JPS61107219A - Display device and its manufacture - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To obtain a display device equipped with an electrode which is relatively high in resistance and also acts as a simply constituted white reflecting film, by making the specific resistance in the vicinity of the center in the direction of thickness of the electrode which also acts as a white reflecting film higher than the specific resistance inthe vicinity of the main surface. CONSTITUTION:A high-heat conductive layer 9, heat insulating layer 10, and heating electrode 11 are piled up in order on the upper surface of a glass substrate 1 and, on the other hand, a transparent electrode 5 is provided on another glass substrate 6 facing the glass substrate 1. A liquid-crystal layer 4 having a smectic phase is put between the heating electrode 11 and transparent electrode 5 with orienting films 3 between the layer 4 and electrodes 11 and 5, respectively. The crossing point of the heating electrode 3 and transparent electrode 5 forms a picture element and a matrix-like condition is formed as a whole. When the high-heat transmitting layer 9 is formed on the whole surface of the glass substrate 1, the heating electrode 11 also acts as a white reflecting film. The glass substrate 1 and 6 are made of borosilicate glass containing 81% of SiO2, 12% of B2O3, 4% of Na2O, and 3% of Al2O3.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は熱光学効果または電気・熱光学効果を有する表
示体を用いた熱書込み型表示暎随に係や、特にゲストホ
スト表示方式の熱書込み型表示装置に好適な表示装置及
びその製造方法に関する。[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a thermal writing type display using a display body having a thermo-optic effect or an electric/thermo-optic effect, and in particular to a thermal writing type display using a guest-host display type. The present invention relates to a display device suitable for a type display device and a method for manufacturing the same.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

熱光学効果または電気・熱光学効果を有する表示体を利
用する熱書込み型表示装置として、スメクチック相を有
する液晶の電気・熱光学効果を利用した熱書込み型の液
晶表示装置が知られている。2. Description of the Related Art A thermal writing type liquid crystal display device that utilizes the electro-thermo-optic effect of a liquid crystal having a smectic phase is known as a thermal writing type display device that utilizes a display body having a thermo-optic effect or an electro-thermo-optic effect.

（４？開昭５３−７０４５６、特開昭５７−１９２９２
５）。(4? 1977-70456, 1977-19292
5).

その液晶バ・ネルの基本構造を第２図に示す。ガラス基
板１の上に例えばストライプ状の液晶加熱電極２を設け
、もう一方のガラス基板６には液晶加熱電極２と直交す
るようにストライプ状の透明電極５が設けられている。The basic structure of the liquid crystal panel is shown in Figure 2. For example, a striped liquid crystal heating electrode 2 is provided on a glass substrate 1, and a striped transparent electrode 5 is provided on the other glass substrate 6 so as to be orthogonal to the liquid crystal heating electrode 2.

加熱電極２と透明電極５の間にスメクチック相を有する
液晶層４がある。Between the heating electrode 2 and the transparent electrode 5 is a liquid crystal layer 4 having a smectic phase.

加熱電極２と透明電極５との交点が１画素となり、マト
リックス状の表示パネルを構成している。なお、液晶層
４と各電極の間には配向嗅３がある。An intersection between the heating electrode 2 and the transparent electrode 5 constitutes one pixel, forming a matrix-like display panel. Note that there is an alignment layer 3 between the liquid crystal layer 4 and each electrode.

スメクチック相を有する液晶は加熱電極２の抵抗発熱に
より加熱され、スメクチック人相からネマチック相を経
て等方性液体相に変化する。そして等方性液体相から冷
却する過程で、液晶に電界を印加すると液晶分子は電界
方向に並び、この状態を保ったままスメクチック相と々
る。この時、液晶Ｎａ４は透過率の高い非散乱状態であ
る。一方、冷却過程で、液晶に電界を印加しない場合、
液晶分子はランダムな配向状態のスメクチック相となり
、透過宅の低い光散乱状態になる。各画素をこの光散乱
状態にするか非散乱状態にするかくよって、表示を行な
うものである。表示方式として散乱モード方式とゲスト
ホストモード方式がある。The liquid crystal having a smectic phase is heated by the resistance heat generated by the heating electrode 2, and changes from a smectic human phase to a nematic phase to an isotropic liquid phase. In the process of cooling from the isotropic liquid phase, when an electric field is applied to the liquid crystal, the liquid crystal molecules align in the direction of the electric field, and while maintaining this state, the liquid crystal enters the smectic phase. At this time, the liquid crystal Na4 is in a non-scattering state with high transmittance. On the other hand, if no electric field is applied to the liquid crystal during the cooling process,
The liquid crystal molecules become a randomly oriented smectic phase, resulting in a low light scattering state with low transmission. Display is performed by placing each pixel in the light scattering state or in the non-scattering state. There are two display methods: scatter mode and guest host mode.

散乱モード方式は、鏡面反射表面を有する加熱電極を用
いて外光の液晶による乱反射で表示するものである。す
なわち、非散乱状態の画素は外光が乱反射せず電極表面
の鏡面が見え、光散乱状態の画素は外光が乱反射し、そ
の画素は白濁して見えるようになるのを利用して表示を
行なうものである。この時、加熱電極はＡｌ、ｃｒ、　
Ｎｉ等の金属電極で、表面は反射率の高い鏡面状態が用
いられている。しかし、この散乱モードの表示は、視角
特性が悪く、表示パネルに対してほぼ垂直の方向からの
みしか、表示が見えない。またコントラストの向上も限
界がある。これに対し、液晶に色素を添加したゲストホ
スト方式は視角依存性が小さく、また、コントラストの
点から有利であるが、電極表面すなわち表示の背景を白
色の拡散反射面とすることが必要である。このため先行
技術として、加熱用電極部の素子構造として＃Ｊ３図（
ａ）に示すように加熱電極２＋絶縁物７＋白色Ａｌ反射
膜８とするもの、また第３図（ｂ）に示す様に白色Ａｌ
加熱電極２の方法がある。第３図（ａ）の方法はＡ４の
加熱電極２と白色反射膜８を絶縁膜７をはさんで別々に
設けたものであるが、素子構造が３層と複雑で製造プロ
セスが複雑になる。また絶縁膜にピンホール等の欠陥が
あると、加熱電極と白色反射膜の間で短絡が発生しやす
い。さらに、絶縁膜が断熱層として作用するため、加熱
用電極で発生した熱が有効に液晶層の加熱のために働か
ないという問題がある。The scattering mode method uses a heating electrode with a specular reflective surface to display images by diffusely reflecting external light on a liquid crystal. In other words, when a pixel is in a non-scattering state, external light is not diffusely reflected and the mirror surface of the electrode can be seen.When a pixel is in a light-scattering state, external light is diffusely reflected, making the pixel appear cloudy. It is something to do. At this time, the heating electrodes are Al, Cr,
The metal electrode is made of Ni or the like and has a mirror surface with high reflectance. However, this scattering mode display has poor viewing angle characteristics and can only be seen from a direction substantially perpendicular to the display panel. Furthermore, there is a limit to the improvement in contrast. On the other hand, the guest-host method, in which dyes are added to the liquid crystal, has less viewing angle dependence and is advantageous in terms of contrast, but it requires that the electrode surface, that is, the background of the display, be a white diffuse-reflecting surface. . For this reason, as a prior art, the element structure of the heating electrode part is shown in Figure #J3 (
As shown in a), there is a heating electrode 2 + insulator 7 + white Al reflective film 8, and as shown in FIG.
There is a heating electrode 2 method. In the method shown in FIG. 3(a), an A4-sized heating electrode 2 and a white reflective film 8 are provided separately with an insulating film 7 in between, but the element structure is complicated with three layers and the manufacturing process is complicated. . Furthermore, if the insulating film has defects such as pinholes, short circuits are likely to occur between the heating electrode and the white reflective film. Furthermore, since the insulating film acts as a heat insulating layer, there is a problem in that the heat generated by the heating electrode does not effectively heat the liquid crystal layer.

