原子（０ＯＮ）を構成
原子とするガス状の物質又はガス化し得る物質をガス化
したものの中の大概のものが使用される。

具体的には、例えば酸素（０２）、オゾン（０３）−酸
化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（１０２）　、−二酸化窒
素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２　Ｕｓ　）　、四二
酸化窒素（Ｎ２０ｍ）　、　三二酸化窒素（Ｎ２０Ｓ　
）　、　Ｅ　ＩＩ　化窒素（１０３）　、シリコン原子
（Ｓｉ）と酸素原子（０）と水素原子（Ｈ）とを構成原
子とする、例えばジシロキサン（Ｈｓ　５ｉＯ９ｉＨｓ
）、トリシクロキサン（Ｈ３ＳｉＯ８ｉＨ２０ＳｉＨ３
）等の低級シクロキサン、メタン（Ｃ１、エタン（Ｃ２
Ｈ６）、プロパン（−Ｏｓ）、ｎ−ブタン（！１−Ｃ４
Ｈｔｏ　）　、ペンタン（Ｃ５Ｈ１２）等の炭素数１〜
５の飽和炭化水素、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、プロピレフ
　（ｃ３ｎｓ）　、ブ７７−１（ＣａＨｓ）、ブテン−
２（ＣａＨ＠）　−イソブチレン（ＣａＨ＠）、ペンテ
ン（ＣｓＨｔｏ）等の炭素数２〜５のエチレン系炭化水
素、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、メチルアセチレン（Ｃ３
Ｈ４）　、ブチン（Ｃｍ　Ｈｓ　）等の炭素数２〜４１
７）７セチレン系炭化水素、窒素（８２）、アンモニア
（Ｎ）１３）、ヒドラジン（８２ＮＮＨ２）　、アジ化
水素（ＨＮ３）、アジ化アンモニウム（ＮＨ４Ｎり　、
三弗化窒素ＣＦ３Ｎ）、四弗化窒素ＣＦ４Ｎ）等々を挙
げることが出来る。

スパッタリング法の場合には、原子（ＯＣＮ）導入用の
出発物質としては、グロー放電法の際に列挙した前記の
ガス化可能な出発物質の他に、固体化出発物質として、
５ｉＱ２．　Ｓｉ３　Ｎａ−カーボンブラック等を挙げ
ることが出来る。これ等は、Ｓｉ等のターゲットと共に
スパッタリング用のターゲットとしての形で使用される
。

本発明に於いて、光受容層の形成の際に、原子（ＯＣＮ
）の含有される所領域（ＯＣＮ）を設ける場合。

該層領域（ＯＣ）ｌ）に含有される原子（ＯＣＮ）の分
布濃度Ｃを層厚方向に変化させて所望の層厚方向の分布
状態（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　ｉｌｇ）を有する所領域（
ＯＣＮ）を形成するには、グロー放電の場合には１分布
濃度Ｃを変化させるべき原子（ＯＣＮ）導入用の出発物
質のガスを、そのガス流量を所望の変化率曲線に従って
適宜変化させ乍ら、堆積室内に導入することによって成
される。

例えば手動あるいは外部駆動モータ等の通常用いられて
いる何らかの方法により、ガス流量系の途中に設けられ
た所定のこ一ドルバルブの開口を暫時変化させる操作を
行えば良い、このとき、流量の変化率は線型である必要
はなく、例えばマイコン等を用いて、あらかじめ設計さ
れた変化率曲線に従って流量を制御し、所望の含有率曲
線を得ることもできる。

層領域（ＯＣＮ）をスパッタリング法によって形成する
場合、原子（ＱＣ）ｌ）の層厚方向の分布濃度Ｃを層厚
方向で変化させて、原子（００１１）の層厚方向の所望
め分布状Ｊｌｆ　（ｄｅｐｔｈｐｒｏｆ　１ｌｓ）を形
成するには。

