JPS61108145A - 不良半導体ペレツト検出装置 - Google Patents
不良半導体ペレツト検出装置Info
- Publication number
- JPS61108145A JPS61108145A JP22952384A JP22952384A JPS61108145A JP S61108145 A JPS61108145 A JP S61108145A JP 22952384 A JP22952384 A JP 22952384A JP 22952384 A JP22952384 A JP 22952384A JP S61108145 A JPS61108145 A JP S61108145A
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- defective
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- semiconductor pellet
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の背景〕
半導体集積回路いわゆるＩＣ，Ｌ８工などは、原材料の
半導体基板いわゆるウェーハに不純物を選択的にドーピ
ングしたシ、電極のアルミ層を形成したり、また絶縁酸
化膜をつける等のいわゆるウェーハエ程を行なう工場（
ウェーハエ場）から、ウェーハ状態のまま出荷され、組
立工場でこれが入荷してからダイシングと呼ばれる切断
作業により各一枚ずつのペレットに切多分けられる。
半導体基板いわゆるウェーハに不純物を選択的にドーピ
ングしたシ、電極のアルミ層を形成したり、また絶縁酸
化膜をつける等のいわゆるウェーハエ程を行なう工場（
ウェーハエ場）から、ウェーハ状態のまま出荷され、組
立工場でこれが入荷してからダイシングと呼ばれる切断
作業により各一枚ずつのペレットに切多分けられる。
このよウニ一枚ずつのペレットに切り分けられた半導体
ウェーハはダイシング前の半導体ウェーハの形状をその
まま保持され、各半導体ペレットは順次たとえば真空チ
ャック方式のコレットによって吸着取出され、半導体装
置の外囲器のベース面にグイボンデングされる。
ウェーハはダイシング前の半導体ウェーハの形状をその
まま保持され、各半導体ペレットは順次たとえば真空チ
ャック方式のコレットによって吸着取出され、半導体装
置の外囲器のベース面にグイボンデングされる。
ところで、このような半導体ウェーハは、その周辺部に
おいても半導体ペレットが形成されてお如、シかもこの
半導体ペレットはその一辺が半導体ウェーへの辺と一致
しているために、欠けが生じた半導体ペレットとして製
造される。
おいても半導体ペレットが形成されてお如、シかもこの
半導体ペレットはその一辺が半導体ウェーへの辺と一致
しているために、欠けが生じた半導体ペレットとして製
造される。
このような欠けが形成されている半導体ペレットは、特
性検査いわゆるグローブ検査の対象とはならず事前にチ
ェックされグイボンデングされないものとして取扱われ
る。
性検査いわゆるグローブ検査の対象とはならず事前にチ
ェックされグイボンデングされないものとして取扱われ
る。
従来、この欠けの形成されている半導体ペレツトはたと
えば撮像装置によって認識され、たとえば標準・母ター
ンの面積と比較して何優り上欠けている場合に不良品と
して判定されていたものでおる。
えば撮像装置によって認識され、たとえば標準・母ター
ンの面積と比較して何優り上欠けている場合に不良品と
して判定されていたものでおる。
しかしながら、従来の撮像装置は標準・臂ターンとの面
積比例で欠けがある半導体ペレットを検出しているため
に、信頼性に乏しく、また装置それ自体高価なものとな
っていた。
積比例で欠けがある半導体ペレットを検出しているため
に、信頼性に乏しく、また装置それ自体高価なものとな
っていた。
本発明の目的は、欠は等による不良ペレットを信頼性よ
く簡単な構成にて検出し得る不良半導体ペレット検出装
置を提供するにおる０ 〔発明の概要〕 このような目的を達成するために、本発明は、半導体ウ
ェーハの周辺部に位置しかつ該周辺部が半導体ペレット
の一辺と一致する不良半導体ペレットを検出する不良半
導体ペレット検出装置において、ヘリウムネオンレーザ