さらに、スメクチック相を有する液晶を用いた熱書込み
液晶表示装置は表示だけでなく一度書き込んだ情報を読
み出せるという特徴がある。これはスメクチック相の液
晶の書込みを行なった、画素部と書込みを行なわない画
素部の誘電率の差があることを利用したものである。す
なわち、書込み画素と非書込み画素の加熱電極と透明電
極の間のコンデンサ容置の差を検出して、書込まれた情
報を読み出すものである（％開昭５９−３４５８７号公
報、特開昭５９−１５５８８０　号公報）。第３図（ａ
）の方法では加熱電極２と透明電極５（第２図、透明電
極５参照）の間に絶縁膜７がある。この絶今膜７の誘電
率は液晶に比べて非常に大であるため、液晶＃４の誘電
率を検出しようとしても＠縁膜７の誘電率に影響されて
、書込み画素と非書込み画素の差を検出できないという
問題がある。Furthermore, a thermal writing liquid crystal display device using a liquid crystal having a smectic phase is characterized in that it can not only display information but also read out information once written. This takes advantage of the fact that there is a difference in dielectric constant between a pixel portion in which writing is performed and a pixel portion in which writing is not performed in a smectic phase liquid crystal. That is, the difference in the capacitor capacity between the heating electrode and the transparent electrode of the written pixel and the non-written pixel is detected to read out the written information. 59-155880). Figure 3 (a
), there is an insulating film 7 between the heating electrode 2 and the transparent electrode 5 (see FIG. 2, transparent electrode 5). The dielectric constant of this isolation film 7 is much higher than that of the liquid crystal, so even if you try to detect the dielectric constant of liquid crystal #4, it will be affected by the dielectric constant of the edge film 7, and the difference between the written pixel and the non-written pixel will be affected. The problem is that the difference cannot be detected.

また第３図（ｂ）の方法は加熱電極が白色反射膜を兼ね
たもので、素子構造は単純で望ましいものである。しか
し、従来＃ｃ３図（ｂ）の方法では加熱電極の材料とし
てＡｌを用いている。Ａｌはその薄嘆形成時の蒸着条件
を適当に選定すれば、容易に白色化できるためである。Further, in the method shown in FIG. 3(b), the heating electrode also serves as a white reflective film, and the element structure is simple and desirable. However, in the conventional method shown in #c3 (b), Al is used as the material for the heating electrode. This is because Al can be easily whitened by appropriately selecting the deposition conditions when forming the thin film.

一般的には、ｋｔの場合、蒸着時の基板温度を３００Ｃ
前後に加熱し、低蒸着速度で蒸着し膜結晶を成長させる
ことにより表面を凹凸にし乳白色の表面を得ている。こ
の場合、表面を凹凸にし、拡散反射率の高い白色反射膜
を得るには、Ａｌの膜厚として１．０〜２．、θμｍ租
度必要である。しかし、Ａｌの膜厚が１．０〜２゜μｍ
になるとシート抵抗は０．０３Ω／口以下となる。抵抗
が小さいと、加熱電極２の抵抗発熱による液晶層の加熱
に大きな電流が必要となる。例えば加熱電極２の長さ２
００ｍ、幅４００μｍ１膜厚１．０μｍの時、液晶層を
４０〜５０Ｃまで加熱するには１Å以上の電流が必要で
、液晶パネルを駆動する回路が大型化し、駆動回路のＩ
Ｃ化、ＬＳＩ化が困難となる。また当然、電力の消費も
犬となる。従って、加熱電極２としては、第３図　　　
　　　〜（′ｂ）の様に加熱電極２が白色反射膜を兼ね
た構造で、シート抵抗０．１〜１Ω／口とすることが課
題である。この時、加熱電極２の膜厚は、電極の温度上
昇に伴う電極の溶断、電極の許容通電極流の点から、例
えば０．５μｍ以上の膜厚が必要である。Generally, in the case of kt, the substrate temperature during vapor deposition is 300C.
By heating back and forth and depositing at a low deposition rate to grow film crystals, the surface is made uneven and a milky white surface is obtained. In this case, in order to make the surface uneven and obtain a white reflective film with high diffuse reflectance, the Al film thickness should be 1.0 to 2. , θμm tolerance is required. However, the thickness of Al film is 1.0~2゜μm.
Then, the sheet resistance becomes 0.03Ω/mouth or less. If the resistance is small, a large current is required to heat the liquid crystal layer due to resistance heat generation of the heating electrode 2. For example, the length 2 of the heating electrode 2
00 m, width 400 μm, film thickness 1.0 μm, a current of 1 Å or more is required to heat the liquid crystal layer to 40 to 50 C, which increases the size of the circuit that drives the liquid crystal panel and increases the I of the drive circuit.
It becomes difficult to convert into C and LSI. Naturally, power consumption is also a problem. Therefore, as the heating electrode 2, as shown in FIG.
The problem is to have a structure in which the heating electrode 2 also serves as a white reflective film, as shown in ~('b), and to have a sheet resistance of 0.1 to 1 Ω/hole. At this time, the heating electrode 2 needs to have a thickness of, for example, 0.5 μm or more in view of melting of the electrode due to rise in temperature of the electrode and permissible conduction current of the electrode.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、比較的抵抗が高く、かつ簡単々１成の
白色反射膜を兼ねる電極を具備する表示装置及びその製
造方法を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a display device that has an electrode that has a relatively high resistance and that easily doubles as a one-component white reflective film, and a method for manufacturing the display device.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的を連成する本発明の第１の特徴とするところは
、対向面に一方の′北極と白色反射膜を兼ねる他方のは
極とが対向するように形成される一対の基板と、該一対
の基板間に保持される熱光学効果または電気・熱光学効
果を有する表示体とを具備する表示装置に於いて、上記
白色反射膜を兼ねる他方の電極は、ＰｊＱ方向の中央付
近の比抵抗が、主表面付近の比抵抗より大きいことにあ
る。The first feature of the present invention that combines the above objects is that a pair of substrates are formed on opposing surfaces so that one's north pole and the other's pole, which also serves as a white reflective film, face each other; In a display device including a display body having a thermo-optic effect or an electric/thermo-optic effect held between a pair of substrates, the other electrode that also serves as the white reflective film has a specific resistance near the center in the PjQ direction. is larger than the specific resistance near the main surface.

さらに、本発明の第２の特徴とするところは、対向面に
一方の電極と白色反射膜を兼ねる他方の電極とが対向す
るように形成される一対の基板と、該一対の基板間に保
持される熱光学効果または電気・熱光学効果を有する表
示体を具備する表示装置に於いて、上記白色反射膜を兼
ねる他方の電極は、絶縁物が混入されて形成され、瞑厚
方向の中央付近く於ける上記絶縁物の混入比が、主表面
付近に於ける上記絶縁物の混入比より大きいことにある
。　。Furthermore, a second feature of the present invention is that a pair of substrates are formed such that one electrode and the other electrode that also serves as a white reflective film are opposed to each other on opposing surfaces, and that the substrate is held between the pair of substrates. In a display device equipped with a display body having a thermo-optic effect or an electric/thermo-optic effect, the other electrode that also serves as the white reflective film is formed by mixing an insulator, and has a central part in the thickness direction. The mixing ratio of the insulating material near the main surface is larger than the mixing ratio of the insulating material near the main surface. .