第一には、グロー放電法による場合と同様に、原子導入
用の出発物質をガス状態で使用し、該ガスを堆積室中へ
導入する際のガス流量を所望に従って適宜変化させるこ
とＫよって成される。第二にはスパッタリング用のター
ゲットを、例えばＳｉと５ｉ０２との混合されたタープ
ｙ）を使用するのであれば、Ｓｉと５ｉ０２との混合比
をターゲットの層厚方向に於いて、予め変化させておく
ことによ成される。

本発明において使用される支持体としては、導電性でも
電気絶縁性であっても良い、導電性支持体としては１例
えば、ＮｉＣｒ、ステンレス、Ｍ、Ｃｒ、　Ｎｏ、　Ａ
ｕ、　Ｎｂ％Ｔａ、　Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ、　Ｐｄ等の
金属又はこれ等の合金が挙げられる。

電気絶縁性支持体としては、ポリエステル、ポリエチレ
ン、ポリカーボネート、セルロース、アセテート、ポリ
プロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポ
リスチレン、ポリアミド等の合成樹脂のフィルム又はシ
ート、ガラス、セラミック、紙等が通常使用される。こ
れ等の電気絶縁性支持体は、好適には少なくともその一
方の表面を導電処理され、該導電処理された表面側に他
の層が設けられるのが望ましい。

例えば、ガラスであれば、その表面にＮｉＣｒ。

ＡＩ％Ｃｒ、　Ｎｏ％Ａｕ％Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ、　
Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ％Ｐｄ。

Ｉｎ２Ｏ３、５ｎ０２、ＩＴＯ（Ｉｎ２０３　＋５ｎ０
２）等から成る薄膜を設けることによって導電性が付与
され、或いはポリエステルフィルム等の合成樹脂フィル
ムであれば、ＮｉＣｒ％ＡＩ、轟ｇ、　ｐｂ％Ｚｍ、Ｉ
ｌｉ、　Ａｕ、　Ｏｒ。

Ｎｏ、　Ｉｒ、　Ｎｂ、　Ｔａ％Ｖ、　Ｔｉ、　Ｐｔ等
の金属の薄膜を真空蒸着、電子ビーム蒸着、スパッタリ
ング等でその表面に設け、又は前記金属でその表面をテ
ミネート処理して、その表面に導電性が付与される。支
持体の形状としては、円筒状、ベルト状。

板状等任意の形状とし得、所望によって、その形状は決
定されるが１例えば、第１０図の光受容部材１００４を
電子写真用光受容部材として使用するのであれば連続高
速複写の場合には、無端ベルト状又は円筒状とするのが
望ましい、支持体の厚さは。

所望通りの光受容部材が形成される様に適宜決定される
が、光受容部材として、可撓性が要求される場合には、
支持体としての機能が充分発揮される範囲内であれば可
能な限り薄くされる。而乍ら、この様な場合支持体の製
造上及び取扱い上、機能的強度の点から、好ましくは１
ｏＩＬ以上とされる。

次に本発明の光受容部材の製造方法の一例の概略につい
て説・明する。

第１２図に光受容部材の製造装置の一例を示す。

図中２００２〜２００８のガスボンベには、本発明の光
受容部材を形成する為の原料ガスが密封されており、そ
の−例として例えば２００２はＳｉＨ４ガス（純度Ｈ，
Ｈ９％、以下、　ＳｉＨ４と略す）ボンベ、　２００３
はＧｅＨ４ガス（純度ＩＨ１，９Ｈ％、以下ＧｅＨ４と
略す）ボンベ、２００４はＮＯガス（純度９Ｌ９９９％
、以下ＮＯと略す）ボンベ、２００８はＨ２ガス（純度
ＨＪ９９％）ボンベである。