光源と、この光源の照射光束を適当な大きさに絞る手段
と、この手段を通過した光の前記半導体ペレットに対す
る反射光を入射させる受光素子と、この受光素子の出力
電流が予め定めた電流値と比較して前記半導体ペレット
の良否を判定する手段と、を有するようにしたものであ
る。
く簡単な構成にて検出し得る不良半導体ペレット検出装
置を提供するにおる０ 〔発明の概要〕 このような目的を達成するために、本発明は、半導体ウ
ェーハの周辺部に位置しかつ該周辺部が半導体ペレット
の一辺と一致する不良半導体ペレットを検出する不良半
導体ペレット検出装置において、ヘリウムネオンレーザ
光源と、この光源の照射光束を適当な大きさに絞る手段
と、この手段を通過した光の前記半導体ペレットに対す
る反射光を入射させる受光素子と、この受光素子の出力
電流が予め定めた電流値と比較して前記半導体ペレット
の良否を判定する手段と、を有するようにしたものであ
る。
第１図は本発明による不良半導体ペレット検出装置の一
実施例を示す構成図である。同図において、ヘリウム・
ネオンレーザ光源１があり、このヘリウム・ネオンレー
ザ光源１はビーム直径が０．７ｕ程度、広がシ角１．２
１１ ｒａ（１程度のレーザ光を照射するようになって
いる。このヘリウム・ネオンレーザ光源１からのレーザ
光はフィルタ２を介して反射鏡３へ入射するようになっ
ている。前記フィルタ２は後述する受光素子７の種類に
応じて光蓋の眺整ができるようになっているものである
。そして、前記反射鏡５からのレーザ光はピンホール板
４または適当なレンズを介し、かつ１５〜３５＠程度の
入射角で半導体ウェーハ５内の−の半導体ペレットに入
射するようになっている。なお、前記反射鏡５はその必
要に応じて角度調整ができるものである。前記ピンホー
ル板４は板体に直径０．５１程度の孔が形成されたもの
で、前記ヘリウム・ネオンレーザ光源１からのレーザ光
の光束径を回折現象を利用してたとえば光［０，２５ｍ
ａｓ程度に絞り強度を上げている。ただし、ピンホール
板の代わ如に適当なレンズを用いても差し支えない。
実施例を示す構成図である。同図において、ヘリウム・
ネオンレーザ光源１があり、このヘリウム・ネオンレー
ザ光源１はビーム直径が０．７ｕ程度、広がシ角１．２
１１ ｒａ（１程度のレーザ光を照射するようになって
いる。このヘリウム・ネオンレーザ光源１からのレーザ
光はフィルタ２を介して反射鏡３へ入射するようになっ
ている。前記フィルタ２は後述する受光素子７の種類に
応じて光蓋の眺整ができるようになっているものである
。そして、前記反射鏡５からのレーザ光はピンホール板
４または適当なレンズを介し、かつ１５〜３５＠程度の
入射角で半導体ウェーハ５内の−の半導体ペレットに入
射するようになっている。なお、前記反射鏡５はその必
要に応じて角度調整ができるものである。前記ピンホー
ル板４は板体に直径０．５１程度の孔が形成されたもの
で、前記ヘリウム・ネオンレーザ光源１からのレーザ光
の光束径を回折現象を利用してたとえば光［０，２５ｍ
ａｓ程度に絞り強度を上げている。ただし、ピンホール
板の代わ如に適当なレンズを用いても差し支えない。
第２図は、ピンホール板４によつ°ζ光束を絞ることが
できる実験結果を示すグラフであり、ピンホール板のな
い状態と比べてピンホール板がアル場合、テッグ面照度
が大きくなっていることが判るＯ したがって、このようにテッグ面照度を上は光束を絞る
ためには、必ずしも前記ピンホール板４を用いる必要は
なくたとえばレンズを用いてもよい０ なお、上述したヘリウム・ネオンレーザ光源１、フィル
タ２、反射鏡３およびピンホール板４はそれぞれペレッ
トボンディング装置に組み込まれておυ、これらは、ダ
イボンディングのための真空ビックアーム８の上下及び
回転運動のだめのスペース、具体的には半導体ウエーノ
・５の上方的５０ｍｘの空間を確保して配置されている
。
できる実験結果を示すグラフであり、ピンホール板のな
い状態と比べてピンホール板がアル場合、テッグ面照度
が大きくなっていることが判るＯ したがって、このようにテッグ面照度を上は光束を絞る
ためには、必ずしも前記ピンホール板４を用いる必要は
なくたとえばレンズを用いてもよい０ なお、上述したヘリウム・ネオンレーザ光源１、フィル
タ２、反射鏡３およびピンホール板４はそれぞれペレッ
トボンディング装置に組み込まれておυ、これらは、ダ