さらに、本発明表示装置の製造方法の特徴とするところ
は、白色反射膜を兼ねる他方の電極は、スパッタガスと
して酸素および／または窒素が混入された第１の工程と
、スパッタガスとして酸素および／ｌたは窒素が上記第
１の工程より少なく混入された第２の工程とを含むスパ
ッタ蒸着で形成されることにある。Furthermore, the method for manufacturing a display device of the present invention is characterized in that the other electrode that also serves as a white reflective film is formed in the first step in which oxygen and/or nitrogen is mixed as a sputtering gas, and in the first step in which oxygen and/or nitrogen is mixed as a sputtering gas. or a second step in which less nitrogen is mixed than in the first step.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

以下、本発明につき詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be explained in detail.

第１図（ａ）及び第１図（ｂ）は、本発明の一実施例と
なる液晶表示装置の素子構造を示す分解斜視図および断
面構造図である。FIGS. 1(a) and 1(b) are an exploded perspective view and a sectional view showing the element structure of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.

一方のガラス基板１の上面には高熱伝導層９、断熱層１
０および加熱電極１１の順に積層され、一方、ガラス基
板１に対面する他方のガラス基板６には透明電極５が配
設され、この加熱電極３と透明電極５との間に配向膜３
を介してスメクチック相を有する液晶層４がはさみ込ま
れている。加熱電極３と透明電極５との交点が画素を形
成し、全体としてマトリックス状を形成している。この
実施例では、高熱伝導層９が一方のガラス基板１の全面
に形成した場合を示している。加熱電極１１は白色反射
膜を兼ねている。On the upper surface of one glass substrate 1, a high thermal conductive layer 9 and a heat insulating layer 1 are provided.
On the other hand, a transparent electrode 5 is disposed on the other glass substrate 6 facing the glass substrate 1, and an alignment film 3 is disposed between the heating electrode 3 and the transparent electrode 5.
A liquid crystal layer 4 having a smectic phase is sandwiched therebetween. The intersections of the heating electrodes 3 and the transparent electrodes 5 form pixels, forming a matrix shape as a whole. This example shows a case in which a highly thermally conductive layer 9 is formed over the entire surface of one glass substrate 1. The heating electrode 11 also serves as a white reflective film.

本実施例のガラス基板１．６の材質は、硼硅酸ガラスで
あり、ＳｉＯ！が８１　’％、ＢｓＯｓが１２チ、Ｎａ
５Ｏが４チ、Ａｌ５Ｏｓが３ｑＩＩノ組成（Ｄ４のを使
用している。湖、本実施例としては、基板として、ガラ
スを用いたが、ガラスに限らず、プラスチックを用いる
か、もしくは観察しない側の基板をＳｉ等の不透明な基
板、観察する側の基板をガラス、プラスチック等の透明
基板を用いても良い。The material of the glass substrate 1.6 in this example is borosilicate glass, and is SiO! is 81'%, BsOs is 12chi, Na
A composition of 4 5O and 3qII of Al5Os (D4) was used.In this example, glass was used as the substrate, but it is not limited to glass, and plastic or a side that is not observed is used. The substrate may be an opaque substrate such as Si, and the substrate to be observed may be a transparent substrate such as glass or plastic.

このように構成してなる液晶表示装置の素子であるガラ
ス基板としては、板厚が１．１　ｗ　ｔ　、熱伝導率が
０．００２７　ｃａｔ＊、、”’　ｍｗ：’＠Ｃ−”本
実施例では高熱伝導層９は銅（熱伝導率０．９４３　ｃ
ａｔ・ＣＷＩ−’　＠＠＝　’　＠　Ｃ−’　）の蒸着
膜２μｍｔ−用いている。The glass substrate, which is an element of the liquid crystal display device configured in this way, has a thickness of 1.1 wt and a thermal conductivity of 0.0027 cat*, "'mw:'@C-"This implementation In the example, the high thermal conductivity layer 9 is made of copper (thermal conductivity 0.943 c
A vapor deposited film of 2 .mu.mt.at.CWI-'@@='@C-') was used.

また、断熱層１０は熱伝導率０．０００３　ＣａＬ＠ｃ
ｍ−”・（５）−１・Ｃ−１のキシレン重合体であり、
膜厚が５μｍである。また、透明電極としてはＩｎｔｏ
ｓ−８ｎｏｗの０．２μｍの蒸着膜を用いている。Further, the heat insulating layer 10 has a thermal conductivity of 0.0003 CaL@c
m-”・(5)-1・C-1 xylene polymer,
The film thickness is 5 μm. In addition, as a transparent electrode, Into
A 0.2 μm deposited film of s-8now is used.

表わされるものの混合物で、正の誘電異方性を示し室温
でスメクチック人相を呈し、４２Ｃでスメクチック人相
からネマチック相へ、さらに４５Ｃにおいてネマチック
相から等方性液体相（アイソトロピック相）へ転移し、
ゲスト・ホスト表示のための公知の色素を混入させたも
のを用いる。It is a mixture of the following, exhibiting positive dielectric anisotropy and exhibiting a smectic phase at room temperature, transitioning from smectic phase to nematic phase at 42C, and then from nematic phase to isotropic liquid phase (isotropic phase) at 45C. death,
A dye mixed with a known dye for guest-host display is used.

また、他のスメクチック相を有する液晶としては、４．
４’−アルコキシビフェニルカルボン酸アルキルエステ
ルと４．４′アルキルシアノトランとの混合物おるいは
４−アルコキシフェニル−４′−アルキル安息香酸エス
テルとＰ、Ｐ’−アルキルシアノビフェニルとの混合物
などが挙げられる。In addition, as other liquid crystals having a smectic phase, 4.
Examples include mixtures of 4'-alkoxybiphenylcarboxylic acid alkyl esters and 4.4'alkylcyanotranes, and mixtures of 4-alkoxyphenyl-4'-alkylbenzoic acid esters and P,P'-alkylcyanobiphenyl. It will be done.

本実施例では液晶４は、配向膜３によって、初期状態で
ホメオトロピック配向、すなわち、スメクチック相を有
する液晶分子を基板に対し垂直に配向させるようにする
が、水平配向でも良い。In this embodiment, the liquid crystal 4 is initially homeotropically aligned, that is, the liquid crystal molecules having a smectic phase are aligned perpendicularly to the substrate by the alignment film 3, but it may be horizontally aligned.

第１図ら〕に於ける一つの白色反射膜を兼ねる加熱電極
１１の断面拡大図を第４図に示す。FIG. 4 shows an enlarged cross-sectional view of the heating electrode 11 which also serves as one white reflective film in FIG. 1 et al.

第４図に於いて、配向膜３、高熱伝導層９、断熱層１０
は省略しである。In FIG. 4, an alignment film 3, a high thermal conductivity layer 9, a heat insulation layer 10
is omitted.

白色反射膜を兼ねる加熱電極１１は、Ａ４に（：：ｕ、
Ｓｉを添加したＡｌ合金（Ａｌ−２０重量（ｗｔ）％Ｃ
ｕ−４重竜（ｗｔ）％８ｉ３であり、膜厚方向の中央及
び基板付近１１ｂは絶縁物である酸化物の混入比が大き
いので比抵抗が大きく、かつ、灰黒色であり、また、主
表面付近１１ａは、酸化物の混入比が小さいので比抵抗
は小さく、かつ白色である。The heating electrode 11 which also serves as a white reflective film is attached to A4 (::u,
Al alloy with Si added (Al-20 weight (wt)%C
U-4 (wt)% 8i3, and the center in the film thickness direction and the vicinity of the substrate 11b have a high mixing ratio of oxide, which is an insulator, so the resistivity is large and the color is gray-black. The area near the surface 11a has a low specific resistance because the mixing ratio of oxides is low, and is white in color.