これらのガスを反応室２００１に流入させるにはガスボ
ンベ２００２〜２００８のバルブ２０２２〜２０２８、
リークバルブ２０３５が閉じられていることを確認し、
又。

流入バルブ２０１２〜２０１Ｂ、流出バルブ２０１７〜
２０２１゜補助バルブ２０３２．２０３３が開かれてい
ることを確認して、先ずメインバルブ２０３４を開いて
反応室２００１、及び各ガス配管内を排気する０次に真
空計２０３８の読みが約５　Ｘ　１Ｇ’　ｔｏｒｒにな
った時点で補助バルブ２０３２．２０３３、流出バルブ
２０１７〜２０２１を閉じる。

次にシリンダー状基体２０３７上に光受容層を形成する
場合の１例をあげると、ガスボンベ２００２より５ｉ）
１４ガス、ガスボンベ２００３よりＧｅ１．ガス、ガス
ボンベ２００４よりＮＯガス、２００ＢよりＨ２ガスを
バルブ２０２２．２０２３．２０２４．２０２８を開い
て出口圧ゲージ２０２７．２０２８．２０２Ｂ、２０３
１の圧をｌ　Ｋｇ／ｃｎｆに調整し、流入バルブ２０１
２．２Ｇ１３．２０１４．２０１８を徐々に開けて、マ
スフロコントローラ２００７．２００８．２００９．２
０１１内に夫々流入させる。引き続いて流出バルブ２０
１７．２０１８．２０１９．２０２１、補助バルブ２０
３２．２０３３を徐々に開いて夫々のガスを反応室２０
０１に流入させる。このときのＳｉＨ４ガス流量ＧｅＨ
４ガス流量、ＮＯガス流量とＨ，ガス流量の比が所望の
値になるように流出バルブ２０１７．２０１８．２０１
８．２０２１を調整し、また１反応室２００１内の圧力
が所望の値になるように真空計２０３８の読みを見なが
らメインバルブ２０３４の開口を調整する。そして、基
体２０３７の温度が加熱ヒーター２０３８により５（ｌ
　Ｎ４００℃の範囲の温度に設定されていることを確認
した後、電源２０４０を所望の電力に設定して反応室２
００１内にグロー放電を生起させる。

上記の様にして所望時間グロー放電を維持して、所望層
厚に、基体２０３７上に第１の暦（Ｇ）を形成する。所
望層厚に第１の暦（Ｇ）が形成された段階に於て、流出
バルブ２０１８を完全に閉じること及び必要に応じて放
電条件を変える以外は、同様な条件と手順に従って所望
時間グロー放電を維持することで第１の暦（Ｇ）上にゲ
ルマニウム原子の実質的に含有されない第２の暦（Ｓ）
を形成することが出来る。

なお、第１の暦（Ｇ）及び第２の層（Ｓ）の各層には、
流出バルブ２０１９を適宜開閉することで酸素原子を含
有させたり、含有させなかったり、あるいは各層の一部
の層領域にだけ酸素原子を含有させることも出来る。ま
た、酸素原子に代えて層中に窒素原子あるいは炭素原子
を含有させる場合には、ガスボンベ２００４のＮＯガス
を例えばＮＨ，ガスあるいはＣ）ｔ４ガス等に代えて、
Ｊｌ形成を行なえばよい、また、使用するガスの種類を
増やす場合には所望のガスボンベを増設して、同様に層
形成を行なえばよい０層形成を行っている間は層形成の
均一化を計るため基体２０３７はモーター２０３８によ
り一定速度で回転させてやるのが望ましい。

最後に、上記第２の層（Ｓ）を形成後、例えば２００６
の水素（Ｈ２）ガスボンベをメタン（Ｃ）１４）ガス　
′ボンベに取り換え、マスフローコントローラー２００
７と２０１１を所定の流量に設定する以外は、同様な条
件と手順に従って所望時間グロー放電を維持することで
、第２の暦（Ｓ）上にシリコン原子と炭素原子から主に
形成される表面層を形成することができる。

上記シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面層
をスパッタリングで形成する場合には、例えば２００Ｂ
の水素（Ｈ２）ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボン
ベに取り換え、堆積装置を清掃し。