イボンディングのための真空ビックアーム８の上下及び
回転運動のだめのスペース、具体的には半導体ウエーノ
・５の上方的５０ｍｘの空間を確保して配置されている
。
そして、レーザ光の半導体ペレットに対する反射光はホ
ルダ６内に組み込まれた受光素子７に入射されるように
なっている。
ルダ６内に組み込まれた受光素子７に入射されるように
なっている。
また、前記半導体ウェーハ５はＸ−’ｌステージ１０の
上面に載置されてお如、このＸ−Ｙステージ１０の各Ｙ
方向ステージおよびＹ方向ステージを独立に移動させる
ことによシ、前記真空吸着コレット９下に半導体ウェー
ハ内のピックアップすべき半導体ペレットを位置づける
よう、になっている０ このようにして構成した不良半導体ペレット検出装置の
作用を以下説明する。
上面に載置されてお如、このＸ−Ｙステージ１０の各Ｙ
方向ステージおよびＹ方向ステージを独立に移動させる
ことによシ、前記真空吸着コレット９下に半導体ウェー
ハ内のピックアップすべき半導体ペレットを位置づける
よう、になっている０ このようにして構成した不良半導体ペレット検出装置の
作用を以下説明する。
Ｘ−Ｙステージ１０の駆動によってピツクアッグアーム
８の真空吸着コレット９の真下に被検査チップとなる半
導体ペレット５が送られてくると、レーザ光はペレット
の中心部に０．２５ｍｍ程度のスポット径で照射され、
その部分に直径５００〜６００μｍの黒インクドツト（
マーク）があれば、第３図に示すように、マーク部分の
反射は非常に小さくなる。
８の真空吸着コレット９の真下に被検査チップとなる半
導体ペレット５が送られてくると、レーザ光はペレット
の中心部に０．２５ｍｍ程度のスポット径で照射され、
その部分に直径５００〜６００μｍの黒インクドツト（
マーク）があれば、第３図に示すように、マーク部分の
反射は非常に小さくなる。
ここで、前記インクドツトとはダイボンデング工程前に
おいて、各半導体ペレットの特性検査をし、その結果不
良と判定された場合に、その半導体ペレット面に印され
る不良マークである０なお、マークがない場合において
も、半導体ペレットのＩＣ，４ターンによっては中心部
の反射が、低いとともある。しかし、一枚のペレット中
の一中心線上に沿った反射率の分布を第３図に示してい
るように画像の光学的拡大をしない上、拡がりや減衰の
少ないレーザ光を使用するという理由から、ＩＣ／ｆタ
ーンの明暗と黒インクドツトの有無による明暗に関する
８Ｎ比は極めて大きくしたがって誤判定が起こりにくい
。このために、ＩＣ／ｆターンに拘わらずマークを適確
に検出することができる◇第４図は、ペレット中心部を
一列のペレットについて走査してみた結果を示す。なお
、実際には前述のように、コレットの真下にチップが来
て静止したとき判定すればよい。良と判定した時はげツ
クアッグがそのチップをコレットに吸着してダイボンデ
ィングの位置に持ち去る。不良と判定すればそのまま残
す。いずれにしても判定が完了すれば次のテップをコレ
ットの真下まで送る。つまり、チップ１個ずつこの動作
がくり返される。同図はピックアップの操作を略し、直
線送りを続けながら連続的に良否判定を行なったもので
ある。
おいて、各半導体ペレットの特性検査をし、その結果不
良と判定された場合に、その半導体ペレット面に印され
る不良マークである０なお、マークがない場合において
も、半導体ペレットのＩＣ，４ターンによっては中心部
の反射が、低いとともある。しかし、一枚のペレット中
の一中心線上に沿った反射率の分布を第３図に示してい
るように画像の光学的拡大をしない上、拡がりや減衰の
少ないレーザ光を使用するという理由から、ＩＣ／ｆタ
ーンの明暗と黒インクドツトの有無による明暗に関する
８Ｎ比は極めて大きくしたがって誤判定が起こりにくい
。このために、ＩＣ／ｆターンに拘わらずマークを適確
に検出することができる◇第４図は、ペレット中心部を
一列のペレットについて走査してみた結果を示す。なお
、実際には前述のように、コレットの真下にチップが来
て静止したとき判定すればよい。良と判定した時はげツ
クアッグがそのチップをコレットに吸着してダイボンデ
ィングの位置に持ち去る。不良と判定すればそのまま残
す。いずれにしても判定が完了すれば次のテップをコレ
ットの真下まで送る。つまり、チップ１個ずつこの動作