次に、加熱電極１１の製造方法及び本発明の基礎となっ
た実験につりて、詳細に述べる。Next, the method for manufacturing the heating electrode 11 and the experiments that formed the basis of the present invention will be described in detail.

第５図は、純Ａｌ及び本発明の一実施例で用いるＡｌ合
金（Ａｌ−２０ｗｔ　＊Ｃｕ−ｊ’ｉｓ　ｉ　）のシー
ト抵抗ρ−と膜厚との関係を示すグラフで　　・ある。FIG. 5 is a graph showing the relationship between sheet resistance ρ- and film thickness of pure Al and an Al alloy (Al-20wt*Cu-j'is i ) used in one embodiment of the present invention.

高周波プレーナマグネットロンスパッタ装置を用いて、
基板１上にスパッタ蒸着した順のシート抵抗を公知の４
探針抵抗測定法で測定したものである。第５図中破線は
純Ａｌの場合であり、また曲線■〜＠はスパッタ時のス
パッタガ・スと基板温度の条件を変化した場合である。Using high frequency planar magnetron sputtering equipment,
The sheet resistance in the order of sputter deposition on the substrate 1 is determined by the known 4
This was measured using the probe resistance measurement method. The broken line in FIG. 5 shows the case of pure Al, and the curves ① to ＠ show the case when the sputtering gas and substrate temperature conditions during sputtering were changed.

この結果をまとめたのが表１であり、第５図中の■〜■
と表１の■〜＠が対応する。This result is summarized in Table 1, and in Figure 5,
and ■ to @ in Table 1 correspond.

表１ また、第６図に膜表面のＳ　ＥＭ　（８ｃａｎｎｉｎｇ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）写真図を示
す。第６図（ａ）、　（ｂ）、　（ｃ）、　（ｄ）が第
５図及び表１の■、　（！ｉ）、　＠。Table 1 In addition, Fig. 6 shows the SEM (8 canning) of the membrane surface.
Electron Microscope) photograph is shown. Figure 6 (a), (b), (c), and (d) correspond to ■, (!i), and @ in Figure 5 and Table 1.

■にそれぞれ対応する。■Corresponds to each.

■の場合、スパッタガスとしてｋｒのみで基板温度が１
５０Ｃ以下と低い場合、高抵抗となるが、膜表面は鏡面
で白色の膜は得られない。この時の膜表面の８ＥＭ写真
〔第６図（ａ〕〕を見ると、０．１μｍ以下の微細な結
晶粒となっている。In the case of (2), the substrate temperature is 1 with only kr as the sputtering gas.
If the temperature is as low as 50C or less, the resistance will be high, but the film surface will be mirror-like and a white film will not be obtained. Looking at the 8EM photograph [Fig. 6 (a)] of the film surface at this time, it is found that it has fine crystal grains of 0.1 μm or less.

また■の場合、スパッタガスとしてｈｒのみで基板温度
２００〜４００１ｍ’と高くすると、膜は白色化するが
、抵抗値は純ｋｌに比べわずかに高くなる種度で膜厚０
．５μｍ以上でシート抵抗Ｐ−は０．１Ω１０以下であ
る。この時の膜表面のＳＥＭ写真〔第６図御）〕を見る
と、結晶粒が０．３〜０．５μｍと大きくなり、かつ凹
凸のある表面である。In the case of (2), if the substrate temperature is increased to 200 to 4001 m' using only hr as the sputtering gas, the film becomes white, but the resistance value is slightly higher than that of pure KL, and the film thickness is 0.
．． The sheet resistance P- is 0.1Ω10 or less at 5 μm or more. Looking at the SEM photograph of the film surface at this time [Fig. 6], the crystal grains are large, ranging from 0.3 to 0.5 μm, and the surface is uneven.

■はスパッタガスとしてＡｌに０３を０．５〜５チ混入
したもので基板温度が低いと高抵抗の膜に１　　　　　
　　なるが、表面は黒っぽい鏡面と々す、白色化しない
。■ is a sputtering gas in which 0.5 to 5 g of 03 is mixed into Al, and when the substrate temperature is low, it forms a high resistance film.
However, the surface has a blackish mirror finish and does not turn white.

＠の場合、スパッタガスが人ｒ＋ｏｎで基板温度２００
〜４００Ｃでは高抵抗であるが、灰黒色の表面が凹凸の
ある膜となる。この時の膜表面のＳＥＭ写真〔第６図（
Ｃ）〕を見ると、０．０１〜０．１μｍ程度の微細な粒
子が集まって、０．２〜１μｍのかたまりを形成し、そ
のかたまりによって覆われたよりな表面状態となってい
る。In the case of @, the sputtering gas is turned on and the substrate temperature is 200
At ~400C, the resistance is high, but the film becomes grayish-black and has an uneven surface. SEM photograph of the membrane surface at this time [Figure 6 (
C)], fine particles of about 0.01 to 0.1 μm gather to form a mass of 0.2 to 1 μm, and the surface is covered by the mass, resulting in a smooth surface condition.

以上の様に■〜■の方法ではいずれも、白色でかつ純Ａ
ｌより高抵抗である膜を得ることはできない。そこで、
目的とする白色で高抵抗な膜を得る方法として、本発明
者等は■と■を組合せる方５法（即ち、表１の■）での
み上記目的を達成できることを実験的に確認した。As mentioned above, in all methods ■～■, white and pure A
It is not possible to obtain a film with a resistance higher than 1. Therefore,
As a method for obtaining the desired white, high-resistance film, the present inventors have experimentally confirmed that the above object can be achieved only by method 5, which combines methods (1) and (2) (namely, (1) in Table 1).

すなわち、本発明の一実施例では、第７図に示すように
、スパッタ時間のうち、高基板温度で前半はＡｒ＋０ｍ
のスパッタガスで、高抵抗な膜を形成する。この時、第
４図に於ける、１１ｂの部分が形成され、膜は灰黒色で
表面は凹凸のある表面となる。そして後半、高い基板温
度でＡＩ”のみ　　　　　　）、。That is, in one embodiment of the present invention, as shown in FIG. 7, during the first half of the sputtering time, at a high substrate temperature, Ar
A high-resistance film is formed using sputtering gas. At this time, a portion 11b in FIG. 4 is formed, and the film is grayish-black and has an uneven surface. In the second half, only "AI" was used at high substrate temperature.

のスパッタガスで、低抵抗でおるが白色化した膜　　　
　・を主表面付近１１のみ形成するようにし、第４図に
示す様な加熱電極１１を形成したものである。With sputtering gas, the film has low resistance but turns white.
* is formed only near the main surface 11, and the heating electrode 11 as shown in FIG. 4 is formed.

＠５図のうち、◎で示した点が本発明の一実施例によっ
て得られた膜のシート抵抗値を示す。@5 In the diagram, the points marked with ◎ indicate the sheet resistance value of the film obtained according to one example of the present invention.

本発明の一実施例である第７図の場合、高周波出力２　
ｋＷスパッタ時間６０分、基板温度３００ｔｌ：’。In the case of FIG. 7, which is an embodiment of the present invention, the high frequency output 2
kW sputtering time 60 minutes, substrate temperature 300 tl:'.