カソード電極上に例えばＳｉからなるスパッタリング用
ターゲットとグラファイトからなるスパッタリング用タ
ーゲットを、所望の面積比になるように一面に張る。そ
の後、装置内に第２の７１　（Ｓ）まで形成したものを
設置し、減圧した後アルゴンガスを導入し、グロー放電
を生起させ表面層材料をスパッタリングして、所望層厚
に表面層を形成する。

以下本発明の実施例について説明する。

実施例１本実施例ではスポ７）径８０５１ｍの半導体レーザー（
波長ｙｓｏｎ＠）を使用した。したがってａ−Ｓｉ：Ｈ
を堆積させる第１１図ＣＢ）に示される円筒状のＭ支持
体（長さくＬ）　３５７ｍｍ、径（ｒ）　８０ｍｍ）を
作成した。

次に、第１ａ表に示す条件で、第１２図の膜堆積装置を
使用し、所定の操作手順に従って表面層の積層されたａ
−４Ｊｉ系電子電子写真用光受容を作成した。

なお、ＮＯガスは、その流量がＳｉ＆ガス流量とＧｅ）
１４ガス流量との和に対して、初期値が３．４マ０１％
になるようにマスフロコントローラを設定して導入した
。

また、シリコン原子と炭素原子から主に形成される表面
層の堆積は１次の様にして行なわれた。

すなわち、第２暦の堆積後、第１＆表に示す様にＣ）１
４ガス流量が５ｉ）１４ガス流量に対して流量比が５ｉ
Ｈａ／ＣＨ４＝　１／３０となる様に各ガスに対応する
マスフロコントローラーを設定し、高周波電力を３００
Ｗとしてグロー放電を生じさせることにより、表面層を
形成した。

この場合には、第１１図（Ｂ）、（Ｃ）のように光受容
層の表面と支持体の表面とは非平行であった。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
−の半導体レーザーをスポット径８０−で第１５図に示
す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像を
得た。この場合、得られた画像には干渉縞模様は、観察
されず、実用に十分な電子写真特性を示すものだった。

実施例２シリンダー状Ｍ支持体の表面を旋盤で、第１３図、第１
４図に示されるように加工した。これ等の円筒状のＭ支
持体上に、実施例１と叩様の条件で、電子写真用光受容
部材を作製したこれらの光受容部材について、実施例１と同様に第１５
図の装置で波長？１１０ｍ閣の半導体レーザーを使い、
スポット径８０１ｍで画像露光を行ったところ１画像に
は干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特
性を示すものが得られた。

実施例３以下の点を除いて実施例２と同様な条件で光受容部材を
作製した。そのとき第１の暦の層厚を１０μｓとした。

これらの光受容部材について、実施例１と同様な像露光
装置において、画像露光を行った結果。

画像には干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子
写真特性を示すものが得られた。

実施例４第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第１表に示す条件で光受容部材を作製した。

上記の条件で作製した光受容部材の断面を、電子顕微鏡
で観測した。第１の層の平均層厚は、シリンダーの中央
と両端で０−ＯＳμであった。第２の層の平均層厚はシ
リンダーの中央と両端で３鱗であった。

これらの光受容部材について、実施例１と同様な像露光
装置において１画像露光を行った結果、画像には干渉縞
模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性を示す
もの、が得られた。

実施例５第ｔｓｍ　、第１４図に示される表面性のシリンダー状
Ｍ支持体上に第２表に示す条件で光受容部材を作製した
。

これらの各光受容部材について実施例１と同様にレーザ
ー光で画像露光したところ、画像露光を行った結果１画
像には干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写
真特性を示すものが得られた。

実施例６第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第３表に示す条件で光受容部材を作製した。

これらの各光受容部材について実施例１と同様にレーザ
ー光で画像露光したところ１画像露光を行った結果１画
像には干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写
真特性を示すものが得られた。

