JPS61107784A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS61107784A JPS61107784A JP22993484A JP22993484A JPS61107784A JP S61107784 A JPS61107784 A JP S61107784A JP 22993484 A JP22993484 A JP 22993484A JP 22993484 A JP22993484 A JP 22993484A JP S61107784 A JPS61107784 A JP S61107784A
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- Japan
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- semiconductor laser
- laser element
- diode
- zener diode
- voltage
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光情報処理装置に用いることのできる半導体
レーザ装置に関する。
レーザ装置に関する。
従来の技術
近年、半導体レーザ装置は小型、低消費電力で高効率で
あるなどの利点から光ディスク、レーザプリンタ、光通
信などの分野に使用されている。
あるなどの利点から光ディスク、レーザプリンタ、光通
信などの分野に使用されている。
特にコンパクトディスク（ＣＤ）のピックアップなどに
は多量生産されるに至っている。
は多量生産されるに至っている。
第６図は従来の半導体レーザ装置の一例の断面構造を示
すものである０図において、１はレーザ発振する半導体
レーザ素子、２は半導体レーザ素子ｌの光出力をモニタ
するホトダイオード、３は熱を散逸するヒートシンク、
４はレーザ光を外部に取り出す窓ガラス、５はリード線
、６はキャップ、モして７はステムである。
すものである０図において、１はレーザ発振する半導体
レーザ素子、２は半導体レーザ素子ｌの光出力をモニタ
するホトダイオード、３は熱を散逸するヒートシンク、
４はレーザ光を外部に取り出す窓ガラス、５はリード線
、６はキャップ、モして７はステムである。
このように構成された半導体レーザ装置のレーザ素子と
して使用される半導体レーザダイオードの電流光出力特
性（Ｉ−Ｌ特性）と電圧電流特性（Ｉ−Ｖ特性）を第７
図に示す、同図に示すように、レーザダイオードの順方
向電流を増してゆくと、レーザ発振が起り、光出力が直
線的に増大する。そして光出力がある臨界値を超えると
、ダイオードの端面が熱により破壊され、レーザ発振が
停止するに至る。
して使用される半導体レーザダイオードの電流光出力特
性（Ｉ−Ｌ特性）と電圧電流特性（Ｉ−Ｖ特性）を第７
図に示す、同図に示すように、レーザダイオードの順方
向電流を増してゆくと、レーザ発振が起り、光出力が直
線的に増大する。そして光出力がある臨界値を超えると
、ダイオードの端面が熱により破壊され、レーザ発振が
停止するに至る。
このようなことから第６図の装置では、静電気、やサー
ジ電圧がリード線５に加わると、レーザ素子ｌが瞬間的
に許容最大出力以上の光出力を放射して、素子の端面が
破壊され、素子が劣化するおそれが非常に大きい。サー
ジ電流で劣化した素子は、一般に工・−Ｌ特性において
、しきい電流値が増大し、効率が低下し、又素子の寿命
が著しく短くなる。
ジ電圧がリード線５に加わると、レーザ素子ｌが瞬間的
に許容最大出力以上の光出力を放射して、素子の端面が
破壊され、素子が劣化するおそれが非常に大きい。サー
ジ電流で劣化した素子は、一般に工・−Ｌ特性において
、しきい電流値が増大し、効率が低下し、又素子の寿命
が著しく短くなる。
発明が解決しようとする問題点
本発明は、従来の半導体レーザ装置における上述のよう
な問題を解決し、リード線に静電気やサージ電流が加わ
った場合、パッケージ内のレーザ素子にｊ・８値以上の
電流が流れて素子が劣化するのを防止することのできる
半導体レーザ装置を提供するものである。
な問題を解決し、リード線に静電気やサージ電流が加わ
った場合、パッケージ内のレーザ素子にｊ・８値以上の
電流が流れて素子が劣化するのを防止することのできる
半導体レーザ装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上述の問題点を解決するため、本発明は、パラ６ ケ
ージ内のレーザ素子のアノードにツェナーダイオードの
カソードを接続して、レーザ素子に並列にツェナーダイ
オードを接続し、過剰なサージ電圧がレーザ素子のリー
ド線に加わった時に、ツェナーダイオードにサージ電流
を流して、レーザ素子をサージ電流から保護するように
したものである。
ージ内のレーザ素子のアノードにツェナーダイオードの
カソードを接続して、レーザ素子に並列にツェナーダイ
オードを接続し、過剰なサージ電圧がレーザ素子のリー
ド線に加わった時に、ツェナーダイオードにサージ電流
を流して、レーザ素子をサージ電流から保護するように
したものである。
実施例
第１図は本発明の第１の実施例の回路図、第２図はパッ
ケージ内に収納された第１図の回路に相当する本発明の
半導体レーザ装置の具体的構成を示す斜視図である。こ
れらの図において、ｌは半導体レーザ素子（或はレーザ
ダイオード）、３はヒートシンク、５はリード線、７は
ステム、８はツェナーダイオード、９はポール、１０は
ワイヤであり、ツェナーダイオード８はそのカソードが
半導体レーザ素子ｌのアノードに接続されて、半導体レ
ーザ素子１とツェナーダイオード８が並列に接続されて
、図示せざるパッケージ内に収納されている。ヒートシ
ンク３にポンディングする側がレーザダイオードとツェ
ナーダイオードで同じ側 □゛になる場合には、第３図
に示すように、ツェナーダイオード８をポール９上にポ
ンディングしてもよい。