スパッタガス圧１０ｍＴｏｒｒ（Ｌ３Ｐａ）基板回転方
式で、スパッタガスの組成をＡｒ＋（ｈとし、ガ・ス濃
度を最初のｔｌ＝５分間は９９９６Ａｒ＋１’ｌｉｏ鵞
、次のｔ鵞＝３５分間は９５＊Ａｒ＋５１０冨、次Ｏｔ
　ｓ　＝　５分間を９９＊Ａｒ＋１１０１、そして最後
のｔ４＝１５４〜１０諺なしのＡｌ１００％でスパッタ
した。この場合、膜厚１．２５μｍでシート抵抗は０．
３Ω１０が得られた。このときの膜表面のＳＥＭ写真〔
第６図（ｄ）〕を見ると、結晶粒が０．３〜０．５μｍ
と犬きくなり、かつ凹凸のめる表面状態となっている。The sputtering gas pressure is 10mTorr (L3Pa), the substrate rotation method is used, the composition of the sputtering gas is Ar+(h), and the gas concentration is 9996Ar+1'lio for the first tl=5 minutes, and 95*Ar+510 for the next tl=35 minutes. Tomi, next Ot
Sputtered with 99*Ar+1101 for s=5 minutes and finally t4=154-10 with 100% pure Al. In this case, the film thickness is 1.25 μm and the sheet resistance is 0.
3Ω10 was obtained. SEM photograph of the membrane surface at this time [
Figure 6(d)] shows that the crystal grains are 0.3 to 0.5 μm.
The surface is rough and has an uneven surface.

また白色度を示す拡散反射率は＠８図の実線に示すよう
に、波長４００ｎｍの光に対し７５％以上、波長７００
ｎｍで６０係以上のものが得られた。ｋお、本実施例で
基板温度を２ＱＯｔ：’にすると、第８図の破線に示す
拡散反射率特性となる。すなわち７００ｎｍで４０１以
上でおる。第７図において、ｔ１〜ｔ１の間は高抵抗は
灰黒色の膜となるが、ｔ４の間の膜が白色化した膜であ
るため、最終的に高抵抗で白色化した膜が得られたもの
である。In addition, the diffuse reflectance, which indicates whiteness, is 75% or more for light with a wavelength of 400 nm, as shown by the solid line in Figure @8.
A value of 60 nm or higher was obtained. In this example, if the substrate temperature is set to 2QOt:', the diffuse reflectance characteristic will be as shown by the broken line in FIG. That is, it is 401 or more at 700 nm. In Figure 7, the high resistance between t1 and t1 is a gray-black film, but since the film between t4 is a white film, a high resistance and white film is finally obtained. It is something.

第９図に、上述した様なプロセスによって得られた、第
４図の加熱電極１１の膜厚方向の比抵抗分布を示す。膜
厚方向の中央及び基板付近１１ｂに於いては、灰黒色で
あるが、基板付近での比抵抗は絶縁物となる酸化物の混
入され、比較的比抵抗が大きく、さらに、膜厚方向の中
央付近では、酸化物の混入量が増えて、比抵抗が大きく
なり、電極の主表面に近づくにつれ、酸化物の混入量が
減少する。電極の主表面付近１１ａＫ於いては、酸化物
は殆んど混入されずに比抵抗は小さくなり、白色化して
いる。FIG. 9 shows the specific resistance distribution in the film thickness direction of the heating electrode 11 shown in FIG. 4, which was obtained by the process as described above. At the center in the film thickness direction and near the substrate 11b, the color is gray-black, but the resistivity near the substrate is relatively large due to the mixture of oxides that act as insulators, and furthermore, the resistivity in the film thickness direction is Near the center, the amount of mixed oxide increases and the specific resistance increases, and as it approaches the main surface of the electrode, the amount of mixed oxide decreases. In the vicinity of the main surface of the electrode 11aK, almost no oxide is mixed, the resistivity is small, and the area is white.

なお、表面を白色化するにはｔ、＝１０〜２０分間程度
の時間が必要である。この時の１４間の膜厚は０．２μ
ｍ程度である。Note that it takes about 10 to 20 minutes (t) to whiten the surface. At this time, the film thickness between 14 is 0.2μ
It is about m.

なお、スパッタ時間のうちｔｌ〜ｔ３のスパンタガス中
の０２の混入比は第６図のようなシーヶンスだけでなく
、ｔ１〜ｔ３間のＯｘの混入比を０．５〜５％の間で一
定にして行なっても同様の効果が得られる。第１０図に
、このときの比抵抗分布を示す。スパッタガス中の０！
の混入率が高いほど、Ａｌ合金中に於ける酸化物の混入
量が増え、抵抗は高くなる。し九がって、ｔ１〜１．の
時間とスパッタガス中のＯ！の混入比を種々選択するこ
とによ沙、所望の膜厚で、所望のシート抵抗を形成でき
る。好ましくは、膜厚は０．５μｍ以上でシート抵抗は
０．１〜１．０Ω／Ｕである。第５図の◎の点はこのよ
うにして形成した膜の測定点である。ただし前述したｔ
４の間の膜厚は０．１５μｍ以下では、最終的に形成し
た膜は白色でも、明るさの少ない暗い膜となる。また、
１４間の膜厚が大きくなると全体の膜の抵抗を低下させ
るので、白色化する最小限の膜厚にするのが良い。Note that the mixing ratio of 02 in the spunter gas from tl to t3 of the sputtering time is determined not only by the sequence shown in Figure 6, but also by keeping the mixing ratio of Ox between t1 and t3 constant between 0.5 and 5%. Similar effects can be obtained by doing so. FIG. 10 shows the specific resistance distribution at this time. 0 in sputter gas!
The higher the mixing rate of Al alloy, the more the amount of oxide mixed in the Al alloy increases, and the resistance becomes higher. Then, t1~1. time and O in the sputtering gas! By selecting various mixing ratios, a desired film thickness and desired sheet resistance can be formed. Preferably, the film thickness is 0.5 μm or more and the sheet resistance is 0.1 to 1.0 Ω/U. The points marked ◎ in FIG. 5 are the measurement points of the film thus formed. However, the above-mentioned t
If the film thickness is between 4 and 0.15 μm or less, the final film formed will be a dark film with little brightness even if it is white. Also,
If the film thickness between 14 and 14 becomes large, the resistance of the entire film decreases, so it is preferable to set the film thickness to the minimum value that results in whitening.

以上の様に本発明の一実施例によれば、膜厚０、５　ｐ
　ｍ以上で、シート抵抗０．１〜１．０Ω１０で膜表面
の拡散反射率の高い白色化した加熱電極を形成できる効
果がある。As described above, according to one embodiment of the present invention, the film thickness is 0.5 p.
m or more, it is possible to form a white heating electrode with a sheet resistance of 0.1 to 1.0 Ω10 and a high diffuse reflectance on the film surface.

なお、本発明の他の実施例として、スパッタガスのＡｒ
＋ＯｚのＯｓのかわりにＮ！ガスを混入したＡｒ＋Ｎ！
の場合でも同様の効果が得られる。In addition, as another embodiment of the present invention, Ar of the sputtering gas
N instead of Os for +Oz! Ar+N mixed with gas!
A similar effect can be obtained in the case of

この場合、加熱電極１１に混入される絶縁物は窒化物と
なる。In this case, the insulator mixed into the heating electrode 11 is nitride.