実施例７第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第４表に示す条件で光受容部材を作製した。

実施例８第１の暦を形成する際、ＮＯガス流量をＳｉ＆ガス流量
とＧｅ）１４ガス流量との和に対して、第２２図に示す
ように変化させて、暦作製終了時にはＮＯガス流量が零
になるようにした以外は、実施例１と同様の条件で電子
写真用光受容部材を作成した。

以上の電子写真用の光受容部材について、波長７８０ｎ
鵬の半導体レーザーをスポット径８０ｕで第１５図に示
す装置で画像露光を行い、それを現像、転写して画像を
得た。

この場合、得られた画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例９シリンダー状Ｍ支持体の表面を巌盤で、第１３図、第１
４図に示されるように加工した。これ等の円筒状のＭ支
持体上に、実施例８と同様の条件で、電子写真用光受容
部材を作製した。

これらの光受容部材について、実施例８と同様に第１５
図の装置で波長７８０ｎｍの半導体レーザーを使い、ス
ポット径８０１ｍで画像露光を行ったところ、画像には
干渉縞模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性
を示すものが得られた。

実施例１０以下の点を除いて実施例９と同様な条件で光受容部材を
作製した。そのとき第１の暦の層厚を１０−とした。

これらの光受容部材について、実施例１と同様な像露光
装置において、画像露光を行った結果、画像には干渉縞
模様は、観察されず、実用に十分な電子写真特性を示す
ものが得られた。

実施例１１第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第５表に示す条件で光受容部材を作製した。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ、画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例１２第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第６表に示す条件で光受容部材を作製した。

各光受容部材について実施例１と同様にレーザー光で画
像露光したところ１画像には干渉縞模様は、観察されず
、実用に十分な電子写真特性を示すものが得られた。

実施例１３第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第７表に示す条件で光受容部材を作製した。

実施例１４第１３図、第１４図に示される表面性のシリンダー状Ｍ
支持体上に第８表に示す条件で光受容部材を作製した。

実施例１５第１２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ支
持体（シリンダＢ）上に第９表乃至第１２表に示す各条
件で第２５図乃至第２８図に示すガス流量比の変化率曲
線に従ってＮＯとＳｉＨ４とのガス流量比を層作成経過
時間と共に変化させて層形成を行って電子写真用の光受
容部材の夫々を得た。

こうして得られた各光受容部材を、実施例１と同様の条
件と手段で特性評価を行ったところ、干渉縞模様は肉眼
では全く観察されず、且つ、十分良好な電子写真特性を
示し、本発明の目的に適ったものであった。

実施例ＩＢ第１２図に示した製造装置により、シリンダー状のＭ支
持体（シリンダＢ）上に第１３表に示す条件で第２５図
に示すガス流量比の変化率曲線に従って、ＮＯと５ｉ）
１４とのガス流量比を暦作成経過時間と共に変化させて
層形成を行って電子写真用光受容部材を得た。

実施例１７第１２図に示した製造装置により、シリンダーの・Ｍ支
持体（シリンダＢ）上に第１４表乃至第１５表に示す各
条件で第２７図に示すガス流量比の変化率曲線に従って
ＮＯ，とＳｉＨ４とのガス流量比およびＣＨ４とＳｉＨ
４とのガス流量比を層作成経過時−と共に変化させて層
形成を行って電子写真用の光受容部材の夫々を得た。

実施例１８実施例で用いたＭ支持体（長さくＬ）　３５７ｍ園、径
（ｒ）　８０■■）を用い１表面層をスパッタリング法
で形成する以外は、実施例１と同様の条件と手順に従っ
てａ−Ｓｉ系電子写真用光受容部材を作成した（試料−
２３０１〜２９Ｇ？）　、この際、Ｓｔケタ−ットとＣ
ターゲットの面積を変えて、ＳｉとＣの含有量を第１６
表に示すようにそれぞれ変化させた。