ケージ内に収納された第１図の回路に相当する本発明の
半導体レーザ装置の具体的構成を示す斜視図である。こ
れらの図において、ｌは半導体レーザ素子（或はレーザ
ダイオード）、３はヒートシンク、５はリード線、７は
ステム、８はツェナーダイオード、９はポール、１０は
ワイヤであり、ツェナーダイオード８はそのカソードが
半導体レーザ素子ｌのアノードに接続されて、半導体レ
ーザ素子１とツェナーダイオード８が並列に接続されて
、図示せざるパッケージ内に収納されている。ヒートシ
ンク３にポンディングする側がレーザダイオードとツェ
ナーダイオードで同じ側 □゛になる場合には、第３図
に示すように、ツェナーダイオード８をポール９上にポ
ンディングしてもよい。
次に上述のように構成された半導体レーザ装置の動作を
説明する。今、ツェナーダイオード８のツェナー電圧■
を、３〜３．５ｖに選ぶとすると、リード線の両端にレ
ーザ素子１の順方向に３．５ｖ以上のサージ電圧が加わ
った時には、ツェナーダイオードの方へサージ電流が流
れて、レーザ素子が保護される０通常のレーザ素子の動
作時には、第７図の特性から判るように、レーザ素子の
順方向電圧は２ｖ程度であり、ツェナーダイオード８に
は電流は流れない、逆方向のサージ電圧にういては、
０．６〜０．７ｖ以上でツェナーダイオードが順方向に
電流を流すので、レーザ素子に逆方向のサージ電圧が加
わるのを防ぐことができる。
説明する。今、ツェナーダイオード８のツェナー電圧■
を、３〜３．５ｖに選ぶとすると、リード線の両端にレ
ーザ素子１の順方向に３．５ｖ以上のサージ電圧が加わ
った時には、ツェナーダイオードの方へサージ電流が流
れて、レーザ素子が保護される０通常のレーザ素子の動
作時には、第７図の特性から判るように、レーザ素子の
順方向電圧は２ｖ程度であり、ツェナーダイオード８に
は電流は流れない、逆方向のサージ電圧にういては、
０．６〜０．７ｖ以上でツェナーダイオードが順方向に
電流を流すので、レーザ素子に逆方向のサージ電圧が加
わるのを防ぐことができる。
以上のようにこの実施例によれば、ツェナー電圧Ｖムが
３〜３．５ｖのツェナーダイオードをレーザ素子の電流
流通方向に対して逆方向になるように接続することによ
り、′正負方向のサージ電圧に対してレーザ素子を保護
することができる。
３〜３．５ｖのツェナーダイオードをレーザ素子の電流
流通方向に対して逆方向になるように接続することによ
り、′正負方向のサージ電圧に対してレーザ素子を保護
することができる。
第４図は本発明の第２の実施例の回路である。
同図において、１は半導体レーザ素子であるレーザダイ
オード、８はツェナーダイオードで、第１図の実施例と
異なるところは、レーザダイオード１に直列に抵抗１１
を接続した点にある。
オード、８はツェナーダイオードで、第１図の実施例と
異なるところは、レーザダイオード１に直列に抵抗１１
を接続した点にある。
次にその動作を説明する。直列抵抗１１を設けたことに
より、外部端子間に加わったサージ電圧は抵抗１１とレ
ーザダイオードｌに分圧されてレーザダイオードに加わ
ることになり、サージに対する保護効果は一層良くなる
。この場合、ツェナーダイオード８のツェナー電圧■ｚ
は、抵抗１１の値をＲとすると、 ｖｚ＝３＋〇、ＩＲ を目安として決めればよい、抵抗値Ｒは大きければ大き
い程、サージの保護効果が増大する。
より、外部端子間に加わったサージ電圧は抵抗１１とレ
ーザダイオードｌに分圧されてレーザダイオードに加わ
ることになり、サージに対する保護効果は一層良くなる
。この場合、ツェナーダイオード８のツェナー電圧■ｚ
は、抵抗１１の値をＲとすると、 ｖｚ＝３＋〇、ＩＲ を目安として決めればよい、抵抗値Ｒは大きければ大き
い程、サージの保護効果が増大する。
第５図はポール９に第４図の抵抗１１に相当するチップ
抵抗１１を実装した半導体レーザ装置のパッケージを除
いた斜視図である。
抵抗１１を実装した半導体レーザ装置のパッケージを除
いた斜視図である。
この実施例によればレーザ素子に直列に抵抗を接続し、
更にこれに並列にツェナーダイオードを接続することに
より、サージ電圧に対するレーザ素子の保護効果を一層
高めることができる。
更にこれに並列にツェナーダイオードを接続することに
より、サージ電圧に対するレーザ素子の保護効果を一層
高めることができる。
なお、第１の実施例及び第２の実施例において、ツェナ
ーダイオードの代りに、ある電圧以上の電圧が加わった
場合に短絡する機能を有するもの、例えばトランジスタ
のエミッタ、ベース間接合を用いることもできる。
ーダイオードの代りに、ある電圧以上の電圧が加わった
場合に短絡する機能を有するもの、例えばトランジスタ
のエミッタ、ベース間接合を用いることもできる。
又、第２の実施例では抵抗１１をレーザ素子ｌのカソー
ド側に接続しているけれども、これをアノード側に接続
してもよいことは言うまでもない。
ド側に接続しているけれども、これをアノード側に接続
してもよいことは言うまでもない。
発明の効果
以上のように本発明は、半導体レーザ素子の両端にツェ
ナーダイオードを半導体レーザ素子の電流流通方向と逆
向きに接続することにより、レーザ素子がサージ電圧に
より劣化するのを防止することができる。更に半導体レ
ーザ素子に直列に抵抗を接続してこれに並列にツェナー
ダイオードを接続することにより、上記サージ電圧に対
する保護効果を一層高めることができる。
ナーダイオードを半導体レーザ素子の電流流通方向と逆
向きに接続することにより、レーザ素子がサージ電圧に
より劣化するのを防止することができる。更に半導体レ
ーザ素子に直列に抵抗を接続してこれに並列にツェナー
ダイオードを接続することにより、上記サージ電圧に対
する保護効果を一層高めることができる。
第１図は本発明の第１の実施例の回路、第２図はその具
体的構成例のパッケージを除いた斜視図、第３図は第２
図の変形例、第４図は本発明の第２の実施例の回路、第
５図はその具体的構成例のパッケージを除いた斜視図、