がくり返される。同図はピックアップの操作を略し、直
線送りを続けながら連続的に良否判定を行なったもので
ある。
マークがあると図のように受光部出力電圧が大きく低下
し、リレーが働くので判定回路出力電圧が下がる。同図
における高さの低い・母ルスはＩＣマークの暗部によっ
て生ずるもので、ＳＮ比の大きいことは同図からもよく
かわる。
し、リレーが働くので判定回路出力電圧が下がる。同図
における高さの低い・母ルスはＩＣマークの暗部によっ
て生ずるもので、ＳＮ比の大きいことは同図からもよく
かわる。
このようにして、半導体ウエーノ・５内の各半導体ペレ
ットのうち不良マークが印された半導体ペレットを避け
て、順次ダイボンデングする過程において、前記真空吸
着コレット９上に半導体ウェーハ５の周辺部に位置する
半導体ペレットが位置づけられた場合、本発明の作用が
開始される・すなわち、半導体ウェーハ５はそのダイシ
ング前においても周辺部に欠けがあるのが通常であわ、
前記周辺部を一辺としてダイシングされた半導体ペレッ
トは不良となるものである０この不良半導体ペレットは
欠けが生じているが故に、受光素子７に入射されるレー
ザ光は前記欠は部によって乱反射された一部の光となる
。したがって、前記受光素子７からの出力信号は第５図
に示すように、マーク検出のための信号とは一見して明
瞭となる特異な信号となり、この信号を認識することに
よって不良半導体ペレットの存在を明らかにすることが
できる〇 このような不良半導体ペレットを認識できたときは酌記
Ｘ−Ｙステージ１０のＹ方向ステージをＹ方向と逆方向
に１ステツブ分（半導体ペレット分）送υ、さらにＸ方
向ステージを１ステップ分送る仁とにより、次の半導体
ペレットの吸着にとりかかる。
ットのうち不良マークが印された半導体ペレットを避け
て、順次ダイボンデングする過程において、前記真空吸
着コレット９上に半導体ウェーハ５の周辺部に位置する
半導体ペレットが位置づけられた場合、本発明の作用が
開始される・すなわち、半導体ウェーハ５はそのダイシ
ング前においても周辺部に欠けがあるのが通常であわ、
前記周辺部を一辺としてダイシングされた半導体ペレッ
トは不良となるものである０この不良半導体ペレットは
欠けが生じているが故に、受光素子７に入射されるレー
ザ光は前記欠は部によって乱反射された一部の光となる
。したがって、前記受光素子７からの出力信号は第５図
に示すように、マーク検出のための信号とは一見して明
瞭となる特異な信号となり、この信号を認識することに
よって不良半導体ペレットの存在を明らかにすることが
できる〇 このような不良半導体ペレットを認識できたときは酌記
Ｘ−Ｙステージ１０のＹ方向ステージをＹ方向と逆方向
に１ステツブ分（半導体ペレット分）送υ、さらにＸ方
向ステージを１ステップ分送る仁とにより、次の半導体
ペレットの吸着にとりかかる。
以上説明した実施例は半導体ペレットの特性上の不良を
検出する装置を兼ねて欠は等による不良半導体ペレット
を検出するようにしたものであるが、欠は等による不良
半導体ペレットの検出は、半導体ペレットの特性上の不
良を検出する装置とは別個に装置化するようにして行な
ってもよいことはいうまでもない０ 〔発明の効果〕 ′ 以上説１明したことから明らかなように、本発明に
よる不良半導体ペレット検出装置によれば、欠は等によ
る不良ペレットを信頼性よく簡単な構成にて検出するこ
とができるようになる０
検出する装置を兼ねて欠は等による不良半導体ペレット
を検出するようにしたものであるが、欠は等による不良
半導体ペレットの検出は、半導体ペレットの特性上の不
良を検出する装置とは別個に装置化するようにして行な
ってもよいことはいうまでもない０ 〔発明の効果〕 ′ 以上説１明したことから明らかなように、本発明に
よる不良半導体ペレット検出装置によれば、欠は等によ
る不良ペレットを信頼性よく簡単な構成にて検出するこ
とができるようになる０
第１図は本発明による不良半導体チップ検出装置の一実
施例を示す構成図、第２図はピンホールの集光効果を示
す説明図、第３図はマーク無しチップとマーク有υチツ
ゾの中心線に沿ったレーザ光反射率の分布を示す説明図
、第４図はあるチップの列を等速運動により連続的に走
査した場合の良否判定状況を示す説明図、第５図は本発
明による効果を示す説明図である。 １・・・ヘリウム・ネオンレーザ発振器、２・・・フィ