なお、表面層の形成は以下のようにして行なった。すな
わち、第２の層形成後、該層まで形成した支持体を第１
２図の堆積装置内から取り出し、該装置の水素（Ｈ２）
ガスボンベをアルゴン（Ａｒ）ガスボンベに取り換え、
装置内を清掃し、カーソード電極上にＳｉからなる厚さ
５履■のスパッタリング用ターゲットとグラファイトか
らなる厚さ５鳳履のスパッタリング用ターゲットを、そ
の面積比がそれぞれ第１６表の面積比になるように一面
に張る。その後、装置内に第２の層まで形成した支持体
を設置し、減圧した後アルゴンガスを導入して、高周波
電力を３００Ｗとしてグロー放電を生起させ方ソード電
極上の表面層材料をスパッタリングすることによって表
面層を形成した。

これらの電子写真用光受容部材について、第１５図に示
す画ｆＩｔ露光装置（レーザー光の波長７８０ｎ■。

スポット径８０鱗）で画像露光し１作像、現像、クリー
ニングの工程を５万回繰り返した後、画像評価を行った
ところ第１６表の如き結果を得た。

実施例１９表面層の形成時、　５ｉＨｎガスとＣＩ（４ガスの流量
比を変えて、表面層に於けるシリコン原子と炭素原子の
含有量比を変化させる以外は実施例１の干渉縞が消えた
条件と全く同様の方法によって電子写真用光受容部材の
夫々を作製した。こうして得られた電子写真用光受容部
材の夫々につき、実施例１と同様にレーザーで画像露光
し転写までの工程を約５万回繰り返した後、画像評価を
行ったところ、第１７表の如き結果を得た。

実施例２０表面層の形成時、　ＳｉＨ，ガス、５ｉＦａガス、　Ｃ
Ｈ４ガスの流量比を変えて、表面層に於けるシリコン原
子と炭素原子の含有量比を変化させる以外は実施例１の
干渉縞が消えた条件と全く同様の方法によって電子写真
用光受容部材の夫々を作製した。

こうして得られた電子写真用光受容部材の夫々につき、
実施例１と同様にレーザーで画像露光し転写までの工程
を約５万回繰り返した後１画像評価を行ったところ、第
１８表の如き結果を得た。

実施例２１表面層の層厚を変える以外は、実施例１の干渉縞が消え
た条件と全く同様な方法によって電子写真用光受容部材
の夫々を作成した。こうして得られた電子写真用光受容
部材につき、実施例１と同様に、作像、現像、クリーニ
ングの工程を繰り返し第１８表の結果を得た。

実施例２２表面層の作成時の放電電力を３００Ｗとし平均層厚を２
１ｍとする以外は、実施例１の干渉縞が消えた条件と全
く同様な方法によって、電子写真用光受容部材を作成し
た。こうして得られた電子写真用光受容部材の表面層の
平均層厚差は、中央と両端で、　０．５牌であった。ま
た、微小部分での層厚差は０．１μであった。

このような電子写真用光受容部材では、干渉縞は観察さ
れず、また、実施例１と同様な装置で作像、現像、クリ
ーニングの工程を繰り返し行ったが、実用に十分な、耐
久性を得た。