第６図は従来の半導体レーザ装置の一例の構造を示す側
断面図、第７図は半導体レーザ素子の電流光出力特性（
Ｉ−Ｌ）と電流電圧特性（Ｉ−Ｖ）を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子 ２・・・ホトダイオード
３・・・ヒートシンク ４・・・窓ガラス５・・・リ
ード線 ６・・・キャップ ７・・・ステム８・・
・ツェナーダイオード ９・・・ポール１１・・・抵
抗 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治 、、、
７第１図 第３図 第４図 第５図
体的構成例のパッケージを除いた斜視図、第３図は第２
図の変形例、第４図は本発明の第２の実施例の回路、第
５図はその具体的構成例のパッケージを除いた斜視図、
第６図は従来の半導体レーザ装置の一例の構造を示す側
断面図、第７図は半導体レーザ素子の電流光出力特性（
Ｉ−Ｌ）と電流電圧特性（Ｉ−Ｖ）を示す図である。 ｌ・・・半導体レーザ素子 ２・・・ホトダイオード
３・・・ヒートシンク ４・・・窓ガラス５・・・リ
ード線 ６・・・キャップ ７・・・ステム８・・
・ツェナーダイオード ９・・・ポール１１・・・抵
抗 代理人の氏名 弁理士 吉 崎 悦 治 、、、
７第１図 第３図 第４図 第５図
Claims (2)
- （１）半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子のア
ノードにカソードが接続されて半導体レーザ素子に並列
に接続されたツェナーダイオードとを具え、これらが同
一パッケージ内に収納されていることを特徴とする半導
体レーザ装置。 - （２）半導体レーザ素子に直列に抵抗が接続され、この
半導体レーザ素子と抵抗の直列回路にツェナーダイオー
ドが並列に接続されていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993484A JPS61107784A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22993484A JPS61107784A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61107784A true JPS61107784A (ja) | 1986-05-26 |
Family
ID=16900014
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22993484A Pending JPS61107784A (ja) | 1984-10-30 | 1984-10-30 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61107784A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02305485A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ保護回路 |
| JP2012186326A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ駆動装置の製造方法 |
| JP2017069387A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57210683A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser protective circuit |
| JPS5994891A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS59155985A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
-
1984
- 1984-10-30 JP JP22993484A patent/JPS61107784A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57210683A (en) * | 1981-06-19 | 1982-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor laser protective circuit |
| JPS5994891A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-05-31 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS59155985A (ja) * | 1983-02-24 | 1984-09-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02305485A (ja) * | 1989-05-19 | 1990-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ保護回路 |
| JP2012186326A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ駆動装置の製造方法 |
| JP2017069387A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | ウシオ電機株式会社 | 半導体レーザ装置 |
| US10804675B2 (en) | 2015-09-30 | 2020-10-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package |
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