ルタ、 ３・・・反射鏡、４・・・ピンホール板
、 ５・・・半導体ウェーハ、６・・・受光素子ホル
ダー、 ７・・・半導体受光素子、 ８・・・ダイボンダのピックアップアーム、９・・・真
空吸着コレット、 １０・・・Ｘ−Ｙステージ。 代理人 鵜 沼 辰 之 Ｑｌ） 第１図 第２図 ｔＮＮ１３・カ゛Ｉ；ｎＫＦｉｔ （ｍｍ）（ｖ”
Ｍ ’ｆ ） ｌ／ ’ｇＭ ４’＃ Ｘ’ｌ
−。 （Ａ）７／Ｉ 平 Ｃ△ンリさｑ劇；ｄ１慧り、
ｌ＜、１ρｆＥｃ］ぶｌ＋よ
施例を示す構成図、第２図はピンホールの集光効果を示
す説明図、第３図はマーク無しチップとマーク有υチツ
ゾの中心線に沿ったレーザ光反射率の分布を示す説明図
、第４図はあるチップの列を等速運動により連続的に走
査した場合の良否判定状況を示す説明図、第５図は本発
明による効果を示す説明図である。 １・・・ヘリウム・ネオンレーザ発振器、２・・・フィ
ルタ、 ３・・・反射鏡、４・・・ピンホール板
、 ５・・・半導体ウェーハ、６・・・受光素子ホル
ダー、 ７・・・半導体受光素子、 ８・・・ダイボンダのピックアップアーム、９・・・真
空吸着コレット、 １０・・・Ｘ−Ｙステージ。 代理人 鵜 沼 辰 之 Ｑｌ） 第１図 第２図 ｔＮＮ１３・カ゛Ｉ；ｎＫＦｉｔ （ｍｍ）（ｖ”
Ｍ ’ｆ ） ｌ／ ’ｇＭ ４’＃ Ｘ’ｌ
−。 （Ａ）７／Ｉ 平 Ｃ△ンリさｑ劇；ｄ１慧り、
ｌ＜、１ρｆＥｃ］ぶｌ＋よ
Claims (1)
- 半導体ウェーハの周辺部に位置しかつ該周辺部が半導
体ペレットの一辺と一致する不良半導体ペレットを検出
する不良半導体ペレット検出装置において、ヘリウムネ
オンレーザ光源と、この光源の照射光束を適当な大きさ
に絞る手段と、この手段を通過した光の前記半導体ペレ
ツトに対する反射光を入射させる受光素子と、この受光
素子の出力電流を予め定めた電流値と比較して前記半導
体ペレットの良否を判定する手段と、を有することを特
徴とする不良半導体ペレット検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22952384A JPS61108145A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 不良半導体ペレツト検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22952384A JPS61108145A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 不良半導体ペレツト検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61108145A true JPS61108145A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16893500
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22952384A Pending JPS61108145A (ja) | 1984-10-31 | 1984-10-31 | 不良半導体ペレツト検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61108145A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53127267A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Inspection method for pattern |
-
1984
- 1984-10-31 JP JP22952384A patent/JPS61108145A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53127267A (en) * | 1977-04-13 | 1978-11-07 | Mitsubishi Electric Corp | Inspection method for pattern |
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