〔発明の効果〕

以上、詳細に説明した様に、本発明によれば、可干渉性
単色光を用いる画像形成に適し、製造管理が容易であり
、且つ画像形成時に現出する干渉縞模様と反転現像時の
斑点の現出を同時にしかも完全に解消することができ、
しかも機械的耐久性、特に耐摩耗性及び光受容性に優れ
た光受容部材を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、干渉縞の一般的な説明図である。第２図は、多層の光受容部材の場合の干渉縞の説明図で
ある。第３図は散乱光による干渉縞の説明図である。第４図は、多層の光受容部材の場合の散乱光による干渉
縞の説明図である。第５図は、光受容部材の各層の界面が平行な場合の干渉
縞の説明図である。第６図（Ａ）、ＣＢ）、（Ｃ）、（ロ）は光受容部材の
各層の界面が非平行な場合に干渉縞が現われないことの
説明図である。第７図（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、光受容部材の各層の
界面が平行である場合と非平行である場合の反射光強度
の比較の説明図である。第８図は、各層の界面が非平行である場合の干渉縞が現
われないことの説明図である。第９図（Ａ）、ＣＢ）はそれぞれ代表的な支持体の表面
状態の説明図である。第１０図は、光受容部材の層領域の説明図である。第１１図、第１３図及び第１４図は、実施例で用いたＭ
支持体の表面状態の説明図である。第１２図は実施例で用いた光受容層の堆積装置の説明図
である。第１５図は、実施例で使用した画像露光装置の説明図で
ある。第１６図から第２４図は、層領域（ＯＣＮ）中の原子（
０，Ｃ，Ｎ）の分布状態を説明するための説明図である
。第２５図から第２８図は、実施例におけるガス流量の変
化を示す説明図である。１０００・・・・・・・・・・・・・・・・・・光受容
層１００１・・・・・・・・・・・・・・・・・・Ｍ支
持体１００２・・・・・・・・・・・・・・・・・・第
１の層１００３・・・・・・・・・・・・・・・・・・
第２の層１００４・・・・・・・・・・・・・・・・・
・光受容部材１００５・・・・・・・・・・・・・・・
・・・光受容部材の自由表面２６０１・・・・・・・・
・・・・・・・・・・電子写真用光受容部材２６０２・
・・・・・・・・・・・・・・・・・半導体レーザー２
８０３・・・・・・・・・・・・・・・・・・ｆθレン
ズ２Ｂ０４・・・・・・・・・・・・・・・・・・ポリ
ゴンミラー２６０５・・・・・・・・・・・・・・・・
・・露光装置の平面図２６０６・・・・・・・・・・・
・・・・・・・露光装置の側面図特許出願人　　キャノ
ン株式会社第１１１第２図ｖＥ３図第４図（Ｄ）（Ａ）　　　　　　　　　　　、日。（Ｃ）Ｔ。第７５１１第８図第９図（ＪＪｍ）第１３図（ｐｍ）第１４図県１５図 □Ｃ第１６図第１７図第１６図第１９図第２０図第２１図第２２第２３第　２４ブス汎量比乃°人潰量沌 η°ス滝量、ｆｆＬ第２７図乃′スｊｉｌｔ：。第２８図

Claims

【特許請求の範囲】

（１）所定の切断位置での断面形状が主ピークに副ピー
クが重畳された凸状形状である凸部が多数表面に形成さ
れている支持体と、シリコン原子とゲルマニウム原子と
を含む非晶質材料で構成された第１の層と、シリコン原
子を含む非晶質材料で構成され光導電性を示す第２の層
と、シリコン原子と炭素原子とを含む非晶質材料からな
る表面層とが支持体側より順に設けられた多層構成の光
受容層とを有しており、前記光受容層は、酸素原子、炭
素原子、窒素原子の中から選択される少なくとも一種を
含有する事を特徴とする光受容部材。
（２）前記凸部が規則的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（３）前記凸部が周期的に配列されている特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（４）前記凸部の夫々は、一次近似的に同一形状を有す
る特許請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（５）前記凸部は、副ピークを複数有する特許請求の範
囲第１項に記載の光受容部材。
（６）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（７）前記凸部の前記断面形状は、主ピークを中心にし
て非対称形状である特許請求の範囲第１項に記載の光受
容部材。
（８）前記凸部は、機械的加工によって形成された特許
請求の範囲第１項に記載の光受容部材。
（９）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原子
の中から選択される少なくとも一種を層厚方向には均一
な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の光受容
部材。
（１０）前記光受容層が、酸素原子、炭素原子、窒素原
子の中から選択される少なくとも一種を、層厚方向には
不均一な状態で含有する特許請求の範囲第１項に記載の
光受容部材。
（１１）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方に水素原子が含有されている特許請求の範囲第１項に
記載の光受容部材。
（１２）第１の層及び第２の層の少なくともいずれか一
方にハロゲン原子が含有されている特許請求の範囲第１
項又は同第１１項に記載の光受容部材。