また、Ａｌ合金として、他の材料組成のＡＡ−１０ｗｔ
％８１−５ｗｔ％Ｃｕでも同様の結果が得られた。Ａｌ
合金のＳｉとＣｕの添加量において、８ｉ＋Ｃｕの合計
が４０ｗ　ｔ　４以上になると白色化が困難で、またＳ
ｉ＋Ｃｕの添加量の合計が６ｗｔ％以下では膜厚０．５
μ以上で高抵抗化することか困難であり、従って８ｉ＋
Ｃｕの添加量が７〜４０ｗｔチの範囲が好ましいことを
本発明者等は実験で確認している。In addition, as an Al alloy, AA-10wt with other material composition
Similar results were obtained with %81-5wt%Cu. Al
Regarding the amount of Si and Cu added to the alloy, if the total of 8i + Cu is 40wt4 or more, whitening will be difficult and S
When the total addition amount of i+Cu is 6wt% or less, the film thickness is 0.5
It is difficult to increase the resistance above μ, so 8i+
The present inventors have confirmed through experiments that the amount of Cu added is preferably in the range of 7 to 40 wt.

また、Ａｌ合金の他の添加元素として、Ａｌ＋Ｔｉ、Ａ
ｌ＋Ｃｒ、Ａｌ＋Ｎｉ、Ａｌ＋Ｍｇ等の合金を用いて、
同様にスパッタガス中の０□またはＮ３ガス混入率を制
御して膜形成しても同じよ　　　　゛うな効果があ石。In addition, other additive elements for Al alloys include Al+Ti, A
Using alloys such as l+Cr, Al+Ni, Al+Mg,
Similarly, the same effect can be obtained by controlling the mixing rate of 0□ or N3 gas in the sputtering gas to form a film.

本発明の実施例では、スパッタ蒸着法により膜形成を行
なったが、他の成膜法として、抵抗蒸着法や電子ビーム
蒸着法で、ガスを導入し、蒸発粒子をイオン化し、電界
により加速してから基板に付着させるイオンブレーティ
ング法などを使用しても良い。In the examples of the present invention, the film was formed by sputter deposition, but other film-forming methods include resistive deposition and electron beam deposition, in which gas is introduced, ionized evaporated particles, and accelerated by an electric field. It is also possible to use an ion blating method in which the film is then attached to the substrate.

第１１図は、本発明の一実施例となる液晶表示装置の全
体構成図である（特開昭５９−１５５８８０号公報参照
）。FIG. 11 is an overall configuration diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention (see Japanese Patent Laid-Open No. 155880/1983).

パネル２００は、第１図に示すものと同様なものであり
、第１１図では、説明を簡単にするために、３行３列の
マトリックスで示している。Panel 200 is similar to that shown in FIG. 1, and is shown in FIG. 11 as a matrix of three rows and three columns for ease of explanation.

一方の基板に形成した加熱電極となるＹ電極の１１ａ〜
ｌｌｃの一方の端子にスイッチ４２ａ〜４２ｃを接続し
、他方の端子をＧＮＤ（ＯＶ）に接続する。11a~ of the Y electrode which becomes the heating electrode formed on one substrate
Switches 42a to 42c are connected to one terminal of llc, and the other terminal is connected to GND (OV).

さらに、他方の基板に形成した透明電極となるＸ電極４
４ａ〜４４ｃにスイッチペア４１ａ〜４１ｃを接続する
。Furthermore, an X electrode 4 serving as a transparent electrode formed on the other substrate
4a to 44c are connected to switch pairs 41a to 41c.

スイッチ４２ａ〜４２ｃには、ヒート電源４７を接続し
、スイッチペア４１ａ〜４１Ｃには、駆動回路４０を接
続する。駆動回路４０は、選択電圧Ｖｓ及び非選択電圧
Ｖｗ　ｓを出力し、Ｖ　＠　＜　Ｖｓ口（実効値）とす
る。A heat power source 47 is connected to the switches 42a to 42c, and a drive circuit 40 is connected to the switch pairs 41a to 41C. The drive circuit 40 outputs a selection voltage Vs and a non-selection voltage Vws, and sets V@<Vs (effective value).

Ｖｓは、本実施例ではＯＶあるいはこの近傍が選ばれる
。また、Ｗａｓは、第１２図に示す様なパルス波に限ら
ず、正弦波、間欠パルス等が選ばれるが、液晶の劣化を
防ぐため平均値が０■となる交流が望ましい。In this embodiment, Vs is selected to be OV or its vicinity. Further, Was is not limited to a pulse wave as shown in FIG. 12, but a sine wave, an intermittent pulse, etc. may be selected, but an alternating current with an average value of 0 is preferable in order to prevent deterioration of the liquid crystal.

ここで、液晶パネル２００の画素のうち斜線を施し九画
素ｅ１１　ｔ　ｅｌ、ｓ　ｅｚｔ・ｅｌ３・ｅｌ１・ｅ
ｓ２を書込み状態（散乱状態）、他の画素ｅ１１＊ｅ２
２＋ｅ３１を非書込み状態（透明状態）とする場合の、
Ｘ電極５ａ〜５ＣとＹ電極１１ａ〜ｌｌｃに加える電圧
を第１２図に示す。Here, among the pixels of the liquid crystal panel 200, nine pixels are shaded e11 t el, s ezt・el3・el1・e
s2 in writing state (scattered state), other pixels e11*e2
When 2+e31 is in a non-writing state (transparent state),
FIG. 12 shows the voltages applied to the X electrodes 5a to 5C and the Y electrodes 11a to llc.

スイッチペア４１ａ〜４１　ｃ　１に：総てオフにした
状態でスイッチ４２ａを一定時間だけオンし、Ｙ電極１
１ａにヒート電圧Ｖｗを印加する。この結果、ＹＰに極
１１ａは発熱し、ジュール熱により液晶は加熱されスメ
クチック相から等方性液体相に転移する。Switch pair 41a to 41c 1: Turn on switch 42a for a certain period of time with all switches turned off, and switch Y electrode 1.
Heat voltage Vw is applied to 1a. As a result, the YP pole 11a generates heat, and the liquid crystal is heated by Joule heat, causing a transition from the smectic phase to the isotropic liquid phase.

次にスイッチ４２ａをオフにし、ヒート電圧−ｖｗを取
や去ると液晶は急速に冷却するがこの時スイッチペア４
．１　ａの一方のスイッチのみをオンして非選択電圧Ｖ
ＫＳ　を選択し出力する。残りのスイッチベア４１ｂと
４１ｃは、選択電圧Ｖ。Next, when the switch 42a is turned off and the heat voltage -vw is removed, the liquid crystal is rapidly cooled, but at this time switch pair 4
．． 1 Turn on only one switch a and set the non-selection voltage V
Select KS and output. The remaining switch bears 41b and 41c have a selection voltage V.

（−〇）を選択し出力する。この結果、斜線を施した画
素０１２　ｅ　ｅ１３は書込み状態となり、画素ｅｔｔ
は非書込み状態となる。Select (-〇) and output. As a result, the diagonally shaded pixels 012 e e13 enter the writing state, and the pixel ett
is in a non-writing state.

以上述べた動作をＹ電極ｔｌｂ、ｌｌｃについても順次
同様に行う。The above-described operations are similarly performed sequentially for the Y electrodes tlb and llc.

第１３図は、第１１図の表示装置の情報読み出しについ
て、示したものである。FIG. 13 shows information reading from the display device of FIG. 11.

Ｙ電極１１ａ〜１１Ｃにスイッチベア６８ａ〜６８ｃｔ
−接続し、このスイッチには、読出しパルス回路７２か
らの読出し電圧Ｖｍ及び定電圧電源７３からの電圧を入
力する。そしてスイッチの切換えは、走査回路７４で行
う。Switch bearings 68a to 68ct are attached to Y electrodes 11a to 11C.
- connection, and the read voltage Vm from the read pulse circuit 72 and the voltage from the constant voltage power supply 73 are input to this switch. Switching is performed by a scanning circuit 74.

一方、Ｘ電極５ａ〜５Ｃに電流−電圧変換回路６９ａ〜
６９Ｃを接続する。さらに１波形整形回路７０ａ〜７０
ｃｅ＃記電流−電圧変換回路６９ａ〜６９ｃに接続する
。さらに、前記波形整形回路７０ａ〜７０ｃに面像情報
信号変換回路７１８〜７１ｃを接続する。On the other hand, the current-voltage conversion circuits 69a to 69a are connected to the X electrodes 5a to 5C.
Connect 69C. Furthermore, one waveform shaping circuit 70a to 70
ce# is connected to the current-voltage conversion circuits 69a to 69c. Further, surface image information signal conversion circuits 718 to 71c are connected to the waveform shaping circuits 70a to 70c.

この回路の動作は、まずスイッチペア６８ａのみが読出
し電圧Ｖｍを選択すると特開昭５９−１５５８８０　号
公報で説明される動作と同様の原理で画素ｅｌｌｓｅｌ
ｌ＠ｅ１１の静電容量に応じて画像信号変換回路７１ａ
〜７１Ｃの出力電圧が″″Ｈ＃Ｈ＃レベル″Ｌ”レベル
となる。以下、同様の動作をスイッチベア６８ｂ、６８
ｃについても行う。The operation of this circuit is such that when only the switch pair 68a selects the readout voltage Vm, the pixel elssel
Image signal conversion circuit 71a according to the capacitance of l@e11
The output voltage of ~71C becomes ``H#H# level'' and ``L'' level. Hereinafter, similar operations will be performed on the switch bears 68b and 68.
Also do this for c.

今、スイッチベア６８ａ〜６８ｃの制御信号Ｌ１〜Ｌ３
が１Ｈ”レベルで読出し電圧ｖ冨を選択し　ＩＩ　Ｌ　
＃レベルで定電圧電源７３を選択し、かつ画素ｅ目と８
３１が書込み状態である時の各部の電圧波形を示すと第
１４図のようになる。Now, the control signals L1 to L3 of the switch bears 68a to 68c
Select the read voltage v when the voltage is 1H” level. II L
# Select the constant voltage power supply 73 with level, and select pixel e and 8.
FIG. 14 shows voltage waveforms at various parts when 31 is in the write state.

ｖ８　＊　Ｄｔ　ｌ　ｎ、は九画素ｅ１１＊ｅｌｌｅＣ
３１の静電容ｔを読出した時の波形であり、これらは、
読出　　　　　　　ソし電圧Ｖｍの１クロツク毎に順次
読出すことかで　　　　′きる。v8 * Dt l n, is 9 pixels e11 * elleC
These are the waveforms when reading out the capacitance t of 31.
Reading can be done by sequentially reading out each clock of the voltage Vm.

第１５図は、第１１図と第１３図とを一体化したときの
一実施例を示したものである。FIG. 15 shows an embodiment in which FIG. 11 and FIG. 13 are integrated.

Ｘ電極５ａ〜５Ｃに選択スイッチ１０３８〜１０３Ｃを
接続する。選択スイッチの一方め入力端子には、Ｘ電極
駆動回路１０４を接続し、他方の入力端子には変位電流
検出回路１０５を接続する。Selection switches 1038-103C are connected to X electrodes 5a-5C. An X electrode drive circuit 104 is connected to one input terminal of the selection switch, and a displacement current detection circuit 105 is connected to the other input terminal.

加熱電極となるＹ電極１１ａ〜ＩＩＣの一端には、選択
スイッチ１０２ａ〜１０２Ｃを接続する。Selection switches 102a to 102C are connected to one ends of the Y electrodes 11a to IIC, which serve as heating electrodes.

この選択スイッチの一方の入力端子には、Ｙ電極駆動回
路１００を接続し、他方の入力端子には、静電容を続出
し電圧発生回路１０１を接続する。A Y electrode drive circuit 100 is connected to one input terminal of this selection switch, and a voltage generation circuit 101 connected to a capacitance is connected to the other input terminal.

さらに、Ｙ電極１１ａ〜ｌｉＧの他端には、スイッチ１
０６ａ〜１０６Ｃを接続する。Further, a switch 1 is provided at the other end of the Y electrodes 11a to liG.
Connect 06a to 106C.

ここで、情報を書込む時は、選択スイッチ１０２ａ　〜
１０２ｃは、Ｙ電極駆動回路１００を選択し、一方、選
択スイッチ１０３ａ〜１０３Ｃは、Ｘ電極駆動回路１０
４を選択する様にする。Here, when writing information, select switch 102a ~
102c selects the Y electrode drive circuit 100, while selection switches 103a to 103C select the X electrode drive circuit 10.
Make sure to select 4.

また、本実施例に於いてはレーザ光による書込みを併用
することができ、スイッチ１０６ａ〜１０６Ｃは、レー
ザ光による書込み時には、全２インチをオフ状態にし、
第１１図で示した電極の発熱による書込み時には、全ス
イッチをオン状態にする。Further, in this embodiment, writing by laser light can be used together, and the switches 106a to 106C turn off all 2 inches when writing by laser light.
During writing due to heat generated by the electrodes shown in FIG. 11, all switches are turned on.

一方、情報の読出し時には、選択スイッチ１０２ａ　〜
１０２ｃ及び１０３　ａ　〜１０３　ｃは、それぞれ静
電容量読出し電圧発生回路１０１及び変位電流検出回路
１０５を選択するようにする。On the other hand, when reading information, the selection switches 102a to
102c and 103a to 103c select the capacitance read voltage generation circuit 101 and the displacement current detection circuit 105, respectively.

また、このときスイッチ１０６ａ〜１０６Ｃは、オフ状
態とする。Further, at this time, the switches 106a to 106C are turned off.

本実施例によれば、電極の発熱によって、外部回路から
任意の画像を液晶パネルに書込み表示し、観察者、ユー
ザーが、レーザーペンによって、任意に情報を追加、修
正、削除したりし、かつ、その情報を読み出して、外部
回路へ出力することが可能となる。According to this embodiment, an arbitrary image is written and displayed on the liquid crystal panel from an external circuit by the heat generated by the electrodes, and an observer or user can arbitrarily add, modify, or delete information using a laser pen. , it becomes possible to read out that information and output it to an external circuit.

伺、第１３図及び第１５図の実施例に於いては加熱電極
１１１直接用いて、静電容量が検出することができると
いう効果がある。However, the embodiments shown in FIGS. 13 and 15 have the advantage that the heating electrode 111 can be used directly to detect capacitance.

以上の本発明の実施例としては、スメクチック相を有す
る液晶を例にとって説明したが、これに限定されず、ネ
マチック液晶にコレステリック液晶を混入し九液晶等、
一般の熱光学効果または電気・熱光学効果を有する表示
体であれば、本発明は適用できる。The above embodiments of the present invention have been explained by taking a liquid crystal having a smectic phase as an example, but the present invention is not limited to this.
The present invention is applicable to any display having a general thermo-optic effect or an electric/thermo-optic effect.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によれば、比較的抵抗が高く、かつ簡単な構成の
白色反射膜を兼ねる電極を具備する表示装量及びその製
造方法を得ることができる。According to the present invention, it is possible to obtain a display device having an electrode that has a relatively high resistance and a simple structure and also serves as a white reflective film, and a method for manufacturing the same.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明の一実施例となる液晶表示装置の分解斜
視図および断面構造図、第２図及び第３図は従来の液晶
表示装置の断面図、第４図は第１図に於ける加熱電極１
１の断面拡大図、第５図は液晶表示装置のシート抵抗と
膜厚との関係を示す図、第６図は第５図の膜表面の粒子
構造の８ＥＭ写真、第７図は本発明の一実施例の製造方
法を示す図、第８図は本発明の一実施例の拡散反射率特
性を示す図、第９図及び第１０図は本発明の一実施例の
膜厚方向の比抵抗分布の一例を示す図、第１１図は本発
明の一実施例となる液晶表示装置の全体構成図、第１２
図は第１１図の動作タイミングチャート、第１３図は第
１１図の表示装置の情報読み出しについての構成図、第
１４図は第１３図の動作タイミングチャート、第１５図
は第一１１図と第１３図とを一体化したときの一実施例
を示す構成図である。 １．６・・・基板、２．１１・・・加熱電極、４・・・
液晶層、５・・・透明電極。FIG. 1 is an exploded perspective view and a sectional structural view of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention, FIGS. 2 and 3 are sectional views of a conventional liquid crystal display device, and FIG. Heating electrode 1
1 is an enlarged cross-sectional view, FIG. 5 is a diagram showing the relationship between sheet resistance and film thickness of a liquid crystal display device, FIG. 6 is an 8EM photograph of the particle structure of the film surface in FIG. 5, and FIG. A diagram showing the manufacturing method of one embodiment, FIG. 8 a diagram showing the diffuse reflectance characteristics of one embodiment of the present invention, and FIGS. 9 and 10 show specific resistance in the film thickness direction of one embodiment of the present invention. FIG. 11 is a diagram showing an example of distribution, and FIG. 11 is an overall configuration diagram of a liquid crystal display device according to an embodiment of the present invention.
11 is an operation timing chart of FIG. 11, FIG. 13 is a configuration diagram of information reading of the display device of FIG. 11, FIG. 14 is an operation timing chart of FIG. 13, and FIG. 13 is a configuration diagram showing an example when integrated with FIG. 13. FIG. 1.6... Substrate, 2.11... Heating electrode, 4...
Liquid crystal layer, 5...transparent electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 １、対向面に一方の電極と白色反射膜を兼ねる他方の電
極とが対向するように形成される一対の基板と、該一対
の基板間に保持される熱光学効果または電気・熱光学効
果を有する表示体とを具備する表示装置に於いて、上記
白色反射膜を兼ねる他方の電極は、膜厚方向の中央付近
の比抵抗が、主表面付近の比抵抗より大きいことを特徴
とする表示残置。 ２、対向面に一方の電極と白色反射膜を兼ねる他方の電
極とが対向するように形成される一対の基板と、該一対
の基板間に保持される熱光学効果または電気、熱光学効
果を有する表示体を具備する表示装置に於いて、上記白
色反射膜を兼ねる他方の電極は、絶縁物が混入されて形
成され、膜厚方向の中央付近に於ける上記絶縁物の混入
比が、主表面付近に於ける上記絶縁物の混入比より大き
いことを特徴とする表示装置。 ３、特許請求の範囲第１項または第２項に於いて、一方
の電極は透明電極であり、白色反射膜を兼ねる表示装置
。 ４、特許請求の範囲第１項または第２項に於いて、熱光
学効果または電気・熱光学効果を有する表示体は、スメ
クチック相を有する液晶であることを特徴とする表示装
置。 ５、特許請求の範囲第１項または第２項に於いて、白色
反射膜を兼ねる他方の電極は、膜厚０．５μｍ以上で、
シート抵抗０．１〜１．０Ω／□であることを特徴とす
る表示装置。 ６、特許請求の範囲第１項または第２項に於いて、白色
反射膜を兼ねる他方の電極は、Ａｌ合金で形成されるこ
とを特徴とする表示装置。 ７、特許請求の範囲第６項に於いて、Ａｌ合金はＡｌに
Ｃｕ、Ｓｉを添加した合金であることを特徴とする表示
装置。 ８、特許請求の範囲第７項に於いて、上記Ａｌ合金は、
Ｃｕ、Ｓｉの添加量の合計が７〜４０重量％の範囲であ
ることを特徴とする表示装置。 ９、特許請求の範囲第２項に於いて、絶縁物は酸化物ま
たは窒化物であることを特徴とする表示装置。 １０、対向面に一方の電極と白色反射膜を兼ねる他方の
電極とが対向するように形成される一対の基板と、該一
対の基板間に保持される熱光学効果または電気・熱光学
効果を有する表示体を具備する表示装置に於いて、上記
白色反射膜を兼ねる他方の電極は、スパッタガスとして
酸素および／または窒素が混入された第１の工程と、ス
パッタガスとして酸素および／または窒素が上記第１の
工程より少なく混入された第２の工程とを含むスパッタ
蒸着で形成されることを特徴とする表示装置の製造方法
。 １１、特許請求の範囲第１０項に於いて、上記第２の工
程は、スパッタガスとして酸素および／または窒素が混
入されていない工程であることを特徴とする表示装置の
製造方法。[Claims] 1. A pair of substrates formed such that one electrode and the other electrode that also serves as a white reflective film are opposed to each other on opposing surfaces, and a thermo-optic effect held between the pair of substrates, or In a display device equipped with a display body having an electro-thermo-optical effect, the other electrode that also serves as the white reflective film has a specific resistance near the center in the film thickness direction that is larger than a specific resistance near the main surface. Display leftover featuring. 2. A pair of substrates in which one electrode and the other electrode that also serves as a white reflective film are formed to face each other on opposing surfaces, and a thermo-optic effect or an electric or thermo-optic effect maintained between the pair of substrates. In the display device equipped with the display body, the other electrode that also serves as the white reflective film is formed by mixing an insulating material, and the mixing ratio of the insulating material near the center in the film thickness direction is mainly A display device characterized in that the mixing ratio of the insulator is greater than that in the vicinity of the surface. 3. The display device according to claim 1 or 2, wherein one electrode is a transparent electrode and also serves as a white reflective film. 4. A display device according to claim 1 or 2, wherein the display body having a thermo-optic effect or an electro-thermo-optic effect is a liquid crystal having a smectic phase. 5. In claim 1 or 2, the other electrode that also serves as a white reflective film has a thickness of 0.5 μm or more,
A display device having a sheet resistance of 0.1 to 1.0Ω/□. 6. The display device according to claim 1 or 2, wherein the other electrode that also serves as a white reflective film is formed of an Al alloy. 7. A display device according to claim 6, wherein the Al alloy is an alloy in which Cu and Si are added to Al. 8. In claim 7, the Al alloy is:
A display device characterized in that the total amount of Cu and Si added is in the range of 7 to 40% by weight. 9. A display device according to claim 2, wherein the insulator is an oxide or a nitride. 10. A pair of substrates formed such that one electrode and the other electrode that also serves as a white reflective film are opposed to each other on opposing surfaces, and a thermo-optic effect or an electric/thermo-optic effect maintained between the pair of substrates. In the display device equipped with a display body, the other electrode that also serves as the white reflective film has a first step in which oxygen and/or nitrogen is mixed as a sputtering gas, and a first step in which oxygen and/or nitrogen is mixed in as a sputtering gas. A method for manufacturing a display device, characterized in that the display device is formed by sputter deposition, including a second step in which a smaller amount than the first step is mixed. 11. The method of manufacturing a display device according to claim 10, wherein the second step is a step in which oxygen and/or nitrogen is not mixed as a sputtering gas.